AT375782B - Kathodenstrahlvorrichtung und verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung fuer eine derartige kathodenstrahlvorrichtung - Google Patents

Kathodenstrahlvorrichtung und verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung fuer eine derartige kathodenstrahlvorrichtung

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Families Citing this family (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL184549C (nl) * 1978-01-27 1989-08-16 Philips Nv Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van een elektronenstroom en weergeefinrichting voorzien van een dergelijke halfgeleiderinrichting.
NL184589C (nl) * 1979-07-13 1989-09-01 Philips Nv Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van een elektronenbundel en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderinrichting.
JPS5925387B2 (ja) * 1980-06-10 1984-06-16 株式会社東芝 半導体装置
US4683399A (en) * 1981-06-29 1987-07-28 Rockwell International Corporation Silicon vacuum electron devices
NL8104893A (nl) * 1981-10-29 1983-05-16 Philips Nv Kathodestraalbuis en halfgeleiderinrichting voor toepassing in een dergelijke kathodestraalbuis.
GB2109160B (en) * 1981-11-06 1985-05-30 Philips Electronic Associated Semiconductor electron source for display tubes and other equipment
GB2109159B (en) * 1981-11-06 1985-05-30 Philips Electronic Associated Semiconductor electron source for display tubes and other equipment
NL8200875A (nl) * 1982-03-04 1983-10-03 Philips Nv Inrichting voor het opnemen of weergeven van beelden en halfgeleiderinrichting voor toepassing in een dergelijke inrichting.
GB2146168A (en) * 1983-09-05 1985-04-11 Philips Electronic Associated Electron image projector
GB2147141A (en) * 1983-09-26 1985-05-01 Philips Electronic Associated Electron image projector
NL8403537A (nl) * 1984-11-21 1986-06-16 Philips Nv Kathodestraalbuis met ionenval.
DE3538175C2 (de) * 1984-11-21 1996-06-05 Philips Electronics Nv Halbleiteranordnung zum Erzeugen eines Elektronenstromes und ihre Verwendung
NL8403613A (nl) * 1984-11-28 1986-06-16 Philips Nv Elektronenbundelinrichting en halfgeleiderinrichting voor een dergelijke inrichting.
NL8500413A (nl) * 1985-02-14 1986-09-01 Philips Nv Electronenbundelapparaat met een halfgeleider electronenemitter.
CN86105432A (zh) * 1985-09-27 1987-05-27 美国电话电报公司 带电粒子束曝光
US4742234A (en) * 1985-09-27 1988-05-03 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Charged-particle-beam lithography
GB2183899A (en) * 1985-11-29 1987-06-10 Philips Electronic Associated Electron beam addressed memory
US4763043A (en) * 1985-12-23 1988-08-09 Raytheon Company P-N junction semiconductor secondary emission cathode and tube
JPS62155517A (ja) * 1985-12-27 1987-07-10 Canon Inc パターン描画装置及び方法
GB8601421D0 (en) * 1986-01-21 1986-02-26 Welding Inst Charged particle beam generator
FR2595162B1 (fr) * 1986-02-28 1988-05-06 Labo Electronique Physique Dispositif d'enregistrement et de restitution de signaux electriques muni d'un predeclenchement, comprenant un dispositif a transfert de charges et oscilloscope utilisant un tel dispositif
NL8600675A (nl) * 1986-03-17 1987-10-16 Philips Nv Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van een elektronenstroom.
DE3712473A1 (de) * 1986-04-14 1987-10-15 Canon Kk Bildaufzeichnungs- und/oder bildwiedergabeeinrichtung
JPS62284590A (ja) * 1986-06-02 1987-12-10 Canon Inc 画像形成装置
US5025196A (en) * 1986-06-02 1991-06-18 Canon Kabushiki Kaisha Image forming device with beam current control
JPH0715603B2 (ja) * 1986-06-04 1995-02-22 キヤノン株式会社 帯電方法
US4858062A (en) * 1986-06-04 1989-08-15 Canon Kabushiki Kaisha Charging device
US5691608A (en) * 1986-06-16 1997-11-25 Canon Kabushiki Kaisha Image display apparatus
US4906894A (en) * 1986-06-19 1990-03-06 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectron beam converting device and method of driving the same
DE3788318T2 (de) * 1986-06-23 1994-06-16 Canon Kk Verfahren und Anordnung zur Datenübertragung unter Verwendung eines Elektronenstrahls.
JPS6312517A (ja) * 1986-07-02 1988-01-19 Hitachi Ltd 部品の位置決め機構
US4857799A (en) * 1986-07-30 1989-08-15 Sri International Matrix-addressed flat panel display
JPS6334847A (ja) * 1986-07-30 1988-02-15 Canon Inc 発光装置
JPH0821313B2 (ja) * 1986-08-12 1996-03-04 キヤノン株式会社 固体電子ビ−ム発生装置
