DE2605174B2 - Verfahren zur Herstellung von Dünnschicht-Widerstandselementen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Dünnschicht-WiderstandselementenInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 4
- 239000002966 varnish Substances 0.000 claims description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 49
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- -1 Argon ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000010152 pollination Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- UWPPADMWQVNQFC-UHFFFAOYSA-J tetrachlorostannane;hydrochloride Chemical compound Cl.Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl UWPPADMWQVNQFC-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
- H01C17/12—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by sputtering
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/006—Thin film resistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Dünnschicht-Widerstandselementen,
bei dem auf einen isolierenden Trägerkörper durch reaktives Zerstäuben in Verbindung mit Sauerstoff eine
einen Metallzusatz enthaltende Chrom-Nickel-Widerstandsschicht aufgebracht wird.
Es sind Metalloxid-Schichtwiderstandselemente bekannt, bei denen als Metalloxid Zinndioxid Verwendung
findet. Die Herstellung derartiger Metalloxid-Schichtwiderstandselemente erfolgt gewöhnlich in der Weise,
daß mit Salzsäure versetztes Zinntetrachlorid zusammen mit Wasser auf die auf etwa 800° C erhitzten
isolierenden Trägerkörper, die im allgemeinen aus Glas oder Keramik bestehen, aufgesprüht wird. Die dabei
ablaufenden chemischen Reaktionen führen unter Chlorwasserstoffentwicklung zur Bildung von Zinndioxid
auf den Trägerkörpern. Zur Steuerung des Temperaturkoeffizienten der Widerstandsschicht kann
der Zinnchlorid-Lösung auch Antimon-Chlorid zugesetzt werden.
Das Verfahren wird dabei so durchgeführt, daß die isolierenden Trägerkörper in einen Nebel der genannten
Atmosphäre eingebracht werden, wobei sie beispielsweise von oben nach unten durch eine
Nebelzone hindurchfallen.
Für die Qualität derartiger Dünnschicht-Widerstandselemente ist sowohl das Material als auch die
Qualität der Widerstandsschicht von wesentlicher Bedeutung.
Beispielsweise ist für die Stabilität des Widerstandswertes die Gleichmäßigkeit der Widerstandsschicht
sehr wichtig. Mit einem Sprühvorgang der obengenannten Art ist lediglich eine Gleichmäßigkeit der Widerstandsschicht
bis zu einer gewissen Grenze erzielbar.
ίο Diese Beschränkung macht sich dadurch bemerkbar,
daß bei einem Betrieb aus solchen Widerstandselementen gebildeten Widerständen von etwa 10 000 Stunden
eine Änderung des Widerstandswertes von bis zu 4% und darüber auftritt.
Weiterhin hat auch das Material und die Qualität der Widerstandsschicht einen wesentlichen Einfluß auf den
Temperaturkoeffizienten von aus den Widerstandselementen gebildeten Widerständen. Berücksichtigt man,
daß der Temperaturkoeffizient seinerseits wiederum eine Funktion der Temperatur ist, so ergibt sich bei
aufgesprühten Schichten der obengenannten Art im
Bereich von -55° C bis +175° C eine Änderung des
Temperaturkoeffizienten von bis zu 250 Einheiten.
Weitere wichtige elektrische Daten von Widerständen der in Rede stehenden Art sind der Widerstandsbereich,
die Widerstandstoleranzen, die elektrische Belastung bei einer vorgegebenen Umgebungstemperatur,
die maximale Betriebsspannung, die Wertänderung bei Feuchteeinwiikungsowie die Nichtlinearität.
jo Aus der DE-OS 20 19 091 ist es bei einem Verfahren
zur Herstellung stabiler Dünnschichtwiderstände bekannt, zur Gewährleistung der Stabilität bei thermischer
und elektrischer Belastung eine Metallzusätze enthaltende Chrom-Nickel-Widerstandsschicht durch reaktives
Zerstäuben in einer sauerstoffhaltigen Atmosphäre auf ein Substrat (Trägerkörper) aufzubringen. Als
Metallzusätze werden Silizium, Aluminium, Eisen und Kupfer-Nickel-Legierungen in Betracht gezogen. Das
reaktive Zerstäuben von Gold erfolgt dort lediglich zur Bildung einer Schutzschicht über der Nickel-Chrom-Widerstandsschicht.
