DE2916954C2 - Kunstharzmasse zur dichten Umhüllung eines Halbleiterelements - Google Patents
Kunstharzmasse zur dichten Umhüllung eines HalbleiterelementsInfo
- Publication number
- DE2916954C2 DE2916954C2 DE2916954A DE2916954A DE2916954C2 DE 2916954 C2 DE2916954 C2 DE 2916954C2 DE 2916954 A DE2916954 A DE 2916954A DE 2916954 A DE2916954 A DE 2916954A DE 2916954 C2 DE2916954 C2 DE 2916954C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- synthetic resin
- semiconductor element
- weight
- epoxy resin
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/002—Inhomogeneous material in general
- H01B3/006—Other inhomogeneous material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
- H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
- H01B3/40—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes epoxy resins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
- H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/23—Sheet including cover or casing
- Y10T428/239—Complete cover or casing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31511—Of epoxy ether
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31801—Of wax or waxy material
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine I-Lunstharzmasse zur dichten Umhüllung eines Halbleiterelements nach dem
Oberbegriff des Anspruchs 1.
Eine derartige Kunstharzmasse ist aus der DE-OS 2545471 bekannt.
In den vergangenen Jahren wurden elektronische Schallungsteile wie beispielsweise Halbleiterelemente,
Widerstände, Kapazitäten und Wicklungen vorteilhaft in einen Kunststoff eingegossen oder eingebettet,
wodurch die Kosten für die Baugruppen reduziert werden konnten. Für diesen Fall wurden Niederdruck-Gießharzmischungen
allgemein als Vergußmaterial für den genannten Zweck zur Anwendung gebracht. In Verbindung
mit der Einbettung eines Halbleiterelements, wie beispielsweise eines Transistors oder eines IC-Elements
ist die Einbettung gemäß dem Stande der Technik entsprechend der Verwendung von Gießharzmischungen
weniger vorteilhaft als das hermetische Einbettungs- oder Abdichtungsverfahren unter Verwendung von Glas,
Metall oder keramischen Stoffen, da eine Einbettung in ein Epoxydharz geringeren Widerstand gegenüber
Feuchtigkeit besitzt, was zu einer Verminderung der Qualität eines Halbleiterelements führt, das in eine solche
Epoxydharzmischung eingebettet ist. Der Grund hierfür besteht darin, daß die Epoxydharzmischung, die bei
dem üblichen Einbettungsprozeß verwendet wird, Epoxydharz und Zusätze enthält wie beispielsweise einen
Aushärtungszusatz und einen anorganischen Füllstoff mit Fremdstoffen in den Komponenten der Epoxydharzmischung,
die bei Vorhandensein von Feuchtigkeit ionisieren. Die dabei resultierenden Ionen korrodieren eine
Metallschicht, wie beispielsweise Aluminium, welches als Elektrode des Halbleiterelements verwendet wird, so
j5 daß dadurch die Qualität des Elektrodenmetalls vermindert wird. Diese Erscheinung stellt einen Hauptfaktor
dafür dar, daß die Zuverlässigkeit des Halbleiterelements vermindert wird.
Es wurden erhebliche Anstrengungen unternommen, um die zuvor erläuterten Nachteile zu beseitigen, die
bei den herkömmlichen Epoxydharz-Einbettungsverfahren auftreten. Dabei ergaben sich jedoch beträchtliche
Schwierigkeiten insbesondere hinsichtlich der vollständigen Beseitigung von Natrium und Chlor, die während
der Herstellung in das Kunststoffharz bzw. Epoxydharz eingeführt werden. Bis zum gegenwärtigen Zeitpunkt
konnten daher keine zufriedenstellenden Ergebnisse erzielt werden.
Aus der DE-OS 25 45 471 ist eine Epoxydharzmasse zum Einschließen von Halbleitcrelementen bekannt, die
ein Gemisch von Epoxydharz, Härtungsmittel, Härtungsbeschleuniger und einem Mineralfüllstoff enthält, und
aus der DE-AS 1903098 eine Epoxydharzmasse aus einem Epoxydharz, einem Härtungsmittel, einem Zusatzitoff
in Form einer organischen Siliciumverbindung, und ggf. einem anorganischen Füllstoff. Auch damit lassen
sich die vorstehend genannten Nachteile nicht zufriedenstellend vermeiden.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Kunstharzmasse zur dichten Umhüllung eines Halbleiterelements
zu schaffen, mit der die Zuverlässigkeit des Halbleiterelements nicht vermindert bzw. verschlechtert
wird.
