DE2646830A1

DE2646830A1 - Schaltungsanordnung zum reproduzieren der in einem eingangskondensator gespeicherten ladung in n ausgangskondensatoren

Info

Publication number: DE2646830A1
Application number: DE19762646830
Authority: DE
Inventors: Alain Croisier; Rene Glaise
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 1975-10-31
Filing date: 1976-10-16
Publication date: 1977-05-05
Also published as: GB1542418A; US4076986A; FR2330117A1; IT1072417B; JPS5255479A; CA1091349A; FR2330117B1; JPS579230B2

Description

ne-pi

Anmelderin: International Business Machines

Corporation, Armonk, N.Y. 10504

Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung Aktenzeichen der Anmelderin: FR 975 012

Schaltungsanordnug zum Reproduzieren der in einem Eingangskondensator gespeicherten Ladung in η Ausgangskondensatoren.

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zum Reproduzieren einer einen analogen Pegel darstellenden Ladung, ohne die ursprüngliche Ladung zu stören und insbesondere auf eine Anordnung zum Reproduzieren der einen analogen Pegel darstellenden Ladung in einer Ladungsverschiebungsschaltung/ die in der Technik auch als Eimerkettenschaltung bezeichnet wird.

Eimerkettenschaltungen sind gut bekannt und in einer Reihe von Aufsätzen im einzelnen beschrieben worden. Es sei beispiels-V7eise Bezug genommen auf den Aufsatz "Charge Transfer Devices: Principles of Operation and Basic Characteristics", der in der Zeitschrift "Journal of Electronic Engineering", Februar 1975 auf den Seiten 38 und folgende beschrieben wurde.

Eine Stufe einer Eimerkettenschaltung kann schematisch in der -. Form diskreter Elemente dargestellt werden, die zwei in Reihe \

geschaltete Feldeffekttransistoren (FET) und zwei Kondensatoren i enthält, von denen jeder an eine der gesteuerten Elektroden eines j FET, gewöhnlich an die Drain-Elektrode und an die als Gate bezeich-f nete Steuerelektrode angeschlossen ist. Die Gate-Elektroden beider Transistoren werden durch Taktsignale gesteuert, die die gleiche

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Frequenz haben, aber zeitlich ineinander geschachtelt auftreten, ohne sich zu überlappen. Eine analoge Eingangsspannung wird vom Eingang zum Ausgang der Stufe mit der Frequenz der Taktsignale übertragen.

Daher können derartige Schaltungen leicht dazu benutzt werden, um Verzögerungsleitungen oder Schieberegister zu realisieren. Ausgehend von einem Register, das aus einer oder mehreren in Kaskade geschalteten Stufen zusammengesetzt ist, lassen sich verschiedene Arten von Schaltungen wie Teiler, Addierer, Filter usw. aufbauen.

Bei einigen Anwendungen, insbesondere bei solchen mit Filtern, ist es erwünscht, daß ein Register in der Lage ist, verschiedene andere Register parallel zu speisen, ohne daß das vom ersten Register zu den nachfolgenden Registern übertragene ,Signal gedämpft wird. Daher kann das ursprüngliche dem ersten Register zugeführte Signal unabhängig in verschiedenen Schaltungen benutzt werden.

!Eine naheliegende Lösung für dieses Problem besteht darin, das zu verarbeitende Signal der ersten Stufe einer Eimerkettenschaltung zuzuführen, so daß es am Ausgang dieser Stufe durch jdie Ladung dargestellt wird, die in dem Kondensator gespeichert .ist, der mit dem Ausgangstransistor verbunden ist. Diese La-Idung kann verdoppelt werden durch Zuführen des am Ausgang der !ersten Stufe erhaltenen Spannungspegels mittels eines Sourcefolgers an eine andere mit der ersten identische Stufe. Ein

JNachteil dieser Lösung besteht jedoch darin, daß das so reprodu-

jzierte Signal keine genaue Kopie des ursprünglichen Signales dar-

jstellt, da die Spannungsverstärkung des Sourcefolgers nicht igenau Eins sein kann. Außerdem sind die Kondensatoren in den 'beiden Stufen nicht identisch, was zur Folge hat, daß die beiden Ladungen, die die ursprüngliche Spannung darstellen, verschieden sind. Wenn eine solche Lösung dazu benutzt würde,

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um die Eingangsspannung mehrere Male zu reproduzieren, würden j die Fehler sich akumulieren. Außerdem wären zusätzliche Stufen jerforderlich, um es zu ermögliche, daß die reproduzierten !Ladungen gleichzeitig verfügbar wären.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine einfache Schaltungs-j· !anordnung zum genauen Reproduzieren der in einen Eingangskondenjsator gespeicherten Ladung in η Ausgangskondensatoren anzugeben, bei der die reproduzierten Ladungen gleichzeitig verfügbar sind.

