DE2919970C2 - Schieberegister mit einer Transistoren-Kondensatoren-Schaltung - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Schieberegister mit einer Transistoren-Kondensatoren-Schaltung, und insbesondere auf ein integriertes Schieberegister niedrigen Leistungsverbrauchs. Ein solches Register eignet sich insbesondere, wenn dies auch nicht sein einziges Anwendungsgebiet ist, für die Verwendung in einer Frequenzteilerschaltung, die in tragbaren elektronischen Geräten mit kleinen Abmessungen eingesetzt werden, welche von einer Batterie gespeist werden, mittels der die Leistungsversorgung des Gerätes sichergestellt werden soll, und zwar über mehrere Jahre. Bekanntlich stellt sich das Problem des Energie-Verbrauchs mit besonderer Schärfe, wenn die zu teilende Frequenz hoch ist, etwa mehrere MHz, wie dies beispielsweise für Uhren mit hoher Ganggenauigkeit der Fall ist

Um den Energieverbrauch von Frequenzteilern zu senken, wurden Anstrengungen unter Verwendung von integrierten C-MOS-Binärkreisen unternommen. Es

ίο sind dies Schaltkreise, mit denen gegenwärtig der größte Teil der Quarz-Uhren ausgestattet ist. In diesem Fall wird der Stromverbrauch im wesentlichen bestimmt durch das Laden und Entladen von Kapazitäten, weiche jeweils eine Stufe des Schieberegisters bilden und dies

is lint der Periodizität des Registerausgangssignals. Der Verbrauch jeder Stufe ist demgemäß proportional der Größe seiner Kapazität und der Frequenz des Ausgangssignals.

Für eine Quarz-Uhr hoher Frequenz sind es demgemaß die ersten Stufen, d. h. diejenigen, welche die höchsten Frequenzen zu teilen haben, die bestimmend sind für den Stromverbrauch der Eiektronik-Schaitkreise. Um die Kapazitäten dieser Stufen zu verringern, hat man verschiedene Herstellungstechniken eingesetzt, wie sie unter den Bezeichnungen Si-Gate oder SOS bekannt sind. Um jedoch den Stromverbrauch in akzeptablen Grenzen zu halten, ist es erforderlich, daß die Abmessungen der integrierten Schaltkreise bis zu einem Punkt verringert werden, bei dem mit den gegenwärtigen Fertigungstechniken die Herstellungskosten prohibitiv hoch werden.

Um den Leistungsverbrauch zu senken, wurden auch Teiler für hohe Frequenzen vorgeschlagen, bei denen ein großer Teil der Kapazitäten einen Abschnitt eines Resonanzkreises bildet Ein System dieses Typs ist beispielsweise in der CH-PS 5 58 111 beschrieben. In diesem Fall wird die periodisch in den Kapazitäten gespeicherte Energie wiedergewonnen. Das System macht Gebrauch von einem an sich bekannten Schieberegister, das in integrierter Form realisiert wirv! irnd die Bezeichnung »IGFET bucket brigade« trägt Dieses Register ist in Ringform geschaltet, und ein einziges Ladungspaket wird von einem Kettenglied zum anderen übertragen. Jedes Kettenglied umfaßt einerseits zwei FELD-Effekt-Transistoren mit isolierter Elektrode, die in Serie geschaltet sind, und andererseits zwei Kondensatoren, die jeweils zwischen die Steuer- oder Gate-Elektrode und die Drain-Elektrode des Transistors geschaltet sind. Die Steuerelektroden sind alternierend an zwei Leitungen

so angeschlossen, die von einem symmetrisch arbeitenden Quarz-Oszillator gespeist werden, welcher zwei gegenphasige Wechselspannungen liefert. Ferner sind Mittel voi gesehen, um das Kristallsubstrat, in das die Schaltkreise integriert sind, zu polarisieren. Die Gesamtheit der Kettenglieder des Registers bietet eine geringe Belastung für den Oszillator, und der Wirkstrom infolge dieser Kapazität bewirkt einen sehr geringen Verlust im Quarz. Die Hauptwirkleistung, die vom Oszillator geliefert werden muß, ist diejenige, die im Transistor umgesetzt wird, mittels dem der Transfer der Ladung von einem Halbkettenglied zum anderen erfolgt