EP0257489A1 (de) * 1986-08-15 1988-03-02 Canon Kabushiki Kaisha Verfahren zum Erzeugen von Schallwellen mittels Elektrodenstrahlen etc. und optische Vorrichtung zum Steuern von Licht mittels einer durch das Verfahren erzeugten elastischen Welle
US5270990A (en) * 1986-08-15 1993-12-14 Canon Kabushiki Kaisha Tracking error signal detecting apparatus using an electron beam and apparatus for effecting recording/reproduction of information by the utilization of a plurality of electron beams
JPS6351035A (ja) * 1986-08-20 1988-03-04 Canon Inc 蓄積型画像表示装置
US4958104A (en) * 1986-08-20 1990-09-18 Canon Kabushiki Kaisha Display device having first and second cold cathodes
JP2601464B2 (ja) * 1986-12-16 1997-04-16 キヤノン株式会社 電子放出素子
JPS63105437A (ja) * 1986-10-22 1988-05-10 Canon Inc 画像形成装置
NL8700486A (nl) * 1987-02-27 1988-09-16 Philips Nv Weergeefinrichting.
JPS63269529A (ja) * 1987-04-28 1988-11-07 Canon Inc 荷電ビ−ム装置
JPS63269445A (ja) * 1987-04-28 1988-11-07 Canon Inc 電子ビーム発生素子
JP2599591B2 (ja) * 1987-04-28 1997-04-09 キヤノン株式会社 電子放出素子特性測定装置
US4897552A (en) * 1987-04-28 1990-01-30 Canon Kabushiki Kaisha Multi-electron-beam pattern drawing apparatus
US5759080A (en) * 1987-07-15 1998-06-02 Canon Kabushiki Kaisha Display device with electron-emitting device with electron-emitting region insulated form electrodes
USRE40566E1 (en) * 1987-07-15 2008-11-11 Canon Kabushiki Kaisha Flat panel display including electron emitting device
USRE39633E1 (en) * 1987-07-15 2007-05-15 Canon Kabushiki Kaisha Display device with electron-emitting device with electron-emitting region insulated from electrodes
DE3853744T2 (de) * 1987-07-15 1996-01-25 Canon Kk Elektronenemittierende Vorrichtung.
USRE40062E1 (en) * 1987-07-15 2008-02-12 Canon Kabushiki Kaisha Display device with electron-emitting device with electron-emitting region insulated from electrodes
NL8702570A (nl) * 1987-10-29 1989-05-16 Philips Nv Geladen deeltjes bundel apparaat.
NL8702829A (nl) * 1987-11-26 1989-06-16 Philips Nv Weergeefinrichting.
JP2788243B2 (ja) * 1988-02-27 1998-08-20 キヤノン株式会社 半導体電子放出素子及び半導体電子放出装置
US5285129A (en) * 1988-05-31 1994-02-08 Canon Kabushiki Kaisha Segmented electron emission device
FR2637126B1 (fr) * 1988-09-23 1992-05-07 Thomson Csf Composant tel que diode, triode ou dispositif d'affichage cathodoluminescent plat et integre, et procede de fabrication
EP0416558B1 (de) * 1989-09-04 1996-07-31 Canon Kabushiki Kaisha Elektronen emittierendes Element und Verfahren zur Herstellung desselben
US5814832A (en) * 1989-09-07 1998-09-29 Canon Kabushiki Kaisha Electron emitting semiconductor device
US5202571A (en) * 1990-07-06 1993-04-13 Canon Kabushiki Kaisha Electron emitting device with diamond
JPH0536369A (ja) * 1990-09-25 1993-02-12 Canon Inc 電子ビーム装置及びその駆動方法
JPH0512988A (ja) * 1990-10-13 1993-01-22 Canon Inc 半導体電子放出素子
US5166709A (en) * 1991-02-06 1992-11-24 Delphax Systems Electron DC printer
US5144191A (en) * 1991-06-12 1992-09-01 Mcnc Horizontal microelectronic field emission devices
JPH0513136A (ja) * 1991-06-28 1993-01-22 Nec Corp Icソケツト
DE69223707T2 (de) * 1991-09-13 1998-05-20 Canon Kk Halbleiter-Elektronenemittierende Einrichtung
JP2723405B2 (ja) * 1991-11-12 1998-03-09 松下電器産業株式会社 微細電極の形成方法
FR2685811A1 (fr) * 1991-12-31 1993-07-02 Commissariat Energie Atomique Systeme permettant de maitriser la forme d'un faisceau de particules chargees.
US5331180A (en) * 1992-04-30 1994-07-19 Fujitsu Limited Porous semiconductor light emitting device
DE69316960T2 (de) * 1992-11-12 1998-07-30 Koninkl Philips Electronics Nv Elektronenröhre mit Halbleiterkathode
DE69329253T2 (de) * 1992-12-08 2000-12-14 Koninkl Philips Electronics Nv Kathodenstrahlröhre mit Halbleiterkathode.
JPH07105831A (ja) * 1993-09-20 1995-04-21 Hewlett Packard Co <Hp> 電子集束及び偏向のための装置と方法
TW286435B (de) * 1994-07-27 1996-09-21 Siemens Ag
GB9905132D0 (en) * 1999-03-06 1999-04-28 Smiths Industries Plc Electron emitting devices
US6847045B2 (en) * 2001-10-12 2005-01-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. High-current avalanche-tunneling and injection-tunneling semiconductor-dielectric-metal stable cold emitter, which emulates the negative electron affinity mechanism of emission
JP4274129B2 (ja) 2005-01-31 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 プロジェクタ

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2912592A (en) * 1954-10-07 1959-11-10 Horizons Inc Memory device
BE549199A (de) * 1955-09-01
US3060327A (en) * 1959-07-02 1962-10-23 Bell Telephone Labor Inc Transistor having emitter reversebiased beyond breakdown and collector forward-biased for majority carrier operation
US3363240A (en) * 1964-06-22 1968-01-09 Burroughs Corp Solid state electron emissive memory and display apparatus and method
GB1198567A (en) * 1968-05-17 1970-07-15 Gen Electric & English Elect Improvements in or relating to Electric Discharge Devices.
US3581151A (en) * 1968-09-16 1971-05-25 Bell Telephone Labor Inc Cold cathode structure comprising semiconductor whisker elements
GB1303659A (de) * 1969-11-12 1973-01-17
GB1303658A (de) * 1969-11-12 1973-01-17
GB1303660A (de) * 1969-11-12 1973-01-17
US3755704A (en) * 1970-02-06 1973-08-28 Stanford Research Inst Field emission cathode structures and devices utilizing such structures
CA942824A (en) * 1970-06-08 1974-02-26 Robert J. Archer Cold cathode
US3808477A (en) * 1971-12-17 1974-04-30 Gen Electric Cold cathode structure
US3882355A (en) * 1972-12-29 1975-05-06 Ibm Flat screen display device using controlled cold cathodes
GB1457105A (en) * 1973-06-01 1976-12-01 English Electric Valve Co Ltd Electron guns
US4000503A (en) * 1976-01-02 1976-12-28 International Audio Visual, Inc. Cold cathode for infrared image tube
NL7604569A (nl) * 1976-04-29 1977-11-01 Philips Nv Veldemitterinrichting en werkwijze tot het vormen daarvan.
NL184549C (nl) * 1978-01-27 1989-08-16 Philips Nv Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van een elektronenstroom en weergeefinrichting voorzien van een dergelijke halfgeleiderinrichting.

Also Published As

Publication number Publication date
JPS60241626A (ja) 1985-11-30
ES477148A1 (es) 1979-11-16
IT1110930B (it) 1986-01-13
FR2415879A1 (fr) 1979-08-24
GB2013398A (en) 1979-08-08
US4554564A (en) 1985-11-19
US4259678A (en) 1981-03-31
NL184549B (nl) 1989-03-16
ATA50979A (de) 1984-01-15
AU4359179A (en) 1979-08-02
JPS6245691B2 (de) 1987-09-28
JPS60241627A (ja) 1985-11-30
JPS5828837A (ja) 1983-02-19
GB2068169A (en) 1981-08-05
NL184549C (nl) 1989-08-16
AU521540B2 (en) 1982-04-08
US4325084A (en) 1982-04-13
GB2013398B (en) 1982-09-08
SE7900625L (sv) 1979-07-28
IT7919567A0 (it) 1979-01-24
BE873713A (fr) 1979-07-25
GB2068169B (en) 1982-12-08
DE2902746C2 (de) 1987-01-15
JPS6146931B2 (de) 1986-10-16
JPS54111272A (en) 1979-08-31
CA1131795A (en) 1982-09-14
SE438572B (sv) 1985-04-22
DE2902746A1 (de) 1979-08-02
FR2415879B1 (de) 1983-07-22
NL7800987A (nl) 1979-07-31
CH640979A5 (de) 1984-01-31

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