,Diese Aufgabe wird durch eine Schaltungsanordnung der vorher gelnannten Art gelöst, die dadurch gekennzeichnet ist, daß ja) η Stufen einer sog. Eimerkettenschaltung vorgesehen sind, deren [jede einen ersten durch erste Taktimpulse gesteuerten Feldeffekttransistor enthält, dessen Drain-Elektrode mit einem ersten Kon- ! jdensator und der Source-Elektrode eines mit dem ersten in Reihe \ liegenden zweiten Feldeffekttransistors verbunden ist, der durch zweite, gegenüber den ersten zeitlich versetzte Taktimpulse gesteuert wird und dessen Drain-Elektrode über einen zweiten Kondensator mit seiner Gate-Elektrode verbunden ist, ;b) der Eingangskondensator mit den ersten Kondensatoren aller jStufen beim Leiten der ersten Feldeffekttransistoren in Reihe geschaltet ist und

c) in jeder Stufe ein dritter durch die zweiten Taktimpulse gesteuerter Feldeffekttransistor vorgesehen ist, der beim Leiten die zweite Elektorde des ersten Kondensators mit dem Massepotential verbindet.

Im folgenden wird die Erfindung durch die Beschreibung eines bevorzugten Ausführungsbeispieles in Verbindung mit den Zeichnungen näher erläutert, von denen zeigen:

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Fig. 1a eine Draufsicht auf eine als integrierte

Schaltung ausgeführte Stufe einer Eimerkettenschaltung;

Fig. 1b ein längs der Linie b-b ausgeführter Schnitt

durch die gleiche Schaltung;

Fig. 1c eine mit diskreten Elementen ausgeführte Ersatzschaltung;

Fig. 2a ein Schaltbild einer Ladungsverdopplungsschal-

tung;

Fig. 2b die Phasenbeziehung zwischen den zur Steuerung

der Schaltungen nach den Fign. 2a, 3 und 4 benutzten Impulsen;

Fig. 3 einen Teil des Schaltbildes nach Fig. 2a, dem

eine Kompensationsschaltung zugefügt wurde;

Fig. 4 eine Schaltung, die in der Lage ist, die ur-

: sprüngliche Ladung vier Mal zu reproduzieren.

Im folgenden wird eine Stufe einer Eimerkettenschaltung, die jaus einem ersten und einem zweiten Feldeffekttransistor (FET) jbesteht, an deren Drain- und Gate-Elektroden ein erster und

!zweiter Kondensator angeschlossen sind, als EKS-Stufe bezeich-

In den Fign. 1a und 1b ist eine mögliche Implementierung einer EKS-Stufe gezeigt. Diese Stufe enthält ein η-leitendes oder jein p-leitendes Halbleitersubstrat 1, in das Bereiche D1, D2 'und D3 eines Leitfähigkeitstyps eindiffundiert sind, der dem des Substrates entgegengesetzt ist. Das Substrat ist mit einer

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Schicht von Siliziunoxid bedeckt, über deia Kanal zwischen den beiden Diffusionsgebieten befinden sich Metallelektroden M1 und M3. Die Oxidschicht unter diesen Elektroden ist dünner. Zwei zusätzliche Diffusionsgebiete D4, D5 und zwei weitere Metallschichten M2 und M4 sind vorgesehen. Die Kontakte mit den Diffusionsgebieten D2 bis D5 durch die Oxidschicht hindurch sind als d2 bis d5 dargestellt.

Die Ersatzschaltung ist in Fig. 1c dargestellt. Die Diffusionsbereiche D1, D2_f die Oxidschicht und die metallische Schicht M1 bilden einen ersten MOS-Feldeffekttransistor FET 3. Die Bereiche D1 und D2 bilden die gesteuerten Elektroden des FET, die, abhängig von der an sie angelegten Spannung, die Source- und die Drain-Elektrode bilden. Die Schicht M1 bildet die als Gate bezeichnete Steuerelektrode, der die Taktimpulse zugeleitet werden. In ähnlicher Weise bilden die Gebiete D2, D3, die Oxidschicht und die metallische Schicht M3 einen zweiten MOS FET 5.

