JPS62155517A - パターン描画装置及び方法 - Google Patents
パターン描画装置及び方法Info
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- JPS62155517A JPS62155517A JP60297215A JP29721585A JPS62155517A JP S62155517 A JPS62155517 A JP S62155517A JP 60297215 A JP60297215 A JP 60297215A JP 29721585 A JP29721585 A JP 29721585A JP S62155517 A JPS62155517 A JP S62155517A
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- Japan
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- wafer
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- light
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67138—Apparatus for wiring semiconductor or solid state device
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
- G03F7/704—Scanned exposure beam, e.g. raster-, rotary- and vector scanning
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（分野）
本発明は半導体製造Ｓ置及び方法ｉＣ関し、特に回路パ
ターンを備えたマスクを有しない露光装置等Ｃζ関する
ものである。
ターンを備えたマスクを有しない露光装置等Ｃζ関する
ものである。
（従来）
従来この種装置においては露光パターン発生器が単数で
あり、露光に長時間を要し、またウェハステージもｘ、
ｙ、θ、２等の多段に構成されていたため大型にならざ
るを得なかったや（目的） 本発明は上記目的を解決し、露光速度の向上、小型化を
達成した装置及び方法を提供する、（実施例） 第１図は本発明の一実施例である。シリコン等の半導体
で成るウェハＷＦはウェハチャックｗｃｌこ吸着されて
垂直（Ｙ方向）に移動するよ６に構成される。本装置は
真空中で作動させるのでウェハチャックＷＣはいわゆる
静電チャックが好ましい。この静電チャックＷＣけいわ
ゆるＹステージＢＹに固定され、ＹステージＢＹにより
Ｙ方向に間欠的に微少送りされる、この送り制御はレー
ザ干渉計ＬＫにより成される。
あり、露光に長時間を要し、またウェハステージもｘ、
ｙ、θ、２等の多段に構成されていたため大型にならざ
るを得なかったや（目的） 本発明は上記目的を解決し、露光速度の向上、小型化を
達成した装置及び方法を提供する、（実施例） 第１図は本発明の一実施例である。シリコン等の半導体
で成るウェハＷＦはウェハチャックｗｃｌこ吸着されて
垂直（Ｙ方向）に移動するよ６に構成される。本装置は
真空中で作動させるのでウェハチャックＷＣはいわゆる
静電チャックが好ましい。この静電チャックＷＣけいわ
ゆるＹステージＢＹに固定され、ＹステージＢＹにより
Ｙ方向に間欠的に微少送りされる、この送り制御はレー
ザ干渉計ＬＫにより成される。
キャ１１ソジＣＡは軸Ｇｌ、Ｇ２に案内されてＸ方向に
ロープＬＰにより連続的に移動する、移動制御は同機に
レーザ干渉計ＬＺにより成される。
ロープＬＰにより連続的に移動する、移動制御は同機に
レーザ干渉計ＬＺにより成される。
キャリッジＯＡにはウェハＷＦを露光するためのパター
ン例えば露光ビームＥＢを発生するビーム発生ヘッドＫ
Ｈが搭載される。これには発光ダイオード、半導体レー
ザ発生素子等が用いられ、さらにその前面に解像塵を上
げるために液晶セルによる微少窩密度電子シャッタ一群
を備えても良い、この露光ビームのオンオフにより回路
パターンをウェーｗｙ上に描画できる、て露光すること
により回路パターンになる２ＬＢＹＲ、ＬＫＬは発光ダ
イオード、半導体レーザ発生装置等の光源で、これには
ウエハＷＦを感光させない波長領域のものが用いられ、
ウエハ上のアライメントマークや実業子パターンの照射
用に用いられる。この照射により反射された画偉情報を
チャージカップルドデバイス（ＯＣＤ）等（７Ｊ二次元
状固体受光素子群ＣＤＲ、Ｃ！ＤＬで受けてビーム発生
ヘッドＥ）１の姿勢をウェハ上のパターンに合わせるよ
うに変更する。キャ１１ツジＣＡにはさらＩζζ太陽電
池Ｓ中受光素子群ｐｓが搭載され、太陽電池ＳＢは本体
側に設置された光源ＬＰより電力供給を受け、キヤ＋１
ツジＣＡ内に搭載された電子部品を駆動する。受光素子
群Ｐ８は本体側（こ設置された制御部ＣＣ及び露光パタ
ーン発生器ＰＧからのパターン情報を光通信方式により
９けてヘッドＥＥに供給する、このようなワイヤレス方
式Ｃζよりキャリッジ０ＡＩ−ｊ：移動量や移動方向の