Derart hergestellte Widerstände bzw. Widerstandselemente sind jedoch hohen thermischen
und elektrischen Belastungen hinsichtlich der Stabilität noch problematisch.
Aus der DE-OS 17 90 082 sind Metallschicht-Widerstandselemente
bekanntgeworden, welche in wenigstens einer Widerstandsschicht Nickel, Chrom, Gold
und gegebenenfalls auch andere Zusatzmaterialien, z. B. Aluminium und Kupfer, enthalten. Diese Schichten
so werden jedoch nicht durch reaktives Zerstäuben, sondern durch Aufdampfen hergestellt. Damit wird ein
geringer Temperaturkoeffizient des Widerstandes und ein kleiner spezifischer Widerstand erreicht. Der Zusatz
von Gold dient hier zur Realisierung kleiner Werte des Temperaturkoeffizienten bei gleichzeitig kleinem spezifischen
Widerstand, nicht aber zur Stabilisierung der Widerstandsschicht bei großen thermischen und elektrischen
Belastungen. Die Langzeitstabilität wird dabei nicht in Betracht gezogen.
bo Weiterhin ist aus der DE-AS 15 15 308 und der ihr im
Offenbarungsgehalt entsprechenden US-PS 34 00 066 ein Aufstäubungsverfahren von Chrom-Nickel-Widerstandsschichten
in einer inaktiven Atmosphäre bekanntgeworden. Ein solches Verfahren unterscheidet sich von
b5 einem Verfahren der eingangs genannten Art dadurch,
daß es sich nicht um ein reaktives Zerstäuben in Verbindung mit Sauerstoff handelt.
Aus der DE-AS 16 40 089 ist der Zusatz von
Aus der DE-AS 16 40 089 ist der Zusatz von
Aluminium oder Aluminium und Kupfer zu Chrom-Nikkel-Widerstandsschichten
bekanntgeworden. Derartige Zusätze führen aber hinsichtlich der Stabilität bei großen thermischen und elektrischen Belastungen noch
nicht zu optimalen Ergebnissen.
Aus der DE-OS 17 65 516 ist es bei einem Verfahren zur Herstellung von Schichtwiderständen bekannt, auf
ein aus elektrisch isolierendem Materiel bestehendes Substrat nacheinander mehrere Metallschichten aufzubringen,
die gesondert und nahezu völlig oxidiert werden. Als Materialien werden Chrom, Tantal und
Molybdän so-Aie insbesondere Legierungen aus Nickel
und Chrom angegeben. Dabei handelt es sich um die Realisierung großer Flächenwiderstände, nicht aber um
die Gewährleistung der Stabilität bei großen thermischen und elektrischen Belastungen.
Schließlich sind aus der DE-OS 16 65 224 und 16 65 236 Verfahren zur Herstellung von Chrom-Nikkei-Widerstandselementen
durch Aufdampfen bekanntgeworden, bei denen aber keine Zusätze zur Verbesserung der Stabilität bei großen thermischen und
elektrischen Belastungen in Betracht gezogen werden.
Der vorliegenden Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von Dünnschicht-Widerstandselementen
der eingangs genannten Art dahingehend zu verbessern, daß ihre Stabilität bei großen thermischen und elektrischen Belastungen
wesentlich verbessert wird.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch
gelöst, daß Chrom und Nickel unter Zusatz von Gold reaktiv aufgestäubt werden.
Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Gedankens sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen nach den Figuren der Zeichnung
näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens und
F i g. 2 und 3 jeweils ein Diagramm, das die Änderung von Widerstandswerten bei elektrischer Belastung bzw.
bei Wärmebelastung zeigt.
Bei der Herstellung von Dünnschicht-Widerstandselementen
werden Widerstandsschichten durch reaktives Zerstäuben (Kathodenzerstäubung) auf isolierende
Trägerkörper aufgebracht. Bei der Kathodenzerstäubung werden im Vakuum mittels beschleunigten
Argon-Ionen Metallatome aus einer Kathode (Target) herausgelöst, die dann auf den Trägerkörpern kondensieren.
Enthält das Restgas Sauerstoff, so kbnn es zu einer Oxidation der Metallatome kommen. Diese
Reaktion, wie auch der gesamte Beschichtungsprozeß wird wesentlich durch die Zerstäubungs- und Aufstäubungsrate,
die Partialdrücke, den Aufbau der Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens sowie die
Trägerkörper- und Targettemperatur bestimmt. Weiterhin hängen die Eigenschaften der aufgestäubten
Widerstandsschichten auch entscheidend von dem Mengenverhältnis der einzelnen Elemente zueinander
und von deren Eigenschaften im Kristallverband ab.
Die Oxidation der Metallatome kann dabei bereits auf dem Target, während der Transportphase im Plasmaraum
und auch während der Kondensationsphase auf den Trägerkörpern erfolgen.
Da allgemein angenommen werden kann, daß die Zusammensetzung der Widerstandsschichten durch die
Raten der auf die Trägerkörperoberflächen auftreffenden Teilchen bestimmt wird, wobei Kondensationskoeffizienten,
Rückzerstäubung und Reaktionsfreudigkeit zu berücksichtigen sind, werden bei hohen Sauerstoffpartialdrücken
und kleinen Metallzerstäubungsraten oxidische Phasen entstehen. Bei kleinen Sauerstoffpartialdrücken
und großen Metalilzerstäubungsraten sind Widerstandsschichten mit überwiegend metallischem
Charakter zu erwarten.
Es ist daher in weiterer Ausgestaltung der Erfindung möglich, den Sauerstoffpartialdruck und die Metallzer-
iü stäubungsrate jeweils so einzustellen, daß entweder
MetaHoxid-Schichten oder Schichten mit metallischem Charakter als Widerstandsschichten erhalten werden.
Dazwischen bilden sich Übergangsphasen bzw. Gemische aus Metall und Metailloxid.
\b Weiterhin hat auch die Temperatur der isolierenden
Trägerkörper auf den Schichtaufbau einen Einfluß. Da die Haftung und das Rückzerstäuben temperaturabhängige
Effekte sind, beeinflußt die Temperatur der Trägerkörper die Zusammensetzung der Schicht. Einen
noch stärkeren Einfluß hat die Temperatur der Trägerkörper auf die Struktur der aufgestäubten
Schichten. Bei gekühlten Trägerkörpern sind Strukturen zu erwarten, die lediglich den eingefrorenen kondensierten
Zustand der auf den Trägerkörper auftreffenden Teilchen wiedergeben. Die Schichten sind dann eher
amorph als kristallin. Bei hohen Temperaturen der Trägerkörper sind ausgeprägte ICristallstrukturen zu
erwarten. Bei Schichtwiderständen äußert sich dies in erster Linie durch gute Nichtlinearitätswerte.
Anhand einer in der F i g. 1 der Zeichnung dargestellten Kathodenzerstäubungsanordnung wird die Herstellung
von erfindungsgemäßen Widerständen nun im einzelnen beschrieben.
Die Kathodenzerstäubungsanordnung gemäß der Fig. 1 umfaßt eine Reaktionskammer 1, auf deren
Oberseite eine Ionisationskammer 2 vorgesehen ist. An dieser Ionisationskammer 2 ist ein Dosierventil 3
vorgesehen, durch das ein zur Zündung und Aufrechterhaltung einer Bogenentladung in der Reaktionskammer
■to notwendiges inertes Gas, beispielsweise Argon, eingeleitet
wird. Durch ein an der Reaktionskammer 1 vorgesehenes Dosierventil 4 wird ein reaktives Gas,
beispielsweise Luft, in die Reaktionskammer eingeleitet. Am Außenumfang der Reaktionskammer 1 ist weiterhin
eine Magnetspule 5 vorgesehen. Innerhalb der Reaktionskammer befindet sich ein die zu zerstäubenden
Metalle enthaltendes Target (Kathode) 6, das von einer Anode 7 umgeben ist.
