DE2822011C3 - Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

Description

Genauigkeit ausgeführt zu werden braucht

Der Ausdruck Verdrahtung, wie er hier verwendet wird, bezeichnet kollektiv die Signalverdrahtung und die unten definierte Sammelleitungsschaltung und bezeichnet ferner eine Gruppe von Metalleitern zur Verbindung der verschiedenen Elemente der Halbleiteranordnung miteinander, wobei die Meialleiter in Form einer Schicht auf einer Isolierschicht der Halbleiteranordnung niedergeschlagen sind. Der Ausdruck Metallschichtverdrahtung, wie er hier verwendet wird, bezeichnet eine Gruppe von Verdrahtungen, in denen eine Isolierschicht, die zwischen den oberen und den unteren Metalleitern angeordnet ist, diese Metalleiter isoliert

Der hier verwendete Ausdruck Signalverdrahtung bezeichnet die Verdrahtung zur Verbindung der Schaltungselemente miteinander. Der hier verwendete Ausdruck Sammelleitungsschaltung bezeichnet eine Schaltung zum Heranführen von elektrischer Energie an die Schaltungselemente und besteht aus dem zusätzlichen Metalleiter und der Stromversorgungssammelleitung.

Das Verfahren umfaßt das Niederschlagen eines zusätzlichen Metalleiters derart, daß dieser mindestens überwiegend auf wenigstens einem wesentlichen Teil wenigstens der Stromversorgungssammelleitung angeordnet ist Ein Aluminiummuster für die Signalverdrahtung und die Stromversorgungssammelleitung werden unter Verwendung einer fotolithografischen oder einer elektronenstrahllithografischen Methode hergestellt, und dann wird das freigelegte Aluminium mittels einer HjPQt-Lösung geätzt. Eine Metallschicht wird zunächst in der Form niedergeschlagen, daß sie die Signalverdrahtung und die Stromversorgungssammelleitung gänzlich bedeckt und wird dann auf wenigstens einem wesentlichen Teil der Stromversorgungsleitung belassen. Vorzugsweise wird die zusätzliche Metaüeitung gänzlich auf der Stromversorgungssammelleitung angeordnet.

Für das Niederschlagen des Metalls, gewöhnlich Aluminium, wird eine Dampfniederschlagsmethode bei einer Temperatur von 30 bis 300° C unter einem Druck von 10-³ bis 10~⁵ Pascal verwendet. Das Aluminium wird auf der gesamten oberen Oberfläche der Halbleiteranordnung niedergeschlagen, die verschiedene Teile in Abhängigkeit vom vorausgehenden Herstellungsschritt aufweist. Die erwähnte ocere Oberfläche umfaßt die Signalverdrahtung, die Stromversorgungssammelleitung und d;2 Isolierschicht. Diese Isolierschicht kann beispielsweise eine S1O2-Schicht und eine Phosphorsilikatglas-(PSG)schicht sein. Die Verdrahtung wird durch Öffnungen in dieser Schicht mit den freigelegten Teilen der Schaltungselemente in Berührung gebracht.

Vorzugsweise sind die zusätzlichen Metalleiter schmaler als die jeweilige Stromversorgungssammelleitung. Die Breite der zusätzlichen Metalleiter sollte im Bereich von 50 bis 96% derjenigen der Stromversorgungssammelleitung liegen.

Vorzugsweise besitzen die Metalleiter der Signalverdrahtung und der Sammelleitungsschaltung folgende Abmessungen.