変動にかかわらず一定に移動できるので精密露光に好ま
しい。ＢＰ 、ＯＰはキャリッジＣＡの軸受部に気体等
の流体を供給及び排出するためのパイプである、これも
左右均等ｊＣなるようｌこ配置するとキャリッジＯＡの
変動成分が少なくなり好ましい、 ＫＭＲ，ＫＭＴ−は
水体側ＩＣ設置された基準原点信号発生板で例えば一対
の十字マークを反射材で作る。第２図はキャリッジＯＡ
のウェハＷＦ側を示す図である、露光ビーム発生ヘッド
ＥＥ及び光源ＬＥｉＲ、ＩＪＩ、、受光素子ＯＤＲ、Ｃ
ＤＬは支持板ＹＳに取付けられる、光源Ｌｌ！Ｒ、ＬＦ
！ＬはキャリッジＯＡに固定しても良い、支持板ＹＥに
はピエゾ等の電歪素子が汐付けられ、その駆動によりヘ
ッドＫＢ、受光素子ＬＥＲ。
ン例えば露光ビームＥＢを発生するビーム発生ヘッドＫ
Ｈが搭載される。これには発光ダイオード、半導体レー
ザ発生素子等が用いられ、さらにその前面に解像塵を上
げるために液晶セルによる微少窩密度電子シャッタ一群
を備えても良い、この露光ビームのオンオフにより回路
パターンをウェーｗｙ上に描画できる、て露光すること
により回路パターンになる２ＬＢＹＲ、ＬＫＬは発光ダ
イオード、半導体レーザ発生装置等の光源で、これには
ウエハＷＦを感光させない波長領域のものが用いられ、
ウエハ上のアライメントマークや実業子パターンの照射
用に用いられる。この照射により反射された画偉情報を
チャージカップルドデバイス（ＯＣＤ）等（７Ｊ二次元
状固体受光素子群ＣＤＲ、Ｃ！ＤＬで受けてビーム発生
ヘッドＥ）１の姿勢をウェハ上のパターンに合わせるよ
うに変更する。キャ１１ツジＣＡにはさらＩζζ太陽電
池Ｓ中受光素子群ｐｓが搭載され、太陽電池ＳＢは本体
側に設置された光源ＬＰより電力供給を受け、キヤ＋１
ツジＣＡ内に搭載された電子部品を駆動する。受光素子
群Ｐ８は本体側（こ設置された制御部ＣＣ及び露光パタ
ーン発生器ＰＧからのパターン情報を光通信方式により
９けてヘッドＥＥに供給する、このようなワイヤレス方
式Ｃζよりキャリッジ０ＡＩ−ｊ：移動量や移動方向の
変動にかかわらず一定に移動できるので精密露光に好ま
しい。ＢＰ 、ＯＰはキャリッジＣＡの軸受部に気体等
の流体を供給及び排出するためのパイプである、これも
左右均等ｊＣなるようｌこ配置するとキャリッジＯＡの
変動成分が少なくなり好ましい、 ＫＭＲ，ＫＭＴ−は
水体側ＩＣ設置された基準原点信号発生板で例えば一対
の十字マークを反射材で作る。第２図はキャリッジＯＡ
のウェハＷＦ側を示す図である、露光ビーム発生ヘッド
ＥＥ及び光源ＬＥｉＲ、ＩＪＩ、、受光素子ＯＤＲ、Ｃ
ＤＬは支持板ＹＳに取付けられる、光源Ｌｌ！Ｒ、ＬＦ
！ＬはキャリッジＯＡに固定しても良い、支持板ＹＥに
はピエゾ等の電歪素子が汐付けられ、その駆動によりヘ
ッドＫＢ、受光素子ＬＥＲ。
ＬＥＬ等を案内ｆＩ＃ＧＭζζ沿ってＹ方向に上下させ
る。これｆζよりＹ方向のヘッド位置の補正を行なわせ
ることができる。ＰＺは軸ＺＳに取付けられた前例同様
の電歪素子で、ヘッド元）１ｔ７ｚ方向に移動させるこ
とにより２方向のヘッド位置の補正即ち焦点合せを行な
わせることができる。
る。これｆζよりＹ方向のヘッド位置の補正を行なわせ
ることができる。ＰＺは軸ＺＳに取付けられた前例同様
の電歪素子で、ヘッド元）１ｔ７ｚ方向に移動させるこ
とにより２方向のヘッド位置の補正即ち焦点合せを行な
わせることができる。
軸ａｅは同様にヘッドＨＥの回転（１３）方向の補正の
ための軸で、キヤＩＩツジＯＡ内の不図示のモータ、電
歪素子等の微駆動素子により、駆動される。これらヘッ
ド位置もしくは姿勢変更のための駆動素子は発光素子群
Ｌ１！Ｌ 、受光孝子群ＱＤＬ等によりキャリッジＯＡ
の走行前または定行中にウェハＷＦ上のパターンを受光
して動作する、このパターン受光素子群はヘッドＦｉＥ
の左右にＣ！ＤＬ 、 ＣＤＨのように一対設けられ、
キャリッジＯＡの右移動による正順露光のときは右側の
受光素子ＯＤＲを用い、キャリッジＣＡの左移動による
逆順露光のときは左側の受光素子ＣＤＬを用いる６露光
ビ一ム発生ヘッドＦＸＥの露光ビームＥＢは垂直に多数
１列分有しており、逆順露光のときは露光パターン情報
発生器Ｐ （）から露光パターン情報を正順のときとは
逆の順序で発生させる。、第３図はウニ・−ＷＦの正面
図である。露光ヘッドｌ１ｉｌｌｌにより、露光ヘッド
ＥＨとウェハＷＦとのアライメント用マークＷＭ及び回
路パターンｃ’ｐが最初に何も露光されていないウェハ
ＷＦに描画されて行く。このときヘッドＥＨはまず本体
側基準マークＫ１１ｌｌＩ、を受光素子ＣＤＬが読取り
、ヘッドの姿勢を制御した後、左から右に１行連続走行
しながら露光を行なう、第３図右方の速度曲線に示すよ
うにヘッドＥ）ｌはサーボ制御により駆動され、その定
速区間Ｔのときにアライメント用マークＷＭ。
ための軸で、キヤＩＩツジＯＡ内の不図示のモータ、電
歪素子等の微駆動素子により、駆動される。これらヘッ
ド位置もしくは姿勢変更のための駆動素子は発光素子群
Ｌ１！Ｌ 、受光孝子群ＱＤＬ等によりキャリッジＯＡ
の走行前または定行中にウェハＷＦ上のパターンを受光
して動作する、このパターン受光素子群はヘッドＦｉＥ
の左右にＣ！ＤＬ 、 ＣＤＨのように一対設けられ、
キャリッジＯＡの右移動による正順露光のときは右側の
