DE2916954C2 - Kunstharzmasse zur dichten Umhüllung eines Halbleiterelements - Google Patents

Kunstharzmasse zur dichten Umhüllung eines Halbleiterelements

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Description

Die Erfindung betrifft eine I-Lunstharzmasse zur dichten Umhüllung eines Halbleiterelements nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Eine derartige Kunstharzmasse ist aus der DE-OS 2545471 bekannt.
In den vergangenen Jahren wurden elektronische Schallungsteile wie beispielsweise Halbleiterelemente, Widerstände, Kapazitäten und Wicklungen vorteilhaft in einen Kunststoff eingegossen oder eingebettet, wodurch die Kosten für die Baugruppen reduziert werden konnten. Für diesen Fall wurden Niederdruck-Gießharzmischungen allgemein als Vergußmaterial für den genannten Zweck zur Anwendung gebracht. In Verbindung mit der Einbettung eines Halbleiterelements, wie beispielsweise eines Transistors oder eines IC-Elements ist die Einbettung gemäß dem Stande der Technik entsprechend der Verwendung von Gießharzmischungen weniger vorteilhaft als das hermetische Einbettungs- oder Abdichtungsverfahren unter Verwendung von Glas, Metall oder keramischen Stoffen, da eine Einbettung in ein Epoxydharz geringeren Widerstand gegenüber Feuchtigkeit besitzt, was zu einer Verminderung der Qualität eines Halbleiterelements führt, das in eine solche Epoxydharzmischung eingebettet ist. Der Grund hierfür besteht darin, daß die Epoxydharzmischung, die bei dem üblichen Einbettungsprozeß verwendet wird, Epoxydharz und Zusätze enthält wie beispielsweise einen Aushärtungszusatz und einen anorganischen Füllstoff mit Fremdstoffen in den Komponenten der Epoxydharzmischung, die bei Vorhandensein von Feuchtigkeit ionisieren. Die dabei resultierenden Ionen korrodieren eine Metallschicht, wie beispielsweise Aluminium, welches als Elektrode des Halbleiterelements verwendet wird, so
j5 daß dadurch die Qualität des Elektrodenmetalls vermindert wird. Diese Erscheinung stellt einen Hauptfaktor dafür dar, daß die Zuverlässigkeit des Halbleiterelements vermindert wird.
Es wurden erhebliche Anstrengungen unternommen, um die zuvor erläuterten Nachteile zu beseitigen, die bei den herkömmlichen Epoxydharz-Einbettungsverfahren auftreten. Dabei ergaben sich jedoch beträchtliche Schwierigkeiten insbesondere hinsichtlich der vollständigen Beseitigung von Natrium und Chlor, die während der Herstellung in das Kunststoffharz bzw. Epoxydharz eingeführt werden. Bis zum gegenwärtigen Zeitpunkt konnten daher keine zufriedenstellenden Ergebnisse erzielt werden.
Aus der DE-OS 25 45 471 ist eine Epoxydharzmasse zum Einschließen von Halbleitcrelementen bekannt, die ein Gemisch von Epoxydharz, Härtungsmittel, Härtungsbeschleuniger und einem Mineralfüllstoff enthält, und aus der DE-AS 1903098 eine Epoxydharzmasse aus einem Epoxydharz, einem Härtungsmittel, einem Zusatzitoff in Form einer organischen Siliciumverbindung, und ggf. einem anorganischen Füllstoff. Auch damit lassen sich die vorstehend genannten Nachteile nicht zufriedenstellend vermeiden.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Kunstharzmasse zur dichten Umhüllung eines Halbleiterelements zu schaffen, mit der die Zuverlässigkeit des Halbleiterelements nicht vermindert bzw. verschlechtert wird.
Die vorliegende Erfindung schafft zur Lösung dieser Aufgabe eine Kunstharzmasse zur dichten Umhüllung eines Halbleiterelements, die
(a) eine anorganischen Füllstoff
(b) ein Epoxydharz
(c) ein Härtungsmittel und
(d) einen Härtungsbeschleuniger
enthält, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich 0,05 bis 1,50 Gew.-% mindestens eines Paraffins mit einer bei 1200C gemessenen Viskosität von höchstens 1 Pa-s enthalten ist.
