DE3048108C2 - Speichervorrichtung mit schnellen Wortleitungsladeschaltungen - Google Patents

Description

Wie aus der Figur ersichtlich ist, beginnt der Strom AI₅, zu einer Zeit t\ zu fließen, zu der der Anstieg der Wortleitungsspannung Va beginnt und erreicht sein Maximum zu einer Zeit f2, zu der die Spannung V_x auf dem hohen Wert ankommt. Umgekehrt beginnt bei abfallender Spannung V_x der Strom ΔΙ_α zu einer Zeit i₃ abzufallen, zu der der Abfall der Spannung V_x in Gang gesetzt wird. Der Strom Δ1_α ist in seinem Abfall durch die Verzögerungsschaltung 21a bzw. 216 verzögert bzw. verlangsamt und wi.u Null zu einer Zeit fs. Das heißt zu einer Zeit U, zu der die Spannung V_x vollständig abgefallen ist, fließt immer noch ein großer Strom Al_sl. Infolgedessen geschieht das Abführen von Ladungen aus Streukapazitäten C_S\ und Csi die an der oberen Wortleitung L_x ο bzw. der unteren Wortleitung Lsto hängen, mit hoher Geschwindigkeit, so daß die Abfallgeschwindigkeiten für die Spannungen auf den Wortleitungen L_x ο und Ι,ϊγο hoch werden. Infolgedessen lassen sich Zugriffs- und Zykluszeit des Speicherbetriebs verkürzen, verglichen mit denjenigen bei Fehlen der Schaltungen 20a, 21a und 22a.

Ferner läßt sich nach diesem Verfahren neben der Versteilerung des Abfalls der Wortleitungss^annung auch der Einfluß einer während des Durchgangs des Umschaltens von Adressensignalen auftretenden Doppelauswahl vermindern.

Eine große Anzahl von Speicherzellen wird üblicherweise in Form einer Matrix auf einem Speicher-LSI-Chip angeordnet und zur Auswahl gewünschter dieser Zellen wird eine Anzahl von Adressensignaien angelegt Das Umschalten der Adressensignale geschieht durch Schalten der Werte einiger dieser Adressensignale. Der Idealfall ist, daß das Schalten der Werte für alle Adressensignale gleichzeitig erfolgen sollte. Tatsächlich sind jedoch üblicherweise einige Abweichungen hinsichtlich der Zeiten im Spiel, an denen die Werte der einzelnen auf einen Adressensignaleingangsstift gegebenen Adressensignale geschaltet werden, was auf ungleiche Längen von gedruckten Verbindungsleitungen zwischen Gattern zur Einsteuerung der Adressensignale und dem Adressensignaleingangsstift usw. zurückgeht. Im folgenden soll diese Abweichung »Adressenasymmetrie« genannt werden.