受光素子ＯＤＲを用い、キャリッジＣＡの左移動による
逆順露光のときは左側の受光素子ＣＤＬを用いる６露光
ビ一ム発生ヘッドＦＸＥの露光ビームＥＢは垂直に多数
１列分有しており、逆順露光のときは露光パターン情報
発生器Ｐ （）から露光パターン情報を正順のときとは
逆の順序で発生させる。、第３図はウニ・−ＷＦの正面
図である。露光ヘッドｌ１ｉｌｌｌにより、露光ヘッド
ＥＨとウェハＷＦとのアライメント用マークＷＭ及び回
路パターンｃ’ｐが最初に何も露光されていないウェハ
ＷＦに描画されて行く。このときヘッドＥＨはまず本体
側基準マークＫ１１ｌｌＩ、を受光素子ＣＤＬが読取り
、ヘッドの姿勢を制御した後、左から右に１行連続走行
しながら露光を行なう、第３図右方の速度曲線に示すよ
うにヘッドＥ）ｌはサーボ制御により駆動され、その定
速区間Ｔのときにアライメント用マークＷＭ。
回路パターンｃｐが露光される。
露光領域１〜５の連続露光が終了するとウニ・−ＷＦ’
の０行の露光が終了したことになり、第１図のウェハチ
ャックＷＯがＹ方向に１行に移動され、ウェハＷＦの■
行目の露光が露光領域６〜１２の右から左への順で連続
露光される。
の０行の露光が終了したことになり、第１図のウェハチ
ャックＷＯがＹ方向に１行に移動され、ウェハＷＦの■
行目の露光が露光領域６〜１２の右から左への順で連続
露光される。
またこの前に第１図のｗｐとして示す拡大図内の垂直方
向のドツトＤＴの重ね合せラインのようにするためにＹ
方向移動を１行内でさらＩこ細かく送っても良い。これ
はレーザ干渉計ＬＫにより制御される。このよう（ご往
復連ｆｆｆｆ光させることにより露光時間を短縮できる
、上述の動作手順を第４図ｆζ示す６第４図のステップ
Ｓ１においてまず何もｆ＠光されていないウニ、−Ｗ
Ｆ’をチャックＷＣに周知の１１１マライメントした後
、装着し静電吸引して固定するや ステップＳ２でギヤ
１１ツジＣＡを左端にプリセットした後、本体側の一対
の基準マークＫＭＴ、＋と露光ヘッドに１３のファイン
アライメントを行ｒ（−）。こねにはまずヘッドＫ１１
ｌの左端の光源］Ｌが反射材で成る一対の基準マークＫ
ＭＬを照射し、反射光を二次元受光素子ＣＤＬが受光し
、その位置座標（ｘ＋ ｔ７１ ）を検出する。−ガニ
次元受光素子ＣＤ１．。
向のドツトＤＴの重ね合せラインのようにするためにＹ
方向移動を１行内でさらＩこ細かく送っても良い。これ
はレーザ干渉計ＬＫにより制御される。このよう（ご往
復連ｆｆｆｆ光させることにより露光時間を短縮できる
、上述の動作手順を第４図ｆζ示す６第４図のステップ
Ｓ１においてまず何もｆ＠光されていないウニ、−Ｗ
Ｆ’をチャックＷＣに周知の１１１マライメントした後
、装着し静電吸引して固定するや ステップＳ２でギヤ
１１ツジＣＡを左端にプリセットした後、本体側の一対
の基準マークＫＭＴ、＋と露光ヘッドに１３のファイン
アライメントを行ｒ（−）。こねにはまずヘッドＫ１１
ｌの左端の光源］Ｌが反射材で成る一対の基準マークＫ
ＭＬを照射し、反射光を二次元受光素子ＣＤＬが受光し
、その位置座標（ｘ＋ ｔ７１ ）を検出する。−ガニ
次元受光素子ＣＤ１．。
はその指標となる座標（Ｘ２．７２）を不図示の制御コ
ントローラが記憶しており、これによりずれ！ ”１−
”２ ？ｙ１−７２が求められる。Ｘ方向のずれ景Ｘ１
−１２はキャリッジＯＡの走行時にヘッドＥＨからの露
光ビームの出射タイミングを胛部することｌこより補正
できる。Ｙ方向のずれ素は、−７２は第２図の電歪素子
ＰＹの駆動によりヘッド■Ｈ及び受光素子ＣＤＬを上下
することにより補正できる。或いはＹステージＢＹを微
少送りして補正しても良いｅｅ（回転）方向の補正もマ
ークＫＭＬ 、 ＫＭＲの一対有するから周知の如く算
出でき、軸ＧＯによりヘッドＫＨ及び受光素子ＣＤＬ全
体を回転することにより補正できる、焦点介せ即ち２方
向は例えば受光素子ＣＤＬの受光領域を検出することに
よりできる。即ち光源ＬＦＬよりスポット状の光を放射
させ、ウェハＷ’ Ｆから反射して来るスポット光の直
径を二次元受光素子により検出すればヘッドＰＲとウエ
ハＷＩＦ間の距離が測定でき、最適の距離に電歪素子ｐ
ｚを駆動して制御すれば良い。その他周知の空気の吐出
し式や種々の焦点合せ機構をキャリッジＯＡに取付ける
ことができる、また上記の二次元状受光素子に限らず、
−次元受光素子（このときはキャリッジＯＡの走行によ
り二次元受光１子と同等の効果を得る）やその他種々の
位Ｒ介せ原理及び機構を用いることができる。このファ
インアライメント即ちヘッドの姿勢（位置）制御が完了
するとステップＳ３でキャリッジＯＡの走行が開始され
、ギヤ１１ツジＯＡが第３図の如く定速になったＷ￥後
から■行目の露光が開始される。図示の如くまずアライ
メントマークＷＭＬがヘッドＥＨ１ζより露光され、次
いで回路露光要域１に回路パターンｃｐが露光され、ス
クライブ＃斌を走行中はヘッドｇ）Ｉから露光ビームＥ
Ｂは出射されず、露光個域２ζＣ来て再び回路パターン
ｃｐが露光され、以下同様に左から右＃Ｃ正順に露光さ
れて行く。露光領域５が露光終了するとキャリッジＯＡ
は減速され、右端の基準マークＫＭＲの所で停止する、
ステップＳ４でウェハＷＦ′はＹステージＢＹｊζより
１行Ｙ方向送りされる。この精密送りはレーザ干渉計Ｌ