Ein unter Verwendung der erfindungsgemäßen Kunstharzmasse hergestelltes Gehäuse für ein Halbleiterelement besitzt einen hohen Widerstand gegenüber Feuchtigkeit und bietet einen vollständigen Schutz auch für Metallschichten in dem Halbleiterelement, wie beispielsweise für Aluminiumelektroden, gegenüber der Feuchtigkeit der Umgebung, so daß dadurch effektiv die Schwierigkeiten beseitig werden, die bei den herkömmlichen in Epoxydharz eingegossenen Halbleitervorrichtungen aufgetreten sind.
h5 Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert, deren einzige Figur eine Schniltdarstellung einer in Kunstharz eingebetteten Halbleitervorrichtung zeigt.
Die einzige Figur zeigt ein Halbleiterbauelement 10 mit einem DIP-Gehäuse aus Kunstharz. Ein Halbleiterelement 12 wie beispielsweise ein Transistor oder ein IC-Element, welches eine Grundplatte 20 besitzt, ist
in dem an späterer Stelle noch zu beschreibenden Kunstharzkörper 22 eingebettet. Die Elektrode 14 des Halbleiterelements 12 besteht aus einer aufgedampften Aluminiumschicht, die über einen Gold- oder Aluminiumdraht 16 mit einem Leiterteil 18 verbunden ist, das aus dem Kunstharzkörper 22 herausragt.
Eine Epoxydharzmasse die also der Kunstharzkörper 22 bildet, enthält 65 bis 80 Gew.-% einer puderlormigen anorganischen Füllmasse wie beispielsweise Tonerde, Carbonate, Quarz, Glimmer, Glas und Antimontrioxyd. Da die puderförmige anorganische Füllmasse in einer Kunstharzzusammensetzung enthalten ist, die in Verbindung mit einer Halbleitervorrichtung verwendet wird, besteht die Forderung nach einer extrem niedrigen Konzentration von Fremdstoffen bzw. Verunreinigungen. In dem vorliegenden Fall wird derGehal* an Fremdstoffen durch die elektrische Leitfähigkeit einer wjßrigen Lösung definiert, die dann erhalten wird, wenn 10 Gew.-Teile eines anorganischen Füllstoffes in 100 Gew.-Teilen reinen Wassers während 5 Stunden gekocht werden. Der anorganische puderförmige Füllstoff wird so ausgewählt, daß er eine elektrische Leitfähigkeit von 10 μΩ / cm oder weniger besitzt, bevorzugt 5 μΩ /cm oder weniger und zwar gemessen bei 200C. Der pH-Wert der gekochten Lösung bewegt sich im allgemeinen zwischen 6,0 und 7,5.
Ein Teil der zuvor erwähnten anorganischen Füllstoffe kann durch Calciumcarbonatpuder, Tonpuder, Kaolinpuder, Tonerdehydratpuder, Asbestpuder oder ähnliche Stoffe in einem solchen Bereichersetzt werden, daß die is resultierende Mischung die erläuterte elektrische Leitfähigkeit erreicht.
Die zuvor erwähnte anorganische puderförmige Füllmasse besitzt im allgemeinen eine Teilchengröße, die ausreichend fein ist, um eine Kunstharzmasse zu erzielen, deren Fließeigenschaft für die Einbettung eines Halbleiterelements geeignet ist und zwar speziell für einen Niederdruck-Spritz- oder -Gießprozeß.
Die Vergußmasse für ein Halbleiterelement muß auch einen kleinen linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten besitzen, um das Halbleiterelement das in der Vergußmasse eingebettet ist vor einer Zerstörung zu schützen, wenn die Masse häufig einer Abkühlung und einer Erwärmung in der praktischen Anwendung ausgesetzt wird.
Daher muß der anorganische puderförmige Füllstoff selbst einen ausreichend kleinen thermischen Ausdehnungskoeffizienten besitzen wie beispielsweise l,0x 10~-V°Coderweniger,bevorzugtjedoch0,5 10-6/°Codei weniger.
Allgemein gilt, daß, je größer der Zusatz eines Füllstoffes in einer Kunstharzmasse ist, um so mehr der thermische Ausdehnungskoeffizient der Kunstharzmasse reduziert wird. Eine erhöhte Zugabe eines Füllstoffes ist jedoch mit dem Nachteil behaftet, daß eine geschmolzene Kunstharzmasse eine schlechtere Fließeigenschaft erhält, was zur Möglichkeit führt, daß ein Bruch des Verbindungsdrahtes 16 auftreten könnte, der die Halbleitervorrichtung 12 mit dem Leiterteil 18 verbindet. Die Epoxydharzmasse wurde jedoch nach Maßgabe der zuvor genannten Bedingungen und Umstände entwickelt.
Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform wird Kieselerdepuder mit der folgenden Teilchengrößen-Verteilung in einer Menge von 65 bis 75 Gew.-% verwendet:
40
Teilchengröße Gew.-%
weniger als 44 μΐη 70 bis 90% (mit, bezogen auf das gesamte Gewicht an Teilchen mit einer
Größe von kleiner als 44 μΐη, wenigstens 20 Gew.-%. bevorzugt wenigstens 25 Gew.-% an Teilchen mit einer Größe von kleiner als 8 μηι)
44 μηι bis weniger als 74 μιτι 5 bis 25%, bevorzugt 10 bis 20%
74 μηι bis weniger als 149 μπι 2 bis 16%, bevorzugt 2 bis 8%
149 μπι oder mehr 3% oder weniger
Der zuvor erwähnte Puder aus geschmolzener Kieselerde besitzt einen niedrigeren Temperaturausdehnungskoeffizienten als 5,0- 10"'/0C.
Wenn der Puder aus geschmolzener Kieselerde in einer kleineren Menge als 65 Gew.-% verwendet wird, so besitzt eine in dieser Weise hergestellte Vergußmasse einen erhöhten Temperaturausdehnungskoeffizienten. Die sich ergebenden Nachteile bestehen darin, daß ein Spalt zwischen der Leitungsplatte 18 und der Vergußmasse entsteht, was nicht nur zu eiri3r Verschlechterung der Widerstandsfähigkeit gegenüber Feuchtigkeit führt, sondern auch zum Entstehen von Spannungen im Inneren der Halbleitervorrichtung, die in die Vergußmasse eingebettet ist, was einen nachteiligen Effekt auf seine Qualität hat. Wenn umgekehrt der Puder aus e>o geschmolzener Kieselerde in einer größeren Menge als 75 Gew.-% verwendet wird, so fließt die resultierende Kunstharzmasse während des Gieß- oder Spritzvorganges weniger gut. Wenn daher ein in Kunstharz eingebettetes Halbleiterelement in der praktischen Verwendung häufia einer Abkühlung und einer Erwärmung unterworfen wird, so kann das Halbleiterelement nicht mehr als solche verwendet werden. Dieser Kieselerdepuder wird daher bevorzugt in dem Bereich von 67 bis 73 Gew.-% verwendet. b5
Gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform wird Puder aus kristallinischer Kieselerde mit der folgenden Verteilung un<l einer mittleren Teilchengröße von 4 bis 8 μιη in einem Bereich von 68 bis 80 Gew.-% zur Anwendung gebracht.
Teilchengröße Gew.-%
kleiner als 48 μΓη 60 bis 95% (mit bezogen auf das gesamte Gewicht an Teilchen mit
einer Größe von kleiner als 48 μητ wenigstens 55 Gew.-%, bevorzugt
65 Gew.-%, an Teilchen mit einer Größe von kleiner als 19 μπι)
149 μιτι oder mehr 0,5% oder weniger
ίο Der zuvor erwähnte Anteil von 68 bis 80 Gew.-%, mit welchem das kristallinische Kieselerdepuder zur Anwendung gebracht wird, wird aus dem gleichen Grunde gewählt wie derjenige Anteil in Verbindung mit dem zuvor erwähnten Puder aus geschmolzener Kieselerde. Der kristallinische Kieselerdepuder sollte bevorzugt in einer Menge zugeführt werden, die in dem Bereich von 70 bis 75 Gew.-% liegt. Der kristallinische Kieselerdepuder besitzt einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, der geringfügig größer ist als der von Puder aus geschmolzener
is Kieselerde, wird jedoch nicht zu einem praktischen Problem. Der kristallinische Kieselerde-Puder verteilt effektiv die Wärme und ist speziell für die Abdichtung oder Einbettung einer Halbleitervorrichtung mit großer Kapazität geeignet.
Wenn ein anderer anorganischer Füllstoff wie beispielsweise Antimontrioxyd, welches häufig als Flammverzögerungsmittel wirkt, dem geschmolzenen oder kristallinischen Kieselerdepuder hinzugefügt wird und die zuvor beschriebene Teilchengröße bzw. -Verteilung besitzt, so führt die resultierende Füllstoffmischung zu einer Teilchengrößenverteilung, die in Einklang mit derjenigen mit dem Kieselerdepuder steht.