Die vorliegende Erfindung schafft zur Lösung dieser Aufgabe eine Kunstharzmasse zur dichten Umhüllung
eines Halbleiterelements, die
(a) eine anorganischen Füllstoff
(b) ein Epoxydharz
(c) ein Härtungsmittel und
(d) einen Härtungsbeschleuniger
enthält, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich 0,05 bis 1,50 Gew.-% mindestens eines Paraffins mit einer bei
1200C gemessenen Viskosität von höchstens 1 Pa-s enthalten ist.
Ein unter Verwendung der erfindungsgemäßen Kunstharzmasse hergestelltes Gehäuse für ein Halbleiterelement
besitzt einen hohen Widerstand gegenüber Feuchtigkeit und bietet einen vollständigen Schutz auch für
Metallschichten in dem Halbleiterelement, wie beispielsweise für Aluminiumelektroden, gegenüber der
Feuchtigkeit der Umgebung, so daß dadurch effektiv die Schwierigkeiten beseitig werden, die bei den herkömmlichen
in Epoxydharz eingegossenen Halbleitervorrichtungen aufgetreten sind.
h5 Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert, deren einzige
Figur eine Schniltdarstellung einer in Kunstharz eingebetteten Halbleitervorrichtung zeigt.
Die einzige Figur zeigt ein Halbleiterbauelement 10 mit einem DIP-Gehäuse aus Kunstharz. Ein Halbleiterelement
12 wie beispielsweise ein Transistor oder ein IC-Element, welches eine Grundplatte 20 besitzt, ist
in dem an späterer Stelle noch zu beschreibenden Kunstharzkörper 22 eingebettet. Die Elektrode 14 des Halbleiterelements
12 besteht aus einer aufgedampften Aluminiumschicht, die über einen Gold- oder Aluminiumdraht
16 mit einem Leiterteil 18 verbunden ist, das aus dem Kunstharzkörper 22 herausragt.
Eine Epoxydharzmasse die also der Kunstharzkörper 22 bildet, enthält 65 bis 80 Gew.-% einer puderlormigen
anorganischen Füllmasse wie beispielsweise Tonerde, Carbonate, Quarz, Glimmer, Glas und Antimontrioxyd.
Da die puderförmige anorganische Füllmasse in einer Kunstharzzusammensetzung enthalten ist, die in Verbindung
mit einer Halbleitervorrichtung verwendet wird, besteht die Forderung nach einer extrem niedrigen Konzentration
von Fremdstoffen bzw. Verunreinigungen. In dem vorliegenden Fall wird derGehal* an Fremdstoffen
durch die elektrische Leitfähigkeit einer wjßrigen Lösung definiert, die dann erhalten wird, wenn 10 Gew.-Teile
eines anorganischen Füllstoffes in 100 Gew.-Teilen reinen Wassers während 5 Stunden gekocht werden.
Der anorganische puderförmige Füllstoff wird so ausgewählt, daß er eine elektrische Leitfähigkeit von 10 μΩ /
cm oder weniger besitzt, bevorzugt 5 μΩ /cm oder weniger und zwar gemessen bei 200C. Der pH-Wert der
gekochten Lösung bewegt sich im allgemeinen zwischen 6,0 und 7,5.
Ein Teil der zuvor erwähnten anorganischen Füllstoffe kann durch Calciumcarbonatpuder, Tonpuder, Kaolinpuder,
Tonerdehydratpuder, Asbestpuder oder ähnliche Stoffe in einem solchen Bereichersetzt werden, daß die is
resultierende Mischung die erläuterte elektrische Leitfähigkeit erreicht.
Die zuvor erwähnte anorganische puderförmige Füllmasse besitzt im allgemeinen eine Teilchengröße, die
ausreichend fein ist, um eine Kunstharzmasse zu erzielen, deren Fließeigenschaft für die Einbettung eines Halbleiterelements
geeignet ist und zwar speziell für einen Niederdruck-Spritz- oder -Gießprozeß.
Die Vergußmasse für ein Halbleiterelement muß auch einen kleinen linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten
besitzen, um das Halbleiterelement das in der Vergußmasse eingebettet ist vor einer Zerstörung
zu schützen, wenn die Masse häufig einer Abkühlung und einer Erwärmung in der praktischen Anwendung ausgesetzt
wird.
Daher muß der anorganische puderförmige Füllstoff selbst einen ausreichend kleinen thermischen Ausdehnungskoeffizienten
besitzen wie beispielsweise l,0x 10~-V°Coderweniger,bevorzugtjedoch0,5 10-6/°Codei
weniger.
