DE2628210A1

DE2628210A1 - Logischer schaltkreis mit einer vielzahl von einzelschaltkreisen

Info

Publication number: DE2628210A1
Application number: DE19762628210
Authority: DE
Inventors: Hiroshi Ishino
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1975-06-23
Filing date: 1976-06-23
Publication date: 1976-12-30
Also published as: DE2628210C3; FR2315805A1; CA1069591A; NL169662C; US4107547A; DE2628210B2; NL7606688A; GB1557010A; FR2315805B1

Description

Logischer Schaltkreis mit einer Vielzahl von Einzelschaltkreisen

Die Erfindung betrifft einen logischen Schaltkreis mit einer Vielzahl von Einzelschaltkreisen, von denen jeder mehrere Ausgangsanschlüsse aufweist, durch die jeweils ein Strom in einer bestimmten Richtung oder kein Strom entsprechend dem binären logischen Schaltzustand fließt. Insbesondere betrifft die Erfindung bipolare integrierte Halbleiterschaltkreise , sog. logische Grundschaltkreise, welche Teil eines großen integrierten Schaltkreises, eines sog. LSI sind.

Die Mg. 1A, 1B und 1C zeigen Beispiele von konventionellen Ausgangsschaltkreisen. Sie bestehen aus Ausgangstransistoren, Widerständen und Dioden. Die Symbole Vcc»Va bezeichnen jeweils, die Spannungsquelle und den Ausgangsanschluß. An den entsprechenden Ausgangsanschlüssen liegt entweder eine Ausgangsspannung

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niederen Potentials, nachfolgend L-Potential genannt oder eine Ausgangsspannung hohen Potentials, nachfolgend Η-Potential genannt, entsprechend dem Ein- oder Ausschalten des Transistors in Abhängigkeit von der logischen Funktion. In vielen Fällen jedoch fließt der durch den Ausgangsanschluß fließende Strom in zwei Richtungen, wie dies durch die Pfeile verdeutlicht wird. Ist beispielsweise die Ausgangsspannung auf Η-Potential, dann fließt der Strom vom Ausgangstransistor weg, während bei einem I-Potential der Ausgangsspannung der Strom in Richtung des Ausgangstransistors fließt. Ein logischer Schaltkreis, der diese Arten von Ausgangsschaltungen aufweist, die also einen Stromfluß in zwei Eichtungen haben, kann praktisch nicht funktionieren, um logische Schaltoperationen auszuführen, falls die Ausgänge miteinander verbunden sind. Wenn die Ausgänge miteinander verbunden sind, dann wird der Strom vom H-Ausgang zum L-Ausgang fließen, falls einer der Ausgänge Η-Potential und der andere L-Potential aufweist. Dies ist von der logischen Funktion her nicht nur unzulässig, sondern bedingt auch einen Fehler in der Größe der Spannung beim L-Ausgang, da diese Spannung höher ist als der erlaubte Wert.

Bei LSI-Schaltkreisen ist es wesentlich, die Schaltfunktion zu verbessern und die Herstellkosten zu vermindern. Dies bedingt, daß in einem kleinen Halbleiterbauteil möglichst viele logische Grundschaltkreise integriert werden müssen. Dies bedingt wiederum, daß diese G-rundschaltkreise so einfach wie möglich aufgebaut sein sollen, um die G-röße dieser G-rundschaltkreise auf ein Minimum zu bringen. Weitere Verbindungen

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zwischen den Ausgängen stellen die Mittel dar zur Ausführung der logischen Schaltoperationen. Beispielsweise kann eine verdrahtete OR-Logik vorgesehen werden durch einfaches Kurzschließen der Ausgangsanschlüsse, was dazu führt, daß auf einen OR-Gatterschaltlrreis verzichtet werden kann. Diese Schaltungsart führt zu einer wesentlichen Verminderung der Grundschaltkreis2. Aus den zuvor erwähnten Gründen .-jedoch kann eine solche Schaltungsart bei den Ausgangssclialtungen gemäß I"ig. 1 nicht ausgeführt werden.

