DE2902746A1 - Halbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung sowie aufnahmevorrichtung und wiedergabevorrichtung mit einer derartigen halbleiteranordnung - Google Patents

Halbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung sowie aufnahmevorrichtung und wiedergabevorrichtung mit einer derartigen halbleiteranordnung

Info

Publication number
DE2902746A1
DE2902746A1 DE19792902746 DE2902746A DE2902746A1 DE 2902746 A1 DE2902746 A1 DE 2902746A1 DE 19792902746 DE19792902746 DE 19792902746 DE 2902746 A DE2902746 A DE 2902746A DE 2902746 A1 DE2902746 A1 DE 2902746A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
insulating layer
junction
semiconductor
arrangement according
opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19792902746
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE2902746C2 (de
Inventor
Gerardus Gegorius Petru Gorkom
Arthur Marie Eugen Hoeberechts
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE2902746A1 publication Critical patent/DE2902746A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2902746C2 publication Critical patent/DE2902746C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3175—Projection methods, i.e. transfer substantially complete pattern to substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/308—Semiconductor cathodes, e.g. cathodes with PN junction layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317—Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175—Lithography
    • H01J2237/31777—Lithography by projection
    • H01J2237/31781—Lithography by projection from patterned cold cathode
    • H01J2237/31784—Semiconductor cathode

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
DE2902746A 1978-01-27 1979-01-25 Kaltkathode zur Erzeugung eines Elektronenstrahls, Verfahren zu ihrer Herstellung und deren Verwendung Expired DE2902746C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NLAANVRAGE7800987,A NL184549C (nl) 1978-01-27 1978-01-27 Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van een elektronenstroom en weergeefinrichting voorzien van een dergelijke halfgeleiderinrichting.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2902746A1 true DE2902746A1 (de) 1979-08-02
DE2902746C2 DE2902746C2 (de) 1987-01-15

Family

ID=19830234

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2902746A Expired DE2902746C2 (de) 1978-01-27 1979-01-25 Kaltkathode zur Erzeugung eines Elektronenstrahls, Verfahren zu ihrer Herstellung und deren Verwendung

Country Status (14)

Country Link
US (3) US4259678A (US06826419-20041130-M00005.png)
JP (4) JPS54111272A (US06826419-20041130-M00005.png)
AT (1) AT375782B (US06826419-20041130-M00005.png)
AU (1) AU521540B2 (US06826419-20041130-M00005.png)
BE (1) BE873713A (US06826419-20041130-M00005.png)
CA (1) CA1131795A (US06826419-20041130-M00005.png)
CH (1) CH640979A5 (US06826419-20041130-M00005.png)
DE (1) DE2902746C2 (US06826419-20041130-M00005.png)
ES (1) ES477148A1 (US06826419-20041130-M00005.png)
FR (1) FR2415879A1 (US06826419-20041130-M00005.png)
GB (2) GB2068169B (US06826419-20041130-M00005.png)
IT (1) IT1110930B (US06826419-20041130-M00005.png)
NL (1) NL184549C (US06826419-20041130-M00005.png)
SE (1) SE438572B (US06826419-20041130-M00005.png)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3025945A1 (de) * 1979-07-13 1981-01-29 Philips Nv Halbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung, sowie aufnahmeroehre und wiedergabevorrichtung mit einer derartigen halbleiteranordnung
DE3237891A1 (de) * 1981-10-29 1983-05-11 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, 5621 Eindhoven Kathodenstrahlroehre und halbleiteranordnung zur anwendung in einer derartigen kathodenstrahlroehre

Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL184549C (nl) * 1978-01-27 1989-08-16 Philips Nv Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van een elektronenstroom en weergeefinrichting voorzien van een dergelijke halfgeleiderinrichting.
JPS5925387B2 (ja) * 1980-06-10 1984-06-16 株式会社東芝 半導体装置
US4683399A (en) * 1981-06-29 1987-07-28 Rockwell International Corporation Silicon vacuum electron devices
GB2109160B (en) * 1981-11-06 1985-05-30 Philips Electronic Associated Semiconductor electron source for display tubes and other equipment
GB2109159B (en) * 1981-11-06 1985-05-30 Philips Electronic Associated Semiconductor electron source for display tubes and other equipment
NL8200875A (nl) * 1982-03-04 1983-10-03 Philips Nv Inrichting voor het opnemen of weergeven van beelden en halfgeleiderinrichting voor toepassing in een dergelijke inrichting.
GB2146168A (en) * 1983-09-05 1985-04-11 Philips Electronic Associated Electron image projector
GB2147141A (en) * 1983-09-26 1985-05-01 Philips Electronic Associated Electron image projector
DE3538175C2 (de) * 1984-11-21 1996-06-05 Philips Electronics Nv Halbleiteranordnung zum Erzeugen eines Elektronenstromes und ihre Verwendung
NL8403537A (nl) * 1984-11-21 1986-06-16 Philips Nv Kathodestraalbuis met ionenval.
NL8403613A (nl) * 1984-11-28 1986-06-16 Philips Nv Elektronenbundelinrichting en halfgeleiderinrichting voor een dergelijke inrichting.
NL8500413A (nl) * 1985-02-14 1986-09-01 Philips Nv Electronenbundelapparaat met een halfgeleider electronenemitter.
US4742234A (en) * 1985-09-27 1988-05-03 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Charged-particle-beam lithography
CN86105432A (zh) * 1985-09-27 1987-05-27 美国电话电报公司 带电粒子束曝光
GB2183899A (en) * 1985-11-29 1987-06-10 Philips Electronic Associated Electron beam addressed memory
US4763043A (en) * 1985-12-23 1988-08-09 Raytheon Company P-N junction semiconductor secondary emission cathode and tube
JPS62155517A (ja) * 1985-12-27 1987-07-10 Canon Inc パターン描画装置及び方法
GB8601421D0 (en) * 1986-01-21 1986-02-26 Welding Inst Charged particle beam generator
FR2595162B1 (fr) * 1986-02-28 1988-05-06 Labo Electronique Physique Dispositif d'enregistrement et de restitution de signaux electriques muni d'un predeclenchement, comprenant un dispositif a transfert de charges et oscilloscope utilisant un tel dispositif
NL8600675A (nl) * 1986-03-17 1987-10-16 Philips Nv Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van een elektronenstroom.
DE3712473A1 (de) * 1986-04-14 1987-10-15 Canon Kk Bildaufzeichnungs- und/oder bildwiedergabeeinrichtung
JPS62284590A (ja) * 1986-06-02 1987-12-10 Canon Inc 画像形成装置
US5025196A (en) * 1986-06-02 1991-06-18 Canon Kabushiki Kaisha Image forming device with beam current control
US4858062A (en) * 1986-06-04 1989-08-15 Canon Kabushiki Kaisha Charging device
JPH0715603B2 (ja) * 1986-06-04 1995-02-22 キヤノン株式会社 帯電方法
US5691608A (en) * 1986-06-16 1997-11-25 Canon Kabushiki Kaisha Image display apparatus
US4906894A (en) * 1986-06-19 1990-03-06 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectron beam converting device and method of driving the same
EP0256641B1 (en) 1986-06-23 1993-12-01 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for transferring information by utilizing electron beam
JPS6312517A (ja) * 1986-07-02 1988-01-19 Hitachi Ltd 部品の位置決め機構
JPS6334847A (ja) * 1986-07-30 1988-02-15 Canon Inc 発光装置
US4857799A (en) * 1986-07-30 1989-08-15 Sri International Matrix-addressed flat panel display
JPH0821313B2 (ja) * 1986-08-12 1996-03-04 キヤノン株式会社 固体電子ビ−ム発生装置
EP0257489A1 (en) * 1986-08-15 1988-03-02 Canon Kabushiki Kaisha Method for generating a sound wave by utilizing electron rays etc., and optical device for controlling a light by an elastic wave generated by said method
US5270990A (en) * 1986-08-15 1993-12-14 Canon Kabushiki Kaisha Tracking error signal detecting apparatus using an electron beam and apparatus for effecting recording/reproduction of information by the utilization of a plurality of electron beams