Allgemein gilt, daß, je größer der Zusatz eines Füllstoffes in einer Kunstharzmasse ist, um so mehr der thermische
Ausdehnungskoeffizient der Kunstharzmasse reduziert wird. Eine erhöhte Zugabe eines Füllstoffes ist
jedoch mit dem Nachteil behaftet, daß eine geschmolzene Kunstharzmasse eine schlechtere Fließeigenschaft
erhält, was zur Möglichkeit führt, daß ein Bruch des Verbindungsdrahtes 16 auftreten könnte, der die Halbleitervorrichtung
12 mit dem Leiterteil 18 verbindet. Die Epoxydharzmasse wurde jedoch nach Maßgabe der zuvor
genannten Bedingungen und Umstände entwickelt.
Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform wird Kieselerdepuder mit der folgenden Teilchengrößen-Verteilung
in einer Menge von 65 bis 75 Gew.-% verwendet:
40
Teilchengröße Gew.-%
weniger als 44 μΐη 70 bis 90% (mit, bezogen auf das gesamte Gewicht an Teilchen mit einer
Größe von kleiner als 44 μΐη, wenigstens 20 Gew.-%. bevorzugt wenigstens
25 Gew.-% an Teilchen mit einer Größe von kleiner als 8 μηι)
44 μηι bis weniger als 74 μιτι 5 bis 25%, bevorzugt 10 bis 20%
74 μηι bis weniger als 149 μπι 2 bis 16%, bevorzugt 2 bis 8%
149 μπι oder mehr 3% oder weniger
Der zuvor erwähnte Puder aus geschmolzener Kieselerde besitzt einen niedrigeren Temperaturausdehnungskoeffizienten
als 5,0- 10"'/0C.
Wenn der Puder aus geschmolzener Kieselerde in einer kleineren Menge als 65 Gew.-% verwendet wird, so
besitzt eine in dieser Weise hergestellte Vergußmasse einen erhöhten Temperaturausdehnungskoeffizienten.
Die sich ergebenden Nachteile bestehen darin, daß ein Spalt zwischen der Leitungsplatte 18 und der Vergußmasse
entsteht, was nicht nur zu eiri3r Verschlechterung der Widerstandsfähigkeit gegenüber Feuchtigkeit
führt, sondern auch zum Entstehen von Spannungen im Inneren der Halbleitervorrichtung, die in die Vergußmasse
eingebettet ist, was einen nachteiligen Effekt auf seine Qualität hat. Wenn umgekehrt der Puder aus e>o
geschmolzener Kieselerde in einer größeren Menge als 75 Gew.-% verwendet wird, so fließt die resultierende
Kunstharzmasse während des Gieß- oder Spritzvorganges weniger gut. Wenn daher ein in Kunstharz eingebettetes
Halbleiterelement in der praktischen Verwendung häufia einer Abkühlung und einer Erwärmung unterworfen
wird, so kann das Halbleiterelement nicht mehr als solche verwendet werden. Dieser Kieselerdepuder wird
daher bevorzugt in dem Bereich von 67 bis 73 Gew.-% verwendet. b5
Gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform wird Puder aus kristallinischer Kieselerde mit der
folgenden Verteilung un<l einer mittleren Teilchengröße von 4 bis 8 μιη in einem Bereich von 68 bis 80 Gew.-%
zur Anwendung gebracht.
Teilchengröße Gew.-%
kleiner als 48 μΓη 60 bis 95% (mit bezogen auf das gesamte Gewicht an Teilchen mit
einer Größe von kleiner als 48 μητ wenigstens 55 Gew.-%, bevorzugt
65 Gew.-%, an Teilchen mit einer Größe von kleiner als 19 μπι)
149 μιτι oder mehr 0,5% oder weniger
149 μιτι oder mehr 0,5% oder weniger
ίο Der zuvor erwähnte Anteil von 68 bis 80 Gew.-%, mit welchem das kristallinische Kieselerdepuder zur Anwendung
gebracht wird, wird aus dem gleichen Grunde gewählt wie derjenige Anteil in Verbindung mit dem zuvor
erwähnten Puder aus geschmolzener Kieselerde. Der kristallinische Kieselerdepuder sollte bevorzugt in einer
Menge zugeführt werden, die in dem Bereich von 70 bis 75 Gew.-% liegt. Der kristallinische Kieselerdepuder
besitzt einen Wärmeausdehnungskoeffizienten, der geringfügig größer ist als der von Puder aus geschmolzener
is Kieselerde, wird jedoch nicht zu einem praktischen Problem. Der kristallinische Kieselerde-Puder verteilt effektiv
die Wärme und ist speziell für die Abdichtung oder Einbettung einer Halbleitervorrichtung mit großer Kapazität
geeignet.
Wenn ein anderer anorganischer Füllstoff wie beispielsweise Antimontrioxyd, welches häufig als Flammverzögerungsmittel
wirkt, dem geschmolzenen oder kristallinischen Kieselerdepuder hinzugefügt wird und die
zuvor beschriebene Teilchengröße bzw. -Verteilung besitzt, so führt die resultierende Füllstoffmischung zu
einer Teilchengrößenverteilung, die in Einklang mit derjenigen mit dem Kieselerdepuder steht.