Ｋにより制御される。同時にギヤ１１ツジＯＡは右端で
ステップＳ２と同様なステップＳ５で一対の基準マーク
ＫＭＲとヘッド１１８）１の位置合せを行なう。しかし
これは必ずしも必要とせずとも声い。次いでステップＳ
６で７ライメントマ一クＷＭＲｆ露光し、回ｖＩ露光領
域６に回路パターンＣＰをステップＳ３とは逆の順序で
露光し、以下領域７，８〜１２と右から左に回路パター
ンが連続的に露光されて行く。以下ステップＳ３に戻り
１枚のウエノ＼が終了するまで上述同様に往復連続露光
が行なわれる。２回目のウェハ露光がステップＳ８より
始まる、ステップＳ９でまずステップＳ１と同様のヘッ
ドＦＨの姿勢制御を行なう。しかしステップ日２と異な
る点は位置合せのための相手が異なることである。即ち
合わせる相手が一対の基準マークＫＭＩ、ではなく、ウ
ニ、、ＷＦ上に露光された一対のアライメント用マーク
ＷＭＬである。この位置合せ用マークがＫＭＴ、からＷ
ＭＩ、にシフトするだけで受光素子ＣＤＬによる位置検
出及びヘッドＥｌ！Ｈの補正駆動方式はステップＳ２と
一様である。
ントローラが記憶しており、これによりずれ！ ”１−
”２ ？ｙ１−７２が求められる。Ｘ方向のずれ景Ｘ１
−１２はキャリッジＯＡの走行時にヘッドＥＨからの露
光ビームの出射タイミングを胛部することｌこより補正
できる。Ｙ方向のずれ素は、−７２は第２図の電歪素子
ＰＹの駆動によりヘッド■Ｈ及び受光素子ＣＤＬを上下
することにより補正できる。或いはＹステージＢＹを微
少送りして補正しても良いｅｅ（回転）方向の補正もマ
ークＫＭＬ 、 ＫＭＲの一対有するから周知の如く算
出でき、軸ＧＯによりヘッドＫＨ及び受光素子ＣＤＬ全
体を回転することにより補正できる、焦点介せ即ち２方
向は例えば受光素子ＣＤＬの受光領域を検出することに
よりできる。即ち光源ＬＦＬよりスポット状の光を放射
させ、ウェハＷ’ Ｆから反射して来るスポット光の直
径を二次元受光素子により検出すればヘッドＰＲとウエ
ハＷＩＦ間の距離が測定でき、最適の距離に電歪素子ｐ
ｚを駆動して制御すれば良い。その他周知の空気の吐出
し式や種々の焦点合せ機構をキャリッジＯＡに取付ける
ことができる、また上記の二次元状受光素子に限らず、
−次元受光素子（このときはキャリッジＯＡの走行によ
り二次元受光１子と同等の効果を得る）やその他種々の
位Ｒ介せ原理及び機構を用いることができる。このファ
インアライメント即ちヘッドの姿勢（位置）制御が完了
するとステップＳ３でキャリッジＯＡの走行が開始され
、ギヤ１１ツジＯＡが第３図の如く定速になったＷ￥後
から■行目の露光が開始される。図示の如くまずアライ
メントマークＷＭＬがヘッドＥＨ１ζより露光され、次
いで回路露光要域１に回路パターンｃｐが露光され、ス
クライブ＃斌を走行中はヘッドｇ）Ｉから露光ビームＥ
Ｂは出射されず、露光個域２ζＣ来て再び回路パターン
ｃｐが露光され、以下同様に左から右＃Ｃ正順に露光さ
れて行く。露光領域５が露光終了するとキャリッジＯＡ
は減速され、右端の基準マークＫＭＲの所で停止する、
ステップＳ４でウェハＷＦ′はＹステージＢＹｊζより
１行Ｙ方向送りされる。この精密送りはレーザ干渉計Ｌ
Ｋにより制御される。同時にギヤ１１ツジＯＡは右端で
ステップＳ２と同様なステップＳ５で一対の基準マーク
ＫＭＲとヘッド１１８）１の位置合せを行なう。しかし
これは必ずしも必要とせずとも声い。次いでステップＳ
６で７ライメントマ一クＷＭＲｆ露光し、回ｖＩ露光領
域６に回路パターンＣＰをステップＳ３とは逆の順序で
露光し、以下領域７，８〜１２と右から左に回路パター
ンが連続的に露光されて行く。以下ステップＳ３に戻り
１枚のウエノ＼が終了するまで上述同様に往復連続露光
が行なわれる。２回目のウェハ露光がステップＳ８より
始まる、ステップＳ９でまずステップＳ１と同様のヘッ
ドＦＨの姿勢制御を行なう。しかしステップ日２と異な
る点は位置合せのための相手が異なることである。即ち
合わせる相手が一対の基準マークＫＭＩ、ではなく、ウ
ニ、、ＷＦ上に露光された一対のアライメント用マーク
ＷＭＬである。この位置合せ用マークがＫＭＴ、からＷ
ＭＩ、にシフトするだけで受光素子ＣＤＬによる位置検
出及びヘッドＥｌ！Ｈの補正駆動方式はステップＳ２と
一様である。
しかしこのとき回路パターンＣＰをマークＷＭＬと合わ
せて位置合せ用マークとして使用することもでき、また
は回路パターンｃｐのみを使用して位置合せすることも
もちろん可能である、ヘッドＦＸＨとマークＷＭＬとの
位置合せ７了の後、１回目に露光された回路パターン上
に第２の回路パターンが重ね露光されるやこね、も１回
目と同様キャリッジＯＡの連Ｍ定行により成される。
せて位置合せ用マークとして使用することもでき、また
は回路パターンｃｐのみを使用して位置合せすることも
もちろん可能である、ヘッドＦＸＨとマークＷＭＬとの
位置合せ７了の後、１回目に露光された回路パターン上
に第２の回路パターンが重ね露光されるやこね、も１回
目と同様キャリッジＯＡの連Ｍ定行により成される。
ウエハＷＦ’の■行目が露光完了し、ステップＳｔＯで
前述同様にウエハが０行送りされ、同時または次いで動
作として、ステップＳ＋＋に示すように今度はウニへＷ
Ｆ上の一対のマークＷＭＲとヘッドＫＭの位置合せが前
述同様に行なわれ、キャリッジＯＡが今度は右から左に
連続走行しながら（１）行目とは逆の順でパターン情報
を出射して露光して行き、■行目を終了する。
前述同様にウエハが０行送りされ、同時または次いで動
作として、ステップＳ＋＋に示すように今度はウニへＷ
Ｆ上の一対のマークＷＭＲとヘッドＫＭの位置合せが前
述同様に行なわれ、キャリッジＯＡが今度は右から左に
連続走行しながら（１）行目とは逆の順でパターン情報
を出射して露光して行き、■行目を終了する。
以下同様にして２回目の露光を終了する。
上述例においてキャ１１ツジＣＡの走行中に受光素子Ｃ
ＤＬ 、 ＯＤＨによりヘッドＫＨの姿勢を変更させる
こともできる。キャリッジＯＡが右に移動中のときは右
側の受光素子ＣＤＲを用い、左に移動中のときは左側の
受光素子ＯＤＬを用いれば良い。この受光素子が回路パ
ターンもしくは途中に設けられた第３図の中間アライメ
ント用マークＷＭＭを検出して前述同様に駆動素子’Ｐ
Ｙ 、ＰＺ 。
ＤＬ 、 ＯＤＨによりヘッドＫＨの姿勢を変更させる
こともできる。キャリッジＯＡが右に移動中のときは右
側の受光素子ＣＤＲを用い、左に移動中のときは左側の
受光素子ＯＤＬを用いれば良い。この受光素子が回路パ
ターンもしくは途中に設けられた第３図の中間アライメ
ント用マークＷＭＭを検出して前述同様に駆動素子’Ｐ
Ｙ 、ＰＺ 。
Ｇｅ等ζζより補正駆動をキャルノジ走行中に行なわせ
れば良い。この受光素子は一対必ずしも必要とせず、ま
たヘッドの位置合せのための微駆動素子もＹ、Ｚ、ｅ全
て必要とせず、所望の方向の駆動素子を必要に応じて少
なくとも１〜２個取付ければ良い、、またＸ方向の補正
は前述の如く露光ビームの出射タイミングの変更だけで
可能であるから好ましい。これは周知の制御技術を用い
て容易ｌご達成できる。また露光ビームもウエハが感応
できる性質を有するビームであればいずれでも良い、さ
らにこのヘッドＥＨは基材が前述の如く半導体で成るの
で固体受光素子Ｃ！ＤＬ 、 ＯＤＲ、固体光源Ｉ、Ｋ
Ｌ 、 ＬＥＲ等を共通のシリコン基板上に一体的に形
成可能であり、例えばヘッドと受光素子の位置関係の設
定が極めて精密に製作できる利点がある、 また露光ビーム発生器をキャリッジに搭載して移動でき
るようにしたことによりウニへ移動ステージがＹ方向の
一方向のみとなり小型化、＃量化が計れることも太きな
利点である。特にとの押装置においては露光室の気圧一
定住、真空化、クリーン化等の要請により小型化が望ま
れており、従来のＸ、ｙ、ｅ、ｚの多段構成ステージで
は大型化が免れ得なかった、本発明は露光ヘッドをＸ方
向及びまたは△Ｙ、ｚ、ｅ方向にそれ自身移動できるよ
うにし、ウエノ・はＹ方向駆動ステージというように駆
動機構をウエノ１中心に２分したため、大幅な小型１化
、薄型化が可能となったものであるｅまたウエノ・を垂
直とし、本体の下側から装填し、上方に排出するように
構成したのでゴミの蓄積もなく、捷たウニノー搬送スペ
ースも極少となる。したがって処理時間も短縮される４
本装置は必ずしも真空室で作動させる必然性はないが、
真空室使用の場合のキャ１１ツジ軸受ｆζ好ましい例を
第５．６図に示す。この技術は本装置の他の真空と大気
との境界部にも利用できる、 第５図が軸受の第１の実施例で、１は軸、２ａは支持面
、２は多孔質材よりなる軸受、３はハウジング、４は給
気口、５は支持面１ａより流出した空気が流れ込む空気
溜り、６は排気口、＋１は給気道、１２は排気道、＋３
は吸引ポンプ、１４は給気ポンプである。
れば良い。この受光素子は一対必ずしも必要とせず、ま
たヘッドの位置合せのための微駆動素子もＹ、Ｚ、ｅ全
て必要とせず、所望の方向の駆動素子を必要に応じて少
なくとも１〜２個取付ければ良い、、またＸ方向の補正
は前述の如く露光ビームの出射タイミングの変更だけで
可能であるから好ましい。これは周知の制御技術を用い
て容易ｌご達成できる。また露光ビームもウエハが感応
できる性質を有するビームであればいずれでも良い、さ
らにこのヘッドＥＨは基材が前述の如く半導体で成るの
で固体受光素子Ｃ！ＤＬ 、 ＯＤＲ、固体光源Ｉ、Ｋ
Ｌ 、 ＬＥＲ等を共通のシリコン基板上に一体的に形
成可能であり、例えばヘッドと受光素子の位置関係の設
定が極めて精密に製作できる利点がある、 また露光ビーム発生器をキャリッジに搭載して移動でき
るようにしたことによりウニへ移動ステージがＹ方向の
一方向のみとなり小型化、＃量化が計れることも太きな
利点である。特にとの押装置においては露光室の気圧一
定住、真空化、クリーン化等の要請により小型化が望ま
れており、従来のＸ、ｙ、ｅ、ｚの多段構成ステージで
は大型化が免れ得なかった、本発明は露光ヘッドをＸ方
向及びまたは△Ｙ、ｚ、ｅ方向にそれ自身移動できるよ
うにし、ウエノ・はＹ方向駆動ステージというように駆
動機構をウエノ１中心に２分したため、大幅な小型１化
、薄型化が可能となったものであるｅまたウエノ・を垂
直とし、本体の下側から装填し、上方に排出するように
構成したのでゴミの蓄積もなく、捷たウニノー搬送スペ
ースも極少となる。したがって処理時間も短縮される４
本装置は必ずしも真空室で作動させる必然性はないが、
真空室使用の場合のキャ１１ツジ軸受ｆζ好ましい例を