Die Funktionsweise des insoweit beschriebenen Schieberegisters ist im einzelnen in der Veröffentlichung C. N. Berglund und anderen unter dem Titel »Fabrication and Performance Considerations of Charge-Transfer Dynamic Shift Registers«, Bell Syst. Techn. Journal, Band 51, Nr. 3, März 1972, beschrieben. Sie beruht darauf, daß der Strom den Transistor während et-

wa einer Viertelperiode durchfließt, und die Spannung source/drain desselben während dieser Zeit praktisch den Wert V₉ = 0 annimmt, wobei V_p der Spitze-Spitze-Spannungswert der Speisespannung der vom Oszillator gelieferten Phase ist. Daraus ergibt sich, daß die vom Oszillator abzugebende Leistung durch die folgende allgemeine Beziehung ausgedrückt werden kann:

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worin irft) bzw. v_SD(t) Jie jeweiligen Augenblickswerte des Drain-Stromes und der Source/Drain-Spannung des Transistors sind, und da T die Schwingungsperiode ist, ergibt sich: P_T = (V_p + v_my.C.f.

in dieser Gleichung bezeichnet C die dem Transistor zugeordnete Kapazität, f ist die Frequenz des Oszillators und v_m repräsentiert die mittlere Steuerspannung, welche die Schwellspannung des Transistors übersteigt.

Die Spannung v_m ist normalerweise einige zehntel Volt, während V_p einige Voll beträgt.

Wenn man ein typisches Beispiel mit dei; folgenden Werten nimmt: V_p = 2 V, v_m = 03 V, C= 0,1 pF, und /=4,2 MHz, so erhält man für Pr einen Wert von 2^W.

Wegen der hohen Spannung, die notwendig ist für die Ladungspaket-Übertragung von einem Kettenglied des Registers zum nächsten, ist demgemäß die vom Oszillator gelieferte Leistung relativ hoch.

"Die Erfindung geht aus von einem Stand der Technik, der die im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 genannten Merkmale in Kombination aufweist und durch die DE-AS 21 44 235 belegt ist

Dieses bekannte Schieberegister nimmt kritische Eigenschaften an, sobald es eine große Anzahl von Stufen aufweisen muß. Die zweiphasig angesteuerten MOS-bucket-brigades führen nämlich dann zu einer Degradation des Nutzsignals, wie übrigens in der genannten Druckschrift bereits erwähnt Ferner ist die vom Oszillator zu Meiernde Leistung relativ hoch.

Die genannten Nachteile werden gemäß der Erfindung durch die im kennzeichnenden Teil dis Patentanspruchs 1 genannten Merkmale gelöst; die Unteransprüche definieren zweckmäßige Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Schieberegisters.

Im Unterschied zu dem bekanntem Schieberegister ist bei dem erfindungsgemäßen Schieberegister das Potential des Drains des »Ausgangstransistors« (T'_n) jedes Halbkettengliedes dauernd gleich dem Potential seines Gates, da diese Elektroden direkt miteinander verbunden sind. Dies ist der Grund, aus dem die Source-Drain-Spannung dieses Transistors bei dem Ladungstransfer praktisch nicht gleich der Spitze-Spitze-Spannung des Signals des Oszillators ist, wie im Falle einer zweiphasigen Eimerkettenschaltung, sondern wesentlich niedriger, so daß sich der Vorteil ergibt, daß die von dem Oszillator für den Transfer zu liefernde Leistung wesentlich kleiner ist

In der Pentodenversion von Eimerkettenschaltungen ist der dauernd polarisierte Transistor vorgesehen zum Verringern des Einflusses des Rückkopplungsphänomens der Ladungen, das die Ursache für die Degradation des Signals darstellt. In dem Schieberegister gemäß der Erfindung liegt dieses Rückkopplungsphänomen nicht vor, weil dar Transistor T_n in Diodenschaltunp vorliegt und der Transistor T_n eine ganz abweichende Funktion hat. Ohne dieven Transistor erhielte man tatsächlich einen Spannungsmultiplikator, weil die Spannung am Drain des Transistors T_n eines Halbkettengliedes praktisch gleich der Spannung des Oszillators wäre, überlagert der Spannung an dem Drain des Transistors T_n + 1 des folgenden Halbkettengliedes.