Das verwendete Epoxydharz hat ein Epoxydäquivalent von 250 oder weniger und einen Schmelzpunkt von
1200C oder weniger. Wenn das Epoxydäquivalent 250 überschreitet, fällt die Vernetzungsdichte ab und man
erhält nicht mehr ein in Kunstharz eingebettetes Halbleiterelement mit ausreichender Hitzebeständigkeit und
mechanischer Festigkeit. Wenn der Schmelzpunkt über 120° C steigt, nimmt die Fließfähigkeit der sich ergebenden
Kunstharzmasse ab und wird für spritztechnische Verfahren ungeeignet. Es wird daher bevorzugt, daß das
Epoxydäquivalent 200 bis 230 beträgt und der Schmelzpunkt bei 900C oder weniger liegt.
Der zuvor erläuterte Typ eines Epoxydharzes kann von denjenigen Kunstharzen ausgewählt werden, die
wenigstens 2 Epoxydgruppen im Molekül enthalten und zwar mit Bisphenol-A-Epoxydharzen, Phenol-Novolak-Epoxydharzen,
Kresol-Novolak-Epoxydharzen, alicyclischen Epoxydharz und halogenisierte Derivate derselben.
Die meisten dieser Epoxydharze sind im Handel erhältlich.
Wie an früherer Stelle bereits erwähnt wurde, werden Natrium und Chlor zwangsläufig bei der Herstellung
von Epoxydharz eingeführt. Daher sollten diese Verunreinigungen bevorzugt so weit wie möglich entfernt werden,
beispielsweise durch Waschen mit Wasser oder durch Dampfdestillation. Das zuvor erwähnte Epoxydharz
wird in einer Menge von 10 bis 25 Gew.-%, bevorzugt 15 bis 20 Gew.-% verwendet.
Phenolharze und/oder organische Säureanhydride werden als Aushärtungszusatz für das zuvor erwähnte
Epoxydharz verwendet und werden in einer Menge von 5 bis 25 Gew.-%, bevorzugt 15 bis 20 Gew.-% beigegeben.
Die Phenolharze sind gut bekannt und enthalten beispielsweise solche, die durch Reaktion von Phenol,
Kresol, Xylenol, Resorcinol, Chlorphenol, Phenylphenol oder Bisphenol oder Mischungen derselben mit Formaldehyden
oder Paraformaldehyden unter Verwendung einer Säure, einer Base oder eines neutralen Salzes als
Katalysator entstehen. Die Phenolformaldehyde dürfen nicht mehr als 0,7 Gew.-% von ungebundenen Monomeren
enthalten, um die Vernetzungsdichte der Kunstharzmasse zu erhöhen, die als Vergußmasse für ein Halbleiterelement
verwendet wird und um den schädlichen Einfluß dieser ungebundenen Monomere auf das Halbleiterelement
zu vermeiden, die in die Vergußmasse eingebettet ist. Ungebundene Monomere können durch
bekannte Verfahren einfach beseitigt werden wie beispielsweise durch Vakuumdestillation, Waschen in heißem
Wasser oder Dampf. Die Phenolformaldehyde, die verwendet werden, besitzen bevorzugt ein Phenoläquivalent
von 200 oder weniger.
Die organischen Säureanhydride enthalten phthalische Anhydride, maleische Anhydride, tetrahydrophthalische
Anhydride, endornethylentetrahydrophthalisches Anhydrid, trimelittisches Anhydrid, Cyclohexen-1,2-dicarboxylisches
Säureanhydrid, Cyclohexan-3,4-dicarboxylisches Säureanhydrid und Mischungen
von zwei oder mehreren dieser Anhydride.
Die Härtungsbeschleuniger, die in der Kunstharzmasse verwendet werden, enthalten die gewöhnlich verwendeten
Amine, z. B. Diäthylentetramin, Triäthylentetramin, Diäthylaminopropylamin, Metaphenylendiamin,
N-Aminoäthylpiperazin oder Benzyidimethylamin, Komplexe von Trifluorbor mit Aminen, z. B. der Komplex
von Trifluorbor mit Monoäthylamin und Imidazolverbindungen, z. B. Äthylmethylimidazol. Diese Härtungsbeschleuniger werden in einer Menge von 0,1 bis 1,0 Gew.-%, bevorzugt mit 0,2 bis 0,8 Gew.-% beigegeben.