(a) in Fig.3 zeigt ein Beispiel des Schaltens des auf den Adressensignaleingangsstift gegebenen Adressensignals. Bei einem Fehlen einer Adressenasymmetrie ändern sich die betreffenden Adressensignale in der durch die durchgehenden Linien angegebenen Weise. Das heißt, zu der Zeit, zu der das Adressensignal 3\ von hohem Wert auf niedrigen Wert schaltet, schalten die anderen Adressensignale, beispielsweise die Signale a₂ und a₃ von niedrigem Wert auf hohen Wert. Dementsprechend schalten die Werte der umzuschaltenden Adressensignale in der gleichen zeitlichen Lage. Dabei schaltet die Spannung der oberen Wortleitung, die aus dem ausgewählten Zustand in den nicht-ausgewählten Zustand übergeht, wie durch die Wellenform b\ (b) der F i g. 3 veranschaulicht, vom hohen Wert auf den niedrigen Wert, während die Spannung der obei en Wortleitung, die vom nicht-ausgewählten Zustand in den ausgewählten Zustand übergeht, in der durch die Wellenform t>2 veranschaulichten Weise schaltet. Die Werte der beiden Wellenformen b\ und tn schalten ohne zeitliche Verzögerung. Die Spannungen aller anderen oberen Wortleitungen verbleiben auf dem Nicht-Auswahlwert. Bei Vorhandensein der Adi essenasymmetrie ändert sich jedoch die Situation. Es sei als Beispiel angenommen, daß, wie durch die unterbrochene Linie in (a) der F i g. 3 veranschaulicht, bei einem der Adressensignale, a* eine Adressenasymmetrie im Spiel ist, so daß der Zeitpunkt der Wertumschaltung des Signals aj gegenüber dem Zeitpunkt der Wertumschaltung der anderen Adressensignale a\ und ai nachhinkt. In diesem Fall wird während der Zeitdauer nach dem Schalten der Signale a\ und 32 und vor dem Schalten des Signals a₃ die obere Wortleitung, die durch den Zustand bestimmt wird, daß die Signale a\, 32 und a₃ auf niedrigem, hohem bzw. niedri- !0 gern Wert sind, vorübergehend ausgewählt Wenn dann das Signal a₃ schließlich geschaltet hat wird die gewünschte obere Wortleitung ausgewählt Dementsprechend werden die Spannungswellenformen der oberen Wortle-tungen in diesem Fall so, wie sie bei (c) in F i g. 3 gezeigt sind. Aus diesen Spannungswellenfonnen ist ersichtlich, daß entsprechend dem Schalten der Signale a\ und S2 die Spannung b\ der bis dahin ausgewählten oberen Wortleitung abzufallen und die Spannung Zj₃ der anderen oberen Wortleitung vorübergehend anzusteigen beginnt Diese obere Wortleitung wird jedoch nur vorübergehend ausgewählt, und ihre Spuinung O₃ steigt nur geringfügig an und beginnt danach abzufallen. Zu diesem Zeitpunkt beginnt die gewünschte obere Wortleitung ausgewählt zu werden und ihre Spannung bi anzusteigen. Hierbei bewirkt infolge der Tatsache, daß die Spannung A₃ der vorübergehend ausgewählten oberen Wortleitung größer als die Nicht-Auswahlspannung geworden ist das mit der oberen Wortleitung verbundene Schaltgüed, daß der Strom ΔΙ_α geringfügig in die entsprechende untere Wortleitung fließt womit sich die Geschwindigkeit erhöht, mit der die Spannung bi der vorübergehend ausgewählten oberen Wortleitung auf den Nicht-Auswahlwert abfällt.

Infolgedessen kann die Spannung der vorübergehend ausgewählten oberen Wortleitung schneller auf den Nicht-Auswahlwert zurückgeführt werden, als dies beim Fehlen der Schaltglieder 22a und 22b der Fall wäre, so daß hierdurch die Zerstörung von Information vermindert werden kann.

Um jedoch die Arbeitsgeschwindigkeit des Speichers noch weiter zu erhöhen, ist es wünschenswert, daß die Spannung bi noch schneller abfällt wie dies durch eine Spannung b₄ veranschaulicht ist. Wie durch (a) und (b) der F i g. 2 dargestellt fließt der auf das Schaltgüed 22a oder 226 zurückgehende Strom Δ1₅, nur gerngfügig. außer die Spannung der oberen Wortleitung wird ausreichend angehoben, weshalb die Spannung U₃ nicht so schnell wie die Spannung b* abgesenkt v/erden kann. Bei Speichern höherer Arbeitsgeschwindigkeit tritt dementsprechend bisweilen eine Zerstörung von Information auf, die darauf zurückgeht, daß zwei obere Wortleitungen vorübergehend gleichzeitig ausgewählt worden sind. In F i g. 3 wurde auf de;) Fall Bezug genommen, wo die Adrtssenasymmetrie nur bezüglich eines einzigen Adressensignals vorhanden war. Wenn bei zwei oder mehr Adressensignalen unterschiedliche Asymmetrien vorliegen, tritt eine Doppelauswahl oder Auswahl in noch höherer Vielfachheit auf und die Situation verschlechtert sich.

Aufgabe der Erfindung ist daher die Schaffung eines Speichers, bei welchem der Einfluß der Doppelauswahl infolge von Adressenasymmetrien im Hochgeschwindigkeitsbetrieb beseitigt ist.