JPS6351035A (ja) * 1986-08-20 1988-03-04 Canon Inc 蓄積型画像表示装置
US4958104A (en) * 1986-08-20 1990-09-18 Canon Kabushiki Kaisha Display device having first and second cold cathodes
JP2601464B2 (ja) * 1986-12-16 1997-04-16 キヤノン株式会社 電子放出素子
JPS63105437A (ja) * 1986-10-22 1988-05-10 Canon Inc 画像形成装置
NL8700486A (nl) * 1987-02-27 1988-09-16 Philips Nv Weergeefinrichting.
JP2599591B2 (ja) * 1987-04-28 1997-04-09 キヤノン株式会社 電子放出素子特性測定装置
JPS63269529A (ja) * 1987-04-28 1988-11-07 Canon Inc 荷電ビ−ム装置
JPS63269445A (ja) * 1987-04-28 1988-11-07 Canon Inc 電子ビーム発生素子
US4897552A (en) * 1987-04-28 1990-01-30 Canon Kabushiki Kaisha Multi-electron-beam pattern drawing apparatus
DE3853744T2 (de) * 1987-07-15 1996-01-25 Canon Kk Elektronenemittierende Vorrichtung.
USRE40566E1 (en) * 1987-07-15 2008-11-11 Canon Kabushiki Kaisha Flat panel display including electron emitting device
USRE39633E1 (en) * 1987-07-15 2007-05-15 Canon Kabushiki Kaisha Display device with electron-emitting device with electron-emitting region insulated from electrodes
USRE40062E1 (en) * 1987-07-15 2008-02-12 Canon Kabushiki Kaisha Display device with electron-emitting device with electron-emitting region insulated from electrodes
US5872541A (en) * 1987-07-15 1999-02-16 Canon Kabushiki Kaisha Method for displaying images with electron emitting device
NL8702570A (nl) * 1987-10-29 1989-05-16 Philips Nv Geladen deeltjes bundel apparaat.
NL8702829A (nl) * 1987-11-26 1989-06-16 Philips Nv Weergeefinrichting.
JP2788243B2 (ja) * 1988-02-27 1998-08-20 キヤノン株式会社 半導体電子放出素子及び半導体電子放出装置
US5285129A (en) * 1988-05-31 1994-02-08 Canon Kabushiki Kaisha Segmented electron emission device
FR2637126B1 (fr) * 1988-09-23 1992-05-07 Thomson Csf Composant tel que diode, triode ou dispositif d'affichage cathodoluminescent plat et integre, et procede de fabrication
EP0416558B1 (en) * 1989-09-04 1996-07-31 Canon Kabushiki Kaisha Electron emission element and method of manufacturing the same
US5814832A (en) * 1989-09-07 1998-09-29 Canon Kabushiki Kaisha Electron emitting semiconductor device
US5202571A (en) * 1990-07-06 1993-04-13 Canon Kabushiki Kaisha Electron emitting device with diamond
JPH0536369A (ja) * 1990-09-25 1993-02-12 Canon Inc 電子ビーム装置及びその駆動方法
JPH0512988A (ja) * 1990-10-13 1993-01-22 Canon Inc 半導体電子放出素子
US5166709A (en) * 1991-02-06 1992-11-24 Delphax Systems Electron DC printer
US5144191A (en) * 1991-06-12 1992-09-01 Mcnc Horizontal microelectronic field emission devices
JPH0513136A (ja) * 1991-06-28 1993-01-22 Nec Corp Ｉｃソケツト
EP0532019B1 (en) * 1991-09-13 1997-12-29 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor electron emission device
JP2723405B2 (ja) * 1991-11-12 1998-03-09 松下電器産業株式会社 微細電極の形成方法
FR2685811A1 (fr) * 1991-12-31 1993-07-02 Commissariat Energie Atomique Systeme permettant de maitriser la forme d'un faisceau de particules chargees.
US5331180A (en) * 1992-04-30 1994-07-19 Fujitsu Limited Porous semiconductor light emitting device
EP0597537B1 (en) * 1992-11-12 1998-02-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electron tube comprising a semiconductor cathode
DE69329253T2 (de) * 1992-12-08 2000-12-14 Koninklijke Philips Electronics N.V., Eindhoven Kathodenstrahlröhre mit Halbleiterkathode.
DE69407015T2 (de) * 1993-09-20 1998-03-19 Hewlett Packard Co Fokussier- und Ablenkelektroden für Elektronenquellen
TW286435B (US06826419-20041130-M00005.png) * 1994-07-27 1996-09-21 Siemens Ag
GB9905132D0 (en) * 1999-03-06 1999-04-28 Smiths Industries Plc Electron emitting devices
US6847045B2 (en) * 2001-10-12 2005-01-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. High-current avalanche-tunneling and injection-tunneling semiconductor-dielectric-metal stable cold emitter, which emulates the negative electron affinity mechanism of emission
JP4274129B2 (ja) 2005-01-31 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 プロジェクタ