Wie sich dies im einzelnen noch aus der nachfolgenden Erläuterung ergeben wird, benötigt das in den Patentansprüchen gekennzeichnete Schieberegister eine sehr niedrige Spannung für die Ladungsübertragung von einem Kettenglied zum anderen. Auf diese Weise wird erheblich die Leistung abgesenkt die von dem Oszillator entnommen wird, welcher die beiden gegenphasigen Signale liefert Wie weiter unten noch verdeutlicht wird, eignen sich die Signale aus den verschiedenen Kettengliedern des Registers besonders für die Realisierung von Frequenzteilern mit sehr niedrigem Leistungsverbrauch.

Die weitere Erläuterung erfolgt unter Bezugnahme auf die Zeichnungen.

F i g. 1 zeigt einen Ausschnitt aus einem Schieberegister gemäß der Erfindung.

F i g. 2 ist das Äquivalenz-Schaltbild eines Halbkettengliedes des Registers aus F i g. 1 und

F i g. 3 ist ein Diagramm zur Erläuterung der Funktion des Schieberegisters nach F i g. 1.

In Fig. 1 ist eine MOS-Struktur dargestellt, bestehend aus einem Kristall-Substrat, beispielsweise vom p-Typ, in das 5 Zonen vom η-Typ integriert sind, die mit M', Zq, Zoo, Z\, bzw. Z2 bezeichnet sind. Das ganze wird von einer Isolierschicht / überdecki, die lokal oberhalb eines Teiles der Zonen M', Zoo, Z\ und Z2 unterbrochen ist, um das Anbringen unmittelbar auf der betreffenden η-Zone von Kontakten m, a% a bzw. 6 zu ermöglichen.

Die Isolierschicht / umfaßt ihrerseits eine bestimmte Anzahl von leitenden Belägen oder Elektroden, die mit k, k', k\, k\. h, k'j bezeichnet sind und die sich hauptsächlich oberhalb der p-Zone erstrecken. Genauer gesagt erstreckt sich die Elektrode k zwischen den Enden der Zonen Λ/'und Zq, während die Elektnrle Jt'slch vom Ende der Zone Zq bis zum Beginn der Zone Zoo erstreckt, wo sie elektrisch mit dem Kontakt Jo verbunden ist, der beeits erwähnt wurde. Die Elektrode Jt₁ beginnt am Ende der Zone Zoo und endet im wesentlichen halbwegs zwischen Zoo und Z\, so daß Platz bleibt für die Elektrode k'\, die sich gerade bis zum Beginn der Zone Z\ erstreckt, wo sie elektrisch mit dem Kontakt a verbunden ist Die Elektrode k\ weist in ihrem Endbereich einen etwas erhöhten Abschnitt auf, der berührungsfrei den Anfangsabschnitt der Elektrode k\ überdeckt, wobei eine Isolierschicht /sicherstellt, daß kein elektrischer Kontakt zwischen beiden Elektroden vorliegt Die Elektroden Ar₂ und Ar₂ sind zwischen den Zonen Z\ und Z2 in gleicher Weise angeordnet, wie die Elektroden k\ bi.w. k\.

Schließlich weist die Isolierschicht / leitende Beläge oder Elektroden rv, C\ und C2 auf, die sich oberhalb der Zonen Zoo, Zi bzw. Z₂ befinden. Die Elektrode k ist diejenige, die dazu bestimmt ist, das Auslösesignal aufzunehmen, mittels dem ein neues Ladungspaket in das Register eingespeist i.ird. Diese Elektrode ist mit einer Eingangsklerr.me Everbunden.

Das Register wird gesteuert von einem symmetrischen Oszillator (nicht dargestellt), wie er beispielsweise in der CH-PS 5 80 837 beschrieben ist und an die beiden Leitungen A"und Y zwei gegenphasige Sinus-Spannungen <P\(t)bzw. Φι(ι/anlegt. Die Elektroden co, c, und Ci sind alternierend an die Leitungen A"und Vangeschlossen. Ferner polarisiert der Oszillator mittels eines Span-

nungsvervielfachers (nicht dargestellt) wie beispielsweise in der CH-PS 5 53 481 beschrieben, das Kristallsubstrat in negativem Sinne relativ zu einer Bezugsmasse M', und an eine diese Vorspannung führende Leitung P sind die Elektroden m. ki und k₂ angeschlossen.