Die erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe ist im Kennzeichenteil des Patentanspruchs 1 angegeben. Die danach vorgesehene Verzögerungsschaltung gewährleistet, daß ein ausreichend großer Strom in die untere Wortleitung auch dann fließt, wenn die Spannung der

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oberen Wortleitung nicht die Auswahlspannung er- D₀ auf die Spannung (V_Ci- + V_F) auch dann geklemmt,

reicht. wenn die Spannung der Wortleitung Lxo weiter an-

Eine Ausführungsform der Erfindung wird im folgen- steigt.

den in Verbindung mit der beigefügten Zeichnung be- Die Emitterspannung des Emitterfolgertransistors

schrieben. Auf dieser ist 5 Q₂₀J ändert sich auf die Änderung seiner Basisspannung

F i g. 1 ein Schaltbild eines bekannten bipolaren Spei- hin in der bei (c) der F i g. 5 gezeigten Weise. Das heißt,

chers, die Emitterspannung hält einen festen Wert nach der

Fig.2 ein Zeitdiagramm von Signalen zur Erläute- Zeit I₂, zu der die Basisspannung, die auf den Anstieg

rung der Arbeitsweise der Schaltung der F i g. 1, der Spannung der Wortleitung Lx₀ hin angestiegen ist,

Fig. 3 eine Darstellung der Änderung von Wortlei- io die Versorgungsspannung(Vcl + V^erreicht,

tungsspannungen zur Erläuterung eines Problems der Abhängig von dieser Emitterspannung des Transi-

SchaltungderFig. 1, stors Qxu bewirkt das Schaltglied 22a einen Strom, wie Fi g. 4 ein Schaltbild eines Speichers gemäß der Er- er bei (d) der F i g. 5 gezeigt ist, zur unteren Wortleitung

findung, und Lsro- Beim Schaltglied 22a ist der Wert für den Wider-

Fig.5 ein Zeitdiagramm von Signalen zur Erläute- is stand Z?**' so gewählt, daß der zulässige Maximalstrom

rung der Arbeitsweise der Schaltung der F ig. 4. der Schaltung fließt, wenn die Emitterspannung des

Eine Ausführungsform der Erfindung, die in Fig. 4 Transistors Φ03 den festen Wert zur Zeit ti erreicht hat.

gezeigt ist, unterscheidet sich von der Schaltung der Selbst wenn die Spannung der Wortleitung Lxα wei-

F i g. 1 insofern, als eine Diode Ov an fieren Käthod? '.er 2nst?i"t. bewirkt das SchälfÜcd 223 weiterhin. Haß

eine Spannungsquelle Va. angeschlossen ist, mit der Ba- 20 der Maximalstrom fließt, weil die Basisspannung des

sis des Transistors Q₂₀J verbunden ist, und insofern, als Transistors Qxa geklemmt ist.

der Wert eines Widerstands Ä204' kleiner als der Wert Mit dem Beginn des Abfallens der Spannung der des Widerstands Ä204 in der Schaltung der Fig. 1 ge- Wortleitung Lxo zur Zeit h beginnt auch die Emitterwählt wird. Die Diode Oo dient dazu, die Basisspannung spannung des Transistors Qx>\ zu fallen. Die Basisspan-Qm auf die Versorgungsspannung Vcl zu klemmen. 25 nung des Transistors Qx₃ wird jedoch durch die Diode

Es sei als Beispiel angenommen, daß in einem Fall, wo L\ auf die Versorgungsspannung (Vcl + Vf) geklemmt

die obere Wortleitung Lxo ausgewählt wird, die Span- gehalten, und der erwähnte Maximalstrom fleißt weiter-

nung der Wortleitung Lxo von der Nicht-Auswahlspan- hin au? hm Schaltglied 22a.

nung zur Auswahlspannung zu einer Zeit t\ anzusteigen Wenn eine Zeit ti erreicht ist, wird die durch die

beginntdie Auswahlspannung zu einer Zeit h erreicht 30 Emitterspannung des Transistors Q201 bestimmte Basis-

und von einer Zeit ti bis zu einer Zeit U abfällt, wie dies spannung des Transistors Qxa Meiner als die Versor-

in (a) der F i g. 5 dargestellt ist. Die Spannungszufuhr an gungsspannung (Vcl + V_F) unc! die Diode D₀ löst die

die Wortleitung L_xo geschieht durch einen (nicht gezeig- Klemmung. Die Folge ist, daß die Basisspannung des

ten) bekannten Treiber. Der Treiber liefert den von der Transistors Qxa zur Zeit ti abzufallen beginnt Dabei ist