Jeder Metalleiter der Signalverdrahtung besitzt eine Breite von 1 bis 500 &mgr;&pgr;&igr;, gewöhnlich bis zu 200 &mgr;&iacgr;&tgr;&igr;, und eine Dicke von 0,5 bis 2 &mgr;&pgr;&igr;. Die Stromversorgungssammelleitung besitzt eine Breite von 1 bis 500 &mgr;&pgr;&igr;, gewöhnlich bis zu 200 &mgr;&pgr;&igr;, und eine Dicke von 0,5 bis 2 &mgr;&pgr;&igr;. Die Breite der zusätzlichen Metalleiter der Sammelleitungsschaltung sollte im Bereich von 0,5 bis

480 &mgr;&pgr;&igr; liegen, gewöhnlich bis zu 180 &mgr;&pgr;&igr;. und deren Dicke sollte im Bereich von 0,5 bis 2 &mgr;&pgr;&igr; liegen. Ferner überschreitet die Dicke der zusätzlichen Metalleiter vorzugsweise nicht diejenige der Stromversorgungs-Sammelleitung. Die obenerwähnte Breite von mehr als 200 &mgr;&pgr;&igr; kann entsprechend der Auslegung der Halbleiteranordnung verwendet werden, insbesondere, wenn eine Halbleiteranordnung entworfen wird, die einen hohen Strom leiten muß. Bei dieser Anordnung ist es

&iacgr;&ogr; erforderlich, den elektrischen Strom gleichförmig zu jedem Bereich der Anordnung zu leiten und daher eine breite Stromversorgungssammelleitung für jene Teile der Sammelleitung zu verwenden, welche zu deren Anschlußpunkten führen.

Das Material für die Metalleiter und die Stromversorgungssammelleitung kann Aluminium, Molybdän und polykristallines Silicium sein, ist jedoch verzugsweise Aluminium.
Es ist möglich, nacheinander wenigstens zwei Metaileiter der Sainmelleitungsscha'vng in solcher Weise zu bilden, daß die Breite des oberen Metalleiiers kleiner ist als die Breite des unteren Metalleiters. Diese aufeinanderfolgende Bildung der Metalleiter wäre vorteilhaft, um durch diese einen besonders hohen Strom zu -eiten.

Ein bevorzugtes Verfahren, das nachfolgend als Abhebeverfahren bezeichnet wird, umfaßt folgende Schritte:

Es wird eine Maskierungsschicht auf der oberen Oberfläche der Signalverdrahtung und wenigstens einer Stromversorgungssammelleitung sowie auf Trägerteilen einer Isolierschicht, welche den Halbleiter oder ein Substrat bedeckt und Öffnungen zum Freilegen der Schaltungselemente besitzt, niederschlagen;

in der Maskierschicht wird eine Öffnung gebildet, um die Stromversorgungssammelleitung mit Ausnahme von deren beiden Seiten freizulegen;
das Metall des bzw. der zusätzlichen Metalleiter wird auf der Maskierschicht und dem freigelegten Teil der Stromversorgungssammelleitung mit einer Dicke niedergeschlagen, die geringer ist als die Dicke der Maskierschicht;

und die Maskierschicht wird zusammen mit dem auf ihr niedergeschlagenen Metall der zusätzlichen Metalleitung entfernt oder abgehoben.

Im folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsformen näher erläutert In den Zeichnungen zeigt

F i g. 1 eine Querschnittsansicht von den Metallteilen der Sammelleitungsschaltung einer Ausführungsform der ErHndung,

F i g. 2 eine Querschnittsansicht des zusätzlichen Metalleiters, der S'romversorgungssamme'citung der Sammelleitungsschaltung und eines Mctalleiters der Signalverdrahtunc einer anderen Ausführungsform der Erfindung,

Fig. 3 eine vergrößerte Teildraufsicht auf eine Halbleiterspeicheranordnung,

F i g. 4 bis 5 einzelne Stufen bei der Herstellung eines Bauelements mit einer Verdrahtung, die einen zusätzlichen Metalleiter aufweist.