第５．６図に示す。この技術は本装置の他の真空と大気
との境界部にも利用できる、 第５図が軸受の第１の実施例で、１は軸、２ａは支持面
、２は多孔質材よりなる軸受、３はハウジング、４は給
気口、５は支持面１ａより流出した空気が流れ込む空気
溜り、６は排気口、＋１は給気道、１２は排気道、＋３
は吸引ポンプ、１４は給気ポンプである。
真空雰囲頻外から給気ポンプ１４により給気口４に導か
れた空気は軸受２の支持面から噴出され、軸表面との隙
間に潤滑膜を形成した後、空気溜り５に流出し、更に吸
引ポンプ１３により排気口６から排気道１２を通って真
空雰囲り外へ強制排気される。
れた空気は軸受２の支持面から噴出され、軸表面との隙
間に潤滑膜を形成した後、空気溜り５に流出し、更に吸
引ポンプ１３により排気口６から排気道１２を通って真
空雰囲り外へ強制排気される。
軸受２の多孔質は孔数、孔径が十分小さい。
又真空ポンプ１３の排気量は軸受２に給気される空気流
量よりも十分太きい、この為空気溜り５の圧力を小さく
でき、磁性流体シールユニット８を…いても外部との遮
蔽が可卵である。実際、空気溜り５の圧力を数十ｔｏｒ
ｒ程度にする事によって、１０°５〜Ｔｏ＝ ｔｏｒｒ
である高真空雰囲気７と空気溜り５とを磁性流体シール
装置で遮蔽する事ができる。
量よりも十分太きい、この為空気溜り５の圧力を小さく
でき、磁性流体シールユニット８を…いても外部との遮
蔽が可卵である。実際、空気溜り５の圧力を数十ｔｏｒ
ｒ程度にする事によって、１０°５〜Ｔｏ＝ ｔｏｒｒ
である高真空雰囲気７と空気溜り５とを磁性流体シール
装置で遮蔽する事ができる。
８ａは永久磁石、８ｂはポールピース、８Ｃは磁性流体
、８ｄは保持部材である。、８ｅは軸受が軸方向に移動
する場合、磁性流体８Ｃが軸表面に残らないようにする
為の弾性体よりなるかき取り部材である、軸との摩擦力
を減少させる為、かき積り部材８ｅの先端は鋭角になっ
ている、軸表面は磁性流体が付着しＩζくくする目的で
テフロンコーティング等の表面処理が施されている、 磁性流体シールユニット８け弾性体９に接着され、弾性
体９は弾性体位置決め部材１０ａ。
、８ｄは保持部材である。、８ｅは軸受が軸方向に移動
する場合、磁性流体８Ｃが軸表面に残らないようにする
為の弾性体よりなるかき取り部材である、軸との摩擦力
を減少させる為、かき積り部材８ｅの先端は鋭角になっ
ている、軸表面は磁性流体が付着しＩζくくする目的で
テフロンコーティング等の表面処理が施されている、 磁性流体シールユニット８け弾性体９に接着され、弾性
体９は弾性体位置決め部材１０ａ。
＋ｏｂを介してハウジング３に固定されている、弾性体
９の剛性は軸受剛性より十分小さく、従って移動精度は
磁性流体シールにほとんど影響されず、高精度な送りが
回部になる、 第６図に第２のヂ施例を示す、第５図に示したものと同
じ部材は第６ｒＩ！Ｊでも同じ参照数字で指示している
。
９の剛性は軸受剛性より十分小さく、従って移動精度は
磁性流体シールにほとんど影響されず、高精度な送りが
回部になる、 第６図に第２のヂ施例を示す、第５図に示したものと同
じ部材は第６ｒＩ！Ｊでも同じ参照数字で指示している
。
軸受２の多孔質は前記の第５図の実施例よりもさらに孔
数、孔径が小さく、真空ポンプ１３の排気量と軸受２の
給気される空気流量の差は前記のものより更に大きい。
数、孔径が小さく、真空ポンプ１３の排気量と軸受２の
給気される空気流量の差は前記のものより更に大きい。
これにより空気溜り５の圧力を高真空雰囲り７の圧力に
近づける事ができ、７の真空度がそれほど高くない状態
では軸受からの空気のもれをそれ稈問題にせずにすむの
で、シール装置は用いていないや隔壁１４は軸１に接触
しない様設置され、１と１４の間には磁性流体等のシー
ル部材を用いない。
近づける事ができ、７の真空度がそれほど高くない状態
では軸受からの空気のもれをそれ稈問題にせずにすむの
で、シール装置は用いていないや隔壁１４は軸１に接触
しない様設置され、１と１４の間には磁性流体等のシー
ル部材を用いない。
従って、軸１けシール装置による送り精度の悪影響を受
けずに静圧軸受の高い送り精度で移動できる。このよう
な静圧靜受を用いるとキャリッジＯＡの位置（姿勢）の
制御を給気量、排気量を調節することによっても行なわ
せることができ、いわゆるヨーイング、ピッチング、ロ
ーリング等の補正をこの微駆動手段によっても好ましく
、また先のＰＹ 、ＰＺ 、Ｇｏ等の微駆動手段と協働
させても良い。
けずに静圧軸受の高い送り精度で移動できる。このよう
な静圧靜受を用いるとキャリッジＯＡの位置（姿勢）の
制御を給気量、排気量を調節することによっても行なわ
せることができ、いわゆるヨーイング、ピッチング、ロ
ーリング等の補正をこの微駆動手段によっても好ましく
、また先のＰＹ 、ＰＺ 、Ｇｏ等の微駆動手段と協働
させても良い。
第１図は本発明の一例の斜視胞、第２図はその一部拡大
斜視瀕、第３図はウェハ正面図、第４図はその動作訝明
フローチャート、第５図はその一部具体実施側図、第６
図はそのさらに仲の実施例図である。 ＯＡ・・・ギヤ１１ツジ ＶＩＰ・・・ウェハ Ｋｎ・・・露光パターン発生手段 匠、ＰＺ 、Ｇｅ・・・微駆動手段 ＣＤＬ、ＣＤＲ、、・受光素子