Das verwendete Epoxydharz hat ein Epoxydäquivalent von 250 oder weniger und einen Schmelzpunkt von 1200C oder weniger. Wenn das Epoxydäquivalent 250 überschreitet, fällt die Vernetzungsdichte ab und man erhält nicht mehr ein in Kunstharz eingebettetes Halbleiterelement mit ausreichender Hitzebeständigkeit und mechanischer Festigkeit. Wenn der Schmelzpunkt über 120° C steigt, nimmt die Fließfähigkeit der sich ergebenden Kunstharzmasse ab und wird für spritztechnische Verfahren ungeeignet. Es wird daher bevorzugt, daß das Epoxydäquivalent 200 bis 230 beträgt und der Schmelzpunkt bei 900C oder weniger liegt.
Der zuvor erläuterte Typ eines Epoxydharzes kann von denjenigen Kunstharzen ausgewählt werden, die wenigstens 2 Epoxydgruppen im Molekül enthalten und zwar mit Bisphenol-A-Epoxydharzen, Phenol-Novolak-Epoxydharzen, Kresol-Novolak-Epoxydharzen, alicyclischen Epoxydharz und halogenisierte Derivate derselben. Die meisten dieser Epoxydharze sind im Handel erhältlich.
Wie an früherer Stelle bereits erwähnt wurde, werden Natrium und Chlor zwangsläufig bei der Herstellung von Epoxydharz eingeführt. Daher sollten diese Verunreinigungen bevorzugt so weit wie möglich entfernt werden, beispielsweise durch Waschen mit Wasser oder durch Dampfdestillation. Das zuvor erwähnte Epoxydharz wird in einer Menge von 10 bis 25 Gew.-%, bevorzugt 15 bis 20 Gew.-% verwendet.
Phenolharze und/oder organische Säureanhydride werden als Aushärtungszusatz für das zuvor erwähnte Epoxydharz verwendet und werden in einer Menge von 5 bis 25 Gew.-%, bevorzugt 15 bis 20 Gew.-% beigegeben. Die Phenolharze sind gut bekannt und enthalten beispielsweise solche, die durch Reaktion von Phenol, Kresol, Xylenol, Resorcinol, Chlorphenol, Phenylphenol oder Bisphenol oder Mischungen derselben mit Formaldehyden oder Paraformaldehyden unter Verwendung einer Säure, einer Base oder eines neutralen Salzes als Katalysator entstehen. Die Phenolformaldehyde dürfen nicht mehr als 0,7 Gew.-% von ungebundenen Monomeren enthalten, um die Vernetzungsdichte der Kunstharzmasse zu erhöhen, die als Vergußmasse für ein Halbleiterelement verwendet wird und um den schädlichen Einfluß dieser ungebundenen Monomere auf das Halbleiterelement zu vermeiden, die in die Vergußmasse eingebettet ist. Ungebundene Monomere können durch bekannte Verfahren einfach beseitigt werden wie beispielsweise durch Vakuumdestillation, Waschen in heißem Wasser oder Dampf. Die Phenolformaldehyde, die verwendet werden, besitzen bevorzugt ein Phenoläquivalent von 200 oder weniger.
Die organischen Säureanhydride enthalten phthalische Anhydride, maleische Anhydride, tetrahydrophthalische Anhydride, endornethylentetrahydrophthalisches Anhydrid, trimelittisches Anhydrid, Cyclohexen-1,2-dicarboxylisches Säureanhydrid, Cyclohexan-3,4-dicarboxylisches Säureanhydrid und Mischungen von zwei oder mehreren dieser Anhydride.