In Fig. 1 bestehen die Metallteile einer Sammelleitungsschaltung 10 zurii Leiten eines hohen Stroms aus einer Stromversorgungssammelleitung 2 und einem zusätzlichen Metalleiter 3. Die Stromversorgungssammelleitung 2 besitzt im wesentlichen die gleiche Dicke

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wie ein (nicht gezeigter) Metalleiter der Signalverdrahtung. Die Metallteile der Sammelleitungsschaltung 10 können Metallteile einer einzigen Verdrahtuingsschicht sein oder sie können Metallteile der oberen Verdrahtung einer Mehrschichtverdrahtung sein. Der zusätzliche Metalleiter 3 ist auf der Stromversorgungssamm'elleitung 2 niedergeschlagen. Er ist schmaler als die Stromversorgungssammelleitung. Daher ist es möglich, integriert niedergeschlagene zusätzliche Metalleiter zu erzeugen und auch die Querschnittsfläche der Sammelleitung'sschaltung zu erhöhen. Folglich kann die Stromdichte durch Erhöhen der Querschnittsfläche der Sammelleitungsschaltung reduziert werden, und die Halbleiteranordnung kann hoch integriert sein und ein feines Schaltungsmuster aufweisen, obgleich die Querschnittsfläche der Sammelleitungsschaltung erhöht ist. Eine große Stromdichte sollte vermieden werden, da die Zuverlässigkeit der Halbleiteranordnung dadurch verschlechtert würde.

Da ein MOS-Transistor der Halbleiteranordnung eine Schwellenspannung V,a besitzt, die sich auf nur etwa 0,8 Volt beläuft, kann der Wert der gegenelektromotorischen Kraft, die in einer herkömmlichen Stromversorgungssammelleitung einer Verdrahtung durch einen impulsförmigen Strom erzeugt wird, den Wert von V₁/, erreichen. Im vorliegenden Fall ist die elektromotorische Kraft der Sammelleitungsschaltung aufgrund der Doppelstruktur dieser Schaltung niedrig.

Es kann ein wesentlicher Teil des zusätzlichen Metalleiters 3 auf der Stromversorgungssammelleitung 2 niedergeschlagen werden, wie es in F i g. 2 gezeigt ist, was von der Genauigkeit der Maskenausrichtung abhängt Der zusätzliche Metalleiter 3 kann deshalb an einer Stelle niedergeschlagen werden, die von einer vorbestimmten Stelle auf der Isolierschicht I verschieden ist. Der zusätzliche Metalleiter 3 kann-jedoch von einen benachbarten Metaücitcr 4 getrennt gehalten werden, da der zusätzliche Metalleiter 3 schmaler als die Stromversorgungssammelleitung 2 ist und da ferner der Abstand zwischen der Schaltung 10 und benachbarten Leitungen 4 gewöhnlich größer als die !Breite der Metaüeiter ist. Demgemäß ist es möglich, benachbarte Metalleiter dicht nebeneinander anzuordnen und damit eine hoch integrierte Halbleiteranordnung zu schaffen.

Ein Beispiel für eine Halbleiteranordnung, die mit der Signalverdrahtung und der Sammelleitungsschaltung gemäß vorliegender Erfindung versehen ist, wird in Verbindung mit F i g. 3 erläutert, die eine Draufsicht auf eine solche Anordnung zeigt