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1198567A (en) * 1968-05-17 1970-07-15 Gen Electric & English Elect Improvements in or relating to Electric Discharge Devices.
US3581151A (en) * 1968-09-16 1971-05-25 Bell Telephone Labor Inc Cold cathode structure comprising semiconductor whisker elements
GB1303658A (US06826419-20041130-M00005.png) * 1969-11-12 1973-01-17
GB1303660A (US06826419-20041130-M00005.png) * 1969-11-12 1973-01-17
GB1303659A (US06826419-20041130-M00005.png) * 1969-11-12 1973-01-17
US3808477A (en) * 1971-12-17 1974-04-30 Gen Electric Cold cathode structure
DE2120579B2 (de) * 1970-06-08 1975-03-13 Hewlett-Packard Co., Palo Alto, Calif. (V.St.A.) Kaltkathode
DE2716992A1 (de) * 1976-04-29 1977-11-17 Philips Nv Feldemitteranordnung und verfahren zu deren herstellung
DE2340690B2 (de) * 1973-06-01 1977-12-22 English Electric Valve Co. Ltd, Chelmsford, Essex (Großbritannien) Kaltkathoden-anordnung fuer elektronenstrahlerzeugungssysteme

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2912592A (en) * 1954-10-07 1959-11-10 Horizons Inc Memory device
NL107624C (US06826419-20041130-M00005.png) * 1955-09-01
US3060327A (en) * 1959-07-02 1962-10-23 Bell Telephone Labor Inc Transistor having emitter reversebiased beyond breakdown and collector forward-biased for majority carrier operation
US3363240A (en) * 1964-06-22 1968-01-09 Burroughs Corp Solid state electron emissive memory and display apparatus and method
US3755704A (en) * 1970-02-06 1973-08-28 Stanford Research Inst Field emission cathode structures and devices utilizing such structures
US3882355A (en) * 1972-12-29 1975-05-06 Ibm Flat screen display device using controlled cold cathodes
US4000503A (en) * 1976-01-02 1976-12-28 International Audio Visual, Inc. Cold cathode for infrared image tube
NL184549C (nl) * 1978-01-27 1989-08-16 Philips Nv Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van een elektronenstroom en weergeefinrichting voorzien van een dergelijke halfgeleiderinrichting.

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1198567A (en) * 1968-05-17 1970-07-15 Gen Electric & English Elect Improvements in or relating to Electric Discharge Devices.
US3581151A (en) * 1968-09-16 1971-05-25 Bell Telephone Labor Inc Cold cathode structure comprising semiconductor whisker elements
GB1303658A (US06826419-20041130-M00005.png) * 1969-11-12 1973-01-17
GB1303660A (US06826419-20041130-M00005.png) * 1969-11-12 1973-01-17
GB1303659A (US06826419-20041130-M00005.png) * 1969-11-12 1973-01-17
DE2120579B2 (de) * 1970-06-08 1975-03-13 Hewlett-Packard Co., Palo Alto, Calif. (V.St.A.) Kaltkathode
US3808477A (en) * 1971-12-17 1974-04-30 Gen Electric Cold cathode structure
DE2340690B2 (de) * 1973-06-01 1977-12-22 English Electric Valve Co. Ltd, Chelmsford, Essex (Großbritannien) Kaltkathoden-anordnung fuer elektronenstrahlerzeugungssysteme
DE2716992A1 (de) * 1976-04-29 1977-11-17 Philips Nv Feldemitteranordnung und verfahren zu deren herstellung

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Appl. Phys. Letters, Vol. 18, Nr. 7, 1971, S. 272 273 *
IEEE Transactions on Electron Devices, Bd. ED-22, 1975, S. 409-413
Solid State Technology, Mai 1977, S.43-47

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3025945A1 (de) * 1979-07-13 1981-01-29 Philips Nv Halbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung, sowie aufnahmeroehre und wiedergabevorrichtung mit einer derartigen halbleiteranordnung
DE3237891A1 (de) * 1981-10-29 1983-05-11 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, 5621 Eindhoven Kathodenstrahlroehre und halbleiteranordnung zur anwendung in einer derartigen kathodenstrahlroehre

