DE69329253T2 - Kathodenstrahlröhre mit Halbleiterkathode. - Google Patents

Description

Kathodenstrahlröhre mit Halbleiterkathode
• Die Erfindung bezieht sich auf eine Elektronenstrahlröhre nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
• Eine Elektronenstrahlröhre dieser Art mit einer "kalten Kathode" ist aus USP 4.303.930 bekannt. In der Halbleiteranordnung, die eine "kalte Kathode" wird ein PN-Übergang in Sperrichtung betrieben, und zwar derart, dass es eine Lawinenverstärkung von Ladungsträgern gibt. Einige Elektronen können soviel kinetische Energie brauchen, wie dies zum Erregen der Elektronenarbeitsfunktion notwendig ist. Die Emission dieser Elektronen wird dadurch vereinfacht, dass die Halbleiteranordnung mit Beschleunigungselektroden oder Gate-Elektroden auf einer Isolierschicht auf der Hauptoberfläche versehen wird, wobei diese Isolierschicht eine Öffnung an der Stelle des Emissionsgebietes freiläßt. Emission wird weiterhin dadurch vereinfacht, dass die Halbleiteroberfläche an der Stelle des Emissionsgebietes mit einem Material versehen wird, das die Arbeitsfunktion verringert, wie beispielsweise Zäsium.
• Wenn eine derartige Kathode in eine Elektronenstrahlröhre eingebaut wird, treten in dem weiteren Produktionsprozeß Probleme auf. Während des Prozesses, der als "Spot-Knocking" bekannt ist, erfordern eine Anzahl Gitter in der Röhre eine hohe bis sehr hohe Spannung (100 kV bis 30 kV) während der Träger und die Gate- Elektrode(n) der Halbleiterkathode beispielsweise geerdet sind. Während dieses Spot- Knocking-Vorgangs werden Überschläge erzeugt, so dass das Gitter, das der Kathode am nächsten liegt, eine hohe Spannung erfordert (etwa 10 bis 30 kV) statt einer relativ niedrigen Spannung (etwa 100 V). Ein derartiger Überschlag kann ebenfalls unter normalen Gebrauchsumständen auftreten.
• Die Verbindungsdrähte des Trägers sowie die Gate-Elektroden können aber nicht als reine ohmsche Verbindungen betrachtet werden, haben aber eine bestimmte Induktivität. Dies führt zu einer großen Spannungsdifferenz zwischen dem Träger und der Gate-Elektrode durch kapazitives Übersprechen zwischen dem ge nannten Gitter und beispielsweise diesem Träger. Diese Spannungsdifferenz ist ebenfalls abhängig von den Induktivitäten der Verbindungsdrähte, von dem Widerstand beispielsweise des Materials der Gate-Elektrode und von der Dauer des Überschlags. Üblicherweise ist diese Differenz jedoch so groß, dass es einen zerstörenden Durchbruch der Isolierschicht zwischen der Gate-Elektrode und dem betreffenden Träger gibt. Dadurch werden Elektronenstrahlröhren mit diesem Typ kalter Kathoden oft zurückgewiesen, insbesondere während des Spot-Knocking-Prozesses.
• Es ist nun u. a. eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Elektronenstrahlröhre zu schaffen, bei der eine Lösung des obengenannten Problems erhalten wird und wobei die Anzahl Zurückweisungen bei der Fertigung verringert wird.
• Dazu weist eine erfindungsgemäße Elektronenstrahlröhre das Kennzeichen auf, wie dies in dem kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegeben ist.
• Der Erfindung liegt u. a. die Erkenntnis zugrunde, dass die Gate- Elektrode mit dem betreffenden Isoliermaterial und mit dem Halbleitermaterial als Elemente eines verteilten RC-Netzwerkes betrachtet werden kann. Durch Beschränkung dieses RC-Netzwerkes mit dem hochohmigen Widerstand wird das Auftreten von Spannungen durch Überschläge weitgehend verringert und wird eine Zerstörung der Isolierschicht vermieden.