In F i g. 3 stellt der oben rechts befindliche Abschnitt der durch strichpunktierte Linien A und B definiert und mit der Bezugsziffer 31 gekennzeichnet ist, einen Speicherzellenbereich einer MOS-Halbleiterspeichervorrichtung dar. In diesem Speicherzellenbereich ist eine Anzahl von Metalleitern enthalten. Jeder der Metalleiter im Speicherzellenbereich besteht aus einer einzigen Metallschicht und ist an Stellen, die in der Zeichnung durch schwarze Punkte dargestellt sind, je mit dem Gate einer (nicht dargestellten) MOS-Transistor-Speicherzelle verbunden. Die durch Pfeile mit Si, S2 und 5s gekennzeichneten breiten Linien stellen Stromversorgungssammelleitungen zum Führen eines hohen Stroms dar. Diese Stromversorgungssammelleitüngen bestehen aus Doppelstruktur-Metalleitungen mit feinem Schaltungsmuster. Ein durch die Linie Si definierter linker Abschnitt 32 stellt den Fühlerverstärker dar und umfaßt die Signalverdrahtung des Fühlerverstärkers. Die Enden dieser Verdrahtung, die in Fig.3 durch Punkte gezeigt sind, sind mit der Verdrahtung der Speicherzellen 31 durch Metalleiter verbunden.(die in F i g. 3 nicht gezeigt sind, die jedoch unter der Stromversorgungssammelleitung Si angeordnet sind). Der Fühlerverstärker erfühlt und verstärkt die in der adressierten Speicherzelle gespeicherte Information. Der Abschnitt 33 zwischen den Linien Si und Sj stellt eine Treiberschaltung eines Dekodierers dar. Die Verdrahtung in diesem Treiberschaltungsabschnitt 33 führt unter sowohl der Stromversorgungssammelleitung Si als auch den im Speicherzellenbereich 31 gezeigten Metalleitungen durch. Die Verdrahtung im Treiberschaltungsabschnitt 33 ist mit den Drainzonen der (nicht gezeigten) MOS-Transistor-Speicherzellen im Speicherzellenbereich 31 verbunden. Der Abschnitt 34 unter der Stromversorgungssammelleitung Si stellt den Dekodierer dar. Die Verdrahtung des Dekodiererabschnitts führt unter der Stromversorgungssammelleiiuiig JZ UUiUIi Uhu &idiagr;3&idiagr; an otciicr·, u!c ',&lgr; der Z.c;c.."urg ™;t schwarzen Flecken dargestellt sind, mit dfcr Verdrahtung des Treiberschaltungsabschnitts 33 verbunden. Die Verdrahtung des Dekodiererabschnitts 34 ist außerdem mit der Logikschaltung von MOS-Transistoren, die in F i g. 3 nicht gezeigt, jedoch im Abschnitt 33 vorgesehen sind, verbunden. Der Dekodierer bezeichnet und wählt eine Adresse der Speicherzellen. Der Abschnitt 35 kennzeichnet einen Teil der Verdrahtung einer Wortadressen„chaltung. Die Linie Si stellt die Stromversorgungssammelleitung zum Heranführen elektrischer

in Energie an die Signalschaltungen 31 bis 33, während die Linien S? und S3 Mansesammelleiuingen darstellen. Die Signalschaltung kann lnformationsieingangs- und Informationsausgangsschaltungen, eine Pufferschaltung und eine Auffang- oder Halteschaltung (Latch-Schaltung)

)5 einer Speichervorrichtung sowie die Logikschaltung der integrierten Schaltung umfassen. Die Metalleiter dieser Schaltungen sind in einer einzigen Metallschicht enthalten.

Es wird nun das erfindungsgemäße Abhebeverfahren in Verbindung mit den Fig.4 bis 6 erläutert, die einen Verdrahtungsprozeß zeigen.

Eine Fotolackschicht 5 wird auf die auf einer SiOz-Schicht 1 oder dergleichen niedergeschlagene Stromversorgungssammelleitung 2 aus Aluminium niedergeschlagen. In F i g. 2 ist zwar nur die Stromversorgungssammelleitung 2 der Schaltung zum Leiten des hohen Stroms gezeigt, die Aluminiumleiter der Signalverdrahtung werden aber ebenfalls durch die Fotolackschicht 5 bedeckt Die Fotolackschicht wird vorzugsweise dick aufgetragen, beispielsweise mit einer Dicke von 0,7 bis 5 &mgr;&pgr;&igr;.