Das Diffusionsgebiet D4, die Oxidschicht und die metallische Schicht £12 bilden einen Kondensator 4, der an die Steuerelektrode M1 des FET 3 und die durch das Gebiet D2 gebildete Elektrode angeschlossen ist. In ähnlicher Weise bilden das Diffusionsgebiet D5, die Oxidschicht und die metallische Schicht M4 einen Kondensator 6, der an die Steuerelektrode M3 des FET 5 und der durch das Diffusionsgebiet D3 gebildeten Elektrode angeschlossen ist.

Für eine genaue Beschreibung der Wirkungsweise dieser Schaltung sei auf die vorher genannte Veröffentlichung verwiesen.

In Verbindung mit der Fig. 2 wird eine gemäß der Erfindung realisierte Schaltungsanordnung zur Verdoppelung der Ladung beschrieben.

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ι — β —

Die dargestellte Schaltungsanordnung enthält eine Eingangsschaltung, die aus einer Eingangsklemme 7, einem Koppelkonden- ;sator Co, einem FET Te und einem Kondensator Ce besteht. Der FET Te wird durch den der Klemme 8 zugeführten Impulszug 1 gesteuert.

Die Eingangsschaltung ist mit dem Eingang einer EKS-Stufe der ;in Fig. 1 dargestellten Art verbunden, die zwei FET T1, T2 und zwei Kondensatoren C1, C2 einschließt. Der Feldeffekttransistor T1 wird durch Taktimpulse Φ2 gesteuert, die einer Klemme 9 zu- | geführt werden und der Feldeffekttransistor T2 wird durch j Taktimpulse Φ1 gesteuert.

Die als Eingang dienende EKS-Stufe ist mit einer ersten EKS-Stufe verbunden, die die FET T3, T4 und die Kondensatoren C3 und C4 enthält. In dieser Stufe ist der Kondensator C3 nicht zwischen der Drain- und der Gate-Elektrode von T3 angeschlossen wie in einer normalen Stufe; stattdessen ist die Elektrode von C3, die sonst mit dem Gate verbunden ist, mit einer zweiten jBBD-Stufe verbunden, die die FET T5, T6 und die Kondensatoren |C5, C6 enthält.

Die Feldeffekttransistoren T3 und T5 werden durch die Taktimpulse Φ2 und die Feldeffekttransistoren T4 und T6 durch die 'Taktimpulse Φ1 gesteuert. Ein FET T7, der durch die Taktimpulse }Φ1 gesteuert wird, ist zwischen der Source-Elektrode von T5 !und Masse angeschlossen.

;Die Kapazität all der Kondensatoren Ce, C1 bis C¹} bei denen es 'sich um MOS-Kondensatoren handelt, beträgt C. Diese Gleichheit jist jedoch nicht wesentlich für die Implementierung der Erfindung.

Jim folgenden wird die Wirkungsweise der Schaltung zur Ladungsverdoppelung beschrieben.

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Zu Beginn, wenn die Taktimpulse $1 und φ2 einen niedrigen Pegel aufweisen und die Schaltung sich im Ruhestand befindet, werden alle Kondensatoren C1 bis C6 auf eine Bezugsspannung Vr aufgeladen. Die Spannungsänderung vom Wert O bis zum Wert jVr bestimmt den dynamischen Bereich, innerhalb dessen die ιEingangssignale zu halten sind.

iüer Kondensator Co eliminiert die Gleichstromkomponente des \

Eingangssignals und durch die der Source-Elektrode des Feld- !

jeffekttransistors Te zugeführte Vorspannung wird der Pegel !

des Eingangssignals in dem Bereich von 0 bis Vr Volt gehalten. ^l

Die Feldeffekttransistoren werden leitend, wenn die Spannung j

V„r, einen Schwellwert Vt überschreitet. Damit diese Bedingung i [unabhängig vom Wert des Eingangssignales (zwischen O und Vr j Volt) erfüllt ist, ist der obere Pegel der Steuerimpulse Φ1 und

Φ2, die die Transistoren leitend machen, gleich dem Wert i Vr + Vt.