Die zu beschichtenden Trägerkörper der Widerstände werden in eine nicht näher dargestellte Drehkorbvorrichtung eingebracht, bei der die Körbe sowohl eine Eigendrehung als auch eine Bahnbewegung um das Target 6 ausführen können. Ein derartiger Korb ist innerhalb der Reaktionskammer 1 schematisch dargestellt und mit 8 bezeichnet.
Die zu beschichtenden Trägerkörper der Widerstände werden in eine nicht näher dargestellte Drehkorbvorrichtung eingebracht, bei der die Körbe sowohl eine Eigendrehung als auch eine Bahnbewegung um das Target 6 ausführen können. Ein derartiger Korb ist innerhalb der Reaktionskammer 1 schematisch dargestellt und mit 8 bezeichnet.
Vor dem eigentlichen Beschichtungsprozeß der isolierenden Widerstandsträgerkörper im erfindungsgemäßen
Sinne mit Chrom-Nickel und mit Gold erfolgt eine ausreichende Evakuierung der Reaktionskammer 1
und eine Aufheizung der Widerstandsträgerkörper auf etwa 300° C.
Durch die obengenannte Doppelbewegung der Trägerkörper in einer Drehkorbvorrichtung wird eine
gleichmäßigere Erwärmung und Bestäubung erreicht.
Beide Parameter haben einen großen Einfluß auf die Schichteigenschaften.
Wählt man die Verhältnisse in der Reaktionskammer 1 so, daß die Abstäubrate vom Target 6 größer als die
Aufstäubrate auf den Widerstandskörpern 1 ist, was durch relativ große Abstände der die Widerstandsträgerkörper
enthaltenden Körbe 8 vom Target 6 erreichbar ist, so bleibt die Targetoberfläche stets
sauber, und es sind reproduzierbare Zerstäubungsraten bei reaktivem Gas in der Reaktionskammer 1
gewährleistet. In einem praktischen Beispiel steht dann für die Oxidierung der aufzubringenden Schichten
aufgrund der großen Differenz zwischen Aufstäubrate und Abstäubrate ein Sauerstoff-Partialdruckbereich von
1,333x10-6 bis 1,333 χ 10-4 mbar zur Verfügung. Bei
noch größeren Aufstäubraten kann sogar davon ausgegangen werden, daß dennoch bereits am Target 6
oxidierte Atome keinen entscheidenden Einfluß auf die Zusammensetzung der Widerstandsschicht haben.
Weiterhin ist auch zu erwähnen, daß das reaktive Gas direkt über das Dosierventil 4 in die Reaktionskammer
eingeleitet wird, während das inerte Gas durch das Dosierventil 3 zunächst in die Ionisationskammer 2
eingeleitet wird. Durch diese Maßnahme ist gewährleistet, daß der lonisationsgrad des reaktiven Gases auch
nach der Zündung der Bogenentladung relativ klein bleibt.
Wird unter diesen Voraussetzungen reaktiv zerstäubt, so laufen die für den Schichtaufbau bestimmenden
chemischen Reaktionen, wie sie oben bei der generellen Erläuterung der Herstellung von Dünnschicht-Widerstandselementen
angeführt wurden, in erster Linie direkt in den Schichten auf dem Widerstandsträgerkörper
ab.
Nach Evakuierung und Aufheizung der Reaktionskammer 1 wird der erforderliche Partialdruck des
reaktiven Gases — im vorliegenden Ausführungsbeispiel Luft — durch das Dosierventil 4 eingestellt. Zur
Messung dieses Partialdruckes kann ein Massenspektrometer verwendet werden. Über das Dosierventil
wird sodann der zur Zündung und Aufrechterhaltung der Bogenentladung notwendige Druck des inerten
Gases — im vorliegenden Ausführungsbeispiel Argon — mit einem Druck von etwa 9,331 χ 10-" mbar
eingestellt.