• Wenn eine Anzahl Halbleiterkathoden in einer Elektronenstrahlröhre verwendet werden (beispielsweise drei für die Farben Rot, Grün bzw. Blau), die im Gebrauch dieselbe Spannung erhalten, kann eine gemeinsame Verbindung über einen hochohmigen Widerstand gewählt werden, so dass die Anzahl Verbindungen so wirtschaftlich möglich benutzt werden. Jede Kathode wird aber vorzugsweise einzeln mit dem hochohmigen Widerstand versehen, wobei diese Kathoden eventuell über denselben Verbindungsdraht verbunden werden, damit die Anzahl Verbindungen verringert wird. Die Widerstände schaffen dann eine nahezu vollständige Entkopplung zwischen den jeweiligen Kathoden, so dass es im wesentlichen kein Übersprechen gibt.
• Bei einer bevorzugten Ausführungsform bildet der Widerstand einen Teil eines Widertandsnetzwerkes, das auf einem Träger aus Keramik oder Glas vorge sehen ist, auf dem die Halbleiterkathoden ebenfalls angeordnet sind. Das Widerstandsnetzwerk kann einen Widerstandsspannungsteiler aufweisen, (so dass im Gebrauch eine Spannungsteilung auftritt) wodurch die Spannungen an den jeweiligen Gate-Elektroden auf verschiedene Werte gesetzt werden können. Ein derartiger Widerstandsspannungsteiler kann ggf. auch auf der Schicht aus Isoliermaterial vorgesehen werden, beispielsweise durch Widerstände aus polykristallinem Silizium.
• Eine Halbleiteranordnung zum Gebrauch bei einer derartigen Elektronenstrahlröhre weist das Kennzeichen auf, dass die elektrisch isolierende Schicht des Halbleiterkörpers einen Widerstandsspannungsteiler mit Abgriffpunkten aufweist, die auf elektrisch leitende Weise mit Verbindungsdrähten von Gate-Elektroden der Halbleiterkathode verbunden sind.
• Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
• Fig. 1 eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Elektronenstrahlröhre,
• Fig. 2 ein Ersatzschaltbild eines Teils der Elektronenstrahlröhre nach Fig. 1,
• Fig. 3 eine schematische Darstellung einer Ausführungsform eines Kathodenträgers mit Halbleiterkathoden zum Gebrauch bei einer Elektronenstrahlröhre nach der Erfindung,
• Fig. 4 einen Schnitt gemäß der Linie IV-IV in Fig. 3,
• Fig. 5 eine Abwandlung der Fig. 4,
• Fig. 6 eine Abwandlung der Ausführungsform nach Fig. 3, und
• Fig. 7 eine Draufsicht und Fig. 8 einen Schnitt gemäß der Linie VIII- VIII in Fig. 7 einer Halbleiterkathode zum Gebrauch in einer Elektronenstrahlröhre nach der Erfindung.
• Die Figuren sind schematisch und nicht maßstabgerecht. Entsprechende Elemente sind mit denselben Bezugszeichen angegeben.
• Fig. 1 zeigt schematisch eine Elektronenstrahlröhre 1 für Bildwiedergabe. Diese Röhre hat ein Wiedergabefenster 2, einen Konus 3 und einen Halsteil 4 mit einer Endwand 5. Ein Träger 6 mit einer oder mehreren Kathoden 7, in diesem Fall Halbleiterkathoden, verwirklicht in einem Halbleiterkörper, ist auf der Innenseite auf der Endwand 5 vorhanden. Der Halsteil 4 enthält eine Anzahl (in diesem Fall 4) Gitterelektroden 8, 9, 10 und 12. Die Elektronenstrahlröhre hat weiterhin eine Anode 11 an der Stelle des Wiedergabefensters und, ggf. Ablenkelektroden. Weitere Elemente einer derartigen Elektronenstrahlröhre, wie Ablenkspulen, Schattenmaske usw. sind in Fig. 1 einfachheitshalber fortgelassen. Für die elektrische Verbindung u. a. der Kathode und der Beschleunigungselektroden hat die Endwand 5 Durchführungen 13, durch welche die Verbundungsdrähte für diese Elemente mit den Klemmen 14 elektrisch verbunden sind.