Die Härtungsbeschleuniger, die in der Kunstharzmasse verwendet werden, enthalten die gewöhnlich verwendeten Amine, z. B. Diäthylentetramin, Triäthylentetramin, Diäthylaminopropylamin, Metaphenylendiamin, N-Aminoäthylpiperazin oder Benzyidimethylamin, Komplexe von Trifluorbor mit Aminen, z. B. der Komplex
von Trifluorbor mit Monoäthylamin und Imidazolverbindungen, z. B. Äthylmethylimidazol. Diese Härtungsbeschleuniger werden in einer Menge von 0,1 bis 1,0 Gew.-%, bevorzugt mit 0,2 bis 0,8 Gew.-% beigegeben. Die Kunstharzmasse enthält 0,05 bis 1,5 Gew.-% von tiefschmelzenden Paraffinen mit einer bei 120° C gemessenen Viskosität von höchstens 1 Pa · s, um dadurch die Widerstandsfähigkeit gegenüber Feuchtigkeit zu verbessern und um die Fließfähigkeit zu verbessern. Wenn die Menge des Zusatzes unter 0,05 Gew.-% fällt, so nimmt der angestrebte vorteilhafte Effekt einer Widerstandsfähigkeit gegenüber Feuchtigkeit manchmal ab und weicht $ von dem gewünschten Wert ab. Wenn umgekehrt die zugeführte Menge über 1,5 Gew.-% steigt, so wird die Fläche der resultierenden Vergußmasse weniger bedruckbar. Die tiefschmelzenden Paraffine sollten in bevorzugter Weise in einer Menge von 0.1 bis 0,7 Gew.-% zugesetzt werden.
Wenn es gewünscht wird, besteht auch die Möglichkeit, ein organisches Flammenverzögerungsmittel wie beispielsweise brominiertes Epoxydharz, ein anorganisches Flammenverzögerungsmittel wie Antimontrioxyd, ein färbendes Mittel wie Kohle, Kopplungsmittel oder ein Formablösemittel in kleinen, jedoch ausreichenden Mengen zuzumischen, um die Eigenschaften der jeweiligen Zusätze auf die Kunstharzmasse zu übertragen. Wenn ein halogenisiertes Epoxydharz als Flammenverzögerungsmittel verwendet wird und ein Epoxyd-
äquivalent von mehr als 250 und/oder einen Schmelzpunkt von mehr als 120°C besitzt, so wird es der Kunstharzmasse in einer Menge beigegeben, derart, daß der Gehalt des Halogens in der resultierenden Mischung nicht 3 Gew.-% überschreitet.
Ein in die Kunstharzmasse eingebettetes Halbleiterelement wird auf die folgende Weise hergestellt. Die jeweiligen Komponenten der Kunstharzmasse werden in einem geschmolzenen Zustand durch Heizwalzen, Kr.etvorrichtungen oder Extruder gemischt oder werden pulverisiert, wobei dann die pulverisierten Puderbestandteile mit Hilfe eines Spezialmischers gemischt werden oder indem man die erwähnten Komponenten durch eine geeignete Kombination der zuvor erwähnten Heizwalzen, Knetvorrichtungen und Extruder vollständig mischt. Nach einer Abkühlung auf Raumtemperatur wird die gemischte Masse zerdrückt und zerquetscht, um ein Spritzgußmaterial zu bilden. Dieses Spritzgußmaterial wird mit Hilfe des üblichen Niederdruck-Formspritzgußverfahrens verarbeitet, um das Halbleiterelement einzuschließen bzw. zu vergießen. Die Kunstharzmasse kann dann bei einer Temperatur von 150 bis 19O0C ausgehärtet werden und zwar bei einem Formdruck von 5 x 106 bis 2 X 107 Pa und während 45 Sekunden bis 3 Minuten.
Es folgen spezielle Beispiele für verschieden zusammengesetzte Kunstharzmassen. Bei allen Beispielen beziehen sich die Teile und Prozentangaben auf das Gewicht, wenn dies nicht anderweitig hervorgehoben ist:
Es wurden 11 Kunstharzrnassen einschließlich Kontrollbeispielen auf der Basis Orthokresoi-Novolak-Epoxydharz mit einem Epoxydäquivalent von 220 und einem Schmelzpunkt von 80°C hergestellt; ein Härtungsmittel A (Phenolnovolakharz mit einem Phenoläquivalent von 105); ein Härtungsmittel B (phthalisches Säureanhydrid); ein Härtungsbeschleuniger A (Imidazolverbindung); ein Härtungsbeschleuniger B (tert. Amin); ein Formtrennmittel (Carnaubawachs); ein organisches Flammverzögerungsmittel (bromiertes Epoxydkunstharz mit einem Epoxydäquivalent von 270 und einem Schmelzpunkt von 86° C); ein anorganisches Flammverzögerungsmittel (Antimontrioxyd); flüssiges Paraffin; ein Kopplungsmittel; ein Färbemittel (Ruß); und Füllstoffe A, B, C und D, die mit den entsprechenden Mengen beigegeben werden (Gew.-% gemäß Tabelle 1). Die Arten und Teilchengrößen bzw. Mengen der Füllstoffe A und B aus Puder aus geschmolzener Kieselerde und die Füllstoffe C und D aus kristallinischem Kieselerdepuder sind in Tabelle A und Tabelle B jeweils gezeigt. Anorganische Flammverzögerungsmittel, die in Verbindung mit den Füllstoffen A, B, C und D verwendet werden, werden so gewählt, daß sie eine Teilchengröße bzw. -anteil ausmachen, wie die Teilchengröße bzw. -anteil der resultierenden Mischpulverfüllung innerhalb derjenigen der Füllstoffe.