Es ergibt sich demgemäß, daß der integrierte Schaltkreis gemäß Fig. 1 gebildet wird von einer Gesamtheit von Kondensatoren und MOS-Transistoren. Die Elektroden co, Ci und Cj bilden nämlich die Beläge von Kondensatoren Co, Ci bzw. C₂, deren andere Beläge von den Zcnen Zoo. Zi bzw. Z₂ gebildet werden. Darüber hinaus bildet die Elektrode k die Steuerelektrode eines MOS-Transistors To, dessen Source-Elektrode von der Zone M' gebildet wird und dessen Drain-Elektrode von der Zone Zo gebildet wird. Die Elektrode k' schließlich bildet die Gate-Elektrode eines MOS-Transistors TO, für den die Zone Zn die Source-Elektrode bildet und die Zone Zoo die Drain-Elektrode. Dieser Transistor ist demgemäß wegen der Verbindung zwischen k'und dem Kontakt Jo mit seiner Gate-Eiektrode an seine Drain-Elektrode angeschlossen.

Was schließlich das Elektroden-Paar ki-k'\ betrifft, so ergibt sich, daß sie die Gate-Elektroden jeweils von Abschnitten Ti-T'i einer Doppeltransistorstruktur sind, für die die Zone Z₀₀ die Source-Elektrode und die Zone Zi die Drain-Elektrode bilden. Der Transistor T'\ ist wegen der Verbindung des Kontaktes a mit k\ mit seiner Gate-Elektrode an seine Drain-Elektrode angeschlossen. Genau dasselbe gilt für das Paar ki-k'2, welche die Gate-Elektroden von Abschnitten Ti bzw. Tj einer Doppel-Transistor-Struktur bilden, deren Source bzw. Drain von den Zonen Zi bzw. Z> gebildet sind. Die Zone Z₂ bildet gleichzeitig die Source-Elektrode der folgenden Transistor-Struktur, die genau identisch mit den Strukturen T\-T'\ bzw. T2-T2 ausgebildet ist und von der in F i g. I der Beginn der ersten Elektrode erkennbar ist, verbunden mit der Leitung P.

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stufe oder Auslösestufe mit dem ersten Kettenglied eines Schieberegisters zusammen. Die Eingabestufe wird von dem Kondensator Co und den Transistoren To und TO gebildet, während das erste Kettenglied des Registers von den beiden identischen Halbkettengliedern in Serie gebildet wird, die ihrerseits von dem Kondensator Ci und der Doppel-MOS-Transistor-Struktur Ti-T', für das erste und vom Kondensator C2 und der Doppel-MOS-Transistor-Struktur Ti- T'i für das zweite gebildet werden.

In Fig. 2 ist das Äquivalenz-Schaltbild für ein Halbkettenglied des Schieberegisters gemäß der Erfindung dargestellt. Dieses Register umfaßt demgemäß einen Kondensator C_n und eine Doppeltransistor-Struktur, deren beide Transistoren T_n bzw, T_n Steuerelektroden k_n bzw. k'„ aufweisen. Diese Doppelstruktur ist in der Figur durch zwei Transistoren symbolisiert, die miteinander durch eine gestrichelte Linie verbunden sind, welche die gemeinsame Drain-Zone von T_n und Source-Zone von T'„ symbolisiert. Die Steuerelektrode oder Gate-Elektrode Jt_n von T_n ist mit der Polarisationsleitung P verbunden, und ihr Source-Anschluß ist mit dem Aus- ω gang des vorhergehenden Halbkettengliedes verbunden, gebildet von dem Drain-Anschluß des zweiten Transistors T_n _ 1 desselben. Einer der Beläge des Kondensators C_n ist mit der Leitung X verbunden oder mit der Leitung Y, je nachdem, ob das betreffende Halbkettcnglied das erste oder das zweite der betrachteten Halbkette ist. Der andere Belag von C_n ist gleichzeitig mit dem Drain-Anschluß und dem Gate-Anschluß k'„ von T_n verbunden. Der Ausgang des Halbkettcngliedes. der an der Drain-Elektrode des Transistors T_n liegt, ist mit dem Eingang des folgenden Halbkcttengliedes verbunden, gebildet von dem Source-Anschluß von dessen erstem Transistor T_n +■ 1.

