DE2822011B2 - Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung

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DE2822011B2 DE19782822011 DE2822011A DE2822011B2 DE 2822011 B2 DE2822011 B2 DE 2822011B2 DE 19782822011 DE19782822011 DE 19782822011 DE 2822011 A DE2822011 A DE 2822011A DE 2822011 B2 DE2822011 B2 DE 2822011B2
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Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 und ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruchs 5.
Eine Halbleiteranordnung der im Oberbegriff des Anspruchs 1 angegebenen Art ist aus der DE-OS
25 23 221 bekannt
Bei hochintegrierten Halbleiteranordnungen ist für die Schaltungselemente ein feines Schaltungsmuster erforderlich. Darüber hinaus müssen die Verdrahtung, insbesondere deren zur Zuführung elektrischer Energie zu den Schaltungselementen dienenden Teile einen hohen elektrischen Strom führen.
Wenn ein hoher Strom durch eine feine Verdrahtung fließt, tritt eine entsprechend hohe Stromdichte auf.
ίο Infolgedessen kann die Verdrahtung brechen, und zwar aufgrund einer Elektrowanderung und des erhöhten Spannungsabfalls, die sowohl durch den erhöhten Widerstand als auch die Selbstinduktivität der feinen Verdrahtung verursacht werden. Das Brechen der Verdrahtung kann vermieden werden, indem man die einzelnen Leiter der Verdrahtung in den Schaltungen breit und/oder dirk macht. Wenn die Leiter breit und dick gemacht werden, ist es jedoch unmöglich, eine Halbleiteranordnung mit hoher Schaltungspackungs-
2i> dichte zu erzeugen. Wenn die Verdrahtung dick gemacht wird aber nicht breit, ist es schwierig, ein feines Schaltungsmuster herzustellen, und zwar aufgrund der vergrößerten Höhe der Verdrahtung. Wenn die Dicke der Fotolackschicht im Vergleich zur Breite der
2) Metalleiter der Verdrahtung gemacht wird, ist es schwierig, ein feines Verdrahtungsmuster zu erzeugen.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Halbleiteranordnung verfügbar zu machen, bei der die Verdrahtung und die Schaltungselemente mit einem
«> feinen Muster hergestellt sind und bei' der die Metalleiter zur Zuführung elektrischer Energie zu den Schaltungselementen nicht brechen.
Die Lösung dieser Aufgabe besteht in einer Halbleitervorrichtung, wie sie im Anspruch 1 gekenn-
Γ) zeichnet und in den Ansprüchen 2 bis 4 vorteilhaft weitergebildet ist, sowie in einem Verfahren, wie es im Anspruch 5 gekennzeichnet ist.
Mit dieser Lösung wird zugleich der Spannungsabfall in der Verdrahtung verringert, so daß diese konstant
4(i einen großen Strom leiten kann; außerdem ergibt sich eine geringere Selbstinduktivität.
Die Verdrahtung der Halbleiteranordnung kam durch eine Maskenausrichtmethode geschaffen werden, wobei die Maskenausrichtung nichr mit sehr hoher
4r> Genauigkeit ausgeführt zu werden braucht.
Der Ausdruck Verdrahtung, wie er hier verwendet wird, bezeichnet kollektiv die Signalverdrahtung und die unten definierte Sammelleitungsschaltung und bezeichnet ferner eine Gruppe von Metalleitern zur Verbin-
r)0 dung der verschiedenen Elemente der Halbleiteranordnung miteinander, wobei die Metalleiter in Form einer Schicht auf einer Isolierschicht der Halbleiteranordnung niedergeschlagen sind. Der Ausdruck Metallschichtverdrahtung, wie er hier verwendet wird, bezeichnet eine
r>r) Gruppe von Verdrahtungen, in denen eine Isolierschicht, die zwischen den oberen und den unteren Metalleitern angeordnet ist, diese Metalleiter isoliert.
Der hier verwendete Ausdruck Signalverdrahtung bezeichnet die Verdrahtung zur Verbindung der
ho Schaltungselemente miteinander. Der hier verwendete Ausdruck Sammelleitungsschaltung bezeichnet eine Schaltung zum Heranführen von elektrischer Energie an die Schaltungselemente und besteht aus dem zusätzlichen Metalleiter und der Stromversorgungssammelleitung.