• Beim Herstellungsverfahren wird die Elektronenstrahlröhre einem Verfahrensschritt ausgesetzt, der als "Spot-knocking" bezeichnet wird zum Entfernen von Grat- und Staubteilchen. Bei diesem Verfahrensschritt erfordert beispielsweise das Gitter 12 eine hohe Spannung (etwa 40 kV), während die anderen Gitterelektroden mit gepulsten oder nicht-gepulsten Spannungen von etwa 30 kV versehen werden. Dabei können Überschläge auftreten, so dass durch das kapazitive Übersprechen zwischen beispielsweise der Gitterelektrode 8 und der Oberfläche des Halbleiterkörpers und den auf diesem Körper vorgesehenen Gate-Elektroden, Spannungsspitzen von etwa 100 V bis etwa 2 kV erzeugt werden auf dieser Oberfläche und auf den Gate-Elektroden (auch weil der zugeordnete Verbindungsdraht eine Induktivität in Bezug auf diese Spannungsspitzen aufweist bei einer Rate, bei der sie erzeugt werden). Im betrieb wird die Kathode meistens geerdet, während die Elektroden 8, 9, 10 und 12 auf Spannungen von 100 V, 2 kV, 8 kV bzw. 30 kV gehalten werden. Derartige Überschläge können auch bei diesem normalen Gebrauch auftreten, obschon die Spannungen an den Beschleunigungselektroden nicht notwendigerweise in einer von der Kathode aus gesehen, ansteigenden Sequenz auftreten.
• Wenn die Halbleiterkathode eine Gate-Elektrode aufweist, wie in USP 4.303.930 beschrieben, die durch eine Isolierschicht von der benachbarten Halbleiteroberfläche getrennt ist; wird es auf einfache Weise einen Durchbruch geben (die zerstörende Durchbruchspannung einer derartigen Schicht kann zwischen etwa 200 V und etwa 300 V schwanken). Folglich wird es nicht nur einen Kurzschluß zwischen der Gate-Elektrode und dem Halbleiterkörper geben, sondern auch Siliziumnitrid, das sich mit der Isolierschicht verbunden hat und üblicherweise vorhanden ist zur Vermeidung von Absorption von Zäsium durch Siliziumoxid kann angegriffen werden.
• Fig. 2 zeigt schematisch ein elektrisches Ersatzschaltbild eines Teils der Elektronenstrahlröhre mit dem Gitter (8) (auch als G&sub1; bezeichnet) schematisch als eine Vollinie dargestellt und eine Halbleiterkathode, deren Träger durch die gezogene Linie 15 dargestellt ist. Auf dem Träger ist eine Gate-Elektrode aus beispielsweise polykristallinem Silizium vorhanden und wird durch eine elektrisch isolierende Schicht von dem Träger getrennt. Diese Elektrode ist in Fig. 2 dargestellt als Widerstand, aufgeteilt in Teilwiderstände R. Die Kapazität zwischen der Gitterelektrode 8 und dem Träger ist durch Co bezeichnet. Durch den Widerstandscharakter der Gate-Elektrode, kann die Kapazität zwischen der Gitterelektrode 8 und dieser Gate-Elektrode als aufgeteilte Kapazität betrachtet werden bezeichnet durch die Kapazitäten C&sub1;. Auf dieselbe Weise stellen die Kapazitäten C&sub2; eine aufgeteilte Kapazität zwischen dem Träger und der Gate-Elektrode dar. Hier gilt, dass C&sub0; > > C&sub2; > > C&sub1;. Die Induktivitäten L bezeichnen die Verbindungsdrähte 24 (Fig. 1). Einfachheitshalber sind in dieser Beschreibung in Fig. 2 alle Drähte nach Erde verbunden.
• Wenn eine Spannungsspitze an dem Gitter G&sub1; (8) auftritt durch den obengenannten Überschlag, wird es über C&sub0; zu dem Träger durchgekoppelt, was durch die Linie 15 angegeben ist, so dass dieser (in Fig. 2 dargestellt) in Spannung auf der linken Seite ansteigt. Da das RC-Netzwerk mit den Widerstandselementen R und mit den kapazitiven Elementen C&sub1;, C&sub2; der Spannungsspitze folgt, bleibt gleichsam eine auftretende Spannungsdifferenz zwischen dem Träger und der Gate-Elektrode in diesem Bereich niedrig. Im Bereich der Verbindung der Gate-Elektrode (Verbindungs punkt 16) würde die Spannung praktisch gleich dem Erdungspegel bleiben, und zwar durch den Verbindungsdraht 24, wenn der Widerstand 17 nicht vorhanden wäre, so dass zwischen der Gate-Elektrode und dem Träger eine große Spannungsspitze auftreten würde. Es könnte dann ein Zusammenbruch auftreten, je nach der Dauer und der Höhe dieser Spannungsspitze und je nach der Dicke und der Qualität des Isoliermaterials. Es wurde gefunden, dass Spannungsspitzen von 2 kV oder höher nicht üblich sind, während ein destruktiver Zusammenbruch von beispielsweise Siliziumoxid einer üblichen Dicke bereits bei 200 bis 300 V auftritt.