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6245691B2 (US06826419-20041130-M00005.png) 1987-09-28
JPS6146931B2 (US06826419-20041130-M00005.png) 1986-10-16
CH640979A5 (de) 1984-01-31
ES477148A1 (es) 1979-11-16
GB2013398A (en) 1979-08-08
DE2902746C2 (de) 1987-01-15
IT7919567A0 (it) 1979-01-24
US4259678A (en) 1981-03-31
AT375782B (de) 1984-09-10
NL184549B (nl) 1989-03-16
IT1110930B (it) 1986-01-13
BE873713A (fr) 1979-07-25
ATA50979A (de) 1984-01-15
JPS5828837A (ja) 1983-02-19
JPS54111272A (en) 1979-08-31
FR2415879A1 (fr) 1979-08-24
GB2013398B (en) 1982-09-08
JPS60241626A (ja) 1985-11-30
SE7900625L (sv) 1979-07-28
CA1131795A (en) 1982-09-14
GB2068169B (en) 1982-12-08
FR2415879B1 (US06826419-20041130-M00005.png) 1983-07-22
US4554564A (en) 1985-11-19
NL184549C (nl) 1989-08-16
AU521540B2 (en) 1982-04-08
JPS60241627A (ja) 1985-11-30
GB2068169A (en) 1981-08-05
SE438572B (sv) 1985-04-22
AU4359179A (en) 1979-08-02
NL7800987A (nl) 1979-07-31
US4325084A (en) 1982-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2902746A1 (de) Halbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung sowie aufnahmevorrichtung und wiedergabevorrichtung mit einer derartigen halbleiteranordnung
DE3025945C2 (de) Kaltkathodenstruktur mit mindestens einer Kaltkathode zur Erzeugung eines Elektronenstrahls und Verwendung der Kaltkathodenstruktur
DE68911702T2 (de) Halbleitervorrichtung mit zusammengesetztem Substrat, hergestellt aus zwei Halbleitersubstraten in engem Kontakt.
DE3122768C2 (US06826419-20041130-M00005.png)
DE102007023885B4 (de) Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung vom Graben-MOS-Typ und Verfahren zur Herstellung derselben
DE19824514B4 (de) Diode
DE2429705C3 (de) Schottky-Diode und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE8502305U1 (de) Halbleiteranordnung zum Erzeugen eines Elektronenstrahles
DE19843959A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
DE2414033B2 (de) Verfahren zur herstellung von halbleitervorrichtungen mit selektiv auf einer oberflaeche eines halbleitersubstrats angeordneten schichten aus einem oxid des substratmaterials
DE102006011697A1 (de) Integrierte Halbleiterbauelementeanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
DE2160427A1 (de) Halbleiteranordnung mit einem Halb leiterwiderstand und Verfahren zur Her stellung einer derartigen Anordnung
DE3334624A1 (de) Verfahren zum herstellen einer halbleiteranordnung und nach diesem verfahren hergestellte halbleiteranordnung
DE3240441A1 (de) Halbleiteranordnung zum ausstrahlen von elektronen und anordnung mit einer derartigen halbleiteranordnung
DE2243592A1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung und durch dieses verfahren hergestellte halbleiteranordnung
DE3240481A1 (de) "halbleiteranordnung zum ausstrahlen von elektronen und anordnung mit einer derartigen halbleiteranordnung"
DE2854174C2 (de) Steuerbare PIN-Leistungsdiode
DE2926334C2 (US06826419-20041130-M00005.png)
DE19900610A1 (de) Leistungshalbleiterbauelement mit halbisolierendem polykristallinem Silicium und Herstellungsverfahren hierfür
DE2133979B2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE19802435A1 (de) Elektronenemittervorrichtung
DE3149101C2 (US06826419-20041130-M00005.png)
DE69531783T2 (de) Herstellungsverfahren für Leistungsanordnung mit Schutzring
DE3538175C2 (de) Halbleiteranordnung zum Erzeugen eines Elektronenstromes und ihre Verwendung
DE3606489A1 (de) Vorrichtung mit einer halbleiterkathode

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8172 Supplementary division/partition in:

Ref country code: DE

Ref document number: 2954146

Format of ref document f/p: P

AH Division in

Ref country code: DE

Ref document number: 2954146

Format of ref document f/p: P

Q171 Divided out to:

Ref country code: DE

Ref document number: 2954146

AH Division in

Ref country code: DE

Ref document number: 2954146

Format of ref document f/p: P

D2 Grant after examination
8363 Opposition against the patent
8365 Fully valid after opposition proceedings
8339 Ceased/non-payment of the annual fee