Die Maskierungsschicht, beispielsweise die Fotolackschicht 5 oder eine auf andere Strahlung, beispielsweise auf ein Elektronenstrahlenbündel, ansprechende Maskierungsschicht wird zur Bildung einer Öffnung 5A selektiv belichtet bzw. bestrahlt und entwickelt (F i g. 5). wodurch der mittlere Teil der oberen Oberfläche der Stromversorgungssammelleitung 2 mit Ausnahme von deren beiden Peripherierändern freigelegt wird. Die Al-Schicht 6 (F i g. 6) wird aus der Dampfphase auf der gesamten Oberfläche der Fotolackschicht 5 und der durch das Fenster 5Ä freigelegten Stromversorgungssammelleitung 2 niedergeschlagen. Die Al-Schicht besitzt vorzugsweise eine Dicke im Bereich von 0,5 bis 2 &mgr;&tgr;&eegr;. Der auf der Stromversorgungssammelleitung 2 niedergeschlagene Teii der Al-Schicht SB wird von dem auf der Fotolackschicht 5 niedergeschlagenen Teil der Al-Schicht 6&Lgr; an den Enden dieser Schichten 6&Lgr; und 65

getrennt Die Fotolackschicht 5 wird von der SiOj-Schicht durch Quellen des Fotolacks abgeschält; daher wird der Teil SA der Al-Schicht zusammen mit der Fotolackschicht 5 entfernt. -Der Teil 6£' der Al-Schicht bleibt auf der Stromversorgungssammelleitung 2 und kann als in integrierter Weise auf der StromversorgungssTnmelleitung niedergeschlagene zusätzliche Metallschicht der Sammelleitungsschaltung verwendet werden. Da für das Niederschlagen des zusätzlichen Metalleiters BB auf der Stromversorgungssammelleitung 2 keine Ätzung angewendet wird, kann die Stromversorgungssammelleitung 2 nicht durch ein Ätzmittel korrodiert werden.

Beispiele der physikalischen und elektrischen Eigenschaften der Sammelleitungsschaltuni; werden nun anhand der F i g. 3 erläutert.

folgenden Gleichung:

I r =

= 0.26 Voll

Der Widerstand R der 5 mm langer Al-Leiter der Stromversorgungssammelleitungen S\ bis Sj betrug etwa 0,2 Ohm, und der Spannungsabfall IR war daher 50 mV. Die Stromdichte /in den Stromversorgungssammelleitungen Si bis S] war 3,5 &khgr; 10⁶ A/cm-, wenn durch die Stromverüorgungssammelleitungen ein Strom von 0.5 A floß.

?o

(Kontrollbeispiel)

Die Verdrahtung des Speicherzellenbereichs 31 und der in Fig. 3 gezeigten Abschnitte 32 bis 35 wurden durch Al-Leiler mil einer Dicke von 700 nm und einer Breite von 1,5 &mgr;&Ggr;&Pgr; erzeugt. Ein Strom mit einem Mittelwert von /_m/, von 0,25 A und einer zeitlichen Änderung mit einem (dz/df^Wert von 10^äA/s konnte die Stromversorgungssammelleitung Si bis Sj passieren. Diese Stromversorgungssammelleitungen Si bis Sj wurden aus Aluminiumleitungen mit einer Dicke von 700 nm und einer Breite von 10 &mgr;&iacgr;&tgr;&igr; hergestellt. Die jn Selbsiinduktivität L der Al-Leitungen betrug etwa 2,6 &khgr; 10-⁹ H pro 5 mm der Al-Leitung. Die gegeneiektromotorische Kraft der Verdrahtung S₁ bis S3 wurde entsprechend folgender Gleichung berechnet:

Die Gesamtinduktivilät Ltder ersten und der zweiten Schicht wurde veranschlagt auf:

U = 4.5 &khgr; H)"" IH) .

Aus obigem Beispiel sieht man, daß die vorliegende Erfindung äußerst wirksam ist zur Erzeugung einer Verdrahtung, durch die konstant ein großer Strom geleitet werden muß oder in der eine große Änderung des sie passierenden Stroms auftritt. Dies liegt daran, daß sowohl der Widerstand (R)ah auch die Induktivität (L) sowie die Stromdichte durch die Vergrößerung der Querschnittsfiäche der Verdrahtung herabgesetzt sind.

35

45

B e i s &rgr; i e ! 2
(Erfindung)

Die Stromversorgungssammelleitungen Si bis S3 bestanden aus den folgenden Al-Leitungen in zwei Schichten.

Erste Schicht:

Breite: &Igr;&Ogr;&mgr;&pgr;&igr;;

Dicke: 1 um;

Widerstand: 0,27 Ohm (pro 1 cm der ersten Schicht):

Seibstinduktivität:5,2 x &iacgr;&thgr;~⁹ H.

Zweite Schicht:

Breite: 6 [am;

Dicke: 1 |im;

Widerstand: 0,45 Ohm (pro 1 cm der zweiten

Schicht);

Selbstinduktivität:5,6 &khgr; 10~⁹ &EEgr;.

Die zweite Schicht wurde gänzlich auf der ersten Schicht angeordnet

Der Gesamtwiderstand Rtder ersten und der zweiten Schicht wurde berechnet unter Verwendung der

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65 Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:

1. Halbleiteranordnung mit einem Halbleitersubstrat, das auf Teilen seiner einen Oberfläche Schaltungselemente aufweist, mit einer die Oberfläche bedeckenden Isolierschicht, die Öffnungen zum Freilegen eines Teils der Schaltungselemente aufweist, und mit einer auf der Isolierschicht gebildeten Verdrahtung, die eine Signal verdrahtung zur Verbindung der Schaltungselemente miteinander und wenigstens eine Stromversorgungssammelleitung zum Heranführen elektrischer Energie an die Schaltungselemente aufweist, die in dem Halbleitersubstrat an dessen Oberflächenseite ausgebildet sind, dadurch gekennzeichnet, daß nur auf der Stromversorgungssammelleitung (2; 51, 52, 53) mindestens ein zusätzlicher Metalleiter (3; 6B) vorgesehen ist der überwiegend auf der Stromversorgungssammcüeitung liegt.

2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zusätzliche Metalleiter (3; 6B) schmaler als die Stromversorgungssammelleitung (2) ist.

3. Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der zusätzliche Metalleiter (3; 6B) ganz auf der Stromversorgungssammelleitung (2) angeordnet ist.

4. Halbleiteranordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Metalle.cer der Signalverdrahtung (4) eine Breite von 1 bis 500 &mgr;&idiagr;&Egr; und efc".e Dicke von 0,5 bis 2 &mgr;&idiagr;&eegr; aufweist, daß die Stnnmversorgungssammelieitung (2,51,52,53) eine Breite ve■-. 1 bis 500 &mgr;&pgr;&igr; und eine Dicke von 0,2 bis 2 &mgr;&idiagr;&eegr; aufweist und daß der zusälziiche Meiaileiter eine Breite von 0,5 bis 480 &mgr;&idiagr;&eegr; und eine Dicke von 0,5 bis 2 &mgr;&idiagr;&eegr; besitzt.

5. Verfahren zum Herstellen einer Verdrahtung für eine Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die Signalverdrahtung zur Verbindung von Schaltungselementen der Halbleiteranordnung untereinander und die Stromversorgungssammelleitung zum Heranführen elektrischer Energie an die Schaltungselemente hergestellt werden, dadurch gekennzeichnet, daß eine Maskierschicht aus Fotolack (5) auf die obere Oberfläche der Signalverdrahtung (4) und auf die mindestens eine Stromversorgungssammelleitung (2) sowie auf einen Träger (1) für die Signalverdrahtung und die Stromversorgungssammelleitung aufgebracht wird; daß in der Maskierschicht (5) eine Öffnung (5/1) gebildet wird, um die Stromversorgungssammelleitung mit Ausnahme von deren beiden Enden freizulegen; daß eine Metallschicht (6) auf der Maskierschicht (5) und auf dem freigelegten Teil der Stromversorgungssammelleitung (2) niedergeschlagen wird, deren Dicke geringer als die der Maskierschicht ist; und daß die Maskierschicht (5) zusammen mit dem auf ihr niedergeschlagenen Teil der Metallschicht (6A) entfernt wird.

Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 und ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruchs 5.