• Dadurch, dass nach der Erfindung zwischen dem Verbindungspunkt 16 und dem Verbindungsdraht 24 ein hochohmiger Widerstand 17 vorgesehen wird, wird derselbe Effekt an der Stelle dieses Verbindungspunktes erhalten wie für die linke Hälfte nach Fig. 2 beschrieben wurde. Der als "Bootstrap" bekannte Effekt ist gleichsam über die ganze Gate-Elektrode verbreitet. Bei einem Widerstandswert von etwa 100 kOhm des Widerstands 17 treten Spannungsspitzen in der Größenordnung von etwa 10 V auf. In dem Fall gibt es meistens keinen destruktiven Durchbruch der Isolierschicht.
• Fig. 3 ist eine Draufsicht und Fig. 4 ein Schnitt gemäß der Linie IV-IV in Fig. 3 einer praktischen Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Elektronenstrahlröhre. Drei Kathoden 7R, 7 G, 7B, welche die Elektronenstrahlen für die Farben Rot, Grün bzw. Blau liefern, sind auf einem Träger 6 aus einem keramischen Material (Aluminiumoxid) oder beispielsweise auf Glas angeordnet. Den Kathoden werden über Verbindungsmetallisierungen 19 die Videosignale 18R, 18 G, 18B zugeführt. Die Strahlströme werden über diese Videosignale beispielsweise durch Modulation des Lawinenstromes in einer Kathode moduliert, wie in USP 4.303.930 beschrieben. Durch Ringe in Fig. 3 schematisch dargestellte Gate- oder Beschleunigungselektroden 22, 22' sind um das aktuelle Emissionsgebiet 20 auf der elektrisch isolierenden Schicht 21 vorgesehen. Diese Elektroden können ggf. auch als Ablenkelektroden wirksam sein und sind aus beispielsweise polykristallinem Silizium hergestellt. Die weitere Struktur der Kathoden 7 ist in Fig. 6 einfachheitshalber nicht weiter dargestellt. Die Kathoden sind an ihrer Unterseite über eine Metallisierung 28 kontaktiert.
• Die Gate-Elektroden 22, 22' sind über schematisch dargestellte Verbindungsdrähte 23 mit (Klemmen von) Widerständen 17, 17' verbunden, die beispielsweise als Dünnfilmwiderstände ausgebildet sein können; wobei ein Material (beispielsweise Chromnickel) als Widerstandsmaterial gewählt wird, das üblicherweise in der Dünnfilmtechnik verwendet wird. Obschon diese Widerstände in diesem Fall als diskrete Widerstände dargestellt sind, können sie auch als ununterbrochene Schicht aus einem Widerstandsmaterial einer geeigneten Form ausgebildet sein. Die Widerstände 17, 17' haben einen Wert von 100 kOhm oder mehr und sind mit ihren anderen Klemmen an gemeinsame Verbindungsdrähte 24, 24' angeschlossen, beispielsweise über Verbindungsmetallisierungsflächen 123, 123'.
• Da jede Kathode 7 ihren eigenen Widerstand 17 zwischen der Gate- Elektrode 22 und dem Verbindungsdraht 22 hat, ist gegenseitiges Übersprechen zwischen den Kathoden nun wesentlich beschränkt. Ein Interferenzsignal bei beispielsweise der Verbindung 18R ist kapazitiv durchgekoppelt zu der Gate-Elektrode 22 der Kathode 7R, und zwar über die Kapazität zwischen dem Halbleiterträger, in dem die Kathode vorgesehen ist und der Gate-Elektrode. Ohne die Widerstände 17 würde es eine wesentliche ohmsche Verbindung zwischen den Gate-Elektroden 22 der Kathoden 7 geben, so dass das durchgekoppelte Signal ebenfalls die Spannung an den Gate- Elektroden 22 beeinflussen würde. Durch das Vorhandensein der hochohmigen Widerstände 17 ist eine etwaig auftretende Spannungsspitze an einer der Gate-Elektroden 22 an der Stelle der gemeinsamen Verbindung der Widerstände 17 bereits wesentlich verringert, so dass das genannte Übersprechen vernachlässigbar ist.