Die Kunstharzmasse enthält 0,05 bis 1,5 Gew.-% von tiefschmelzenden Paraffinen mit einer bei 120° C gemessenen
Viskosität von höchstens 1 Pa · s, um dadurch die Widerstandsfähigkeit gegenüber Feuchtigkeit zu verbessern
und um die Fließfähigkeit zu verbessern. Wenn die Menge des Zusatzes unter 0,05 Gew.-% fällt, so nimmt
der angestrebte vorteilhafte Effekt einer Widerstandsfähigkeit gegenüber Feuchtigkeit manchmal ab und weicht $
von dem gewünschten Wert ab. Wenn umgekehrt die zugeführte Menge über 1,5 Gew.-% steigt, so wird die
Fläche der resultierenden Vergußmasse weniger bedruckbar. Die tiefschmelzenden Paraffine sollten in bevorzugter
Weise in einer Menge von 0.1 bis 0,7 Gew.-% zugesetzt werden.
Wenn es gewünscht wird, besteht auch die Möglichkeit, ein organisches Flammenverzögerungsmittel wie beispielsweise brominiertes Epoxydharz, ein anorganisches Flammenverzögerungsmittel wie Antimontrioxyd, ein färbendes Mittel wie Kohle, Kopplungsmittel oder ein Formablösemittel in kleinen, jedoch ausreichenden Mengen zuzumischen, um die Eigenschaften der jeweiligen Zusätze auf die Kunstharzmasse zu übertragen. Wenn ein halogenisiertes Epoxydharz als Flammenverzögerungsmittel verwendet wird und ein Epoxyd-
Wenn es gewünscht wird, besteht auch die Möglichkeit, ein organisches Flammenverzögerungsmittel wie beispielsweise brominiertes Epoxydharz, ein anorganisches Flammenverzögerungsmittel wie Antimontrioxyd, ein färbendes Mittel wie Kohle, Kopplungsmittel oder ein Formablösemittel in kleinen, jedoch ausreichenden Mengen zuzumischen, um die Eigenschaften der jeweiligen Zusätze auf die Kunstharzmasse zu übertragen. Wenn ein halogenisiertes Epoxydharz als Flammenverzögerungsmittel verwendet wird und ein Epoxyd-
äquivalent von mehr als 250 und/oder einen Schmelzpunkt von mehr als 120°C besitzt, so wird es der Kunstharzmasse
in einer Menge beigegeben, derart, daß der Gehalt des Halogens in der resultierenden Mischung
nicht 3 Gew.-% überschreitet.
Ein in die Kunstharzmasse eingebettetes Halbleiterelement wird auf die folgende Weise hergestellt. Die
jeweiligen Komponenten der Kunstharzmasse werden in einem geschmolzenen Zustand durch Heizwalzen,
Kr.etvorrichtungen oder Extruder gemischt oder werden pulverisiert, wobei dann die pulverisierten Puderbestandteile
mit Hilfe eines Spezialmischers gemischt werden oder indem man die erwähnten Komponenten
durch eine geeignete Kombination der zuvor erwähnten Heizwalzen, Knetvorrichtungen und Extruder vollständig
mischt. Nach einer Abkühlung auf Raumtemperatur wird die gemischte Masse zerdrückt und zerquetscht,
um ein Spritzgußmaterial zu bilden. Dieses Spritzgußmaterial wird mit Hilfe des üblichen Niederdruck-Formspritzgußverfahrens
verarbeitet, um das Halbleiterelement einzuschließen bzw. zu vergießen. Die Kunstharzmasse
kann dann bei einer Temperatur von 150 bis 19O0C ausgehärtet werden und zwar bei einem Formdruck
von 5 x 106 bis 2 X 107 Pa und während 45 Sekunden bis 3 Minuten.
Es folgen spezielle Beispiele für verschieden zusammengesetzte Kunstharzmassen. Bei allen Beispielen
beziehen sich die Teile und Prozentangaben auf das Gewicht, wenn dies nicht anderweitig hervorgehoben ist:
Es wurden 11 Kunstharzrnassen einschließlich Kontrollbeispielen auf der Basis Orthokresoi-Novolak-Epoxydharz
mit einem Epoxydäquivalent von 220 und einem Schmelzpunkt von 80°C hergestellt; ein Härtungsmittel
A (Phenolnovolakharz mit einem Phenoläquivalent von 105); ein Härtungsmittel B (phthalisches
Säureanhydrid); ein Härtungsbeschleuniger A (Imidazolverbindung); ein Härtungsbeschleuniger B (tert.