Wenn der Feldeffekttransistor T1 durch den Impuls φ2, der seinen oberen Pegelwert annimmt, leitend gemacht wird, entlädt sich der Kondensator C1, der vorher die Ladung C1 mal Vr speicherte, durch den Feldeffekttransistor T1 in den Kondensator Ce, bis der Spannungspegel am Knoten 11 gleich wird dem Wert Vr, wodurch

Wenn eine Eingangsspannung Ve der Eingangsklemme E zugeführt wird und die Generatoren für die Taktsignale Φ1 und Φ2 arbeiten, ist der Spannungspegel V1 am Knoten 10 in dem Bereich zwischen 0 und Vr Volt, wie das vorher erklärt wurde. Wenn der Impuls Φ1 seinen oberen Pegelwert annimmt, wird der Feldeffekttransistor Te leitend und der Kondensator Ce wird auf die Spannung V1 aufgeladen und speichert daher eine Ladung, die gleich ist j dem Produkt aus Ce mal V1, welche Ladung dem Eingang der BBD-Stufe T1-T2 zugeführt wird. j

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der Feldeffekttransistor T1 nichtleitend wird. Daher ist die neue in dem Kondensator C1 gespeicherte Ladung

q₁ = C Vr - Aq₁

Aq₁ = C Vr - C V₁

q, = C V₁

was gleich der vorher auf dem Kondensator Ce gespeicherten Ladung ist.

Wenn der Feldeffekttransistor T2 leitet, wird in ähnlicher Weise die Ladungsdifferenz Aq₁ von dem Kondensator C1 zu dem Kondensator C2 übertragen, indem sie dann für eine Verdoppelung zur Verfügung steht.

Während der nächsten Halbperiode des Taktsignals, wenn die Feldeffekttransistoren T3 und T5 durch den Taktimpuls Φ2 leitend igemacht werden, werden die Kondensatoren C2, C3, C5 in Serie 'geschaltet und der gleiche Strom durchfließt sie. Daher sind ,während der Zeit t, während welcher der Feldeffekttransistor T3

,leitend bleibt, d. h., bis der Spannungspegel am Knoten 13 den !wert Vr erreicht, sind die Ladungsdifferenzen Aq₃ und Aq,- für ^:die Kondensatoren C3 und C5 beide gleich der Differenz Aq₁.

Nachdem die Feldeffekttransistoren T3 und T5 durch den Abfall deä-Pegels der Impulse Φ2 auf den niedrigen Wert nichtleitend wurden, werden die Feldeffekttransistoren T4, T6 und T7 durch die Impulse Φ1 leitend gemacht.

Daher wird der Knoten 15 mit dem Massepotential verbunden und die Ladungsdifferenzen der Kondensatoren C3 und C5 werden auf die Kondensatoren C 4 und C6 übertragen.

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•/Μ,

Daher sind die verdoppelten Ladungsdifferenzen Ag. und Ag, gleichzeitig an den Kondensatoren C4 und C6 verfügbar und können in an die beiden Ausgänge S1 und S2 angeschlossenen nachfolgenden Stufen verwendet werden.

Die in Fig. 2 dargestellte Schaltung weist einen Nachteil auf, der im folgenden unter Bezugnahme auf die Fig. 3 diskutiert wird.

Fig. 3 zeigt einen Teil der Schaltung nach Fig. 2 der sich zwischen den Knotenpunkten 13 und 17 befindet und einen zusätzlichen Feldeffekttransistor, nämlich den Feldeffekttransistor T8 aufweist, um die Wirkungsweise der Schaltungsanordnung zur Ladungsverdopplung zu verbessern.

Der Kondensator C3 wird in der gleichen Weise gebildet wie die anderen Kondensatoren mit der Ausnahme, daß die Stelle für den Diffusionsbereich D5 geändert wurde, um einen Kontakt mit dem Diffusionsbereich des nächsten Feldeffekttransistors T5 vorzusehen. Am Knoten 15 ist ein parasitärer Kondensator Cp angedeutet, der gebildet wird durch das Diffusionsgebiet, das die untere Elektrode des Kondensators C3 bildet und gegenüber dem Substrat in Sperrichtung vorgespannt ist. Dieser parasitäre Kondensator, dessen Kapazitätswert etwa ein Viertel desjenigen von C3 beträgt, ist deswegend störend, weil der Kondensator C5 sich in diesen parasitären Kondensator entladen kann, so daß ein kontinuierliches Verschieben stattfindet, welches, obwohl es einen zufriedenstellenden Betrieb nicht ausschließt, solange der Signalpegel in dem Bereich von O bis Vr Volt bleibt, dennoch den dynamischen Bereich begrenzt.