• Fig. 5 zeigt schematisch eine Abwandlung der Anordnung nach Fig. 4, wobei die Kathode 7 auf der Unterseite des Trägers 6 vorgesehen ist (beispielsweise durch "Flip-Chip"-Kontaktierung) und der Träger ist mit einer Öffnung versehen zum Hindurchlassen des Strahles an der Stelle der Kathode 7. Die Bezugszeichen in Fig. 5 haben weiterhin dieselbe Bedeutung wie in Fig. 4.
• Fig. 6 zeigt eine andere Draufsicht, wobei die Widerstände 17, 17a, 17b, 17 einen Spannungsteiler bilden. Die Verhältnisse untereinander zwischen den Widerständen sind derart gewählt worden, dass je nach den Spannungen an den Klemmen 26, 27 die Abgriffe 29, 29', 29" die einwandfreie Spannungen für die Gate-Elektroden 22, 22', 22" der drei Kathoden 7R, 7 G, 7B liefern. Diese Abgriffe sind über schematisch dargestellte Kontaktierungsdrähte 23 mit den Gate-Elektroden verbunden, in diesem Fall über Metallisierungsstreifen 30 auf dem Träger.
• Die dargestellte Widerstandsanordnung kann auch mit Widerständen aus beispielsweise polykristallinem Silizium auf der Isolierschicht 21 ausgebildet sein. Dies ist in Fig. 7 und 8 dargestellt. Fig. 7 ist eine schematische Draufsicht und Fig. 8 ist ein Schnitt gemäß der Linie VIII-VIII in Fig. 7 durch eine Halbleiteranordnung mit einem derartigen Widerstandsspannungsteiler. Fig. 8 zeigt die Struktur eines derartigen Widerstandsspannungsteilers. Fig. 8 zeigt ebenfalls detaillierter als in den anderen Beispielen die Struktur einer derartigen Halbleiteranordnung.
• Die Halbleiterkathode enthält einen Halbleiterkörper 31, in diesem Beispiel aus Silizium. Sie enthält an einer Hauptoberfläche 32 des Halbleiterkörpers ein n- leitendes Oberflächengebiet 33, das den PN-Übergang 36 zusammen mit den p- leitenden Gebieten 34 und 35 bildet. Das p-leitende Gebiet 37 und folglich das emittierende Gebiet 20 sind in diesem Beispiel ringförmig gewählt worden. Dadurch, dass über den PN-Übergang ausreichend hohe Spannungen in umgekehrter Richtung zugeführt werden, werden durch Lawinenverstärkung Elektronen erzeugt, die vom Halbleiterkörper emittiert werden können. Das p-leitende Gebiet 35 wird in diesem Beispiel auf der Unterseite durch eine Metallschicht 38 kontaktiert. Dieser Kontakt wird vorzugsweise über eine hochdotierte Kontaktzone 37 verwirklicht. In diesem Beispiel ist die Donatorkonzentration in dem n-leitenden Gebiet 33 an der Oberfläche beispielsweise 5.10¹&sup9; Atome/cm³, während die Akzeptorenkonzentration in dem p-leitenden Gebiet 34 viel niedriger ist, beispielsweise 5.10¹&sup6; Atome/cm³. Zur örtlichen Herabsetzung der Durchbruchspannung des PN-Übergangs 36 ist die Halbleiteranordnung mit einem p-leitenden Gebiet 35 einer höheren Dotierung versehen, und zwar innerhalb einer Öffnung in der Isolierschicht 21 auf der Oberfläche. Für weitere Einzelheiten einer derartigen Halbleiterkathode sei auf USP 4.303.930 verwiesen. In einer Draufsicht sind Gate-Elektroden 22, 22' innerhalb der kreisförmigen Öffnung 39 (und innerhalb des unbedeckten emittierenden Teils 20) vorgesehen, während (ebenfalls in Draufsicht) Gate-Elektroden 22", 22''' außerhalb der Öffnung vorhanden sind. Auf der Isolierschicht ist ein Widerstandsstreifen 40 aus beispielsweise Polysilizium. Die eingeklammerten Teile des Widerstandsstreifens erfüllen nun dieselbe Aufgabe wie die Widerstände 17a, 17b in Fig. 6. Die Widerstände 17 können ebenfalls wieder auf einem Träger vorgesehen werden. Zur Vermeidung eines Durchbruchs der Isolierschicht während des Spot-Knocking-Vorgangs werden die Enden der Widerstandsschicht über den Verbindungsdraht 24 (oder über einen Verbindungsdraht, wenn die Kathode wieder auf einem Träger angeordnet ist) mit einem Verbindungsdraht und mit einem (nicht dargestellten) hochohmigen Widerstand verbunden, wenn in einer Elektronenstrahlröhre verwendet.