Nicht-Auswahlspannung auf die Auswahlspannung in 35 die Abfallgeschwindigkeit der Emitterspannung des

obiger Weise schaltenden Spannungsimpuls an die aus- Transistors Qua unter der Wirkung der mit seinem

zuwählende obere Wortleitung auf ein Adressensignal Emitter verbundenen Streukapazität C203 verlangsamt,

hin. Infolgedessen fällt auch nach dem vollständigen Abfall

Der Emitterfolgertransistor Q₂₀₁ stellt diese Ände- der Spannungen der oberen Wortleitung L_xo und der

rung der Spannung der Wortleitung fest und seine Emit- 40 Basis des Transistors Qx» auf den Nicht-Auswahlwert

terspannung ändert sich in der gleichen Wellenform, wie zu einer Zeit U die Emitterspannung des Transistors

sie bei (a) der F i g. 5 gezeigt ist. Diese Spannungsände- <?a>3 noch weiterhin ab, wobei diese Spannung ihren Ab-

rung erzeugt unter der Wirkung des Widerstandes Ä201 fall zu einer Zeit ti beendet. Auf den Abfall der Emitter-

sowie der Konstantstromschaltung, die aus dem Transi- spannung des Transistors Qxa hin beginnt der Strom des

stör Qxa, dem Widerstand R_2n und der Spannungsquelle 45 Schaltglieds 2a zu der Zeit ti in gleicher Weise abzufal-

VEt besteht, an der Basis des Transistors Q203 eine Span- Ien, wobei er seinen Abfall zur Zeit ti beendet,

nungsänderung, wie sie bei (b) der Fig.5 gezeigt ist Die mit dem anderen Paar von Wortleitungen L_x,

Wenn die Spannung der Wortleitung Lxo von der Nicht- und Lst\ verbundenen Schaltungen 206, 21 6 und 226 Auswahlspannung zur Auswahlspannung hin ansteigt, haben den gleichen Aufbau und führen die gleichen

steigt die Basisspannung des Transistors Qm ebenfalls 50 Vorgänge durch wie die Schaltungen 20a, 21a und 22a,

an. die mit dem Wortleitungspaar Lxo und Lsro verbunden

Dabei ist um zu verhindern, daß die Basisspannung sind.

des Transistors Q203 unter der Wirkung der mit dem Die Verzögerungsschaltungen 21a und 216 und die

Kollektor des Transistors Q202 verbundenen Streukapa- Schaltglieder 22a und 226 sind in der oben beschriebe-

zität C201 mit längerer Anstiegszeit als die Spannung der 55 nen Weise aufgebaut wodurch eine der Adressenasym-

Wortleitung Lx₀ ansteigt und um zu ermöglichen, daß metrie zuschreibbare Doppelauswahl von Wortleitun-

sie mit im wesentlichen der gleichen Anstiegszeit wie gen verhindert ist Wie durch die Wellenform 63 bei (c)

die Spannung der Wortleitung L_xo ansteigt, die Be- der F i g. 3 veranschaulicht steigt wenn eine bestimmte

schleunigungskapazität C₂₀? parallel zum Widerstand obere Wortleitung (beispielsweise Lx₀) durch die

R201 vorgesehen. 60 Adressenasymmetrie vorübergehend ausgewählt wur-

Nachdem die Spannung der Wortleitung L_{x 0} zu einer de, die Spannung dieser Wortleitung Lx₀ von der NichtZeit /2' eine bestimmte Spannung zwischen der Aus- Auswahlspannung an und fällt danach wieder ab. Gewahlspannung und der Nicht-Auswahlspannung er- maß der Erfindung bewirkt das Schaltglied 21a. daß der reicht hat und die Basisspannung des Transistors Qxn maximal zulässige Strom fließt bevor die Spannung der größer als eine Versorgungsspannung (Vn.+ Vf) (wo- 65 Wortleitung L_xo die Auswahlspannung erreicht Daher bei V_F den Vorwärtsspannungsabfalfder Diode D₀ be- fließt auch wenn die Spannung der vorübergehend auszeichnet) geworden ist, wird jedoch diese Basisspan- gewählten Wortleitung Lxo vergleichsweise klein ist, ein nung des Transistors Q₂Qi unter der Wirkung der Diode größerer Strom als bei der bekannten Schaltung aus

ileiii Seliuliglied 22« in ili-r ver/.ftgerlen I'oi'n». Ks ist daher möglich, die Geschwindigkeit, mit der die Spannung der vorübergehend ausgewählten Wortleitung auf die Nicht-Auswahlspannung abfällt, hoch zu machen.