Es besteht daher die Aufgabe, die bei den vorerwähnten logischen Gruncl se haltkreis en auftretenden Nachteile zu vermeiden. Die logischen G-rundsclialticreise sollen so ausgeführt sein, daß der Ausgangsstrom definiert in eine Richtung fließt. Weiterhin sollen die Grundschaltkreise eine höhere Arbeitsgeschwindigkeit aufweisen. Es ist auch wünschenswert, daß der Stromverbrauch vermindert 7/ird. Die Grundschaltkreise sollen einfach aufgebaut sein und wenig Raum' beanspruchen.

Diese Aufgabe wird bei einem Schaltkreis der eingangs genannten Art dadurch gelöst, daß mindestens zwei Ausgangsanschlüsse einen entgegengesetzten logischen Zustand haben, und der Strom jeweils in entgegengesetzter Richtung f±ießt und mehrere.dieser Ausgangsanschlüsse zum Ausführen logischer Schaltoperationen direct miteinander verbunden sind.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnungen erläutert.

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rs neigen:

Die .Pig. IA, 1^H !.infl 10 drei Beispiele von rekanten logischen Schaltkreises.

Die Fig. 2A, 2B, 20, 2D und 2E fünf Ausführungsteispiele logischer Schaltkreise gemäß der Erfindung.

Die Fig. 3A und 3B Diagramme zur Erläuterung der Arbeitsweise der vorliegenden Erfindung.

Fig. 4A einen logischen Schaltkreis bestehend au ρ mehrerer» Grundschaltkreisen gemäß der Erfindung.

Pig. 4B einen äquivalenten Schaltkreis gemäß Fig. 4A.

Fig. 40 einen für das Ausführungsbeispiel nach Fig. 2E benötigten Eingangsschaltkreis.

Fig. 5 ein Ausführurjgsbeispiel eines integrierten Sehaltkreises gemäß Fig. 4A.

Fig. 6 eine Tabelle von Kombinationen logischer Schaltkreise gemäß der Erfindung.

Fig. 7 ein Blockdiagramm eines weiteren Ausführungsbeispiels und

Fig. 8 ein Schaltbeispiel eines bekannten, zur Schaltung nach Fig. 7 äquivalenten Schaltkreises.

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Die Fjg. 2A zeigt einen Grundschaltkreis zur Ausführung logischer Operationen gemäß der vorliegenden Erfindung. Die Schaltungen nach den Fig. 2B und 2D zeigen Beispiele mit mehreren Ausgängen. Die Fig. 20 zeigt ein Schaltbeispiel mit mehreren Eingängen, und die Fig. 2E zeigt eine Schaltung entsprechend derjenigen nach Pig. 2A mit der Ausnahme, daß die Diode 2 entfallen ist und ein Widerstand 6" hinzugekommen ist.

In Fig. 2A ist der Kollektor des ersten Transistors 1, dessen Emitter an Masse liegt, verbunden mit der Kathode einer ersten Diode 2, deren Anode am Verbindungspunkt zwischen einem Widerstand 3 und der Basis eines zweiten !Transistors 4 liegt. Das andere Ende des Widerstands 3 ist mit der Speisespannungsquelle Vcc verbunden. Der Kollektor des zweiten Transistors 4 ist ebenfalls mit der Speisespannungsquelle Vcc verbunden, und der Emitter dieses zweiten Transistors dient als Ausgang A des logischen Schaltkreises. Mit dem Kollektor des ersten Transistors 1 ist verbunden die Kathode einer Diode 5> deren Anode als Ausgang B dient. Die Basen der Transistoren 1 und 4 dienen als Eingangsanschlüsse (A) und (B).

Dieser Grundschaltkreis arbeitet wie folgt:

Wenn der erste Transistor 1 ein- oder abgeschaltet wird, dann treten am Ausgang A zwei Schaltzustände auf, wobei im ersten Schaltzustand ein Strom wegfließt und im zweiten Schaltzustand kein Strom auftritt. Andererseits nimmt der Ausgang B.zwei Schaltzustände an,

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wobei entweder ein Strom zufließt oderkein Strom auftritt. Dies ist durch die Pfeile "bei den Ausgangsanschlüssen A und B verdeutlicht. Die Ströme an den Ausgängen A und B können immer nur in einer Richtung fließen. Ist der Ausgang A verbunden mit dem Ausgang A¹ eines anderen logischen Schaltkreises, so ergibt sich dadurch eine verdrahtete OR-Logik. Dies ist gezeigt in Pig. 3A, wo die beiden Ausgänge A und A¹ am Punkt W₁ kurzgeschlossen sind. Wenn dort entweder ein Strom I₁ oder I₂ oder ein Ausgangsstrom I₇, (=I-j + Ip^ auftritt, dann entsteht über den Lastwiderstand R₁ eine Spannung V₁, was einem logischen Η-Potential entspricht. Dies entspricht einer verdrahteten OE-Logik. Sind in entsprechender Weise die Ausgänge B und B^f miteinander verbunden, dann ergibt sich eine verdrahtete UND-Logik. Eine solche ist in Fig. 3B gezeigt, wo die beiden Ausgänge B und B' am Punkt Wp miteinander kurzgeschlossen sind. Ein Ausgangsstrom Ig tritt nur dann nicht auf, wenn keiner der beiden Teilströme I. und Ir- fließt.

4 D

Die Spannung Vp tritt als Spannungsabfall längs des Lastwiderstandes R₂ auf und entspricht dem logischen L-Potential. Dies entspricht genau einer verdrahteten ÜND-Logik.

Ist der Ausgang A einer verdrahteten OR-Logik verbunden mit dem Eingang (A) eines anderen identischen logischen Grundschaltkreise s , dann wirkt der beim Ausgang A abfließende Strom direkt als Basisschaltstrom für den anderen Eingang (A). Diese Stromkomponente sollte konstant sein im Hinblick auf den Stromverbrauch und im Hinblick auf die arithmetische Schaltgeschwindig-

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keit der logischen Schaltung. Deshalb sollte die Speisespannungsquelle Vcc im Hinblick auf diese konstante Stromkomponente eine Konstantstromquelle sein.

Der Stromverbrauch eines logischen Schaltkreises ist im allgemeinen proportional zur Leistungsaufnahme einer den logischen Schaltkreis umfassenden Einrichtung, jedoch umgekehrt proportional mit der Verteilungsverzögerungszeit eines Grundschaltkreises. Für eine gewünschte Leistung oder Arbeitsgeschwindigkeit kann die Arbeitsweise ausgewählt werden durch Einstellen des Leistungestroinwertes vor dem Auslegen der Einrichtung. Auf diese Weise ist ein weiter Anwendungsbereich sichergestellt.

Der Ausgang B einer verdrahteten IBTD-Logik kann auch verbunden sein mit dem Eingang (B) eines anderen identischen Grundschaltkreises. Bas ankommende Eingangssignal und das Signal am Kollektor des Transistors 1 bilden eine verdrahtete UND-Logik an diesem Eingang (B), Das Ergebnis tritt am Ausgang A auf. Die erste Diode ist notwendig zur Ausführung der verdrahteten UND-logik, Wenn das gleiche Ausgangssignal wie dasjenige am Ausgang B mit dem in einer Richtung fließenden Ausgangsstrom von der zweiten Diode 5 an der.Anode der ersten Diode 2 auftritt, dann führen das Ausgangssignal und das ankommende Signal am Eingang (B) eine verdrahtete UlfD-logik aus, entsprechend dem in Mg. 3B gezeigten Prinzip.

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Anwendungsfälle gemäß der vorliegenden Erfindung sind in den Fig. 2B, 20 und 2D gezeigt. Die Pig. 2B zeigt einen logischen Grundschaltkreis mit mehreren Ausgängen A, A¹, A" ... und B, 3', B" ... entsprechend der gewünschten Anzahl der logischen Schaltfunktionen zwischen den Ausgängen A und B. Die Pig. 20 zeigt eine Schaltung mit mehreren Eingängen B und den Ausgängen A für eine OE-Logik. Fig. 2D zeigt einen logischen Schaltkreis mit mehreren Ausgängen A, A', A" und B, B¹, B" ... entsprechend der Anzahl der gewünschten logischen Schaltausgänge zwischen den Ausgängen A und B und weiterhin mit mehreren Eingängen (B) und Ausgängen A für eine OR-Logik. Eine detaillierte Beschreibung kann sich erübrigen, da die Arbeitsweise die gleiche ist wie diejenige der Schaltung nach Fig. 2A. Der gestrichelte dargestellte Widerstand 6 in den Fig. 2A bis 2D dient als Entladewiderstand für die Ladung an der Basis des ersten Transistors 1. Ein solcher Entladewiderstand kann gelegentlich benötigt werden, er ist jedoch für die Grundarbeitsweise der Schaltungen nicht wesentlich. Die in den Fig. dargestellten Transistoren und Dioden können ersetzt sein durch Shottky-clamp Transistoren und Shottky-Dioden, um eine höhere Arbeitsgeschwindigkeit zu erhalten.

Nachfolgend werden anhand der Fig. 4A, 4B und logische Schaltkreise beschrieben, bei denen Grundschal tkreise nach den Fig. 2 verwendet werden. Die Fig. 4A zeigt einen Signalschaltkreis. Fig. 4B ist ein zur Fig. 4A äquivalenter Sehaltkreis. Die Punkte a, b," c und d in Fig. 4B entsprechen den Eingängen (B)

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der Fig. 2A, 2B₁ 20 und 2D. Die Signale S₁₁, S₁₂, S₂₁ und S₂₂ an diesen Punkten und inverse Signale von Gattersignalen G₁ und G₂ bilden zusammen die verdrahtete ÜND-Iogik. Weiterhin entsprechen solche Punkte in Pig. 4B denjenigen in Fig. 4A. Eine Gruppe von vier Dioden 7 sind den Signalleitungen der Grundschal tkreise, deren Ausgänge die Signale S₁₁, S₁₂, S_?1 und S₂₂ liefern, zugeordnet. Diese Dioden sind die gleichen wie die Dioden 5 in den Schaltungen gemäß Fig. 2A bis 2D. An den Punkten e und f in Pig. 4B bilden die Signale an den Punkten a und b und das inverse Signal des Gattersignals G- die OR-Logik, während die Signale av den Punkten c und d und das inverse Signal des GattersignaiR G- eine weitere OE-Logik bilden. Jene Signale weiten bezüglich ihres Vorzeichens durch die Transistoren 8 und 9 gedreht, wobei sich 4/UBgangspignale X₁ und X₂ bilden.

Die Fig. 5 zeigt ein bevorzugtes Ausführungsbejspiel, in welchem logische Schaltkreise wie derjenige -narh Fig. 4A in einem Halbleitersubstratbauteil integriert sind. Aus diesem Ausführungsbeispiel ergibt sich, daß beträchtliche Effekte erreicht werden, wenn logische Schaltkreise gemäß der vorliegenden Erfindung zn einem LSI-Schaltkreis zusammengefaßt werden.

Gemäß Fig. 5 sind die Transistoren und Dioden in entsprechenden Bereichen 10 angeordnet, die sinh wie Inseln in einem Bereich einer N-Leitfähigkeit befinden. Sie werden beispielsweise mittels eines Diffusions-

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prozessee erzeugt. Jene Bereiche umfassen eine diffundierte P-Schicht für die Dioden 11 mit einer Kontaktfläche, eine diffundierte P-Schicht 12 als Basis mit einer Kontaktfläche und eine diffundierte N -Schicht T3 als Emitter mit einer Kontaktfläche, eine diffundierte P-Schicht 14 als Basis mit einer Kontaktfläche, jeweils angeordnet in einem Bereich 10 aus einem U-Leitfähigkeitstyp, an den die Speisespannungsquelle angeschlossen ist, Widerstandsbereiehen 15 und 16 und einem Element 17 und einer diffundierten N⁺-Schicht 18 als Kollektor mit einer Kontaktfläche. In Mg. 5 sind die Verbindungen und Anschlüsse schematisch dargestellt durch Kurven und schwarze Punkte. Diese Verbindungen und Anschlüsse werden jedoch bei der praktischen Ausführung gebildet von einem aufgedampften Metallfilm. Jede der Verbindungen zu ei en Punkten a, b, c, d, e und f entsprechen den entsprechenden Punkten a bis f in Fig. 4B. Die Verbindungen a, b, c und d verbinden extern die Dioden 11 im entsprechenden Transistorbereich zur Bildung einer UND-Iogik. Die Verbindungen e und f verbinden extern die Emitterausgänge 13 der entsprechenden Transistoren zur Bildung einer OR-Logik. Gemäß diesem Beispiel sind 5 Inselbereiche zur Bildung des gesamten Schaltkreises erforderlich., mit Ausnahme der 4 Signalbereiche S₁₁, S₁₂, Sp₁ und Sp₂* Wäre die Schaltung mit der Grundschaltung gemäß Fig. 1C aufgebaut, wären zur Durchführung der gleichen Schaltfunktion 40 Inselbereiche erforderlich.

Die Fig. 6 zeigt die möglichen Kombinationen der logischen Grundschaltkreise zur Bildung logischer Schaltkreise gemäß der vorliegenden Erfindung. Die Pfeile

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verdeutlichen die jeweilige Stromflui3richtung. Ein logischer Schaltkreis kann gebildet werden durch die Kombination nach Fall A, mit mindestens einem logischen UND-und einem NEIF-Schaltkreis. Die Kombination nach Fall B kann verwendet werden zur Bildung eines logischen Schaltkreises. In manchen Fällen ist es ,jedoch im Hinblick auf die Theorie von De Morgan vorteilhaft, logische Schaltkreise mit drei Arten von logischen Grundschaltkreisen zu bilden, beispielsweise durch UE^-D; ODER- und NEIN-Schaltkreise anstelle der Verwendung von nur awei Arten logischer Grund .se hai tkr ei se in den Fällen k und B. Im Fall G kann nämlich die Zahl der erforderlichen logischen Grundschaltkreise pro logischen Schaltkreis vermindert werden. Das Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 7 entspricht dem Fail G, jedoch weisen die Schaltungen nach A und B ebenfalls wesentliche Vorteile gegenüber dem Stand der Technik auf.

In Fig. 7 werden als Produkt oder Summe von drei Eingangssignalen S₁, S₂ und S, vier logische Signale Vi, X, Y und Z erzeugt. Das Signal W ist das UND-Signal der Eingangssignale S₁, S₂ und S,. Die Eingangssignale S₁, S₂ und S-, werden durch die logischen Grundschaltkreise G₁, G₂ und G, bezüglich ihres Vorzeichens umgedreht. Die Ausgangssignale dieser Schaltkreise sind miteinander verbunden am Punkt c zur Bildung einer OR-logik. Die OR-Ausgangssignale werden bezüglich ihres Vorzeichens abermals gedreht durch den logischen Grundschaltkreis G., wobei dann dieses Signal den UND-Ausgang der Eingangssignale S₁, S₂ und S, darstellt. Das Ausgangssignal X ist das UND der Eingangssignale S₁ und S₂. Diese Eingangssignale werden in den logischen Schaltkreisen G₁

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und Gp "bezüglich ihres Vorzeichens umgedreht. Die Ausgangssignale von diesen logischen Grundschaltkreisen werden am Punkt d miteinander verbunden zur Bildung einer OR-Logik. Das so erhaltene Signal wird abermals bezüglich seines Vorzeichens umgedreht im logischen Grundschaltkreis G₅. Auf diese Weise ergeben die Eingangssignale S₁ und S„ einen UND-Ausgang. Weiterhin ist das Ausgangssignal Y das OR der Eingangssignale S₁ und Sp . Die Eingangssignale S., und Sp werden in den logischen Grundschaltkreisen G., und Gp bezüglich des Vorzeichens umgedreht. Die Ausgangssignale werden an Punkt e entsprechend einer OR-Logik zusammengeführt. Die OR-Ausgangssignale werden weiterhin bezüglich ihres Vorzeichens umgedreht durch den logischen Grundschaltkreis Gg . Die Eingangssignale S₁ und Sp ergeben also einen OR-Ausgang. Letztlich stellt das Ausgangssignal Z das OR der Eingangssignale S-, Sp und S^ dar. Die Signale S-, Sp und S, werden bezüglich ihres Vorzeichens in den logischen Grundschaltkreisen G-, Gp und G_ umgedreht. Die Ausgangssignale dieser Schaltkreise werden an Punkt f zusammengeführt. Das OR-Ausgangssignal wird im logischen Grundschaltkreis G₇ bezüglich seines Vorzeichens umgekehrt. Auf diese Weise ergeben die Eingangssignale S₁, S₂ und S, einen OR-Ausgang. Die logische Umsetzung dieser Signale basiert auf der Theorie von De Morgan.

Wie sich aus dem Schaltkreis gemäß Fig. 7 ergibt, können die logischen Schaltkreise gegenüber den bekannten Schaltkreisen wesentlich vereinfacht werden. Dies wird anhand der Fig. 8 verdeutlicht, die einen Schaltkreis zeigt, welcher demjenigen nach Fig. 7 äquivalent ist.

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Da die logischen Grundschaltkreise G-¹^ G'₂ und G¹, jeweils Ausgänge aufweisen, bei denen entsprechend den Pfeilen in Fig. 1 der Strom in beiden Richtungen zu fließen vermag, sind die logischen Grundschaltkreise Gg, Gq, G^₀ und G...J absolut notwendig, um die UND-oder OR-Ausgänge der Eingangssignale S¹-, S'₂ und S¹, zu erhalten. Da beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 7 die Ströme durch die Ausgangsstufen der logischen Grundschaltkreise G-., Gp und G- jeweils nur in einer Richtung fließen, können die UND-oder OR-Ausgänge erhalten werden durch einfaches Kurzschließen der Ausgangsanschlüsse. Dies bedeutet also, daß die Zahl der logischen Grundschaltkreise zur Bildung eines logischen Schaltkreises beträchtlich vermindert werden kann, was eine Kostenverminderung bei der Hersteilung solcher Schaltkreise bedeutet.

Nachfolgend seien noch einmal die Vorteile zusammengestellt, die mit den erfindungsgemäßen Schaltungsanordnungen erzielbar sind:

Da der Ausgangsstrom jeweils nur in einer Richtung zu fließen vermag, können die Ausgänge zur Durchführung logischer Operationen einfach zusammengeschaltet werden.

Durch Verringerung der Schwellwertspannung am Eingang (A) ist es möglich, daß der logische Schaltiereis mit höherer Arbeitsgeschwindigkeit arbeitet. Obwohl der Widerstand 6' im Ausführungsbeispiel nach Fig. 2E dieselbe Aufgabe hat wie der Widerstand 6 in der Schaltung nach Fig. 2A, nämlich die Entladung der

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Basis des Transistors, so "begrenzt der Widerstand 6" in Fig. 2E den Eingangsschaltstrom mit dem Ergebnis, daß die Speisespannungsquelle Vcc stabilisiert sein sollte und daß die Schvellwertspannung am Eingang a in Fig. 2E höher ist als diejenige des Eingangs in Fig. 2A. Dies führt zu einer Verminderung der Arbeitsgeschwindigkeit des Schaltkreises. Andererseits entfällt in Fig. 2A der Widerstand 6", so daß die Schwellwertspannung vermindert ist. Auf diese Weise kann die Arbeitsgeschwindigkeit des logischen Schaltkreises erhöht werden und die Speisespannungsquelle Vcc kann gesteuert werden durch eine Konstantstromquelle. Deshalb kann der Leistungsstrom frei gewählt werden, damit die gewünschte Geschwindigkeit erreicht wird, bevor der Schaltkreis ausgelegt wird. Es ist somit möglich, den Stromverbrauch zu vermindern.

Bei den Schaltungen nach Fig. 2A bis 2D ist der Schaltungsaufbau selbst einfacher, d.h. der Platzbedarf eines Grundschaltkreises in einem logischen Schaltkreis ist geringer. Im Falle der Schaltung nach Fig. 2E ist es infolge des Fehlens eines Eingangsanschlusses für den Ausgang B (dieser Eingang entspricht dem Eingang (B) bei den Schaltungen nach den Fig. 2A, 2B, und 2D) erforderlich, einen zusätzlichen Schaltkreis vorzusehen, beispielsweise einen Eingangsschaltkreis, wie er in Fig. 40 gezeigt ist. Demgemäß benötigen die Schaltungen nach Fig. 2A bis 2D keinen zusätzlichen Schaltkreis nach Fig. 40 infolge der zusätzlichen Diode und infolge des Einganges (B).

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Claims

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Ansprüche

, 1.JLogischer Schaltkreis mit einer Vielzahl von Einzelschal tkreisen, von denen jeder mehrere Ausgangsanschlüsse aufweist, durch die jeweils ein Strom in einer bestimmten "Richtung oder kein Strom entsprechend dem "binären logischen Schaltzustand fließt, rtafl-nrch gekennzeichnet ,daß mindestens zwei Ausgangsanschlüsse unterschiedliche logische Schaltzustände aufweisen und die Strorcrichtungen entgegengesetzt zueinander verlaufen, und mehrere Ausga.ngsanschlüsse der Einzelschaltkreise zum Ausführen einer logischen Operation direkt miteinander verbunden sind.
2. Logischer Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Kollektor eines ersten Transistors, dessen Emitter geerdet ist, verbunden ist mit der Basis eines zweiten Transistors, einem EingangsenSchluß des logischen Schaltkreises und über einen Widerstand mit der Speisespannungsquelle, der Kollektor des zweiten Transistors an dieser Speisespannungsquelle liegt, mindestens der Emitter des zweiten Transistors als ein Ausgang des logischen Schaltkreises dient, während der Kollektor des ersten Transistors verbunden ist mit der Kathode mindestens einer Diode, wobei deren Anorde als ein weiterer Ausgang des logischen Schaltkreises dient.
3. Logischer Schaltkreis nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß der Kollektor

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eines ersten Transistors, dessen Emitter an Masse liegt, verbunden ist mit der Kathode einer Diode, deren Anode mit der Basis eines zweiten Transistors und über einen Widerstand mit der Speisespannungsquelle verbunden ist, der Kollektor des zweiten Transistors an der Speisespannungsquelle liegt, an der Verbindung des Kollektors des ersten Transistors mit der Kathode der ersten Diode die Kathode einer . zweiten Diode angeschlossen ist, die Basen des ersten und zweiten Transistors als Eingänge dienen und der Emitter des zweiten Transistors und die Anode der zweiten Diode als Ausgänge des logischen Schaltkreises geschaltet sind.
4. Logischer Schaltkreis nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet , daß der Kollektor des ersten Transistors, dessen Emitter an Masse liegt, verbunden ist mit den Kathoden einer ersten Gruppe von Dioden, deren Anoden verbunden sind sowohl mit den Basen von zwei Transistoren, entsprechend ausgerüstet mit Dioden in der ersten Gruppe, als auch über einen Widerstand der Speisespannungsquelle, die Kollektoren der zweiten Transistoren mit der Speisespannungsquelle verbunden sind, an die Verbindung des ersten Transistors mit den Kathoden der zweiten Gruppe von Dioden die Kathode der zweiten Diode angeschlossen ist, so daß die Basen des ersten und der zweiten Transistoren als Eingänge des Schaltkreises dienen, der jeweils eine oder mehrere Emitter der zweiten Transistoren und die Anode der Diode in der zweiten Gruppe als Ausgänge des Schaltkreises geschaltet sind.

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