Claims (10)

1. Elektronenstrahlröhre (10) mit wenigstens einer Halbleiterkathode (7) zum Erzeugen eines Elektronenstrahls, wobei diese Kathode einen Träger (15) aufweist und wobei eine Hauptoberfläche (32) eines Halbleiterkörpers (31) mit einer elektrisch isolierenden Schicht (21) versehen ist, die wenigstens eine Öffnung aufweist an der Stelle eines elektronenemittierenden Gebietes (20), und wenigstens eine Elektrode (22) zum Beeinflussen des emittierten Elektronenstrahls auf der elektrisch isolierenden Schicht (21), dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrode (22) zum Beeinflussen der emittierten Elektronen mit einem Verbindungsdraht (24) verbunden ist, und zwar über einen Widerstand (17) zwischen der Elektrode (22) zum Beeinflussen der emittierten Elektronen und den genannten Verbindungsdraht (24), wobei der genannte Widerstand das verteilte RC-Netzwerk abschließt, das durch die Elektrode (22) zum Beeinflussen der emittierten Elektronen mit der isolierenden Schicht und dem Halbleiterkörper gebildet ist.

2. Elektronenstrahlröhre (10) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Widerstand (17) einen Widerstandswert aufweist, der hoch genug ist zur Vermeidung eines Durchbruchs der Isolierschicht in einem Spannungsbereich bis zu etwa 2 kV.

3. Elektronenstrahlröhre (10) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Widerstand (17) einen Widerstandswert von wenigstens 100 kOhm aufweist.

4. Elektronenstrahlröhre (10) nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektrode (22) zum Beeinflussen der emittierten Elektronen eine Gate-Elektrode ist.

5. Elektronenstrahlröhre (10) nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterkathode (7) und der Widerstand (17) auf einem gemeinsamen Träger (6) vorgesehen sind.

6. Elektronenstrahlröhre (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektronenstrahlröhre eine Anzahl Halbleiterkathoden (7) aufweist, wobei jede Halbleiterkathode über einen einzelnen Widerstand (17, 17') mit einem Verbindungsdraht verbunden ist.

7. Elektronenstrahlröhre (10) nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Verbindungsdraht (24) den Widerständen der jeweiligen Halbleiterkathoden (7) gemeinsam ist.

8. Elektronenstrahlröhre (10) nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass der gemeinsame Träger (6) einen Widerstandsspannungsteiler (17, 17a, 17b) aufweist, mit Abgriffen (29, 29', 29"), die auf elektrisch leitende Weise mit Elektroden (22, 22', 22") der Halbleiterkathode (7) zum Beeinflussen eines emittierten Strahles verbunden sind.

9. Elektronenstrahlröhre nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass auf der elektrisch isolierenden Schicht (21) an der Hauptoberfläche (23) des Halbleiterkörpers (31) ein Widerstandsspannungsteiler (17a, 17b, 17c) vorhanden ist, wobei dieser Spannungsteiler Abgriffe aufweist, die auf elektrisch leitende Weise mit Elektroden (22, 22', 22", 22''') der Halbleiterkathode (7) zum Beeinflussen eines emittierten Strahles verbunden sind.

10. Elektronenstrahlröhre nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Widerstandsspannungsteiler eine Widerstandsschicht aus polykristallinem Silizium aufweist.