Das Verfahren umfaßt das Niederschlagen eines zusätzlichen Metalleiters derart, daß dieser mindestens überwiegend auf wenigstens einem wesentlichen Teil
wenigstens der Stromversorgungssammelleitung angeordnet ist Ein Aluminiummuster für die Signalverdrahtung und die Stromversorgungssammelleitung werden unter Verwendung einer foto'iiihografischen oder einer elektronenstrahllithografischen Methode hergestellt, und dann wird das freigelegte Aluminium mittels einer H3PO4-Lösung geätzt Eine Metallschicht wird zunächst in der Form niedergeschlagen, daß ?ie die Signalverdrahtung und die Stromversorgungssammelleitung gänzlich bedeckt, und wird dann auf wenigstens in einem wesentlichen Teil der Stromversorgungsleitung belassen. Vorzugsweise wird die zusätzliche Metalleitung gänzlich auf der Stromversorgungssammelleitung angeordnet
Für das Niederschlagen des Metalls, gewöhnlich r> Aluminium, wird eine Dampfniederschlagsmethode bei einer Temperatur von 30 bis 3000C unter einem Druck von ΙΟ-3 bis ΙΟ-5 Pascal verwendet. Das Aluminium wird auf der gesamten oberen Oberfläche der Halbleiteranordnung niedergeschlagen, die verschiede- .?< > ne Teile in Abhängigkeit vom vorausgehenden Herstellungsschritt aufweist Die erwähnte obere Oberfläche umfaßt die Signalverdrahtung, die Stromversorgungssammelleitung und die Isolierschicht. Diese Isolierschicht kann beispielsweise eine SiO2-Schicht und eine r> Phosphorsilikatglas-(PSG)schicht sein. Die Verdrahtung wird durch öffnungen in dieser Schicht mit den freigelegten Teilen der Schaltungselemente in Berührung gebracht
Vorzugsweise sind die zusätzlichen Metalleiter so schmaler als die jeweilige Stromversorgungssammelleitung. Die Breite der zusätzlichen Metalleiter sollte im Bereich von 50 bis 96% derjenigen der Stromversorgungssammelleitung liegen.
Vorzugsweise besitzen die Metalleiter der Signal- π verdrahtung und der Sammelleitungsschaltung folgende Abmessungen.
Jeder Metalleiter der Signalverdrahtung besitzt eine Breite von 1 bis 500 μηι, gewöhnlich bis zu 200 μηι, und eine Dicke von 0,5 bis 2 μΐη. Die Stromversorgungssammelleitung besitzt eine Breite von 1 bis 500 μΐη, gewöhnlich bis zu 200 μίτι, und eine Dicke von 0,5 bis 2 μπι. Die Breite der zusätzlichen Metalleiter der Sammelleitungsschaltung sollte im Bereich von 0,5 bis 480 μΐη liegen, gewöhnlich bis zu 180 μίτι, und deren -r> Dicke sollte im Bereich von 0,5 bis 2 μπι liegen. Ferner überschreitet die Dicke der zusätzlichen Metalleiter vorzugsweise nicht diejenige der Stromversorgungssammelleitung. Die obenerwähnte Breite von mehr als 200 μπι kann entsprechend der Auslegung der Halb- w leiteranordnung verwendet werden, insbesondere, wenn eine Halbleiteranordnung entworfen wird, die einen hohen Strom leiten muß. Bei dieser Anordnung ist es erforderlich, den elektrischen Strom gleichförmig zu jedem Bereich der Anordnung zu leiten und daher eine η breite Stromversorgungssammelleitung für jene Teile der Sammelleitung zu verwenden, welche zu deren Anschlußpunkten führen.
Das Material für die Metalleiter und die Stromversorgungssammelleitung kann Aluminium, Molybdän und w> polykristallines Silicium sein, ist jedoch vorzugsweise Aluminium.
Es ist möglich, nacheinander wenigstens zwei Metalleiter der Sammelleitungsschaltung in solcher Weise zu bilden, daß die Breite des oberen Metalleiters t>r> kleiner ist als die Breite des unteren Metalleiters. Diese aufeinanderfolgende Bildung der Metalleiter wäre vorteilhaft, um durch diese einen besonders hohen Strom zu leiten.
