DE2840577A1 - Halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents

Halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung

Info

Publication number
DE2840577A1
DE2840577A1 DE19782840577 DE2840577A DE2840577A1 DE 2840577 A1 DE2840577 A1 DE 2840577A1 DE 19782840577 DE19782840577 DE 19782840577 DE 2840577 A DE2840577 A DE 2840577A DE 2840577 A1 DE2840577 A1 DE 2840577A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electron beam
area
gate
semiconductor
charge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19782840577
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Michael William Powell
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Motorola Solutions Inc
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Publication of DE2840577A1 publication Critical patent/DE2840577A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P34/00—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P34/40—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices with high-energy radiation
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/04—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using optical elements ; using other beam accessed elements, e.g. electron or ion beam
    • G11C13/047—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using optical elements ; using other beam accessed elements, e.g. electron or ion beam using electro-optical elements
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/06—Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
    • G11C5/066—Means for reducing external access-lines for a semiconductor memory clip, e.g. by multiplexing at least address and data signals

Landscapes

  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
DE19782840577 1977-09-19 1978-09-18 Halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung Withdrawn DE2840577A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/834,081 US4190849A (en) 1977-09-19 1977-09-19 Electronic-beam programmable semiconductor device structure

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2840577A1 true DE2840577A1 (de) 1979-03-22

Family

ID=25266062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19782840577 Withdrawn DE2840577A1 (de) 1977-09-19 1978-09-18 Halbleiteranordnung und verfahren zu ihrer herstellung

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4190849A (cg-RX-API-DMAC7.html)
JP (1) JPS5454586A (cg-RX-API-DMAC7.html)
DE (1) DE2840577A1 (cg-RX-API-DMAC7.html)
FR (1) FR2403649A1 (cg-RX-API-DMAC7.html)
GB (1) GB2004689B (cg-RX-API-DMAC7.html)
HK (1) HK66384A (cg-RX-API-DMAC7.html)
MY (1) MY8500490A (cg-RX-API-DMAC7.html)
NL (1) NL7809449A (cg-RX-API-DMAC7.html)
SG (1) SG18084G (cg-RX-API-DMAC7.html)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3032333A1 (de) * 1980-08-27 1982-04-22 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Monolithische statische speicherzelle und verfahren zu ihrem betrieb

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3032295A1 (de) * 1980-08-27 1982-04-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Monolithisch integrierter festwertspeicher
DE3032306A1 (de) * 1980-08-27 1982-04-08 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Monolithisch integrierte schaltung mit zu- und/oder abschaltbaren schaltungsteilen
US4473836A (en) * 1982-05-03 1984-09-25 Dalsa Inc. Integrable large dynamic range photodetector element for linear and area integrated circuit imaging arrays
JPS6273653A (ja) * 1985-09-26 1987-04-04 Mitsubishi Electric Corp 容量回路構造
KR101195959B1 (ko) * 2008-09-10 2012-11-05 가부시키가이샤 어드밴티스트 메모리 디바이스, 메모리 디바이스의 제조 방법, 및 데이터 기입 방법
US11688586B2 (en) * 2018-08-30 2023-06-27 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for plasma processing

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3500142A (en) * 1967-06-05 1970-03-10 Bell Telephone Labor Inc Field effect semiconductor apparatus with memory involving entrapment of charge carriers
US3573753A (en) * 1968-08-01 1971-04-06 Gen Electric Information storage and retrieval employing an electron beam
US3886530A (en) * 1969-06-02 1975-05-27 Massachusetts Inst Technology Signal storage device
US3660819A (en) * 1970-06-15 1972-05-02 Intel Corp Floating gate transistor and method for charging and discharging same
US3721962A (en) * 1970-08-03 1973-03-20 Ncr Beam accessed mos memory with beam reading,writing,and erasing
US3825946A (en) * 1971-01-15 1974-07-23 Intel Corp Electrically alterable floating gate device and method for altering same
US3736571A (en) * 1971-02-10 1973-05-29 Micro Bit Corp Method and system for improved operation of conductor-insulator-semiconductor capacitor memory having increased storage capability
US3761895A (en) * 1971-03-17 1973-09-25 Gen Electric Method and apparatus for storing and reading out charge in an insulating layer
US4087795A (en) * 1974-09-20 1978-05-02 Siemens Aktiengesellschaft Memory field effect storage device
US4079358A (en) * 1976-10-04 1978-03-14 Micro-Bit Corporation Buried junction MOS memory capacitor target for electron beam addressable memory and method of using same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3032333A1 (de) * 1980-08-27 1982-04-22 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Monolithische statische speicherzelle und verfahren zu ihrem betrieb

Also Published As

Publication number Publication date
GB2004689B (en) 1982-05-12
NL7809449A (nl) 1979-03-21
GB2004689A (en) 1979-04-04
US4190849A (en) 1980-02-26
FR2403649A1 (cg-RX-API-DMAC7.html) 1979-04-13
MY8500490A (en) 1985-12-31
SG18084G (en) 1985-03-08
HK66384A (en) 1984-08-31
JPS5454586A (en) 1979-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3816358C2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
DE4016346C2 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeichervorrichtung und ein Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2711895C2 (de) Speicher-Feldeffekttransistor mit zwei Gateelektroden und Verfahren zu dessen Herstellung
DE19527682B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer EEPROM-Flashzelle
DE4335834C2 (de) Nichtflüchtige Speicherzelle mit einer L-förmigen potentialfreien Gateelektrode und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3247197C2 (cg-RX-API-DMAC7.html)
DE69620559T2 (de) Verfahren für selbstausgerichtete source in einem speicher hoher dichte
DE2520190A1 (de) Verfahren zur herstellung eines festwertspeichers
DE3334333A1 (de) Verfahren zur herstellung eines mos-einrichtung mit selbstjustierten kontakten
DE3114970A1 (de) Kombinierte bipolare smos-transistoranordnung und verfahren zu ihrer herstellung
DE2750209A1 (de) Integrierte halbleiterschaltung und verfahren zu ihrer herstellung
DE10012141A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Einzelelektron-Transistors
DE2502235A1 (de) Ladungskopplungs-halbleiteranordnung
DE2716691A1 (de) Feldeffekttransistor und verfahren zu dessen herstellung
DE3428067C2 (de) Halbleiter-Überspannungsunterdrücker mit genau vorherbestimmbarer Einsatzspannung und Verfahren zur Herstellung desselben
DE10228565A1 (de) Nicht-flüchtige Speichervorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
DE69226223T2 (de) Kontaktausrichtung für Festwertspeicher
DE3540422C2 (de) Verfahren zum Herstellen integrierter Strukturen mit nicht-flüchtigen Speicherzellen, die selbst-ausgerichtete Siliciumschichten und dazugehörige Transistoren aufweisen
DE10206057B4 (de) Nichtflüchtiges Speicherbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE3148323A1 (de) Halbleiterschaltung
DE69316858T2 (de) Nichtflüchtige Halbleiteranordnung und Verfahren zur ihrer Herstellung
DE19748495C2 (de) EEPROM-Zellstruktur und Verfahren zum Programmieren bzw. Löschen ausgewählter EEPROM-Zellstrukturen sowie EEPROM-Zellenfeld
DE69528962T2 (de) Verbesserte isolierung zwischen diffusions-leitungen in einem speicherfeld
DE2937952A1 (de) Nichtfluechtige speicheranordnung
DE2342923B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Zweiphasen-Ladungsverschiebeanordnung und nach diesem Verfahren hergestellte Zweiphasen-Ladungsverschiebeanordnung

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee