DE2653724B2 - Halbleiter-Bauelement zum Schalten und Schaltung damit - Google Patents

Halbleiter-Bauelement zum Schalten und Schaltung damit

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Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiter-Bauelement zum Schalten mit einem mit Anschlußelektroden versehenen Halbleiterkörper aus Silizium, das bei Überschreiten einer an die Anschlußelektroden angelegten Schwellenspannung von einem Zustand hohen in einen Zustand niederen Widerstands umschaltet.
Durch die US-PS 36 54 531 ist ein Halbleiter-Bauelement zum Schalten dieser Art bekanntgeworden, das den neben flache Energieniveaus erzeugenden Störstoffen tiefe Energieniveaus erzeugende Störstoffe (z. B. Gold) enthält
Bei Gold ist jeJoch der Diffusions Koeffizient so groß, daß bei LSI-Schaltungen es wahrscheinlich ist, daß alle anderen Bauelemente, wie z. B. Transistoren auf
jo dem gleichen Chip beeinflußt werden. Es ist daher schwierig, das in der US-PS 36 54 531 beschriebene Element bei LSI-Schaltungen anzuwenden. Außerdem liegt die Schaltspannung bei 150 Volt während die Transistoren in einer LSI-Schaltung 20 bis 30 Volt höchstens aushalten und auch von daher gesehen, ist es schwierig, ein solches Bauelement in einer LSI-Schaltung zu verwenden.
Aus »electronic components«. 27. Oktober 1972, Seite 999—1006 ist es bekannt, ein K'ilhleiter-Bauelement /.um Schalten der in Rede stehenden Art, bei dem der Zustand niedrigen Widerstand auch ohne angelegte Spannungen unbegrenzt erhalten bleibt, in Speichern, insbesondere Nur-Lese-Speicher, die einmal eingeschrieben werden können, einzusetzen.
Das dabei verwendete glasartige Halbleiter-Material kann jedoch bei der modernen Herstellung von LSI-Schaltungen nur mit Schwierigkeiten eingesetzt werden.
Zur Verwendung als Schalter in LSI-Schaltungen sind viele Typen von Halbleiter-Bauelementen wie Dioden mit PN-Übergängen, Transistoren mit PNP- oder NPN-Übergängen, MOS-Transistoren oder -Thyristoren entwickelt worden. Bei jedem dieser bekannten Halbleiter-Bauelemente ist eine Zustandsänderung reversibel, wenn die inneren und äußeren Kenngrößen des Bauelements verändert werden, so daß es, wenn der schaltbare Zustand des Bauelements durch einen speziellen Zustand desselben festgelegt ist, notwendig ist, die Vorspannung geeignet einzustellen, um diesen
ho definierten Zustand zu erreichen. Zu diesem Zweck ist es schon bekanntgeworden, die wechselseitige Verbindung der einzelnen Bauelemente schon beim Zusammenbau von vornherein so festzulegen, daß gleichsam durch die Anordnung des Bauelements zum Schalten die Vorspannung eingestellt wird. Bei diesem Verfahren ist es jedoch notwendig, schon während des Entwurfs vorauszuberechnen, wo das Bauelement zum Schalten angeordnet sein soll. Ein solches Verfahren erfordert
einen großen Aufwand an Entwicklungsarbeil, Wenn ein solcher Schaltkreis weiter in eine integrierte Schaltung eingebaut werden soll, so ist es notwendig, den Schaltkreis so anzulegen, daß die vom Benutzer gestellten Forderungen erfüllt sind, was die Herstellungskosten einer solchen integrierten Schaltung und die Kosten einer eine solche Schaltung enthaltenden Vorrichtung erhöht. Ein typisches Beispiel eines elektronischen Geräts, bei dem solche Halbleiter-Bauelemente zum Schalten verwendet werden, ist ein in Festwertspeicher (ROM). Obwohl heute verschiedene ROM-Typen zur Verfügung stehen, werden allgemein noch die oben bereits genannten PROM-Speicher verwendet. Typische Ausführungsformen von PROMs sind im einzelnen der PROM mit Schmelzeinsätzen, der PROM mit zerstörbaren Halbleiter-Übergängen und der leistungslose MOS PROM usw.
Bei dem mit Schmelzeinsätzen versehenen PROM ist in jedes Speicherglied eines als integrierte Schaltung aufgebauten Festwertspeichers (IC ROM) eine Schmelzsicherung aus Aluminium, einer Nickel-Chrom-Legierung oder aus polycristallinem Silizium enthalten, und das Schreiben des Speichers wird dadurch vollzogen, daß die Schmelzsicherung eines nach der von dem Benutzer gewünschten Bedingung ausgewählten 21S Speichergliedes durchgebrannt wird. Bei dem mit zerstörbaren Halbleiter-Übergängen ausgestatteten PROM ist die Schmelzsicherung durch eine Diode ersetzt und das Schreiben wird dadurch vollzogen, daß ein Strom großer Stärke durch die Diode geschickt jo wird, deren charakteristische Eigenschaften dadurch aufgehoben werden. Bei den PROM-Speichern dieser Art ist zum Schreiben eine hohe Stromstärke von größenordnungsmäßig 30 bis 200 mA notwendig. Dies ist jedoch nicht erwünscht, wenn der ROM als eine r> integrierte Halbleiterschaltung aufgebaut ist. Speziell bei dem vorgenannten PROM-Typ mit Schmelzsicherungen hat man den Nachteil, daß die Sicherung beim Durchbrennen verspritzt, so daß es notwendig ist, eine Abdeckung Tür die Schmelzsicherung vorzusehen oder die Anstiegszeit für den Schmelzstrom zu begrenzen, um ein Zerspritzen der durchgebrannten Sicherung zu verhindern.
Bei dem verlustfreien MOS PROM wird ein MOS-Feldeffekttransistor mit abgewandeltem Aufbau ver- « wendet, b:.i dem mit Hilfe des Tunndeffekts elektrische Ladung in Haft-Störstellen eines Isolators injiziert wird, oder indem mit Hilfe des Tunneleffekts oder des Avalanche-Effekts elektrische Ladung in eine offene Gate-Elektrode injizien wird, wobei je nach Änderung des Ladungszustandes eine binäre »0« oder »I« gespeichert wird.
Bei diesen PROM-Typen sind jedoch ralativ hohe Schreibspiinnungen in der Größenordnung von 50 V erforderlich. Eine Erniedrigung der Schreibspannung ist v, aufgrund des Aufbaus solcher PROMs schwierig.
Daher ist es Aufgabe der Erfindung, das Halbleiter-Bauelement der eingangs genannten Art so auszubilden, daß es bei niedriger Spannung und niedrigem Strom vom Zustand hohen in den Zustand niederen Wider- mi stands schaltbar ist, irreversibel im Zustand niederen Widerstands verbleibt und somit in PROM-Speichern anwendbar ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß zum Erreichen eines irreversibel unbegrenzt h"; erhalten bleibenden Zustand niederen Widerstands der Halbleiterkörper aus pr lycristallinem Silizium besteht, das einen hohen spezifischen Widerstand von etwa 10' bisiO'Ohm · cm hat.
Durch die Erfindung gelingt es also, für die LSI-Technik ein Halbleiter-Bauelement zum Schalten anzugeben, dessen Herstellung andere Bauelemente auf dem gleichen Chip nicht beeinflußt. Die Schaltspannung kann nieder, z.B. bei 10 Volt liegen und liegt damit niederer als die Durchschlagspannung von Transistoren. Das Bauelement läßt sich sehr gut im Zusammenhang mit PROM-Speichern einsetzen. Der Widerstand des Bauelements ist von der Größe der angelegten Steuerspannung abhängig, aber die Änderung des Widerstands ist irreversibel. Der Widerstand kann sehr klein gemacht werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden anhand der Zeichnung näher erläutert Es zeigt
Fi g. 1 in schematischer Darstellung den grundsätzlichen Aufbau eines Halbleiter-Bauelements zum Schalten,
Fig. 2 Stromspannungskennlinien des Bauelements gemäß Fig. 1,
F i g. 3 eine für das Bauelement gemäß Fig.! charakteristische grafische Darstellung der Schwellenspannung in Abhängigkeit von dem Elektrodenabstand,
F i g. 4 eine grafische Darstellung der Schweller.spannung/Widerstandskennlinie des Bauelement gemäß Fig. 1,
Fig.5 eine grafische Darstellung der Strorn/Spannungskennlinien des Bauelements gemäß Fig. 1, die sich bei verschiedenem spezifischen Widerstand des Halbleiterkörpers ergeben,
F i g. 6 eine grafische Darstellung der SchweUenspannung in Abhängigkeit von der Zuchttemperatur bei der Herstellung des Bauelements gemäß Fig. 1,
Fig. 7 eine geschnittene Seitenansicht eines in Planar-Technik hergestellten Bauelements gemäß Fig. 1,
Fig.8 das grundsätzliche Schaltbild einer Speicherzelle eines Halbleiterspeichers unter Verwendung des Halbleiter-Bauelements zum Schalten,
Fig. 9 und 10 Schaltbilder weiterer Ausführungsformer von Speicherzellen,
Fig. 11 ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform einer Speicherzelle und periphere Leseschaltkreise,
Fig. 12a, 12b und 12c Wellenformen zjr Erläuterung der Arbeitsweise der Schaltung gemäß Fig. II.
Fig. 13 ein Beispiel für den konkreten Aufbau der Speicherzelle gemäß Fig. 11, in Seitenansicht und im Längsschnitt.
Das in der F i g. I schematisch dargestellte Halbleiter-Bauelement 10 unvaßt einen polycristallinen Silizium-Halbleiterkörp«!r 11 mit hohem spezifischen Widerstand und Anschlußelektroden 12 und 13 aus Metall oder einem gut leitenden Halbleiter, die an den einander gegenüberliegenden Seiten des Halbleiterkörpen H befestigt sind, der einen spezifischen Widerstand aufweist, der beispielsweise höher als IO4 Ohm-cm, aber kleiner als 107 Ohm-cm ist. Die in den Halbleiterkörper eindotierten Störi'ellen können entweder vom P-Typ oder vom N-Typ sein und können entweder während des Ziehens des polycnsfallirten Silizium-Materials oder durch thermische Diffusion oder durch Ionenimplantation eindotiert sein. Die eindotierte Störstellenkonzentration ist jedoch extrem niedrig.
Die Arbeitskennli lien des Halbleiter-Bauelements 10 mit dem in der Fig. 1 dargestellten Aufbau sind die folgenden:
Die Fig. 2 zeigt die Strom-Spannungskennlinie des
Bauelements 10, wobei als Abszisse die Spannung und als Ordinate der Strom aufgetragen ist. Bei dieser Kennlinie betrug der Elektrodenabstand (die Dicke des polycristallinen Halbleiterkörpers) 0,6 Mikron und die Elektrodenfläche 3600 Mikron2. Anhand der Fig. 2 ist deutlich zu erkennen, daß in einem Niederspannungsbereich der Strom durch das Bauelement 10 proportional zu der Spannung anwächst. Wenn jedoch die Spannung einen bestimmten Wert überschreitet (bei dem dargestellten Beispiel etwa 3 Volt), so nimmt der Stromzuwachs schnell zu. Wenn die Spannung weiter erhöht wird, so bewegt sich der Strom als Folge einer schnellen Abnahme des spezifischen Widerstandes des Halbleiterkörpers Il bei einer angelegten Spannung von etwa 15 Volt von dem Punkt PX auf der Kennlinie A zu dem Punkt Pl auf der Kennlinie B. Danach wächst der Strom mit steigender angelegter Spannung gemäß der Kennlinie ßlinearan.
Wenn dagegen die Spannung von diesem Zustand aus allmählich erniedrigt wird, so nimmt der Strom gemäß der Kennlinie B ab und die Stromänderung folgt auch bei Überschreiten des Punktes Pl nicht mehr der Kennlinie A, sondern der Kennlinie 0, wobei der Strom proportional zur angelegten Spannung abnimmt.
Dies bedeutet insbesondere, daß der in dem Bauelement enthaltene hochohmige, polycristalline Silizium-Halbleiterkörper, wenn er einmal aus dem Zustand mit niedriger Leitfähigkeit in den Zustand mit hoher Leitfähigkeit gebracht worden ist. den Zustand hoher Leitfähigkeit beibehält und dadurch die erwünschte Schaltfunktion ausführt.
Wenn andererseits der durch das Halbleiter-Bauelement 10 fließende Slrom in einem Bereich niedriger Stromstärke allmählich ve größen wird, so wächst die Spannung gemäß der Kennlinie A an, wenn aber die Stromstärke einen Wert von etwa 10 mA erreicht, so nimmt der Widerstandswert des polycristallinen Silizium-Halbleiterkörpers 11 ab und die Spannung ändert sich von einem dem Punkt P\ auf der Kennlinie A entsprechenden Wert auf einen dem Punkt P3 auf der Kennlinie B entsprechenden Wert. Danach ändert sich die Spannung bei ansteigendem Strom durch das Halbleiter-Bauelement gemäß der Kennlinie B. Wenn der Strom nun wieder erniedrigt wird, so verändert sich die Spannung nur noch gemäß der Kennlinie Sund nicht mehr gemäß der Kennlinie -4.
Die Spannung, bei der der hochohmige polycristalline Silizium-Halbleiterkörper aus dem Zustand mit niedriger Leitfähigkeit in den Zustand mit hoher Leitfähigkeit übergeht, wird bei dem Halbleiter-Bauelement 10 als Schwelienspanrung (Vj-h) bezeichnet. In der Fig. 3 ist dargestellt, daß die Schwellenspannung von dem Elektrodenabstand des Bauelementes abhängig ist. Wie aus der F i g. 3 hervorgeht, wächst die Schwellenspannung im wesentlichen proportional mit dem Elektrodenabstand an. Wenn jedoch der Abstand L zwischen den Elektroden, d. h. die Schichtdicke des polycristallinen Silizium-Halbleiterkörpers kleiner wird als 03 Mikron, so bleibt die Schwellenspannung im wesentlichen konstant. Ihr Wert beträgt etwa 8 Volt. Anhand dieser Kennlinie ist es möglich, jede beliebige Schwellenspannung Vth auszuwählen, indem die Schichtdicke des polycristallinen Silizium-Halbleiterkörpers verändert wird.
Die Beziehung zwischen dem spezifischen Widerstand des in dem Halbleiter-Bauelement 10 enthaltenen hochohmigen polycristallinen Silizium-Halbleiterkörpers 11 und der Schwellenspannung ist in der Fig.4 dargestellt. Der spezifische Widerstand des Halbleiterkörpers Il kann dadurch variiert werden, daß die Konzentration des eindotierten Arsens sich ändert, was dadurch möglich ist, daß der Partialdruck des Arsens r> (AsH 3) geändert wird, das beim Ziehen des polycristallinen Siliziums verwendet wird. Bei einem Ausführungsbeispiel beträgt die Ziehtemperatur 700 Grad Celsius und die Schichtdicke etwa 1,0 Mikron. In der Fig.4 ist als Abszisse der spezifische Widerstand aufgetragen, als
in Ordinate die Schwellenspannung, und die Zahlenangaben bei den einzelnen Meßpunkten geben den Partialdruck des Arsen-Gases an.
Man erkennt anhand der F i g. 4 die Tendenz, daß die Schwellenspannung im allgemeinen bei höheren Wer- ί ten des spezifischen Widerstandes höher ist.
Wenn polycristalline Silizium-Halbleiterkörper mit. wie in der F i g. 4 angegeben, verschiedenen spezifischen Widerständen verwendet werden, so unterscheiden Muli line Simtii/SpaiiiumgskciiiiiiiMcii in uei im lic ι Fig. 5 dargestellten Weise, in der als Abszisse die Spannung und als Ordinate die Stromstärke aufgetra gen ist. Die Kennlinien A bis E wurden für polycristalline Silizium-Halbleiterkörper 11 gemessen die bei einer Temperatur von 7000C gezogen wurden
r> eine Schichtdicke von etwa 1,0 Mikron aufwiesen und verschiedene Störstellenkonzentrationen hatten. Die für die jeweiligen Kennlinien angegebenen numerischer Date", sind die Partialdrücke des Arsen-Gases, das bc der Zucht des polycristallinen Siliziums verwendei
jn wurde und stellen ein Maß für die Arsen-Kon/.entratior dar. Die gestrichelte Kurve Firr. oberen Teil der Fig.' zeigt eine Strom-Spannungsker.nlinic eines polycristalli nen Silizium-Halbleiterkörpers, der durch Anleger einer höheren Spannung als der Schwellenspannung ir
ü den niederohmigen Zustand gebracht worden ist.
Diese Kennlinien zeigen, daß im hochohmigcr Zustand mit abnehmender Störstellenkonzentration ir dem polycristallinen Silizium-Halbleiterkörper, dei durch den polycristallinen Silizium-Halblciterkörpci fließende Strom zunimmt, wogegen die Schwellenspan nung abnimmt. Auch wenn der Wert des spezifischer Widerstandes im hochohmigen Zustand verschieden ist wird, wenn eine Spannung angelegt wird, die höher al· die Schwellenspannung ist. seine Kennlinie durch die Kurve /-"angegeben.
Die Fig. 6 zeigt ein Diagramm der Beziehung zwischen der Zuchttemperatur des polycristalliner Siliziums (Abszisse) und der Schwellenspannung (Ordi nate) des in dem Halbleiter-Bauelements 10 enthaltener
so polycristallinen Silizium-Halbleiterkörpers 11 mit ho hem spezifischem Widerstand. Das polycrwtallim Silizium ist mit keinerlei Störstellen dotiert und hat eine Schichtdicke von etwa 1,2 Mikron.
Man erkennt aus dieser Abhängigkeit, daß di< Schwellenspannung Vm des hochohmigen polycristaüi nen Halbleiterkörpers 11 außer von dem Elektrodenab stand und dem spezifischen Widerstand, was oben schot erläutert worden ist. zusätzlich auch von der Zuchttem peratur Tabhängt
Wie bereits erwähnt, kann die Schwellenspannunj des erfindungsgemäßen Halbleiter-Bauelements durcl Variation des Elektrodenabstandes, des spezifischer Widerstandes des polycristallinen Siliziums und di< Zuchttemperatur des polycristallinen Siliziums au jeden beliebigen Wert gelegt werden. Beispielsweis« kann das Umschalten mit einer angelegten Spannun; von 15 V und einem Strom von 10 Milliampen durchgeführt werden, Werten, die erheblich niedrige:
sind als die Spannung und Stromstärke bekannter Halbleiter-Bauelemente zum Schalten. Daher kann das erfindungsgemäße Halbleiter-Bauelement leicht sowohl in großen integrierten Schaltkreisen als auch in modernen MOS LSI-Schaltungen mit einem hohen > Grad an Komplexität verwendet werden.
Die Fig. 7 zeigt ein in Planar-Technik hergestelltes Halbleiter-Bauelement mit einem Halbleitersubstrat 21 und einer polycristallinen Silizium-Schicht 22, die eine hohe Arsen-Dotierung aufweist. Diese hochdotierte in polycristalline Silizium-Schicht 22 entspricht der Elektrode 13 der F i g. I und ist mit einer SiOj-Schicht 24 überschichtet. Auf der SiC^-Schicht 24 liegt eine undotierte polycristalline Silizium-Schicht 25 mit hohem spezifischem Widerstand. Ein Teil der Silizium-Schicht r> steht über eine durch die SiO^-Schicht 24 begrenzte öffnung 24a mit der polycristallinen Silizium-Schicht 22 in Verbindung, und eine hoch mit Arsen dotierte, die Siöj-Schichi überlagernde Siiizium-Schic'nt 27 stehi über eine durch die SiOj-Schicht 26 begrenzte öffnung _> <i 26a ebenfalls mit der undotierten Silizium-Schicht 25 in Verbindung. Auf die polycristalline Silizium-Schicht 27 ist eine Kontaktschicht 28 zur Verbindung der Silizium-Schicht 27 mit anderen Schaltkreiskomponenten aufgebracht. Die polycristalline Silizium-Schicht 27 :■> entspricht der Anschlußclektrode 12der F i g. 1.
Zwar sind bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel die polycristallinen Silizium-Schichten 27 und 22 entlang der Vertikalen übereinander angeordnet, können jedoch auch seitlich gegeneinander versetzt sein, indem m die Ct'fnungcn 24a und 26a der S1O2-Schichten 24 bzw. 26 seitlich gegeneinander versetzt sind.
Fs wurde festgestellt, daß auch das in der Fig. 7 dargestellte Ausführiingsbcispiel des Bauelements zum Schalten die in den Fig. 2 bis 6 dargestellten r> verschiedenen charakteristischen Eigenschaften enthält.
Das in der Fi g. 7 dargestellte Halbleiter-Bauelement kann nach den im folgenden zu beschreibenden Verfahren hergestellt werden. Zunächst wird ein Nleitendes Halbleitersubstrat 21 mit einem spezifi- -in sehen Widerstand von etwa 2 Ohm-cm präpariert.
Sodann wird durch Pyrolyse einer Mischung von SiH4. H2 und AsHj bei 75OCC eine stark mit Arsen dotierte polycristalline Silizium-Schicht 22 auf das Halbleitersubstrat 21 aufgebracht. Der Partialdruck des 4s AsH3 beträgt in dieser Zeit 4.5%o des Atmosphärendrucks. Die entstehende Silizium-Schicht 22 hat eine Schichtdicke von 0.45 Mikron. Sodann wird nach dem chemischen Aufdampfverfahren bei einer Temperatur von 440° C eine SiO2-Schicht 24 mit einer Schichtdicke von 0.5 Mikron hergestellt. Die Öffnung 24a wird nach einem bekannten Verfahren an der vorbestimmten Stelle geschaffen. Sodann wird durch Pyrolyse einer Mischung von SiH4 und H2 bei einer Temperatur von 700° C eine undotierte polycristalline Silizium-Schicht 25 mit einer Schichtdicke von 0,6 Mikron aufgebracht. Danach wird die SiO2-Schicht 26 bei einer Temperatur von 440° C nzch dem chemischen Aufdampfverfahren mit eir.er Schichtdicke von 0,5 Mikron abgeschieden. Die während dieser Zeitspanne benutzte Gasatmosphä- (>o re umfaßt eine Mischung von SiH4 und Sauerstoff. Die die SiO2-Schicht 26 durchsetzende öffnung 26a wird an der vorgesehenen Stelle nach einem bekannten Verfahren erzeugt. Schließlich wird durch Pyrolyse einer Mischung von SiH4. H2 und ASH3 bei einer Temperatur von 700" C eine stark mit Arsen dotierte polycristalline Silizium-Schicht 27 aufgebracht, die die Öffnung 26a und den diese öffnung umgebenden Teil der SiOrSchicht 26 abdeckt. Die entstehende Schicht hat eine Dicke von 0,45 Mikron. Bei den vorgenannten Verfahrensschritten werden natürlich in bekannter Weise Masken verwendet.
Es versteht sich, daß ein Halbleiter-Bauelement mit dem oben beschriebenen Aufbau auch bei der Herstellung eines integrierten Schaltkreises mit denselben Verfahrensschritlen hergestellt werden kann.
Das die oben beschriebenen Eigenschaften aufweisende Halbleiter-Bauelement 10 ist insbesondere für eine Verwendung als Speicherelement geeignet.
In der Fig. 8 ist eine Grundschaltung eines Speicherglieds 30 unter Verwendung eines solchen Halbleiter-Bauelementes zum Schalten dargestellt. Das Speicherglied 30 umfaßt einen Feldeffekttransistor 31 und ein Bauelement 32 zum Schalten, das durch den hochohmigen polycristallinen Silizium-Halbleiterkörper gebildet ist, der mit den Source- und Drain-Elektroden tics FciueffeküiuiimmuiS 31 ii'i Rcmc gcSCnaiici ist. l)iC Drain-Elektrode des Feldeffekttransistors 31 ist zusammen mit der Gate-Elektrode mit einer Wortleitung 33 verbunden, und die eine Anschlußelektrode des Bauelements 32 ist mit einer Datenleitung 34 verbunden. Um das Speicherglied 30 mit der binären Information »I« zu besetzen, wird beispielsweise eine positive Spannung an die Wortleitung 33 angelegt und die Datenleitung 34 auf Erdpotential gelegt. Der Wert der an die Wortleitung 33 angelegten Spannung wird so gewählt, daß eine Spannung von beispielsweise 15 V, die höher ist als die Schwellenspannung, an dem Halbleiter-Bauelement 32 anliegt. Der Feldeffekttransistor 31 wird dann leitend, so daß über dem Halbleiter-Bauelement 32 eine Spannung anliegt, die höher ist als die Schwellenspannung und das Bauelement aus dem hochohmigen in den niederohmigen Zustand übergeht. Dieses geht daher von einem durch die Kennlinie A bestimmten in einen durch die Kennlinie B bestimmten Betriebszustand über. Mit anderen Worten, die binäre Information »I« ist irreversibel in dem Speicherglied festgehalten, wobei die Schreibspannung beispielsweise 15 V und der Schreibstrom etwa 10 mA beträgt.
Um die in dem Speicherglied 30 gespeicherte Information auszulesen, wird an die Wortleitung 33 eine positive Spannung und an die Datenleitung 34 Erdpotential angelegt. Die zu diesem Zeitpunkt an die Wortleitung 33 angelegte Spannung ist so gewählt, daß über dem Bauelement 32 eine im Vergleich zu der Schreibspannung niedrigere Spannung von beispielsweise 5 V anliegt. Da der Betriebszustand des Halbleiter-Bauelements 32 von einem der Kennlinie A der Fig. 2 in einen der Kennlinie B entsprechenden Zustand gebracht worden ist, wird dann ein Strom, der etwa 104ITmI größer ist als der ursprüngliche Strom, d. h. ein Strom von etwa 10 mA, durch das Bauelement fließen.
Um im Unterschied zu der binären Information »1« eine binäre Information »0« in dem Speicherglied 30 festzuhalten, wird keine Spannung an das Halbleiter-Bauelement 32 angelegt, die höher ist als die Schwellenspannung Vm. so daß der ursprüngliche Betriebszustand aufrechterhalten wird. In der Folge ist es, wenn die binären Informationen aus der Speicherzelle ausgelesen werden, leicht, diese ausgelesenen Informationen zu unterscheiden, da das Verhältnis der Lese-Stromstärkenetwal : 10*beträgt.
In den Fig.9 und 10 sind im Vergleich zu dem Speicherglied 30 der F i g. 8 abgewandelte Speicherglieder dargestellt Bei dem in der Fig.9 dargestellten
Speicherglied 40 ist die Source-Elektrode eines Feldeffekttransistors 41 mit einer Datenleitung 42 verbunden, während die Drain-Elektrode über ein Halbleiter-Bauelement 43 zum Schalten mit einer Wortleitung 44 verbunden ist.
Um das Speicherglied 40 mit der binären Information »1« zu beschriften, wird zwischen der Wortleitung 44 und der Datenleitung 42 einige Spannung angelegt und die Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors 41 mit einer geeigneten Spannung beaufschlagt, um diesen einzuschalten. Wenn dann an dem Halbleiter-Bauclement 43 eine Spannung anliegt, die höher ist als die Schwellenspannung Vn/, so nimmt dessen Widerstand in der oben bereits beschriebenen Weise irreversibel einen niedrigeren Wert an, wodurch eine binäre »I« in dem Speicherglied 40 gespeichert wird.
Um die auf diese Weise eingeschriebene Information zu lesen, wird zwischen der Wortleitung 44 und der
ist als die Schreibspannung, und an die Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors 4t eine geeignete Spannung angelegt, um diesen einzuschalten. An der Starke des durch die Datenleitung 42 fließenden Stromes kann die Information erkannt werden.
Bei dem in der Fig. 10 dargestellten Speicherglied 50 ist die Gate-Elektrode eines Feldeffekttransistors 51 mit einer Wortleitung 52, seine Drain-Elektrode mit einer nicht dargestellten Konstant-Spannungsquelle und seine Source Elekirode über ein Halbleiter-Bauelement 53 zum Schalten mit einer Datenleitung 54 verbunden.
Zum Beschriften des Speicherelementes 50 mit einer binären »1« wird an die Wortleitung 52 eine Spannung angelegt, die ausreicht, um den Feldeffekttransistor 51 einzuschalten, mit dem Ergebnis, daß eine Spannung, die höher ist als die Schwellenspannung Vn/ an dem Halbleiter-Bauelement 53 anliegt, das damit irreversibel den niederohmigen Zustand annimmt. Um die Information auszulesen, wird an die Wortleitung 52 eine Spannung angelegt, die niedriger ist als die Schreibspannung und der durch die Datenleitung 54 fließende Strom gemessen.
Fig. 11 zeigt ein weheres Ausführungsbeispiel eines Speichergliedes und periphere Schaltungsanordnungen für ihren Betrieb. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist die Gate-Elektrode eines Feldeffekttransistors 61 des Speichergliedes 60 mit einer Wortleitung 62, die Source-Elektrode mit einer Datenleitung 63 und die Drain-Elektrode mit der einen Anschlußelektrode eines Halbleiter-Bauelements 65 zum Schalten verbunden. Die Source-Elektrode des Feldeffekttransistors 61 ist über die Datenleitung 63 mit der Drain-Elektrode eines K-Auswahl-Feldeffekttransistors 67 verbunden. Die Source-Elektrode des y-Auswahl-Feldeffekttransistors 67 liegt auf Erdpotential, und seiner Gate-Elektrode ist ein Y-Auswahl-Signal mit dem in der Fig. 12B dargestellten Zeitverlauf zugeführt Die Datenleitung 63 ist weiter mit der Source-Elektrode eines eine Vorspannung steuernden Feldeffekttransistors 68 verbunden, dessen Drain-Elektrode mit einer Gleichspannungsquelle Vdd verbunden ist. Die Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors 68 wird mit einem Vorspannungs-Signal CE in der Fig. 12A dargestellten Zeitverlauf gespeist. Der Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors 61 des Speichergliedes 60 wird über die Wortleitung 62 ein X-Auswahl-Signal mit einem in der Fig. 12B dargesteiiten Zeitveriauf zugeführt Eine Anschlußeiektrode des Halbleiter-Bauelements 65 des Speichergliedes 60 ist mit einer Schreibleitung 69 verbunden, die über die Draine- und Source-Elektroden eines als Tor geschalteten Feldeffekttransistors 70, an dessen Gate-Elektrode ein Taktsignal Φ R mit einem in der Fig. 12C dargestellten Zeitverlauf anliegt, mit der Gate-Elektrode eines in einem Lese-Inverter 71 enthaltenen Feldeffekttransistors 72 verbunden ist. Diese eine Anschlußelektrode des Halbleiter-Bauelements 65 ist auch mit der Source-Elektrode eines eine Vorspannung steuernden Feldeffekttransistors 74 verbunden, dessen Drain-Elektrode mit einer Spannungsquelle Vdd verbunden ist, und dessen Gate-Elektrode mit dem genannten Vorspannungs-Steuersignal CE beaufschlagt ist.
Die Source-Elektrode des Feldeffekttransistors 72 des Leseinverters 71 liegt auf Erdpotential und seine Drain-Elektrode ist mit einer Ausgangsklemme 76 und mit der Source-Elektrode eines eine Last darstellenden Feldeffekttransistors 77 verbunden, dessen Drain- und i^iatp-Flpl/troHpn 0pmpincum mit pinpr ^»nnnniincrcmipllft
Von verbunden sind. Die Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors 72 ist mit der Drain-Elektrode eines Feldeffekttransistors 78 verbunden, dessen Source-Elektrode geerdet ist und an dessen Gate-Elektrode das in F i g. 12A dargestellte Vorspannungs-Steuersignal Cf anliegt, wobei der Zweck des Feldeffekttransistors 78 darin besteht, die an der Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors 72 gespeicherte Ladung abzuführen, um die Ausgangs-Gate-Spannung einzustellen, wenn der Feldeffekttransistor 70 in dem gesperrten Zustand ist. Bei einem konkreten Halbleiter-Speicher ist eine Mehrzahl von Speichergliedern in einer Matrix angeordnet, um die in der Fig. Π dargestellte Schaltungsanordnung zu verwirklichen.
Um eine Information in den oben beschriebenen Halbleiterspeicher einzuschreiben, werden zur Auswahl des Speichergliedes an den Feldeffekttransistor 61 des Speichergliedes 60 und den Feldeffekttransistor 67 X- und V-Auswahl-Signale angelegt, wobei die Gate-Elektroden der Feldeffekttransistoren 68, 70, 74 und 78 auf Erdpotential gehalten werden. Unter diesen Bedingungen wird an die Schreibleitung 69 ein Schreibsignal angelegt, das eine ausreichende Größe hat, damit an dem Bauelement 65 eine Spannung anliegt, die höher ist als die Schwellenspannung Vm- Demgemäß geht das Bauelement von dem Zustand mit hohem spezifischem Widerstand in den niederohmigen Zustand über und die Information wird geschrieben.
Zum Auslesen wird folgendermaßen verfahren:
Hierzu wird ein Vorspannungssteuer-Signal CE an die Feldeffekttransistoren 68 und 74 angelegt, so daß an den Verzweigungspunkten A und B eine Vorspannung auftritt. Unter diesen Bedingungen werden zur Auswahl des Speichergliedes 60 an den Feldeffekttransistor 61 und den Feldeffekttransistor 67 X- und K-Auswahl-Signale angelegt. Dadurch gelangt die Source-Elektrode des Feldeffekttransistors 61 auf Erdpotential. Hierauf kann die an der Verzweigungsstelle A gespeicherte Ladung über das Halbleiter-Bauelement 65 des Speichergliedes 60 mit einer Zeitkonstanten, die durch das Produkt RC des Widerstandes des Halbieiter-Baueletnents 65 und der Streukapazität der Schaltung bestimmt ist, zur Erde abfließen.
Wenn das Speicherglied mit einer binären »1« beschriftet gewesen ist, so ist der Widerstand des Halbleiter-Bauelements 65 erniedrigt worden, so daß das Potential an der Verzweigungssteiie A mit einer kleineren Zeitkonstanten abnimmt, als für den Fall, daß eine binäre »0« gespeichert ist Die in dem Spcicherglied
60 gespeicherten Informationen werden an der Ausgangsklemme 76 des Leseinverters 71 ausgelesen, wobei zwischen einer »I« und einer »0« aufgrund unterschiedlicher Anstiegszeiten unterschieden werden kann, die notwendig sind, um von dem Erdpotential aus ein hohes Potential aufzubauen, wobei eine später noch zu beschreibende Diskriminator-Schaltung verwendet werden kann. Die Unterscheidung der Anstiegszeiten der an der Ausgangsklemme 76 auftretenden Lese-Spannungen ist leicht möglich, weil der Widerstand des in dem Halbleiter-Bauelement enthaltenen hochohmigen polycristallinen Silizium-Malbleiterkörpers vor und nach der irreversiblen Widerstandsänderung in einem Verhältnis von IO4 : I steht. Der vorgeschaltete F-'eldeffekttransistor 70 wirkt als Schalter, der zur Vorbereitung eines nächsten Auslesevorganges, nachdem ein Lesesignal an den Inverter 7t angelegt worden isl, das Speicherglicd von dem Auslesesystem (rennt und die an der Gate-Elektrode des Feldeffekttransistors 72 anliegende Eingangsspannung fernhält.
Die Fi^. 13 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines konkreten Aufbaus eines Speichergliedes gemäß Fig. II, der insbesondere für eine integrierte Halbleiterschaltung geeignet ist.
In der Fig. 13 sind eine Souree-Diffusionszone 80, eine Drain-Diffusionszonc 81, ein die Zonen 80 urJ 81 verbindender Kanalbereich 82 und eine aus hoch mit Arsen dotiertem polycristallinem Silizium bestehende Cjale-Zone 83 diejenigen Zonen die den Feldeffekttransistor 61 des Speichergliedes 60 bilden. Über der Drain-Diffusions-Zone 81 liegt ein polycristallincr Silizium-Bereich 85 mit hoher Arsendotierung, der einerseits die Drain-Elektrode des Feldeffekttransistors
61 und andererseits die eine Anschlußelektrode des Halbleiter-Bauelements 65 bildet, und es ist hierauf eine hochohmige polycristalline Siliziumzone 86 aufgebracht, die die Anschlußclcktrodenzone 85 bedeckt. Über der polycristallinen Siliziumzone 86 liegt ein polycristalliner Siliziiimbercich 87, der eine hohe Arsendotierung aufweist und die andere Anschlußelek-Irode des Halbleiter-Bauelements 65 bildet. Das .Speicherglied umfaßt weiter ein Halbleitersubstrat 88, eine SiOj-Isolierschicht 89 und aus Aluminium oder anderen leitenden Metallen oder niederohmigen Halbleitern bestehende Kontaktschichten 90 und 91. Da es möglich ist, das Halbleiter-Bauelement 65 senkrecht über kr Drain-Diffusionszone 81 anzuordnen, kann bei diesem Aufbau der Raumausnutzungsfaktor oberhalb des Halbleitersubstrats 88 erheblich vergrößert werden. Ein solcher Aufbau mit vertikaler Schichtenfolge ermöglicht die Herstellung solcher Bauelemente mit chemischen Aufdampfverfahren, was die Einstellung der Schichtdicke der hochohmigen polycristallinen Siliziumzone wesentlich erleichtert. Darüber hinaus ist es, da der spezifische Widerstand der polycristalliner SJIiziumzone 86 hoch ist, möglich, die Fläche oder das Volumen des Halbleiter-Bauelements 65 erheblich zu verkleinern, was zu einer erhöhten bit-Dichte des Halbleiter-Speichers beiträgt.
Die den hohen spezifischen V/iderstand aufweisende polycristalline Siliziumzone des in der Fig. 13 dargestellten Halbleiter-Bauelements 65 kann nach einen1 Aufdampfverfahren hergestellt werden, das bei einer Temperatur von 700°C keinerlei .Störstellendotierung verursacht. In einer Zeitspanne von etwa 9 Minuten läßt sich eine Schichtdicke von 0,6 Mikron erreichen.
Wie der in der Fig. 13 dargestellte Aufbau erkennen läßt, kann das erfindungsgemäße Halbleiter-Bauelement zum Schalten, da es aus poiycristaiiinen Silizium-Körpern aufgebaut ist, mit großem Vorteil auch in LSI-Technik hergestellt werden.
Es versteht sich, daß anstelle der in Verbind.jng mit den vorhergehenden Ausführungsbeispielen zur Steuirung des Stromdurchganges durch das Halbleiler-Bauelement zum Schalten vorgesehenen Feldeffekttransistoren auch andere, verschiedenartige aktive Halbleiter Bauelemente, beispielsweise bipolare Transistoren und Thyristoren verwendet werden können. Weiler kann das Halbleiter-Bauelement zum Schalten, das bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 13 auf der Drain-Zone des Feldeffekttransistors angeordnet worden ist. auch auf der an den Transistor angrenzenden Isolierschicht oder an einer anderen geeigneten Stelle angeordnet sein.
Bei dem Halbleiter-Bauelement zum Schalten gemäß der Erfindung ist es bei seiner Verwendung in Speichern nicht notwendig, einen Strom mit einer Starke von größenordnungsmäßig 30 bis 200 mA zu erzeugen, um eine Schmelzsicherung durchzubrennen oder einen Dioden-Übergang zu zerstören, wie dies bei bekannten Speichern notwendig ist, die aus Schmelzsicherungen und Dioden aufgebaut sind. Die Erfindung bietet vielmehr die Möglichkeit, Informationen m· einem .Schreibstrom von nur 10 mA oder weniger zu speichern. Die Schreibspannung kann auf jeden beliebigen Wen gesetzt werden, der somit auch niedriger sein kann als bei bekannten Speichern. Weiler ist es im Unterschied zu Speichern mit Schmelzsicherungen überflüssig. spezielle Sicherungsvorkehrungen gegen ein Auseinanderspritzen einer ausgebrannten Sicherung zu treffen.
Hierzu 8 Blatt Zeichnungen

Claims (11)

Patentansprüche:
1. Halbleiter-Bauelement zum Schalten mit einem mit Anschlußelektroden versehenen Halbleiterkörper aus Silizium, das bei Überschreiten einer an die Anschlußelektroden angelegten Schwellenspannung von einem Zustand hohen in einen Zustand niederen Widerstands umschaltet, dadurch gekennzeichnet, daß zum Erreichen eines irreversibel unbegrenzt erhalten bleibenden Zustand niederen Widerstands der Halbleiterkörper (11; 25; 86) aus polykristallinen! Silizium besteht, das einen hohen spezifischen Widerstand von etwa 103 bis 107 Ohm ■ cm hat.
2. Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das hochohmige polycristalline Silizium eigenleitendes Material ist.
3. Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das hochohmige polycristalline Silizium eine geringfügige, durch Dotierung erreichte Störstellenkonzentration aufweist.
4. Halbleiter-Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des Halbleiterkörpers (11, 25, 86) zwischen den Anschlußelektroden (12, 13; 22, 27; 85, 87) im Bereich von 0,2 μιη bis 10 μιτι liegt.
5. Schaltung mit einem Halbleiter-Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zur Bildung eines Speicherglieds (30; 40; 50; 60) ein Halbleiter-T'jrglied (31; 41; 51; 61) zur Steuerung des Stromflusses durch das Halbleiter-Bauelement (32; 43; 53; 65) vorgesehen ist.
6. Schaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiter-'iorglied einen Feldeffekttransistor (31; 41; 51; 61) umfaßt.
7. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Drain-Elektrode (D) und die Gate-Elektrode (G) des Feldeffekttransistors (31) mit einer Wortleitung (33) verbunden sind und daß die Source-Elektrode (S) des Feldeffekttransistors (31) über das Halbleiter-Bauelement (32) mit einer Datenleitung (34) verbunden ist (F i g. 8).
8. Schaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Drain-Elektrode (D) des Feldeffekttransistors (41) über das Halbleiter-Bauelement (43) mit eip.er Wortleitung (44) verbunden ist und daß die Source-Elektrode (S) mit einer Datenleitung (42) und die Gate-Elektrode (G) mit einem Zeitsteuerungssignalgeber verbunden sind (Fig. 9).
9. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Gate-Elektrode (G,)des Feldeffekttransistors (51) mit einer Wortleitung (52), die Drain-Elektrode (D) mit einer Spannungsquelle und die Source-Elektrode (SJ über das Halbleiter-Bauelement (53) mit einer Datenleitung (54) verbunden sind (F ig. 10).
10. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Gate-Elektrode (G)des Feldeffekttransistors (61) mit einer Wortleitung (62), die Source-Elektrode (S)m\l einer Datenleitung(63)und die Drain-Elektrode (Drüber das Halbleiter-Bauelement (65) mit einer Spannungsquelle (Von) verbunden sind (F ig. 11).
11. Schaltung nach einem der Ansprüche 5 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiter-Bauelument (32; 43; 53; 65) und das Halbleiter-Torglied (31; 41; 51; 61) in einer integrierten Halbleiter-Schaltung
enthalten sind,
IZ Schaltung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß eine Anschlußelektrode (85) des Halbleiter-Bauelements (85, 86, 87) eine Elektrode (83) des Halbleiter-Torgliedes (80,81,82,83, 85,88) ist und daß der schichtförmige Halbleiterkörper (86) des Halbleiter-Bauelements (85, 86, 87) auf dieser Elektrode (85) und die weitere Anschlußelektrode (87) des Halbleiter-Bauelements (85, 86, 87) auf diesem Halbleiterkörper (86) angeordnet sind (Fig. 13).
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Families Citing this family (105)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4416049A (en) * 1970-05-30 1983-11-22 Texas Instruments Incorporated Semiconductor integrated circuit with vertical implanted polycrystalline silicon resistor
US4234889A (en) * 1977-05-31 1980-11-18 Texas Instruments Incorporated Metal-to-moat contacts in N-channel silicon gate integrated circuits using discrete second-level polycrystalline silicon
FR2404895A1 (fr) * 1977-09-30 1979-04-27 Radiotechnique Compelec Cellule de memoire programmable a diodes semiconductrices
JPS5498536A (en) * 1978-01-23 1979-08-03 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Memory unit of polycrystal silicon resistor
US4314265A (en) * 1979-01-24 1982-02-02 Xicor, Inc. Dense nonvolatile electrically-alterable memory devices with four layer electrodes
US4475964A (en) * 1979-02-20 1984-10-09 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing a semiconductor device
US4291322A (en) * 1979-07-30 1981-09-22 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Structure for shallow junction MOS circuits
DE3036869C2 (de) * 1979-10-01 1985-09-05 Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo Integrierte Halbleiterschaltung und Schaltkreisaktivierverfahren
IL61678A (en) * 1979-12-13 1984-04-30 Energy Conversion Devices Inc Programmable cell and programmable electronic arrays comprising such cells
JPS5685934A (en) * 1979-12-14 1981-07-13 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Control signal generating circuit
WO1981002222A1 (en) * 1980-01-21 1981-08-06 Mostek Corp Composit gate interconnect structure
US4476478A (en) * 1980-04-24 1984-10-09 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor read only memory and method of making the same
JPS577959A (en) * 1980-06-19 1982-01-16 Toshiba Corp Semiconductor device
JPS5745967A (en) * 1980-09-04 1982-03-16 Toshiba Corp Semiconductor device
US4654680A (en) * 1980-09-24 1987-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Sidewall gate IGFET
US4420766A (en) * 1981-02-09 1983-12-13 Harris Corporation Reversibly programmable polycrystalline silicon memory element
US4933735A (en) * 1981-02-23 1990-06-12 Unisys Corporation Digital computer having control and arithmetic sections stacked above semiconductor substrate
US5407851A (en) * 1981-02-23 1995-04-18 Unisys Corporation Method of fabricating an electrically alterable resistive component on an insulating layer above a semiconductor substrate
US5148256A (en) * 1981-02-23 1992-09-15 Unisys Corporation Digital computer having an interconnect mechanism stacked above a semiconductor substrate
CA1197929A (en) * 1981-05-15 1985-12-10 Fairchild Camera And Instrument Corporation Schottky diode - polycrystalline silicon resistor memory cell
US4403399A (en) * 1981-09-28 1983-09-13 Harris Corporation Method of fabricating a vertical fuse utilizing epitaxial deposition and special masking
US4468682A (en) * 1981-11-12 1984-08-28 Gte Laboratories Incorporated Self-aligned high-frequency static induction transistor
FR2523357B1 (fr) * 1982-03-15 1988-03-04 Thomson Csf Matrice d'elements a memoire integres, a double couche de silicium polycristallin de haute resistivite et procede de fabrication
US4590589A (en) * 1982-12-21 1986-05-20 Zoran Corporation Electrically programmable read only memory
US4569120A (en) * 1983-03-07 1986-02-11 Signetics Corporation Method of fabricating a programmable read-only memory cell incorporating an antifuse utilizing ion implantation
US4569121A (en) * 1983-03-07 1986-02-11 Signetics Corporation Method of fabricating a programmable read-only memory cell incorporating an antifuse utilizing deposition of amorphous semiconductor layer
JPS6042855A (ja) * 1983-08-19 1985-03-07 Hitachi Ltd 半導体装置
US4847732A (en) * 1983-09-15 1989-07-11 Mosaic Systems, Inc. Wafer and method of making same
US4651409A (en) * 1984-02-09 1987-03-24 Ncr Corporation Method of fabricating a high density, low power, merged vertical fuse/bipolar transistor
JPH0666433B2 (ja) * 1984-02-09 1994-08-24 エヌ・シー・アール・インターナショナル・インコーポレイテッド 電気的にプログラム可能な読出専用メモリ・セル
US4609241A (en) * 1984-05-25 1986-09-02 4C Electronics, Inc. Programmable programmed socket
US4646427A (en) * 1984-06-28 1987-03-03 Motorola, Inc. Method of electrically adjusting the zener knee of a lateral polysilicon zener diode
US4751197A (en) * 1984-07-18 1988-06-14 Texas Instruments Incorporated Make-link programming of semiconductor devices using laser enhanced thermal breakdown of insulator
US4748490A (en) * 1985-08-01 1988-05-31 Texas Instruments Incorporated Deep polysilicon emitter antifuse memory cell
US4906987A (en) * 1985-10-29 1990-03-06 Ohio Associated Enterprises, Inc. Printed circuit board system and method
US5367208A (en) * 1986-09-19 1994-11-22 Actel Corporation Reconfigurable programmable interconnect architecture
US4701241A (en) * 1986-10-06 1987-10-20 Rca Corporation Method of making a resistor
GB2222024B (en) * 1988-08-18 1992-02-19 Stc Plc Improvements in integrated circuits
DE3927033C2 (de) * 1988-08-23 2000-12-21 Seiko Epson Corp Halbleiterbauelement mit Antifuse-Elektrodenanordnung und Verfahren zu seiner Herstellung
US4829024A (en) * 1988-09-02 1989-05-09 Motorola, Inc. Method of forming layered polysilicon filled contact by doping sensitive endpoint etching
US5377124A (en) * 1989-09-20 1994-12-27 Aptix Corporation Field programmable printed circuit board
US5012325A (en) * 1990-04-24 1991-04-30 International Business Machines Corp. Thermoelectric cooling via electrical connections
US5151376A (en) * 1990-05-31 1992-09-29 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Method of making polycrystalline silicon resistors for integrated circuits
JP2950620B2 (ja) * 1990-12-10 1999-09-20 株式会社東芝 半導体装置
US5334880A (en) * 1991-04-30 1994-08-02 International Business Machines Corporation Low voltage programmable storage element
US5294846A (en) * 1992-08-17 1994-03-15 Paivinen John O Method and apparatus for programming anti-fuse devices
DE69324864T2 (de) * 1992-08-21 1999-10-07 St Microelectronics Inc Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Speicherstruktur vom vertikalen Typ und nach dem Verfahren hergestellte Struktur
US5581111A (en) * 1993-07-07 1996-12-03 Actel Corporation Dielectric-polysilicon-dielectric antifuse for field programmable logic applications
US5424655A (en) * 1994-05-20 1995-06-13 Quicklogic Corporation Programmable application specific integrated circuit employing antifuses and methods therefor
US5461000A (en) * 1994-07-05 1995-10-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Method of manufacturing dielectric as load resistor in 4T SRAM
JPH08222648A (ja) * 1995-02-14 1996-08-30 Canon Inc 記憶装置
US5741720A (en) * 1995-10-04 1998-04-21 Actel Corporation Method of programming an improved metal-to-metal via-type antifuse
US6087707A (en) * 1996-04-16 2000-07-11 Micron Technology, Inc. Structure for an antifuse cell
US5859562A (en) * 1996-12-24 1999-01-12 Actel Corporation Programming circuit for antifuses using bipolar and SCR devices
US5909049A (en) * 1997-02-11 1999-06-01 Actel Corporation Antifuse programmed PROM cell
US6229161B1 (en) 1998-06-05 2001-05-08 Stanford University Semiconductor capacitively-coupled NDR device and its applications in high-density high-speed memories and in power switches
US6351406B1 (en) 1998-11-16 2002-02-26 Matrix Semiconductor, Inc. Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication
US6385074B1 (en) 1998-11-16 2002-05-07 Matrix Semiconductor, Inc. Integrated circuit structure including three-dimensional memory array
US6034882A (en) * 1998-11-16 2000-03-07 Matrix Semiconductor, Inc. Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication
US7157314B2 (en) * 1998-11-16 2007-01-02 Sandisk Corporation Vertically stacked field programmable nonvolatile memory and method of fabrication
FR2787240B1 (fr) 1998-12-14 2002-08-09 St Microelectronics Sa Procede de realisation d'une resistance dans un circuit integre et dispositif integre correspondant de memoire vive statique a quatre transistors et deux resistances
US6717233B1 (en) * 1999-02-01 2004-04-06 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration, Inc. Method for fabricating resistors within semiconductor integrated circuit devices
US6690038B1 (en) 1999-06-05 2004-02-10 T-Ram, Inc. Thyristor-based device over substrate surface
FR2799885B1 (fr) * 1999-10-05 2002-01-11 St Microelectronics Sa Potentiometre integre et procede de fabrication correspondant
US6631085B2 (en) 2000-04-28 2003-10-07 Matrix Semiconductor, Inc. Three-dimensional memory array incorporating serial chain diode stack
US8575719B2 (en) 2000-04-28 2013-11-05 Sandisk 3D Llc Silicon nitride antifuse for use in diode-antifuse memory arrays
US6888750B2 (en) * 2000-04-28 2005-05-03 Matrix Semiconductor, Inc. Nonvolatile memory on SOI and compound semiconductor substrates and method of fabrication
JP5792918B2 (ja) 2000-08-14 2015-10-14 サンディスク・スリー・ディ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニーＳａｎｄｉｓｋ ３Ｄ Ｌｌｃ 高集積メモリデバイス
US6624011B1 (en) 2000-08-14 2003-09-23 Matrix Semiconductor, Inc. Thermal processing for three dimensional circuits
US6580124B1 (en) 2000-08-14 2003-06-17 Matrix Semiconductor Inc. Multigate semiconductor device with vertical channel current and method of fabrication
US6627530B2 (en) 2000-12-22 2003-09-30 Matrix Semiconductor, Inc. Patterning three dimensional structures
US6661730B1 (en) 2000-12-22 2003-12-09 Matrix Semiconductor, Inc. Partial selection of passive element memory cell sub-arrays for write operation
US6545898B1 (en) 2001-03-21 2003-04-08 Silicon Valley Bank Method and apparatus for writing memory arrays using external source of high programming voltage
US7456439B1 (en) 2001-03-22 2008-11-25 T-Ram Semiconductor, Inc. Vertical thyristor-based memory with trench isolation and its method of fabrication
US6727528B1 (en) 2001-03-22 2004-04-27 T-Ram, Inc. Thyristor-based device including trench dielectric isolation for thyristor-body regions
US6897514B2 (en) * 2001-03-28 2005-05-24 Matrix Semiconductor, Inc. Two mask floating gate EEPROM and method of making
US6804162B1 (en) 2001-04-05 2004-10-12 T-Ram, Inc. Read-modify-write memory using read-or-write banks
US6841813B2 (en) * 2001-08-13 2005-01-11 Matrix Semiconductor, Inc. TFT mask ROM and method for making same
US6525953B1 (en) 2001-08-13 2003-02-25 Matrix Semiconductor, Inc. Vertically-stacked, field-programmable, nonvolatile memory and method of fabrication
US6593624B2 (en) 2001-09-25 2003-07-15 Matrix Semiconductor, Inc. Thin film transistors with vertically offset drain regions
US7067850B2 (en) * 2001-10-16 2006-06-27 Midwest Research Institute Stacked switchable element and diode combination
US6624485B2 (en) 2001-11-05 2003-09-23 Matrix Semiconductor, Inc. Three-dimensional, mask-programmed read only memory
US6583452B1 (en) 2001-12-17 2003-06-24 T-Ram, Inc. Thyristor-based device having extended capacitive coupling
FR2836749A1 (fr) * 2002-02-11 2003-09-05 St Microelectronics Sa Cellule memoire a programmation unique
FR2836751A1 (fr) 2002-02-11 2003-09-05 St Microelectronics Sa Cellule memoire a programmation unique non destructrice
US7427802B2 (en) * 2002-02-11 2008-09-23 Stmicroelectronics S.A. Irreversible reduction of the value of a polycrystalline silicon resistor
FR2836752A1 (fr) * 2002-02-11 2003-09-05 St Microelectronics Sa Cellule memoire a programmation unique
FR2836750A1 (fr) * 2002-02-11 2003-09-05 St Microelectronics Sa Cellule memoire a programmation unique non destructrice
US6853049B2 (en) 2002-03-13 2005-02-08 Matrix Semiconductor, Inc. Silicide-silicon oxide-semiconductor antifuse device and method of making
US6832300B2 (en) 2002-03-20 2004-12-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Methods and apparatus for control of asynchronous cache
US6737675B2 (en) 2002-06-27 2004-05-18 Matrix Semiconductor, Inc. High density 3D rail stack arrays
FR2846463A1 (fr) * 2002-10-28 2004-04-30 St Microelectronics Sa Compteur monotone a base de cellules memoire
FR2846462A1 (fr) * 2002-10-28 2004-04-30 St Microelectronics Sa Compteur monotone croissant en circuit integre
FR2846776A1 (fr) * 2002-10-30 2004-05-07 St Microelectronics Sa Cellule memoire a trois etats
FR2846791A1 (fr) * 2002-10-31 2004-05-07 St Microelectronics Sa Element resistif en silicium polycristallin commandable en diminution irreversible de sa valeur
EP1416497A3 (de) * 2002-10-31 2004-07-21 STMicroelectronics S.A. Einmal programmierbare Multibitspeicherzellen
AU2003274579A1 (en) * 2002-12-05 2004-06-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Programmable non-volatile semiconductor memory device
US20060249753A1 (en) * 2005-05-09 2006-11-09 Matrix Semiconductor, Inc. High-density nonvolatile memory array fabricated at low temperature comprising semiconductor diodes
US7177183B2 (en) 2003-09-30 2007-02-13 Sandisk 3D Llc Multiple twin cell non-volatile memory array and logic block structure and method therefor
JP4908082B2 (ja) * 2006-06-30 2012-04-04 株式会社吉野工業所 容器
US8085571B2 (en) * 2008-01-09 2011-12-27 Eugene Robert Worley High density prom
US20090272958A1 (en) * 2008-05-02 2009-11-05 Klaus-Dieter Ufert Resistive Memory
US20100283053A1 (en) * 2009-05-11 2010-11-11 Sandisk 3D Llc Nonvolatile memory array comprising silicon-based diodes fabricated at low temperature
US9627395B2 (en) 2015-02-11 2017-04-18 Sandisk Technologies Llc Enhanced channel mobility three-dimensional memory structure and method of making thereof
US9478495B1 (en) 2015-10-26 2016-10-25 Sandisk Technologies Llc Three dimensional memory device containing aluminum source contact via structure and method of making thereof

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL298324A (de) * 1962-09-28 1900-01-01
US3654531A (en) * 1969-10-24 1972-04-04 Bell Telephone Labor Inc Electronic switch utilizing a semiconductor with deep impurity levels
BE794202A (fr) * 1972-01-19 1973-05-16 Intel Corp Liaison fusible pour circuit integre sur substrat semi-conducteur pour memoires
CH560463A5 (de) * 1972-09-26 1975-03-27 Siemens Ag
JPS5513426B2 (de) * 1974-06-18 1980-04-09

Also Published As

Publication number Publication date
NL186418C (nl) 1990-11-16
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NL7613428A (nl) 1977-06-07
FR2334201A1 (fr) 1977-07-01

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