Ein bevorzugtes Verfahren, das nachfolgend als Abhebeverfahren bezeichnet wird, umfaßt folgende Schritte:
Es wird eine Maskierungsschicht auf der oberen Oberfläche der Signalverdrahtung und wenigstens einer Stromversorgungssammelleitung sowie auf Trägerteilen einer Isolierschicht welche den Halbleiter oder ein Substrat bedeckt und öffnungen zum Freilegen der Schaltungselemente besitzt niederschlagen;
in der Maskierschicht wird eine öffnung gebildet, um die Stromversorgungssammelleitung mit Ausnahme von deren beiden Seiten freizulegen;
das Metall des bzw. der zusätzlichen Metalleiter wird auf der Maskierschicht und dem freigelegten Teil der Stromversorgungssammelleitung mit einer Dicke niedergeschlagen, die geringer ist als die Dicke der Maskierschicht;
und die Maskierschicht wird zusammen mit dem auf ihr niedergeschlagenen Metall der zusätzlichen Metalleitung entfernt oder abgehoben.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsformen näher erläutert In den Zeichnungen zeigt
F i g. 1 eine Querschnittsansicht von den Metallteilen der Sammelleitungsschaltung einer Ausführungsform der Erfindung,
F i g. 2 eine Querschnittsansicht des zusätzlichen Metalleiters, der Stromversorgungssammeleitung der Sammelleitungsschaltung und eines Metalleiters der Signalverdrahtung einer anderen Ausführungsform der Erfindung,
Fig.3 eine vergrößerte Teildraufsicht auf eine Halbleiterspeicheranordnung,
F i g. 4 bis 5 einzelne Stufen bei der Herstellung eines Bauelements mit einer Verdrahtung, die einen zusätzlichen Metalleiter aufweist.
In F i g. 1 bestehen die Metallteile einer Sammelleitungsschaltung 10 zum Leiten eines hohen Stroms aus einer Stromversorgungssammelleitung 2 und einem zusätzlichen Metalleiter 3. Die Stromversorgungssammelleitung 2 besitzt im wesentlichen die gleiche Dicke wie ein (nicht gezeigter) Metalleiter der Signalverdrahtung. Die Metallteile der Sammelleitungsschaltung 10 können Metallteile einer einzigen Verdrahtungsschicht sein oder sie können Metallteile der oberen Verdrahtung einer Mehrschichtverdrahtung sein. Der zusätzliche Metalleiter 3 ist auf der Stromversorgungssammelleitung 2 niedergeschlagen. Er ist schmaler als die Stromversorgungssammelleitung. Daher ist es möglich, integriert niedergeschlagene zusätzliche Metalleiter zu erzeugen und auch die Querschnittsfläche der Sammelleitungsschaltung zu erhöhen. Folglich kann die Stromdichte durch Erhöhen der Querschnittsfläche der Sammelleitungsschaltung reduziert werden, und die Halbleiteranordnung kann hoch integriert sein und ein feines Schaltungsmuster aufweisen, obgleich die Querschnittsfläche der Sammelleitungsschaltung erhöht ist. Eine große Stromdichte sollte vermieden werden, da die Zuverlässigkeit der Halbleiteranordnung dadurch verschlechtert würde.
Da ein MOS-Transistor der Halbleiteranordnung eine Schwellenspannung V1/, besitzt, die sich auf nur etwa 0,8 Volt beläuft, kann der Wert der gegenelektromotorischen Kraft, die in einer herkömmlichen Stromversorgungssammelleitung einer Verdrahtung durch einen
impulsförmigen Strom erzeugt wird, den Wert von V1/, erreichen. Im vorliegenden Fall ist die elektromotorische Kraft der Sammelleitungsschaltung aufgrund der Doppelstruktur dieser Schaltung niedrig.
Es kann ein wesentlicher Teil des zusätzlichen Metalleiters 3 auf der Stromversorgungssammelleitung 2 niedergeschlagen werden, wie es in F i g. 2 gezeigt ist, was von der Genauigkeit der Maskenausrichtung abhängt. Der zusätzliche Metalleiter 3 kann deshalb an einer Stelle niedergeschlagen werden, die von einer vorbestimmten Stelle auf der Isolierschicht 1 verschieden ist. Der zusätzliche Metalleiter 3 kann jedoch von einen benachbarten Metalleiter 4 getrennt gehalten werden, da der zusätzliche Metalleiter 3 schmaler als die Stromversorgungssammelleitung 2 ist und da ferner der Abstand zwischen der Schaltung 10 und benachbarten Leitungen 4 gewöhnlich größer als die Breite der Metalleiter ist. Demgemäß ist es möglich, benachbarte Metalleiter dicht nebeneinander anzuordnen und damit eine hoch integrierte Halbleiteranordnung zu schaffen.