Zur Überwindung dieser Schwierigkeit ist der Feldeffekttransistor T8 der Schaltung nach Fig. 2 hinzugefügt worden, dessen Drain- und Source-Elektroden miteinander verbunden sind. Impulse Φ3, deren oberer Pegel gleich ist Vr + Vt, wenn die Im-

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•4.

pulse Φ1 und Φ 2 einen niedrigen Pegel aufweisen, werden dem Gate des Feldeffekttransistors T8 zugeführt, nachdem der Impuls Φ1 seinen unteren Pegelwert und bevor der Impuls Φ2 seinen oberen Pegelwert angenommen hat, wie das in Fig. 2b dargestellt ist.

Bevor daher die Feldeffekttransistoren T3 und T5 leitend gemacht werden, um die Ladungsverdopplung vorzunehmen, ermöglicht es der Feldeffekttransistor T8, der leitend war, während der Impuls Φ3 den oberen Pegelwert besaß, dem Kondensator Cp, sich auf den Wert Vr vorzuladen, um seinen schädlichen Effekt zu kompensieren zu der Zeit, wenn die Ladung verdoppelt wird.

Einige Werte für die verschiedenen Spannungen werden im folgenden gegeben für den Fall, daß die Feldeffekttransistoren in den EKS-Stufen N-Kanal MOS-Feldeffekttransistoren sind.

Die Schwellwertspannung Vt liegt in der Größenordnung von 2 Volt, die Bezugsspannung Vr besitzt die Größenordnung von 8 Volt, und die Substratspannung beträgt -5 Volt. Die Kapazitätswerte der Kondensatoren Ce, C1 bis C6 liegt in der Größenordnung ■von 1 pF.

Die vorher beschriebene Schaltung ermöglicht das Verdoppeln ;der Ladung. In Fig. 4 ist dargestellt wie die Prinzipien der [Erfindung dazu herangezogen werden können, um die in dem Kondenisator C2 gespeicherte Ladung in einer Reihe von parallel ge-'schalteten EKS-Stufen zu reproduzieren.

!Fig. 4 zeigt vier Stufen, die an vier Ausgängen S'1 bis S¹4 Wachbildungen der der Klemme 10' zugeführten Eingangsspannung liefern.

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Die Bezugszeichen derjenigen Elemente der Fig. 4, die den
ι gleichen Elementen in den Fign. 2 und 3 entsprechen, sind mit
i einem hochgesetzten Strich versehen worden.

Die in der Schaltung nach Fig. 4 benutzten Steuerimpulse Φ1, Φ2,
¹ und Φ3 besitzen die gleichen Phasenbeziehungen und die gleichen
;Amplituden wie die in der Fig. 2b dargestellten.

!Die Schaltung nach Fig. 4 enthält eine Eingangsstufe mit den

Feldeffekttransistoren T'1 und T¹2, die mit der Eingangsstufe
der Schaltung nach Fig. 2a identisch ist, und vier parallel an-
!geordnete Stufen T'3-T'4, T'5-T'6, T'H-T'12 und ΤΊ5-ΤΊ6,
i denen die Kondensatoren C'3-C'4, C5-C6, C'11-C12 und i

I ;

!C'15-C'16 zugeordnet sind. .

j Die Feldeffekttransistoren T'3, T'5, T¹H und T'15 werden durch ;

!Taktimpulse Φ2 gesteuert, die ihren Gate-Elektroden zugeführt ;

!werden. Die Transistoren T¹4, T'6, T'12 und T¹16 werden durch j

die Taktimpulse Φ1 gesteuert, die ihren Gate-Elektroden züge- !

leitet werden. j

Die erste Stufe T'3-T'4 ist vollständig identisch mit der Stufe j

T3-T4 der Schaltung nach Fig. 2a. In der zweiten Stufe T'5-T'6 j

ist der Kondensator C5 mit der Source-Elektrode von T¹H ver- j

bunden anstatt mit der Gate-Elektrode von T¹5. In ähnlicher i

Weise ist in der dritten Stufe T'11-T'12 der Kondensator C¹11 ί I mit der Source-Elektrode von T¹15 anstatt mit der Gate-Elektrode von T¹H verbunden. Die vierte Stufe T'15-T'16 ist normal

ausgeführt, d. h., der Kondensator C¹15 ist mit der Gate-Elek- j

trode von T¹15 verbunden. j

Die Feldeffekttransistoren T'7, T'9, T¹14 in den ersten drei
Stufen haben die gleiche Funktion wie der Feldeffekttransistor
T7 in der Schaltung nach Fig. 2a. Die Feldeffekttransistoren

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T¹8, T¹10 und T¹13 haben die gleiche Funktion wie der Feldeffekttransistor T8 in der Fig. 3a. Daher wird ihre Arbeitsweise nicht weiter beschrieben.