斜視瀕、第３図はウェハ正面図、第４図はその動作訝明
フローチャート、第５図はその一部具体実施側図、第６
図はそのさらに仲の実施例図である。 ＯＡ・・・ギヤ１１ツジ ＶＩＰ・・・ウェハ Ｋｎ・・・露光パターン発生手段 匠、ＰＺ 、Ｇｅ・・・微駆動手段 ＣＤＬ、ＣＤＲ、、・受光素子
Claims (5)
- （１）露光パターン発生用ヘッドと前記ヘッドを移動さ
せる第１の移動手段と前記ヘッドに対向し、前記ヘッド
の露光パターンにより露光されるウエハを吸着した状態
で前記第１の移動方向とほぼ直角の第２の方向に移動さ
せる第２の移動手段とを備えた半導体製造装置。 - （２）前記第１の移動手段はキャリッジ及びキャリッジ
に取付けられた前記ヘッドの微駆動手段を含む特許請求
の範囲第（１）項記載の半導体製造装置。 - （３）露光パターン発生用ヘッドと前記ヘッドをｙ、ｅ
、ｚ方向の少なくとも一方向に微駆動させる微駆動手段
と前記ヘッドの露光パターンにより露光されるウエハと
前記ヘッドを相対的に位置合せするための制御手段とを
備えた半導体製造装置。 - （４）露光パターン発生手段によりウエハ上に露光され
たアライメント用マークを前記露光パターン発生手段に
一体的に備えられた受光素子により検出し、前記露光パ
ターン発生手段を微移動させることにより前記露光パタ
ーン発生手段と前記ウエハの位置関係を調整する半導体
製造方法。 - （５）露光パターン発生手段がウエハ上を往復運動して
いるとき往復露光を行なう半導体製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60297215A JPS62155517A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | パターン描画装置及び方法 |
| US06/947,035 US4810889A (en) | 1985-12-27 | 1986-12-29 | Fine circuit pattern drawing apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60297215A JPS62155517A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | パターン描画装置及び方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62155517A true JPS62155517A (ja) | 1987-07-10 |
| JPH0374504B2 JPH0374504B2 (ja) | 1991-11-27 |
Family
ID=17843664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60297215A Granted JPS62155517A (ja) | 1985-12-27 | 1985-12-27 | パターン描画装置及び方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4810889A (ja) |
| JP (1) | JPS62155517A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0274022A (ja) * | 1988-09-09 | 1990-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置およびパターン形成方法 |
| JP2006504134A (ja) * | 2002-10-25 | 2006-02-02 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． | リソグラフィシステム |
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|---|---|---|---|---|
| DE3851083T2 (de) * | 1987-04-28 | 1995-01-12 | Canon Kk | Musteraufzeichnungsgerät mit Mehrfach-Elektronenstrahl. |
| JPS63269445A (ja) * | 1987-04-28 | 1988-11-07 | Canon Inc | 電子ビーム発生素子 |
| US4897552A (en) * | 1987-04-28 | 1990-01-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Multi-electron-beam pattern drawing apparatus |
| NL8702570A (nl) * | 1987-10-29 | 1989-05-16 | Philips Nv | Geladen deeltjes bundel apparaat. |
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| US6551857B2 (en) * | 1997-04-04 | 2003-04-22 | Elm Technology Corporation | Three dimensional structure integrated circuits |