Ein Beispiel für eine Halbleiteranordnung, die mit der Signalverdrahtung und der Sammelleitungsschaltung gemäß vorliegender Erfindung versehen ist, wird in Verbindung mit F i g. 3 erläutert, die eine Draufsicht auf eine solche Anordnung zeigt
In F i g. 3 stellt der oben rechts befindliche Abschnitt, der durch strichpunktierte Linien A und B definiert und mit der Bezugsziffer 31 gekennzeichnet ist, einen Speicherzellenbereich einer MOS-Halbleiterspeichervorrichtung dar. In diesem Speicherzellenbereich ist eine Anzahl von Metalleitern enthalten. Jeder der Metalleiter im Speicherzellenbereich besteht aus einer einzigen Metallschicht und ist an Stellen, die in der Zeichnung durch schwarze Punkte dargestellt sind, je mit dem Gate einer (nicht dargestellten) MOS-Transistor-Speicherzelle verbunden. Die durch Pfeile mit Si, S2 und S3 gekennzeichneten breiten Linien stellen Stromversorgungssammelleitungen zum Führen eines hohen Stroms dar. Diese Stromversorgungssammelleitungen bestehen aus Doppelstruktur-Metalleitungen mit feinem Schaltungsmuster. Ein durch die Linie Si definierter linker Abschnitt 32 stellt den Fühlerverstärker dar und umfaßt die Signalverdrahtung des Fühlerverstärkers. Die Enden dieser Verdrahtung, die in Fig.3 durch Punkte gezeigt sind, sind mit der Verdrahtung der Speicherzellen 31 durch Metalleiter verbunden (die in Fig.3 nicht gezeigt sind, die jedoch unter der Stromversorgungssammelleitung Si angeordnet sind). Der Fühlerverstärker erfühlt und verstärkt die in der adressierten Speicherzelle gespeicherte Information. Der Abschnitt 33 zwischen den Linien Si und S2 stellt eine Treiberschaltung eines Dekodierers dar. Die Verdrahtung in diesem Treiberschaltungsabschnitt 33 führt unter sowohl der Stromversorgungssammelleitung Si als auch den im Speicherzellenbereich 31 gezeigten Metalleitungen durch. Die Verdrahtung im Treiberschaltungsabschnitt 33 ist mit den Drainzonen der (nicht gezeigten) MOS-Transistor-Speicherzellen im Speicherzellenbereich 31 verbunden. Der Abschnitt 34 unter der Stromversorgungssammelleitung Si stellt den Dekodierer dar. Die Verdrahtung des Dekodiererabschnitts führt unter der Stromversorgungssammelleitung Sz durch und ist an Stellen, die in der Zeichnung mit schwarzen Flecken dargestellt sind, mit der Verdrahtung des Treiberschaltungsabschnitts 33 verbunden. Die Verdrahtung des Dekodiererabschnitts 34 ist außerdem mit der Logikschaltung Von MOS-Transistoren, die in F i g. 3 nicht gezeigt, jedoch im Abschnitt 33 vorgesehen sind, verbunden. Der Dekodierer bezeichnet und wähl· eine Adresse der Speicherzellen. Der Abschnitt 35 kennzeichnet einen Teil der Verdrahtung einer Wortadressenschaltung. Die Linie Si stellt die Stromversor-ϊ gungssammelleitung zum Heranführen elektrische! Energie an die Signalschaltungen 31 bis 33, während die Linien Sb und Sj Massesammelleilungen darstellen. Die Signalschaltung kann Informationseingangs- und Informationsausgangsschaltungen, eine Pufferschaltung und
ι» eine Auffang- oder Halteschaltung (Laich-Schaltung] einer Speichervorrichtung sowie die Logikschaltung det integrierten Schaltung umfassen. Die Metalleiter dieser Schaltungen sind in einer einzigen Metallschicht enthalten.