Aufgrund der Lager der Kondensatoren C¹3, C 5, C'11 und C¹15 werden, v/enn die Feldeffekttransistoren T¹ 3, T¹5, T'11 und T¹15 unter der Steuerung der Impulse Φ2 leitend v/erden und die zu reproduzierende Ladung in dem Kondensator C2 gespeichert ist, die Kondensatoren C2, C¹3, C5, C11 und C12 in Serie geschaltet, und der gleiche Strom fließt durch diese Kondensatoren. Daher sind zu dem Zeitpunkt, zu dem die Spannung am Knoten 13' gleich Vr wird, wodurch der Feldeffekttransistor T¹3 nichtleitend wird, die Ladungsänderungen in den Kondensatoren C3, C¹5, C¹11 und C15 gleich der Ladungsänderung des Kondensators C'2.

Die Übertragungen in die Ausgangskondensatoren C'4, C'6, C'12 und C¹16 sind möglich, v/enn die Feldeffekttransistoren T'4, T¹6, T'12 und T¹H leitend werden.

Die entsprechende Information kann daher in den verschiedenen ,mit den Ausgängen S'1, S¹2, S¹3 und S¹4 verbundenen Schaltungen benutzt werden.

!Obgleich als Beispiel in Fig. 4 vier Schaltungen dargestellt wurden, in denen die Ladungen reproduziert werden, ist damit

j keine Beschränkung beabsichtigt. Wegen der Wirkung der parasi-Itären Kondensatoren kann jedoch die Anzahl der Schaltungen nicht ^beliebig erhöht werden, da dadurch der Dynamikbereich der Ausigangssignale kleiner werden würde als der der Eingangssignale.

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Claims

PATENTANSPRÜCHE ί

J Schaltungsanordnung zum Reproduzieren der in einem Ein- j ,^_/ j

! gangskondensator gespeicherten Ladung in η Ausgangskon-

densatoren, dadurch gekennzeichnet, daß J

a) η Stufen einer sog. Eimerkettenschaltung vorgesehen sind, deren jede einen ersten durch erste Taktimpulse ^:

ί (Φ2) gesteuerten Feldeffekttransistor (z.B. T¹3; Fig. 4a)

enthält, dessen Drain-Elektrode mit einem ersten Kon- !

, densator (C3) und der Source-Elektrode eines mit dem

j ersten in Reihe liegenden zweiten Feldeffekttransistors

!

j (T'4) verbunden ist, der durch zweite, gegenüber den ί ersten zeitlich versetzte^Taktimpulse (Φ1) gesteuert j wird und dessen Drain-Elektrode über einen zweiten Kondensator (C'4) mit seiner Gate-Elektrode verbunden ist, j

b) der Eingangskondensator (Ce¹) mit den ersten Kondensatoren aller Stufen beim Leiten der ersten Feldeffekttransistoren in Reihe geschaltet ist und

c) in jeder Stufe ein dritter durch die zweiten Taktimpulse (Φ1) gesteuerter Feldeffekttransistor vorgesehen ist, der beim Leiten die zweite Elektorde des ersten Kondensators mit dem Massepotential verbindet.

Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Eingangskondensator mit der ersten Stufe der Eimerkettenschaltung über eine zusätzliche Stufe verbunden ist, in der auch der erste Kondensator (CM) zwischen Drain- und Gate-Elektrode des ersten Feldeffekttransistors (T¹D angeschlossen ist.

Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Stufe, die den letzten Kondensator enthält, der mit den übrigen beim Leiten der ersten Feldeffekttransistoren aller Stufen in Reihe ge-

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schaltet wird, den gleichen Aufbau besitzt wie die zusätzliche Stufe, über die der Eingangskondensator mit der ersten Stufe der Eimerkettenschaltung verbunden ist.

4. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß in jeder der η Stufen der Eimerkettenschaltung mit Ausnahme der letzten Stufe ein

; vierter Feldeffekttransistor (z.B. T¹8) vorgesehen ist, ; dessen Drain-Elektrode mit der zweiten Elektrode des : ersten Kondensators der Stufe verbunden ist und dessen

mit der Source-Elektrode verbundener Gate-Elektrode ein : drittes Taktsignal zugeführt wird, das nach dem Abklingen der ersten und vor dem Beginn der zweiten Taktimpulse wirksam ist.

5. Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die verwendeten Feldeffekttransistoren MOS-Feldeffekttransistoren sind.

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