Um zu ermöglichen, daß, wie oben beschrieben, der zulässige Maximalstrom aus dem Schaltglied fließt, bevor die Wortleitungsspannung den Auswahlwert erreicht, w'>-d bewirkt, daß der Strom Al_s, in die mit der ausgewanUen Wortleitung verbundene Speicherzelle unmittelbar nach dem Beginn der Auswahl der Wortleilung fließt. Dementsprechend ergibt sich mit der Erfindung das günstige Ergebnis, daß die Information der Speicherzelle, die mit der aus dem nicht-ausgewählten Zustand in den ausgewählten Zustand übergehenden Wortleitung verbunden ist, nur schwer zu zerstören ist.

Hierzu 5 Blatt Zeichnungen

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Claims (5)

1 2 ersten Emitterfolgertransistor (Q 202), an dessen Ba- Patentansprüche: sis die Ausgangsgröße der entsprechenden Spannungszuführeinrichtung liegt, und einen zweiten

1. Speicher mit Emitterfolgertransistor (Q 203) umfaßt, dessen Basis einer Anzahl von Paaren aus Wortleitungen (LXO, 5 mit dem Emitter des ersten Emitterfolgertransistors LXX, LSTO, LSTX), wobei jedes Paar eine obere (<?202) verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß Wortleitung (LXO, LXX) und eine untere Wortlei- jede Verzögerungsschaltung (21a; 2Xb) ferner eine tung (LSTO, LST X) umfaßt, Kiemmdiode (D₀) enthält, die ebenfalls mit der Basis einer Anzahl von Speicherzellen (CO... C3), welche des zweiten Emitterfolgertransistors (Q2M) verzwischen die Wortleitungen der einzelnen Paare von io bunden ist

Wortleitungen eingeschaltet sind,

einer Anzahl von den einzelnen Paaren von Wort-

leitungen zugeordneten Spannungszuführeinrichtungen zum Anlegen einer Auswahlspannung und

einer Nicht-Auswahlspannung an die jeweilige obe- 15 Die Erfindung bezieht sich auf einen Speicher der im re Wortleitung durch Umschalten der Spannungen, überbegriff des Patentanspruchs 1 angegebenen Gat-Stromquellen (10a, 106Jl welche für die einzelnen tung. Ein derartiger Speicher ist aus der deutschen Aus-Paare von Wortleitungen vorgesehen und mit der legeschrift 27 43 955 bekannt

jeweiligen unteren Wortleitung verbunden sind. Zur Erzielung einer hohen Geschwindigkeit für den Verzögenjngsschaltungen (21a, 216Ji die mit den 20 Speicherauswahlvorgang ist es bei einem solchen Spei-Spannung^aführeinrichtungen verbunden sind und eher notwendig, daß nach dem Auswählen einer Wortderen Ausgangsgrößen verzögern, und leitung die Wortleitungsspannung mit hoher Geschwin-Schaiteinrichtungen (22a, 22b) zur Steuerung der digkeit von einer Auswahlspannung auf eine Nicht-Aus-Größen der von den Stromquellen den jeweiligen wahlspannung geändert wird.