Amin); ein Formtrennmittel (Carnaubawachs); ein organisches Flammverzögerungsmittel (bromiertes
Epoxydkunstharz mit einem Epoxydäquivalent von 270 und einem Schmelzpunkt von 86° C); ein anorganisches
Flammverzögerungsmittel (Antimontrioxyd); flüssiges Paraffin; ein Kopplungsmittel; ein Färbemittel (Ruß);
und Füllstoffe A, B, C und D, die mit den entsprechenden Mengen beigegeben werden (Gew.-% gemäß
Tabelle 1). Die Arten und Teilchengrößen bzw. Mengen der Füllstoffe A und B aus Puder aus geschmolzener
Kieselerde und die Füllstoffe C und D aus kristallinischem Kieselerdepuder sind in Tabelle A und Tabelle B
jeweils gezeigt. Anorganische Flammverzögerungsmittel, die in Verbindung mit den Füllstoffen A, B, C und D
verwendet werden, werden so gewählt, daß sie eine Teilchengröße bzw. -anteil ausmachen, wie die Teilchengröße
bzw. -anteil der resultierenden Mischpulverfüllung innerhalb derjenigen der Füllstoffe.
Tabelle A | Kieselerde | Füllstoff B | Tabelle B | Füllstoff C | Füllstoff D | 30 | I |
Puder aus geschmolzener | Füllstoff A | 5,0% | 65,8% | 55,0% | ft | ||
Teilchengröße-Bereich | 0,5% | 17,0% | Kristallinischer Kieselerdepuder | 1,0% | |||
> 149 μπι | 2,1% | 26,0% | Teilchengröße-Bereich | 50,0% | 40,0% | 35 | I |
149 μπι ~ 74 μίτι | 15,4% | 52,0% | S 48 μπι | 7,0 μΐΏ | 9,0 μπι | ||
< 74 μπι ~ 44 μπι | 82,0% | (13,0%) | δ 149 μηι | ||||
< 44 μηη | (24,0%) | S 19 μπι | 40 | ||||
(< 8 μπι) | Mittlere Teilchengröße | ||||||
1 2 3
Kontrollen
1 2 3
Epoxyd | A B |
organisch anorganisch |
16,0 | 16,0 | 14,0 | 15,0 | 15,0 | 12,0 | 13,5 | 13,5 | 16,0 | 16,3 | 15,0 |
Härtungsmittel | Härtungsbeschleuniger n | 9,9 | 9,9 | 12,9 | 8,0 | 8,0 | 6,4 | 10,0 | 10,0 | 9,9 | 10,1 | 8,0 | |
Formtrennmittel | 0,5 | 0,5 | 0,3 | 0,8 | 0,8 | 0,7 | 0,3 | 0,3 | 0,5 | 0,5 | 0,8 | ||
Flammverzögerer | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | ||
Flüssiges Paraffin | A | 2,4 1,8 |
2,4 1,8 |
2,4 1,8 |
2,0 2,0 |
2,0 2,0 |
1,6 2,0 |
2,0 2,0 |
2,0 2,0 |
2,4 1,8 |
2,4 1,8 |
2,0 2,0 |
|
Kopplungsstoff | B C D |
0,5 | 0,3 | 0,5 | 0,3 | 0,6 | 0,3 | 0,3 | 0,6 | 0,5 | - | - | |
Färbemittel | 0,2 | 0,4 | 0,2 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,2 | 0,2 | 0,3 | ||
0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | 0,3 | |||
Füllstoffe | 68,1 | 68,1 | 68,1 | - | - | - | - | - | - | 68,1 | - | ||
- | - | - | 71,0 | 70,7 | 76,1 | 71,0 | 70,7 | 68,1 | - | 71.3 |
Jede der zuvor aufgerührten Kunstharzzusammensetzungen wurde entsprechend den folgenden Schritten
hergestellt. Nachdem der Rjllstoff, das Flammverz.ögerungsmittel, der Ruß und der Härtungsbeschleuniger
gemischt sind, wird flüssiges Pa mill η und der Kopplungsstoff der Mischung beigegeben. Nach der Beigabe der
verbleibenden Komponenten wird die gesamte Masse mit Hilfe von Wiirmewalzen bei 600C bis 100°Cgeknetet.
Nach einer Abkühlung auf Raumtemperatur wird die Masse zerquetscht oder zerdrückt, um ein spritzlahiges
Material /u bilden.
Es wurde ein integrierte1-' MOS-Halbleiterelement in eine Vergußmasse eingebettet, die entsprechend jeder
der zuvor erwähnten Kunstharzzusammensetzungen mit Hilfe eines Niederdruck-FonnspritzguBprozesses
gegossen wurde. Fs wurde dann ein Druckkochtest der jeweiligen kunstharzvergossenen Halbleitervorrichtungen
durchgeführt, um dadurch die Widerstandslahigkeit gegenüber Feuchtigkeit der Proben in Dampf mit
einem Druck von 2 bar zu testen.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Kunstharzmasse zur dichten Umhüllung eines Halbleiterelements, die
(a) einen anorganischen Füllstoff
(b) ein Epoxydharz
(c) ein Härtungsmittel und
(d) einen Härtungsbeschleuniger
enthält, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich 0,05 bis 1,50 Gew.-% mindestens eines Paraffins
mit einer bei 1200C gemessenen Viskosität von höchstens 1 Pa-s enthalten ist.
