DE2611804A1 - Verfahren zur herstellung eines feldeffekttransistors - Google Patents
Verfahren zur herstellung eines feldeffekttransistorsInfo
- Publication number
- DE2611804A1 DE2611804A1 DE19762611804 DE2611804A DE2611804A1 DE 2611804 A1 DE2611804 A1 DE 2611804A1 DE 19762611804 DE19762611804 DE 19762611804 DE 2611804 A DE2611804 A DE 2611804A DE 2611804 A1 DE2611804 A1 DE 2611804A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- field effect
- source
- effect transistor
- conductivity type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000009412 basement excavation Methods 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- 210000001520 comb Anatomy 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR7508943A FR2305023A1 (fr) | 1975-03-21 | 1975-03-21 | Procede de realisation d'un transistor a effet de champ et transistor obtenu par ce procede |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2611804A1 true DE2611804A1 (de) | 1976-09-30 |
Family
ID=9152916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19762611804 Pending DE2611804A1 (de) | 1975-03-21 | 1976-03-19 | Verfahren zur herstellung eines feldeffekttransistors |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS51120181A (it) |
| DE (1) | DE2611804A1 (it) |
| FR (1) | FR2305023A1 (it) |
| NL (1) | NL7602896A (it) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1170185A (en) * | 1967-07-28 | 1969-11-12 | Hitachi Ltd | Electrode Structure of a Semiconductor Device. |
-
1975
- 1975-03-21 FR FR7508943A patent/FR2305023A1/fr active Granted
-
1976
- 1976-03-19 DE DE19762611804 patent/DE2611804A1/de active Pending
- 1976-03-19 NL NL7602896A patent/NL7602896A/xx unknown
- 1976-03-22 JP JP3116976A patent/JPS51120181A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51120181A (en) | 1976-10-21 |
| NL7602896A (nl) | 1976-09-23 |
| FR2305023A1 (fr) | 1976-10-15 |
| FR2305023B1 (it) | 1978-06-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE68912482T2 (de) | Dünnfilm-Transistoren, ihre Verfahren zur Herstellung und Anzeigeeinrichtung, die mit solchen Transistoren hergestellt sind. | |
| DE3888885T2 (de) | Halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung. | |
| DE2455730C3 (de) | Feldeffekt-Transistor mit einem Substrat aus einkristallinem Saphir oder Spinell | |
| DE3853778T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements. | |
| EP0186058B1 (de) | Feldeffekttransistor mit hoher Spannungsfestigkeit | |
| DE68920657T2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-auf-Isolator-Struktur mit Einfangplätzen. | |
| DE2509315A1 (de) | Feldeffekt-halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung | |
| DE2335799A1 (de) | Sperrschicht-feldeffekttransistoren in dielektrisch isolierten mesas | |
| DE2704626A1 (de) | Verfahren zur bildung einer verbindungszone in einem siliziumsubstrat bei der herstellung von n-kanal siliziumgate-bauelementen in integrierter mos-technologie | |
| DE1959895A1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung | |
| DE2133184A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauteilen | |
| CH655202A5 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung. | |
| DE2262943A1 (de) | Verfahren zur verhinderung einer unerwuenschten inversion | |
| DE1564829C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors | |
| DE2128884A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauteilen | |
| DE2133976A1 (de) | Halbleiteranordnung, insbesondere mono hthische integrierte Schaltung, und Ver fahren zu deren Herstellung | |
| DE1564524B2 (it) | ||
| DE3427293A1 (de) | Vertikale mosfet-einrichtung | |
| DE2817236A1 (de) | Integrierte schaltung | |
| DE1814747C2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Feldefekttransistoren | |
| DE2316095A1 (de) | Verfahren zur herstellung integrierter schaltungen mit komplementaer-kanal-feldeffekttransistoren | |
| DE2904480A1 (de) | Integrierte halbleiterschaltung und verfahren zu ihrem herstellen | |
| DE2515431A1 (de) | Verfahren zur herstellung integrierter schaltungen | |
| DE2154386A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer epitaktischen Schicht auf einem Halbleitersubstrat, bei dem das Selbstdotieren beim Aufwachsen der Schicht auf ein Mindestmaß verringert wird | |
| DE2611804A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines feldeffekttransistors |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OHN | Withdrawal |