Unter Bezugnahme auf F i g. 1 und 2 sowie das Erlauterungsdiagramm nach F i g. 3 wird nachstehend die Funktionsweise des Schieberegisters gemäß der Erfindung erläutert. Zur Vereinfachung sei angenommen, daß die Schwellenspannungen der MOS-Strukturen 0 sind. Der Kristall ist gegenüber Masse negativ polarisiert, und die beiden Leitungen A' und Y werden von Sinus-Spannungen mit Gegenphase 'P\(t)\>7.*i. <P₂(t)gespeist. Wenn demgemäß der Transistor To sperrt, erscheinen Sinus-Spannungen v, und vt, an den Punkten a bzw. b. Die Form dieser beiden Spannungen ist im Diagramm nach F i g. 3 dargestellt.

Wenn der Transistor To demgemäß zwischen den Zeitpunkten to und fi angesteuert wird, indem an seine Gate-Eiektrode Ar (Klemme t/ein impuis angelegt wird, der herrührt von der Spannung Φ₂(ή, gelangen Elektronen im Intervall /0 — fi aus der Bezugszone M' in die Zone Z₀ und von dort über den Transistor T'o, in die Zone Z₀O. Der Kondensator Cb wird so auf den Spitzenwert von Φτ(ή aufgeladen. Im Augenblick ii ist demgemäß das Potential der Zone Zoo relativ zu M' praktisch gleich 0.

Das Potential am Punkt a_onimmt dann einen negativen Wert bezüglich M' an, und der Transistor TO wird gesperrt, da seine Gate- oder Steuerelektrode Jt'mit der Zone Zoo verbunden ist. Die Elektronen gelangen demgemäß zur Zone Z\ über die MOS-Struktur Ti-ΤΊ und laden den Kondensator d auf den Spitzenwert von Φ\(ή&\Λ. Während der folgenden Halbperiode, d. h. zwischen den Zeitpunkten tj und fj, wiederholt sich der gleiche Vorgang für den Übergang zwischen den Zonen Zi und Z2 durch die MOS-Struktur Ti-Tj für das Ladur.gspaket Q = C, Φ, sofort. Wenn der Wer· der Reaktanz l/*yCi = MiOC₂ (wobei ω die Kreisfrequenz des Oszillators ist) wesentlich größer ist als der Wert des Differenzwiderstandes, den die MOS-Struktur eines Halbkettengliedes aufweist, ist der Strom, den der Oszillator für den Transfer des Ladungspaketes liefern muß, im wesentlichen sinusförmig, und um nahezu 90° phasenverschoben relativ zu den Spannungen der Phasen Φ\(ι) und Φι(ί). Die Spannung source-drain der MOS-Struktur, die in diesem Falle auch die betreffende Steuerspannung bildet, wird für diesen Transfer sehr klein. Die Leistung, die der Oszillator liefern muß, wird deshalb ebenfalls sehr klein.

Die Analyse zeigt, wenn man sich der gleichen A'isdrücke bedient wie sie oben für ein Schieberegister vom Typ »IGFET bucket brigade« verwendet wurden, daß die Leistung, die vom Oszillator für den Transfer des Ladungspaketes zu liefern ist, = Pt ist = 1,8 VpV_nJCJ. ist.

Wenn man die gleichen typischen Werte wie vorstehend einsetzt, erhält man eine Leistung von 0,45 μW. Diese Leistung war 2,2 μ W für das Register »IGFET bucket brigade«. Man erkennt demgemäß, daß das Schieberegister gemäß der Erfindung eine erhebliche Leistungseinsparung zu realisieren gestattet.

Wie F i g. 3 zeigt baut sich die Spannung V₁ auf dem Punkt a zwischen den Zeitpunkt Zj und /2 während des Transfers der Ladung durch die MOS-Struktur T\-T\ auf, dann zwischen den Zeitpunkten ti und ij während des Transfers durch Ti-T'2 ist sie sehr klein relativ zur Spannung, die sich ergibt wenn kein Transfer erfolgt

Δ. Ό 1 ."7 ZJ I \J

Das gleiche trifft für die Spannung v/, am Punkt b zwischen den Zeitpunkten ti und ti zu, danach zwischen ii und u, wenn die Ladung von der folgenden MOS-Struktur durchlaufen wird. Wegen dieser Differenz bietet sich das Schieberegister gemäß der Erfindung besonders gut an für die Realisierung von Frequenzteilerschaltungen. Ein solcher Schaltkreis ist in einer Parallelanmeldung der Anmelderin gleichen Datums beschrieben und dargestel(.-,DE-OS29 21 511).

Das Schieberegister gemäß der Erfindung kann mittels der Fertigungsmethode hergestellt werden, die unter der Bezeichnung Si-Gate bekannt ist. Ivian kann natürlich auch eine einfachere, unter der Bezeichnung AI-Gate bekannte Technik verwenden. In diesem zweiten Falle wird die Struktur eines Halbkettengliedes gebildet ι ^r, von 2 MOS-Transistoren in Serie. Wegen der Kapazität, die die schwimmende Verbindung aufweist, welche den Drain-Teil des ersten und Source-Teil des zweiten Transistors darstellt, wird jedoch die Güte des Registers gegebeneniaiis etwas verringert, und dies besonders in dem Sinne, daß die Zahl der möglichen Kettenglieder kleiner ist als wenn die Struktur nach F i g. 1 verwendet wird. Dies beruht auf einem bestimmten Ladungsverlust bei dem Transfer von einem Kondensator zum anderen.

Daneben kann die Einspeisungsstufe des Registers anstatt aus 2 in Serie geschalteten Transistoren zu bestehen, identisch mit einem Halbkettenglied des Registers sein und demgemäß nur 2 Zonen Wund Zoo umfassen.

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Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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Claims (3)

Patentansprüche:

1. Schieberegister mit einer Transistor-Kondensatoren-Schaltung, die in einem Halbleitersubstrat integriert ist und eine Mehrzahl von hintereinandergeschalteten Kettengliedern umfaßt, welche jeweils zwei identische Halbkettenglieder in Serienschaltung umfassen, die jeweils von periodischen gegenphasigen Signalen ansteuerbar sind und je eine MOS-Struktur umfassen, gebildet von einem ersten und einem zweiten Transistorelement in Serienschaltung, von denen das erste eine, den Eingang des Halbkettengliedes bildende Eingangsclektrode sowie eine an eine Polarisationsquelle anschließbare Steuerelektrode aufweist, während das zweite eine, den Ausgang des Halbkettengliedes bildende Ausgangselektrode sowie eine Steuerelektrode aufweist, und von einem Kondensator, dessen einer Belag an die Ausgangselektrode angeschlossen ist und an dessen ais<t<ren Belag eines der periodischen Signale anlegbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektrode des zweiten Transistorelements direkt mit der Ausgangselektrode verbunden ist

2. Schieberegister nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die MOS-Trc.nsistorstruktur und der Kondensator eines Halbkettengliedes gebildet sind durch

eine erste und eine zweite haibleitende Zone des Typs, der entgegengesetzt dem Typ des Substrats ist, in das sie integ.iert sind, eine erste isoliert angeordnete leitende Schicht, die über :*er ersten Zone beginnt und etwa halbwegs zwischen der ersten und der zweiten Zone endet,

eine zweite isoliert angeordnete leitende Schicht, die etwa halbwegs zwischen der ersten und der zweiten Zone brrrinnt und über der zweiten Zone endet,
eine dritte leitende Schicht in Kontakt mit der zweiten Zone und verbunden mit der zweiten leitenden Schicht, und eine vierte isoliert angeordnete leitende Schicht über der zweiten Zone,
wobei die beiden halbleitenden Zonen die Hauptelektroden der OS-Transistorstruktur bilden, deren Steuerelektroden von der ersten bzw. der zweiten leitenden Schicht gebildet sind, und wobei die vierte leitende Schicht einen Belag des Kondensators bildet, dessen anderer Belag von der zweiten Zone gebildet ist.

3. Schieberegister nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste halbleitende Zone zugleich die zweite halbleitende Zone des vorangehenden Halbkettengliedes bildet und die zweite halbleitende Zone zugleich die erste halbleitende Zone des nachfolgenden Kettengliedes bildet.