Tabelle A Kieselerde Füllstoff B Tabelle B Füllstoff C Füllstoff D 30 I
Puder aus geschmolzener Füllstoff A 5,0% 65,8% 55,0% ft
Teilchengröße-Bereich 0,5% 17,0% Kristallinischer Kieselerdepuder 1,0%
> 149 μπι 2,1% 26,0% Teilchengröße-Bereich 50,0% 40,0% 35 I
149 μπι ~ 74 μίτι 15,4% 52,0% S 48 μπι 7,0 μΐΏ 9,0 μπι
< 74 μπι ~ 44 μπι 82,0% (13,0%) δ 149 μηι
< 44 μηη (24,0%) S 19 μπι 40
(< 8 μπι) Mittlere Teilchengröße
Tabelle 1 Beispiele
1 2 3
Kontrollen
1 2 3
Epoxyd A
B		 organisch
anorganisch		 16,0 16,0 14,0 15,0 15,0 12,0 13,5 13,5 16,0 16,3 15,0
Härtungsmittel Härtungsbeschleuniger n 9,9 9,9 12,9 8,0 8,0 6,4 10,0 10,0 9,9 10,1 8,0
Formtrennmittel 0,5 0,5 0,3 0,8 0,8 0,7 0,3 0,3 0,5 0,5 0,8
Flammverzögerer 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3
Flüssiges Paraffin A 2,4
1,8		 2,4
1,8		 2,4
1,8		 2,0
2,0		 2,0
2,0		 1,6
2,0		 2,0
2,0		 2,0
2,0		 2,4
1,8		 2,4
1,8		 2,0
2,0
Kopplungsstoff B
C
D		 0,5 0,3 0,5 0,3 0,6 0,3 0,3 0,6 0,5 - -
Färbemittel 0,2 0,4 0,2 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,2 0,2 0,3
0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3 0,3
Füllstoffe 68,1 68,1 68,1 - - - - - - 68,1 -
- - - 71,0 70,7 76,1 71,0 70,7 68,1 - 71.3
Jede der zuvor aufgerührten Kunstharzzusammensetzungen wurde entsprechend den folgenden Schritten hergestellt. Nachdem der Rjllstoff, das Flammverz.ögerungsmittel, der Ruß und der Härtungsbeschleuniger gemischt sind, wird flüssiges Pa mill η und der Kopplungsstoff der Mischung beigegeben. Nach der Beigabe der verbleibenden Komponenten wird die gesamte Masse mit Hilfe von Wiirmewalzen bei 600C bis 100°Cgeknetet. Nach einer Abkühlung auf Raumtemperatur wird die Masse zerquetscht oder zerdrückt, um ein spritzlahiges Material /u bilden.
Es wurde ein integrierte1-' MOS-Halbleiterelement in eine Vergußmasse eingebettet, die entsprechend jeder der zuvor erwähnten Kunstharzzusammensetzungen mit Hilfe eines Niederdruck-FonnspritzguBprozesses gegossen wurde. Fs wurde dann ein Druckkochtest der jeweiligen kunstharzvergossenen Halbleitervorrichtungen durchgeführt, um dadurch die Widerstandslahigkeit gegenüber Feuchtigkeit der Proben in Dampf mit einem Druck von 2 bar zu testen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Kunstharzmasse zur dichten Umhüllung eines Halbleiterelements, die
(a) einen anorganischen Füllstoff
(b) ein Epoxydharz
(c) ein Härtungsmittel und
(d) einen Härtungsbeschleuniger
enthält, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich 0,05 bis 1,50 Gew.-% mindestens eines Paraffins mit einer bei 1200C gemessenen Viskosität von höchstens 1 Pa-s enthalten ist.
2. Kunstharzmasse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Paraffine in einer Menge von 0,1 bis 0,7 Gew.-% enthalten sind.
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