DE3017960C2 - Schaltung zum Erzeugen einer Abfragespannung für Doppelgate-Transistoren - Google Patents

Schaltung zum Erzeugen einer Abfragespannung für Doppelgate-Transistoren

Info

Publication number
DE3017960C2
DE3017960C2 DE3017960A DE3017960A DE3017960C2 DE 3017960 C2 DE3017960 C2 DE 3017960C2 DE 3017960 A DE3017960 A DE 3017960A DE 3017960 A DE3017960 A DE 3017960A DE 3017960 C2 DE3017960 C2 DE 3017960C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
voltage
transistor
circuit
gate
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE3017960A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE3017960A1 (de
Inventor
Rajesh Haribhgi San Jose Calif. Parekh
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fairchild Semiconductor Corp
Original Assignee
Fairchild Camera and Instrument Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fairchild Camera and Instrument Corp filed Critical Fairchild Camera and Instrument Corp
Publication of DE3017960A1 publication Critical patent/DE3017960A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3017960C2 publication Critical patent/DE3017960C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/30—Power supply circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)
  • Power Sources (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
DE3017960A 1979-05-14 1980-05-10 Schaltung zum Erzeugen einer Abfragespannung für Doppelgate-Transistoren Expired DE3017960C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US3861279A 1979-05-14 1979-05-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3017960A1 DE3017960A1 (de) 1980-11-20
DE3017960C2 true DE3017960C2 (de) 1984-08-30

Family

ID=21900899

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3017960A Expired DE3017960C2 (de) 1979-05-14 1980-05-10 Schaltung zum Erzeugen einer Abfragespannung für Doppelgate-Transistoren

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPS59917B2 (ja)
DE (1) DE3017960C2 (ja)
FR (1) FR2456991B1 (ja)
GB (1) GB2049327B (ja)
IT (1) IT1129217B (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5693363A (en) * 1979-12-04 1981-07-28 Fujitsu Ltd Semiconductor memory
DE3279855D1 (en) * 1981-12-29 1989-09-07 Fujitsu Ltd Nonvolatile semiconductor memory circuit
EP0189594B1 (en) * 1984-12-28 1992-08-12 Nec Corporation Non-volatile semiconductor memory device
JPS63149534A (ja) * 1986-12-13 1988-06-22 Hokutou Koki Kogyo Kk 重心検出器
US6545913B2 (en) 1987-06-29 2003-04-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory cell of nonvolatile semiconductor memory device
US5877981A (en) * 1987-06-29 1999-03-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Nonvolatile semiconductor memory device having a matrix of memory cells
US5448517A (en) * 1987-06-29 1995-09-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Electrically programmable nonvolatile semiconductor memory device with NAND cell structure
US6034899A (en) * 1987-06-29 2000-03-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Memory cell of nonvolatile semiconductor memory device
JP3109736B2 (ja) * 1987-07-31 2000-11-20 株式会社東芝 半導体集積回路と浮遊ゲート型メモリセルの読み出し駆動方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
NICHTS-ERMITTELT

Also Published As

Publication number Publication date
GB2049327B (en) 1983-03-30
JPS55153195A (en) 1980-11-28
FR2456991A1 (fr) 1980-12-12
IT1129217B (it) 1986-06-04
DE3017960A1 (de) 1980-11-20
FR2456991B1 (fr) 1985-11-22
IT8067601A0 (it) 1980-04-17
GB2049327A (en) 1980-12-17
JPS59917B2 (ja) 1984-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69027252T2 (de) Festwertspeichersystem mit Mehrfachwert-Speicherung
DE4036973C2 (de) Schaltung zur Erzeugung einer gegenüber einer extern zugeführten Versorgungsspannung erhöhten Lösch- oder Programmierspannung in einer Halbleiter-Speicherschaltung
DE3032610C2 (ja)
DE3249671C2 (ja)
DE4343722C2 (de) Präzisions-Referenzspannungsschaltung, die sich für die Verwendung in Computersystemen eignet
DE69604688T2 (de) Schnelle spannungserhöhungschaltung mit drei zuständen
DE69514790T2 (de) Verfahren zur Einstellung der Schwellspannung einer Referenzspeicherzelle
DE69515669T2 (de) Negative Ladungspumpenschaltung für elektrisch löschbare Halbleiterspeichervorrichtung
DE3419661C2 (ja)
DE3885963T2 (de) Ausgangsschaltung einer integrierten Halbleiterschaltungsanordnung.
DE68918880T2 (de) Elektrisch löschbare nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung.
DE69322751T2 (de) Schmelzverbindungsprogrammierbarer Spannungsabwärtswandler
DE3148806C2 (ja)
DE2659207B2 (de) In einem integrierten MOSFET-Schaltkreis ausgebildete Verzögerungsstufe
DE3041176A1 (de) Halbleiterspeichervorrichtung
DE3424765A1 (de) Integrierter mikrocomputer mit nichtfluechtigem ram-speicher
DE69100120T2 (de) Ultrahochgeschwindigkeitsspeicher mit Drainspannungsbegrenzer für Zellen.
DE2143093C2 (de) Mehrphasenfeldeffekttransistor- Steuerungsschaltung
DE2940500C2 (ja)
DE2550107A1 (de) Schaltungsanordnung mit feldeffekttransistoren
DE69514788T2 (de) Negative Wortleitung-Spannungsregelungschaltung für elektrisch löschbare Halbleiterspeicheranordnungen
DE2707456C3 (ja)
DE3017960C2 (de) Schaltung zum Erzeugen einer Abfragespannung für Doppelgate-Transistoren
DE1959870C3 (de) Kapazitive Speicherschaltung
DE68909959T2 (de) Schaltung zum Abfühlen des Zustandes von Matrixzellen in MOS-EPROM-Speichern.

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee