DE2656963A1 - Halbleiterelement mit schutzueberzug - Google Patents
Halbleiterelement mit schutzueberzugInfo
- Publication number
- DE2656963A1 DE2656963A1 DE19762656963 DE2656963A DE2656963A1 DE 2656963 A1 DE2656963 A1 DE 2656963A1 DE 19762656963 DE19762656963 DE 19762656963 DE 2656963 A DE2656963 A DE 2656963A DE 2656963 A1 DE2656963 A1 DE 2656963A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor
- protective layer
- semiconductor element
- element according
- polyimide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/102—Constructional design considerations for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/102—Constructional design considerations for preventing surface leakage or controlling electric field concentration
- H10D62/103—Constructional design considerations for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse-biased devices
- H10D62/104—Constructional design considerations for preventing surface leakage or controlling electric field concentration for increasing or controlling the breakdown voltage of reverse-biased devices having particular shapes of the bodies at or near reverse-biased junctions, e.g. having bevels or moats
-
- H10W74/131—
-
- H10W74/137—
-
- H10W74/476—
-
- H10W72/01515—
-
- H10W72/075—
-
- H10W74/00—
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US64217175A | 1975-12-18 | 1975-12-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2656963A1 true DE2656963A1 (de) | 1977-06-30 |
Family
ID=24575493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19762656963 Withdrawn DE2656963A1 (de) | 1975-12-18 | 1976-12-16 | Halbleiterelement mit schutzueberzug |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5276878A (enExample) |
| DE (1) | DE2656963A1 (enExample) |
| FR (1) | FR2335960A1 (enExample) |
| GB (1) | GB1563421A (enExample) |
| NL (1) | NL7613944A (enExample) |
| SE (1) | SE419809B (enExample) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102019105727A1 (de) * | 2019-03-07 | 2020-09-10 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Thyristor oder Diode |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5474677A (en) * | 1977-11-28 | 1979-06-14 | Hitachi Ltd | Surface stabilizing method of semiconcuctor element using polyimide silicone |
| JPS56130947A (en) * | 1980-03-17 | 1981-10-14 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS60137Y2 (ja) * | 1980-05-20 | 1985-01-05 | 九州日立マクセル株式会社 | 電動式噴霧器 |
| GB2126786B (en) * | 1982-09-04 | 1986-04-03 | Emi Ltd | Ion sensitive field effect transistor encapsulation |
| KR950011927B1 (ko) * | 1989-12-07 | 1995-10-12 | 가부시끼가이샤 도시바 | 감광성 조성물 및 수지봉지형 반도체장치 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3325450A (en) * | 1965-05-12 | 1967-06-13 | Gen Electric | Polysiloxaneimides and their production |
| DE1614703A1 (de) * | 1967-12-29 | 1970-05-27 | Siemens Ag | Verwendung eines zinkfreien Mischkondensats eines Polysiloxanharzes und eines Terephthalsaeureesters als Schutzlack auf der Oberflaeche des Halbleiterkoerpers eines Halbleiterbauelementes |
| US3598784A (en) * | 1970-03-11 | 1971-08-10 | Gen Electric | Polysiloxane amides |
| US3610870A (en) * | 1968-03-13 | 1971-10-05 | Hitachi Ltd | Method for sealing a semiconductor element |
| US3615913A (en) * | 1968-11-08 | 1971-10-26 | Westinghouse Electric Corp | Polyimide and polyamide-polyimide as a semiconductor surface passivator and protectant coating |
| US3628106A (en) * | 1969-05-05 | 1971-12-14 | Gen Electric | Passivated semiconductor device with protective peripheral junction portion |
| US3740305A (en) * | 1971-10-01 | 1973-06-19 | Gen Electric | Composite materials bonded with siloxane containing polyimides |
| GB1325319A (en) * | 1969-09-30 | 1973-08-01 | Westinghouse Electric Corp | Semiconductors |
| DE2634568A1 (de) * | 1975-08-04 | 1977-02-17 | Gen Electric | Halbleiterelement mit einem polymeren schutzueberzug |
| DE2655725A1 (de) * | 1975-12-11 | 1977-06-16 | Gen Electrit Co | Halbleiterelement mit einem schutzueberzug |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1182353C2 (de) * | 1961-03-29 | 1973-01-11 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-bauelements, wie Halbleiterstromtor oder Flaechentransistor, mit einer hochohmigen n-Zone zwischen zwei p-Zonen im Halbleiter-koerper |
| GB1230421A (enExample) * | 1967-09-15 | 1971-05-05 | ||
| IE35063B1 (en) * | 1970-05-22 | 1975-10-29 | Gen Electric | Semiconductor device with polymeric passivant bonded preform |
-
1976
- 1976-12-14 GB GB52024/76A patent/GB1563421A/en not_active Expired
- 1976-12-15 NL NL7613944A patent/NL7613944A/xx not_active Application Discontinuation
- 1976-12-15 FR FR7637721A patent/FR2335960A1/fr active Granted
- 1976-12-16 DE DE19762656963 patent/DE2656963A1/de not_active Withdrawn
- 1976-12-16 SE SE7614186A patent/SE419809B/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-12-17 JP JP51152764A patent/JPS5276878A/ja active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3325450A (en) * | 1965-05-12 | 1967-06-13 | Gen Electric | Polysiloxaneimides and their production |
| DE1614703A1 (de) * | 1967-12-29 | 1970-05-27 | Siemens Ag | Verwendung eines zinkfreien Mischkondensats eines Polysiloxanharzes und eines Terephthalsaeureesters als Schutzlack auf der Oberflaeche des Halbleiterkoerpers eines Halbleiterbauelementes |
| US3610870A (en) * | 1968-03-13 | 1971-10-05 | Hitachi Ltd | Method for sealing a semiconductor element |
| US3615913A (en) * | 1968-11-08 | 1971-10-26 | Westinghouse Electric Corp | Polyimide and polyamide-polyimide as a semiconductor surface passivator and protectant coating |
| US3628106A (en) * | 1969-05-05 | 1971-12-14 | Gen Electric | Passivated semiconductor device with protective peripheral junction portion |
| GB1325319A (en) * | 1969-09-30 | 1973-08-01 | Westinghouse Electric Corp | Semiconductors |
| US3598784A (en) * | 1970-03-11 | 1971-08-10 | Gen Electric | Polysiloxane amides |
| US3740305A (en) * | 1971-10-01 | 1973-06-19 | Gen Electric | Composite materials bonded with siloxane containing polyimides |
| DE2634568A1 (de) * | 1975-08-04 | 1977-02-17 | Gen Electric | Halbleiterelement mit einem polymeren schutzueberzug |
| DE2655725A1 (de) * | 1975-12-11 | 1977-06-16 | Gen Electrit Co | Halbleiterelement mit einem schutzueberzug |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102019105727A1 (de) * | 2019-03-07 | 2020-09-10 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Thyristor oder Diode |
| DE102019105727B4 (de) * | 2019-03-07 | 2020-10-15 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Thyristor oder Diode |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2335960A1 (fr) | 1977-07-15 |
| SE419809B (sv) | 1981-08-24 |
| NL7613944A (nl) | 1977-06-21 |
| GB1563421A (en) | 1980-03-26 |
| SE7614186L (sv) | 1977-06-19 |
| JPS5276878A (en) | 1977-06-28 |
| FR2335960B1 (enExample) | 1982-07-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2455357C3 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE102015114620B4 (de) | Wafer-Level-Package (WLP) und Verfahren zu seiner Ausbildung | |
| DE102017104298B4 (de) | Kunstharzzusammensetzung, deren Verwendung und Halbleiterbauelement | |
| EP0075874B1 (de) | Verfahren zur Erzeugung elektrisch leitender Schichten | |
| DE1955730A1 (de) | Halbleiterelement mit einem mindestens teilweise durch eine Schutzschicht abgedeckten Halbleiterkoerper | |
| DE112013002390B4 (de) | Harzgekapselte Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
| DE3100303A1 (de) | Halbleiterspeichereinrichtung und verfahren zum herstellen derselben | |
| DE3346803A1 (de) | Halbleitervorrichtung und verfahren zu dessen herstellung | |
| DE3331624A1 (de) | Elektronische einrichtung | |
| DE2739847C2 (de) | Verfahren zum selektiven Ätzen einer Schicht aus einem gehärteten Polyimideinheiten enthaltenden hochpolymeren Stoff | |
| DE3126361C2 (de) | Schutzschicht für Halbleiterelemente | |
| DE2656963A1 (de) | Halbleiterelement mit schutzueberzug | |
| DE2634568A1 (de) | Halbleiterelement mit einem polymeren schutzueberzug | |
| DE112018004093T5 (de) | Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren einer solchen | |
| DE2349951A1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleitervorrichtungen | |
| DE2937547A1 (de) | Verfahren zur verbesserung der physikalischen eigenschaften von polyimid- silicon-copolymeren u.a. polymeren substanzen | |
| DE2460682A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| DE2937519A1 (de) | Verwendung von dispergierten feststoffen als fuellmaterialien in polymermassen fuer die passivierung von halbleiteruebergaengen | |
| DE2618937B2 (de) | Ätzmittel für Polymerisatharze, insbesondere für die Halbleiterherstellung, und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen unter Verwendung dieses Ätzmittels | |
| DE2655803C2 (de) | Verfahren zum Behandeln eines ausgewählten Oberflächenbereiches eines Halbleiterelementes | |
| DE2036399A1 (de) | Magnetowiderstandselement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
| DE112016005077T5 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Leistungshalbleitervorrichtung | |
| DE2655725A1 (de) | Halbleiterelement mit einem schutzueberzug | |
| DE2308803A1 (de) | Verfahren zur dotierung einer isolationsschicht | |
| DE1589862B2 (de) | Gekapselte halbleiteranordnung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OD | Request for examination | ||
| 8120 | Willingness to grant licences paragraph 23 | ||
| 8176 | Proceedings suspended because of application no: |
Ref document number: 2655725 Country of ref document: DE Format of ref document f/p: P |
|
| 8130 | Withdrawal | ||
| 8178 | Suspension cancelled |