Es wird nun das erfindungsgemäße Abhebeverfahrer in Verbindung mit den F i g. 4 bis 6 erläutert, die einen Verdrahtungsprozeß zeigen.
Eine Fotolackschicht 5 wird auf die auf einer SiOrSchicht 1 oder dergleichen niedergeschlagene Stromversorgungssammelleitung 2 aus Aluminium niedergeschlagen. In F i g. 2 ist zwar nur die Stromversorgungssammelleitung 2 der Schaltung zum Leiten des hohen Stroms gezeigt, die Aluminiumleiter der Signalverdrahtung werden aber ebenfalls durch die Fotolackschicht 5 bedeckt. Die Fotolackschicht wird vorzugsweise dick aufgetragen, beispielsweise mit einer Dicke vor 0,7 bis 5 μηι.
Die Maskierungsschicht, beispielsweise die Fotolackschicht 5 oder eine auf andere Strahlung, beispielsweise auf ein Elektronenstrahlenbündel, ansprechende Maskierungsschicht, wird zur Bildung einer öffnung 5A selektiv belichtet bzw. bestrahlt und entwickelt (F i g. 5) wodurch der mittlere Teil der oberen Oberfläche der Stromversorgungssammelleitung 2 mit Ausnahme vor deren beiden Peripherierändern freigelegt wird. Die Al-Schicht 6 (F i g. 6) wird aus der Dampfphase auf der gesamten Oberfläche der Fotolackschicht 5 und der durch das Fenster 5Ä freigelegten Stromversorgungssammelleitung 2 niedergeschlagen. Die Al-Schicht besitzt vorzugsweise eine Dicke im Bereich von 0,5 bis 2 μηι. Der auf der Stromversorgungssammelleitung 2 niedergeschlagene Teil der AI-Schicht 65 wird von dem auf der Fotolackschicht S niedergeschlagenen Teil der Al-Schicht 6/4 an den Enden dieser Schichten 6Λ und 6£ getrennt Die Fotolackschicht 5 wird von der SiO2-Schicht durch Quellen des Fotolacks abgeschält; daher wird der Teil 6/4 der Al-Schicht zusammen mit der Fotolackschicht 5 entfernt Der Teil 6ß der Al-Schicht bleibt auf der Stromversorgungssammelleitung 2 und
so kann als in integrierter Weise auf der Stromversorgungssammelleitung niedergeschlagene zusätzliche Metallschicht der Sammelleitungsschaltung verwendet werden. Da für das Niederschlagen des zusätzlichen Metalleiters SB auf der Stromversorgungssammelleitung 2 keine Ätzung angewendet wird, kann die Stromversorgungssammelleitung 2 nicht durch ein Ätzmittel korrodiert werden.
Beispiele der physikalischen und elektrischen Eigenschaften der Sammelleitungsschaltung werden nun anhand der F i g. 3 erläutert
Beispiel 1
(Kontrollbeispiel)
Die Verdrahtung des Speicherzellenbereichs 31 und der in Fig.3 gezeigten Abschnitte 32 bis 35 wurden durch Al-Leiter mit einer Dicke von 700 nm und einer Breite von 13 um erzeugt Ein Strom mit einem Mittelwert von /m/, von 0,25 A und einer zeitlichen
Änderung mit einem (d/Vdi/Wert von 108A/s konnte die Stromversorgungssammelleitung Si bis S3 passieren. Diese Stromversorgungssammelleitungen Si bis S3 wurden aus Aluminiumleitungen mit einer Dicke von 700 nm und einer Breite von 10 μΐη hergestellt. Die Selbstinduktivität L der Al-Leitungen betrug etwa 2,6 χ ΙΟ-9 H pro 5 mm der Al-Leitung. Die gegenelektromotorische Kraft der Verdrahtung Si bis S3 wurde entsprechend folgender Gleichung berechnet:
Ir=L ~- = 0.26 Volt
dr
Der Widerstand R der 5 mm langen Al-Leiter der Stromversorgungssammelleitungen Si bis S3 betrug etwa 0,2 Ohm, und der Spannungsabfall IR war daher 50 mV. Die Stromdichte /in den Stromversorgungssammelleitungen Si bis S3 war 3,5 χ 106 A/cm2, wenn durch die Stromversorgungssammelleitungen ein Strom von 0,5 A floß.