Eine Halbleiteranordnung der im Oberbegriff des Anspruchs 1 angegebenen Art ist aus der DE-OS

25 23 221 bekannt

Bei hochintegrierten Halbleiteranordnungen ist für die Schaltungselemente ein feines Schaltungsmuster erforderlich. Darüber hinaus müssen die Verdrahtung, insbesondere deren zur Zuführung elektrischer Energie zu den Schaitungselementen dienenden Teile einen hohen elektrischen Strom führen.

Wenn ein hoher Strom durch eine feine Verdrahtung fließt, tritt eine enisprechend hohe Stromdichte auf. Infolgedessen kann die Verdrahtung brechen, und zwar aufgrund einer Elektrowanderung und des erhöhten Spannungsabfalls, die sowohl durch den erhöhten Widerstand als auch die Selbstinduktivität der feinen Verdrahtung verursacht werden. Das Brechen der \erdrahtung kann vermieden werden, indem man die einzelnen Leiter der Verdrahtung in den Schaltungen breit und/oder dick macht Wenn die Leiter breit und diele gemacht werden, ist es jedoch unmöglich, eine Halbleiteranordnung mit hoher Schaltungspackungsdichte zu erzeugen. Wenn die Verdrahtung dick gemacht wird aber nicht breit, isi es schwierig, ein feines Schaltungsmuster herzustellen, und zwar aufgrund der vergrößerten Höhe der Verdrahtung. Wenn die Dicke der Fololackschicht im Vergleich zur Breite der Metalleiter der Verdrahtung gemacht wird, ist es schwierig, ein feines Verdrahtungsmuster 2u erzeugen.

Es ist daher Aufgabeder vorliegenden Erfindung, eine Halbleiteranordnung verfügbar zu machen, bei der die Verdrahtung und die Schaltungselemente mit einem feinen Muster hergestellt sind und bei der die Metalleiter zur Zuführung elektrischer Energie zu den Schaltungselementen nicht brechen.

Die Lösung dieser Aufgabe besteht in einer Halbleitervorrichtung, wie sie im Anspruch 1 gekennzeichnet und in den Ansprüchen 2 bis 4 vorteilhaft weitergebildet ist, sowie in einem Verfahren, wie es im Anspruch 5 gekennzeichnet ist.

Mit dieser Lösung wird zugleich der Spannungsabfall in der Verdrahtung verringert, so (kß diese konstant einen großen Strom leiten kann; außerdem ergibt sich eine geringere Selbstinduktivität.

Aus der DE-AS 17 90 025 ist zwar bekannt, galvanisch verstärkte Mikrostrukturen herzustellen, indem auf eine dünne Metallschicht auf einem Isolierstoffsubstrat eine dickere Metallschicht aufgebracht wird, jedoch konnte dieser Maßnahme keine Anregung in Richtung der Erfindung entnommen werden; denn im Gegensatz zu der gattungsgemäßen Halbleiteranordnung bezieht sich die genannte Druckschrift auf eine Anordnung, bei der das Substrat ein Isolierstoff, nicht ein Halbleitermaterial ist, in dem Bauelemente ausgebildet sein können. Die dünne, zwischen dem eigentlichen galvanischen Leiter und dem aus Isolierstoff bestehenden Substrat angeordnete Metallschicht dient als Verbindungsschicht zwischen dem Isolierstoff und der eigentlichen Leiterbahn. Speziell geht es bei der bekannten Anordnung um die Herstellung verstärkter Leiterteile, sogenannter Kontaktpilze, für das »flipchip-bonding« oder »face-down-bonding«. Während bei der bekannten Anordnung die dicke Leitungsschicht für die gesamte Oberfläche vorgesehen ist, wird bei der erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung lediglich selektiv ein bestimmter Bereich, nämlich die Stromversorgungssammelleitung, mit einer zusätzlichen Metalleitung versehen.

Die Verdrahtung der Halbleiteranordnung kann durch eine Maskenausrichtmethode geschaffen werden, wobei die Maskenausrichtung nicht mit sehr hoher