2. Kunstharzmasse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Paraffine in einer Menge von 0,1
bis 0,7 Gew.-% enthalten sind.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4877678A JPS54141569A (en) | 1978-04-26 | 1978-04-26 | Semiconductor device |
JP7745978A JPS554952A (en) | 1978-06-28 | 1978-06-28 | Semiconductor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2916954A1 DE2916954A1 (de) | 1979-10-31 |
DE2916954C2 true DE2916954C2 (de) | 1984-07-05 |
Family
ID=26389098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2916954A Expired DE2916954C2 (de) | 1978-04-26 | 1979-04-26 | Kunstharzmasse zur dichten Umhüllung eines Halbleiterelements |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4248920A (de) |
DE (1) | DE2916954C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4307743A1 (en) * | 1992-03-13 | 1993-09-23 | Toshiba Kawasaki Kk | Resin-encapsulated semiconductor device - uses resin mixt. contg. special epoxy] resin, phenolic resin hardener, imidazole cpd., tri:phenyl phosphate and/or wax |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56150830A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-21 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
JPS5745259A (en) * | 1980-09-01 | 1982-03-15 | Hitachi Ltd | Resin sealing type semiconductor device |
US5229642A (en) * | 1980-09-01 | 1993-07-20 | Hitachi, Ltd. | Resin molded type semiconductor device having a conductor film |
US5371411A (en) * | 1980-09-01 | 1994-12-06 | Hitachi, Ltd. | Resin molded type semiconductor device having a conductor film |
FR2490917A1 (fr) * | 1980-09-02 | 1982-03-26 | Motorola Semiconducteurs | Boitier pour circuit electrique et procede de fabrication |
JPS57111034A (en) * | 1980-12-10 | 1982-07-10 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and its manufacture |
DE3117571A1 (de) * | 1981-05-04 | 1982-11-18 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Lumineszenz-halbleiterbauelement |
US4571093A (en) * | 1983-11-04 | 1986-02-18 | Burroughs Corporation | Method of testing plastic-packaged semiconductor devices |
JPS60100439A (ja) * | 1983-11-05 | 1985-06-04 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止形半導体装置 |
JPS60116191A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-22 | イビデン株式会社 | 電子部品搭載用基板の製造方法 |
JPS60210643A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-10-23 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 充填剤及びその組成物 |
JPS6153321A (ja) * | 1984-08-23 | 1986-03-17 | Toshiba Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
JPS6164145A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止形半導体装置 |
JPS6189643A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-07 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPS61287155A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JPS62212422A (ja) * | 1986-03-14 | 1987-09-18 | Matsushita Electric Works Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
US5181097A (en) * | 1988-06-10 | 1993-01-19 | Hitachi, Ltd. | Plastic molded type electronic device |
DE3824254A1 (de) * | 1988-07-14 | 1990-01-18 | Siemens Ag | Isolierband zur herstellung einer mit einer heisshaertenden epoxid-saeureanhydrid-mischung impraegnierten isolierhuelse fuer elektrische leiter |
US5476716A (en) * | 1988-10-17 | 1995-12-19 | The Dexter Corporation | Flame retardant epoxy molding compound, method and encapsulated device |
US5041254A (en) * | 1988-10-17 | 1991-08-20 | Dexter Corporation | Method of encapsulating a semiconductor device with a flame retardant epoxy molding compound |
JPH0362844A (ja) * | 1989-02-27 | 1991-03-18 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
US5032692A (en) * | 1989-05-09 | 1991-07-16 | Avx Corporation | Process for manufactoring hermetic high temperature filter packages and the products produced thereby |
JPH03157448A (ja) * | 1989-11-15 | 1991-07-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
EP1282660A4 (de) * | 2000-04-21 | 2003-06-18 | Henkel Loctite Corp | Rheologisch kontrollierte auf epoxyid basierende zusammensetzungen |
US6876052B1 (en) | 2000-05-12 | 2005-04-05 | National Semiconductor Corporation | Package-ready light-sensitive integrated circuit and method for its preparation |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL281905A (de) * | 1961-08-09 | |||
US3639657A (en) * | 1969-03-19 | 1972-02-01 | Ciba Geigy Corp | Products of acid anhydrides and polyamines used as latent hardeners for epoxy resins |
US3849187A (en) * | 1970-03-08 | 1974-11-19 | Dexter Corp | Encapsulant compositions for semiconductors |
US3813379A (en) * | 1970-12-14 | 1974-05-28 | Motorola Inc | Thermally stabilized thermosetting plastic material,and article |
US3838094A (en) * | 1973-04-23 | 1974-09-24 | Nat Semiconductor Corp | Molding composition and molded product |
US4042955A (en) * | 1973-06-22 | 1977-08-16 | Nippondenso Co., Ltd. | Resin-sealed electrical device |
US4104698A (en) * | 1973-11-15 | 1978-08-01 | Sumitomo Durez Company, Ltd. | Wax compositions for flame retardant electrical insulation coatings |
GB1528203A (en) * | 1974-10-18 | 1978-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Epoxy composition for encasing semi-conductor devices |
JPS5435666B2 (de) * | 1975-02-11 | 1979-11-05 | ||
US4042550A (en) * | 1975-11-28 | 1977-08-16 | Allied Chemical Corporation | Encapsulant compositions based on anhydride-hardened epoxy resins |
-
1979
- 1979-04-17 US US06/030,768 patent/US4248920A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-04-26 DE DE2916954A patent/DE2916954C2/de not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4307743A1 (en) * | 1992-03-13 | 1993-09-23 | Toshiba Kawasaki Kk | Resin-encapsulated semiconductor device - uses resin mixt. contg. special epoxy] resin, phenolic resin hardener, imidazole cpd., tri:phenyl phosphate and/or wax |
DE4307743C2 (de) * | 1992-03-13 | 1999-09-23 | Toshiba Kawasaki Kk | Harzgekapselte Halbleitervorrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2916954A1 (de) | 1979-10-31 |
US4248920A (en) | 1981-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2916954C2 (de) | Kunstharzmasse zur dichten Umhüllung eines Halbleiterelements | |
DE3889950T2 (de) | Epoxyharzzusammensetzung. | |
DE69800045T2 (de) | Blei- und Cadmiumfreie Abdichtungszusammensetzung | |
DE69533393T2 (de) | Epoxyharzzusammensetzung | |
DE112008002566B4 (de) | Wärmeleitfähige Lage und Verfahren zum Herstellen derselben, und Leistungsmodul | |
DE3100303C2 (de) | Halbleiterspeichereinrichtung | |
DE4006153C2 (de) | Epoxidharzmassen und deren Verwendung zum Einkapseln von Halbleiterbauelementen | |
DE3151206C2 (de) | Glasiertes, keramisches Trägermaterial | |
DE602004007892T2 (de) | Quaternäre organophosphoniumsalze enthaltende formmassen | |
DE102017104298B4 (de) | Kunstharzzusammensetzung, deren Verwendung und Halbleiterbauelement | |
DE69531191T2 (de) | Epoxidharzzusammensetzung für die versiegelung von halbleiteranordnungen | |
DE102010022523B4 (de) | Gradientenspule mit in einer Vergussmasse vergossenen Spulenwicklungen | |
EP0889484A2 (de) | Verfahren zur Imprägnierung von elektrischen Spulen und ausgewählte Epoxidharzzusammensetzung zur Durchführung der Imprägnierung | |
DE3148786A1 (de) | Halbleitereinrichtung und verfahren zu deren herstellung | |
DE3013470A1 (de) | Verfahren zur einkapselung einer halbleitereinrichtung und epoxyformmasse zur durchfuehrung des verfahrens | |
DE69838610T2 (de) | Halbleiter-dichtharzzusammensetzung, damit versiegelte halbleiteranordnung, und verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung. | |
DE69922868T2 (de) | Epoxidharzzusammensetzungen zur Einkapselung von Halbleitern und damit eingekapselte Halbleiterbauteile | |
DE1596851A1 (de) | Widerstandsmaterial und aus diesem Widerstandsmaterial hergestellter Widerstand | |
DE4210127C2 (de) | Epoxyharzzusammensetzung und gehärtetes Produkt hiervon | |
DE2412882A1 (de) | Epoxyharz-zusammensetzung | |
DE3921985A1 (de) | Epoxidharzmasse und deren verwendung zum einkapseln von halbleiterbauteilen | |
DE4119552A1 (de) | Epoxidharzmassen und damit eingekapselte halbleiterbauteile | |
DE102018214641A1 (de) | Vergussmasse, Verfahren zum elektrischen Isolieren eines elektrischen oder elektronischen Bauteils und elektrisch isoliertes Bauteil | |
DE4307743C2 (de) | Harzgekapselte Halbleitervorrichtung | |
DE68926420T2 (de) | Halbleiter-Vergussmasse auf der Basis einer Epoxydharzzusammensetzung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OAP | Request for examination filed | ||
OD | Request for examination | ||
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: HENKEL, G., DR.PHIL. FEILER, L., DR.RER.NAT. HAENZ |
|
D2 | Grant after examination | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP |
|
8365 | Fully valid after opposition proceedings |