unteren Wortleitungen zugeführten Ströme in Ab- 25 Anhand von F i g. 1 soll die Schaltung des bekannten hängigkeit von den Werten der Ausgangssignale der Speichers näher erläutert werden.
Verzögerungsschaltungen, Die Figur zeigt cbere Wortleitungen L_{x 0} und L_x 1, dadurch gekennzeichnet, daß jede Verzö- untere Wortleitungen Lst 0 und Lst i, Datenleitungen gerungsschaltung (21a, 2Xb) ein erstes Signal vorge- D₀₀, D₀,, D₁₀ und D_n, an den Kreuzungspunkten zwigebener Größe liefert, solange die Ausgangsgröße 30 sehen den Wort- und Datenleitungen angeordnete Speider entsprechenden Spannungszuführeinrichtung cherzellen C₀ bis €3, mit der oberen Wortleitung L_{x 0} über einem zwischen der Auswahlspannung und der bzw. L_x \ verbundene Wortleitungsspannungsermitt-Nicht-Auswahlspannuag ν /gegebenen ersten lungsschaltungen 20a und 206, Verzögeningsschaltun-Spannungswert auf der Seite der Auswahlspannung gen 21a und 216 zur Verzögerung von Ausgangssignaliegt, und ein durch Verzögern- g der Ausgangsgrö- 35 len dieser Ermittlungsschaltungen, Schaltglieder 22a ße der Spannungszuführeinrichtung gewonnenes und 226, die in Entsprechung zu der unteren Wortleizweiten Signal liefert, nachdem sich die Ausgangs- tung Lsm bzw. Lst\ vorgesehen sind und an diese Strögröße der Spannungäzuführeinrichtung von dem er- me entsprechend den Werten der Ausgangssignale diester Spannungswert in Richtung der Nicht-Aus- ser Verzögerungsschaltungen liefern, und Konstantwahlspannung geändert hat. 40 Stromquellen 10a und 106. die konstante Ströme an die

2. Speicher nach Anspruch 1, dadurch gekenn- unteren Wortleitungen Lsro und L.ti liefern,
zeichnet, daß jede Verzögerungsschaltung (21a, 2ib) Wenn beispielsweise ein Impuls zur Auswahl derobedie Ausgangsgröße der entsprechenden Spanriungs- ren Wortleitung L_{x 0} auf einen Anschluß X₀ gegeben zuführeinrichtung verzögert und die Ausgangsgröße wird, stellt ein Emitterfolgertransistor φοι den Ausder Verzögerungseinrichtung auf die vorgegebene 45 wählimpuls fest. Das Emitterausgangssignal dieses Größe einstellt, wenn die Ausgangsgröße der ent- Transistors steigt rasch an, seine Abfallflanke wird jesprechenden Spannungszuführeinrichtung zwischen doch durch die Verzögerungsschaltung 21a, die aus dem ersten Spannungswert und der Auswahlspan- Transistoren Q202 und Q203, Widerständen /?_2Oi bis R202, nung liegt Spannungsquellen l'fcund Kapazitäten C201 bis C203 auf-

3. Speicher nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge- 50 gebaut ist, verzögert. Dieses Signal mit der verzögerten kennzeichnet, daß jede Verzögerungsschaltung (21a, Abfallflanke wird auf das Schaltglied 22a gegeben, das 2Xb) ein Signal erzeugt, das langsamer als die Aus- aus einem Transistor φ« und einer für die untere Wortgangsgröße der entsprechenden Spannungszuführ- leitung vorgesehenen Spannungsquelle Vee aufgebaut einrichtung abfällt, wenn die Ausgangsgröße der ist. Es fließt also auch nach Wegnahme des Auswahlimentsprechenden Spannungszuführeinrichtung von 55 pulses an der oberen Wortleitung L_x 0 für eine bestimmdem ersten Spannungswert in Richtung der Nicht- te Zeit ein Strom vom Schaltglied 22a zur unteren Wort-Auswahlspannung abfällt, leitung Lsto- Es ist charakteristisch für den bekannten

4. Speicher nach Anspruch 3, dadurch gekenn- Speicher, daß Schaltglieder in Entsprechung zu den bezeichnet, daß jede Verzögerungsschaltung(21a;216J treffenden Wortleitungen vorgesehen sind und jeweils ein Signal liefert, das mit einer Anstiegszeit ansteigt, 60 Spannungsquellen enthalten.

die im wesentlichen gleich derjenigen der Ausgangs- Spannungs- und Stromwellenformen, die im Speicher größe der entsprechenden Spannungszuführeinrich- der F i g. 1 erzeugt werden, sind in F i g. 2 dargestellt,
tung ist, wenn die Ausgangsgröße der entsprechenden Spannungsanlegeeinrichtung von der Nicht- (a) zeigt die Spannungswellenform der ausgewählten Auswahlspannung in Richtung des ersten Span- b5 oberen Wortleitung, während
nungswertcs ansteigt. (b) die Wellenform des durch den Transistor Q21U flie-

5. Speicher nach einem der Ansprüche 1 bis 4, ßenden Stromes (//Anzeigt,
wobei jede Verzögerungsschaltung (21.J.-216J einen