Beispiel 2
(Erfindung)
Die Stromversorgungssammelleitungen Si bis S3 bestanden aus den folgenden Al-Leitungen in zwei Schichten.
Erste Schicht:
Breite: 10 μιτί;
Dicke: 1 μιτί;
Widerstand: 0,27 Ohm (pro 1 cm der ersten Schicht); Selbstinduktivität: 5,2 χ 10~9 H.
Zweite Schicht:
Breite: 6 μηι;
Dicke: 1 μπί;
Widerstand: 0,45 Ohm (pro 1 cm der zweiten
Schicht);
Selbstinduktivität: 5,6 χ 10"9 H.
Die zweite Schicht wurde gänzlich auf der ersten Schicht angeordnet.
Der Gesamtwiderstand /?f der ersten und der zweiten Schicht wurde berechnet unter Verwendung der folgenden Gleichung:
Ri =
0,27 χ 0,45
0,27 +0.45
= 0,17 Ohm
Die Gesamtinduktivität Lider ersten und der zweiten Schicht wurde veranschlagt auf:
Li = 4,5 χ 10 9(H).
Aus obigem Beispiel sieht man, daß die vorliegende Erfindung äußerst wirksam ist zur Erzeugung einer Verdrahtung, durch die konstant ein großer Strom
geleitet werden muß oder in der eine große Änderung des sie passierenden Stroms auftritt. Dies liegt daran, daß sowohl der Widerstand (R) als auch die Induktivität
3d (L) sowie die Stromdichte durch die Vergrößerung der Querschnittsfläche der Verdrahtung herabgesetzt sind.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:
1. Halbleiteranordnung mit einem Halbleitersubstrat, das auf Teilen seiner einen Oberfläche Schaltungselemente aufweist, mit einer die Oberfläche bedeckenden Isolierschicht, die öffnungen zum Freilegen eines Teils der Schaltungselemente aufweist, und mit einer auf der Isolierschicht gebildeten Verdrahtung, die eine Signalverdrahtung zur Verbindung der Schaltungselemente miteinander und wenigstens eine Stromversorgungssammelleitung zum Heranführen elektrischer Energie an die Schaltungselemente aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens ein zusätzlicher Metalleiter (3; 6B) überwiegend auf der Stromversorgungssammelleitung (2; Jl, 52, 53) liegend vorgesehen ist
2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zusätzliche Metallener (3; 6B) schmaler als die Stromversorgungssammelleitung (2) ist
3. Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der zusätzliche Metalleiter (3; 6B) ganz auf der Stromversorgungssammelleitung (2) angeordnet ist
4. Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Metalleiter der Signalverdrahtung (4) eine Breite von 1 bis 500 μΐη und eine Dicke von 0,5 bis 2 μπι aufweist, daß die Stromversorgungssammelleitung (2, 51, 52,53) eine Breite von 1 bis 500 μπι und eine Dicke von 0,2 bis 2 μπι aufweist und daß der zusätzliche Metalleiter eine Breite von 0,5 bis 480 μπι und eine Dicke von 0,5 bis 2 μπι besitzt.
5. Verfahren zum Herstellen einer Verdrahtung für eine Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem eine Signalverdrahtung zur Verbindung von Schaltungselementen der Halbleiteranordnung untereinander u.id wenigstens eine Stromversorgungssammelleitung zum Heranführen elektrischer Energie an die Schaltungselemente hergestellt werden, dadurch gekennzeichnet, daß eine Maskierschicht aus Fotolack (5) auf die obere Oberfläche der Signalverdrahtung (4) und auf die wenigstens eine Stromversorgungssammelleitung (2) sowie auf einen Träger (1) für die Signalverdrahtung und die Stromversorgungssammelleitung aufgebracht wird; daß in der Maskierschicht (5) eine öffnung (5A) gebildet wird, um die Stromversorgungssammelleitung mit Ausnahme von deren beiden Enden freizulegen; daß eine Metallschicht (6) auf der Maskierschicht (5) und auf dem freigelegten Teil der Stromversorgungssammelleitung (2) niedergeschlagen wird, deren Dicke geringer als die der Maskierschicht ist; und daß die Maskierschicht (5) zusammen mit dem auf ihr niedergeschlagenen Teil der Metallschicht (6A) entfernt wird.
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