| US5915167A (en) * | 1997-04-04 | 1999-06-22 | Elm Technology Corporation | Three dimensional structure memory |
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| AU2003255254A1 (en) * | 2002-08-08 | 2004-02-25 | Glenn J. Leedy | Vertical system integration |
| US7112803B2 (en) * | 2004-07-23 | 2006-09-26 | Applied Materials, Israel, Ltd. | Beam directing system and method for use in a charged particle beam column |
| US20060124864A1 (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-15 | Nikon Corporation | Air bearing compatible with operation in a vacuum |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| NL184549C (nl) * | 1978-01-27 | 1989-08-16 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting voor het opwekken van een elektronenstroom en weergeefinrichting voorzien van een dergelijke halfgeleiderinrichting. |
| JPS57204127A (en) * | 1981-06-10 | 1982-12-14 | Hitachi Ltd | Drawing method for pattern of electron-ray drawing device |
| US4538069A (en) * | 1983-10-28 | 1985-08-27 | Control Data Corporation | Capacitance height gage applied in reticle position detection system for electron beam lithography apparatus |
| US4740705A (en) * | 1986-08-11 | 1988-04-26 | Electron Beam Memories | Axially compact field emission cathode assembly |
-
1985
- 1985-12-27 JP JP60297215A patent/JPS62155517A/ja active Granted
-
1986
- 1986-12-29 US US06/947,035 patent/US4810889A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
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| JPH0274022A (ja) * | 1988-09-09 | 1990-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置およびパターン形成方法 |
| JP2006504134A (ja) * | 2002-10-25 | 2006-02-02 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． | リソグラフィシステム |
| JP2010171446A (ja) * | 2002-10-25 | 2010-08-05 | Mapper Lithography Ip Bv | リソグラフィシステム |
| KR101060567B1 (ko) | 2002-10-25 | 2011-08-31 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 리소그라피 시스템 |
| KR101368027B1 (ko) * | 2002-10-25 | 2014-02-26 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 리소그라피 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0374504B2 (ja) | 1991-11-27 |
| US4810889A (en) | 1989-03-07 |
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