Nach Einstellung der Partialdrücke und Zündung der Bogenentladung wird über die Targetspannung und den
Targetstrom die Metallzerstäubungsrate so eingestellt und konstant gehalten, daß sich für einen vorgegebenen
Abstand der Widerstandsträgerkörper in den Körben 8 eine vorgegebene Kondensationsrate ergibt. Der Anteil
der oben angegebenen metallischen Zusätze der Elemente Gold, Aluminium, Kobait oder Zinn iafit sich
u. a. über das Maß der Bündelung einstellen.
Sobald sich das System im Gleichgewicht befindet, d. h. sobald vorhandene Oxidschichten auf dem Target 6
zerstäubt sind und das Abtragen mit konstanter Geschwindigkeit erfolgt, werden die Widerstandsträgerkörper
zur Beschichtung freigegeben. Nach einer vorgegebenen Zeit, die im wesentlichen eine Funktion
des geforderten Flächenwiderstandes ist, wird die Beschichtung abgeschaltet, oder es wird auf ein anderes
Target umgeschaltet. Für höherohmige Schichten hat es sich als notwendig erwiesen, den Modus der Zerstäubung
für einzelne Schichtbereiche zu ändern. Dies betrifft sowohl den Sauerstoffpartialdruck als auch das
Verhältnis der einzelnen Metalle zueinander.
Im Anschluß an den Beschichtungsvorgang wird eine
Temperung bei etwa 300"C für mehrere Stunden durchgeführt. Die weiteren Fertigungsschritte sind im
wesentlichen solche, wie sie bei Widerständen in Kckapplur und lackierter Ausführung zur Anwendung
kommen, wobei insbesondere ein Überziehen der Widerstandsschicht mit Silikon-Lack oder eine Umpressung
mit einem geeigneten Kunststoff in Frage kommt.
Im folgenden sollen nun noch einige wichtige elektrische Daten von erfindungsgemäßen Widerständen
diskutiert werden.
Eine wesentliche Größe ist die Stabilität des Widerstandswertes bei thermischer und elektrischer
Belastung. Werden Schichtwiderstände längere Zeit einer elektrischen oder thermischen Belastung ausgesetzt,
so treten Widerstandsänderungen auf. Ihre Größe hängt von der Umgebungstemperatur, der Höhe und
der Dauer der Belastung sowie vom Flächenwiderstand ab. Im Gegensatz zu Metallschichtwiderständen, die im
allgemeinen mit der Zeit größere Widerstandswerte annehmen, neigen Oxidschichtwiderstände häufig dazu,
mit der Zeit kleinere Widerstandswerte anzunehmen. Dieses so charakteristische Verhalten tritt bereits bei
Temperaturen von > 150° C auf.
Wie die Fig.2 und 3 zeigen, ist dieses Verhalten an
erfindungsgemäß hergestellten Metalloxid-Widerstandsschichten ebenfalls zu beobachten. F i g. 2 zeigt
dabei die Änderung des Widerstandswertes AR/R in °/o als Funktion der Zeit ι in Stunden (h) bei elektrischer
Belastung (^Vo=I Watt) für verschiedene eingetragene
Widerstandswerte. Fig. 3 zeigt die Änderung des Widerstandswertes Δ R/R in % als Funktion der Zeit t in
Stunden (h) bei Wärmelagerung auf 200°C für verschiedene eingetragene Widerstandswerte.
Ein weiteres Charakteristikum von Oxidschichten ist auch, daß sie thermisch relativ hoch belastbar sind. So
sind beispielsweise bei Oxidschichten noch Schichttemperaturen bis zu 200°C zulässig.
Während nun bei herkömmlichen Metalloxidwiderständen etwa bei einer thermischen Belastung bei 2000C
über 10 000 Stunden eine Wertänderung von bis zu 4% und zum Teil sogar darüber gerechnet werden muß, tritt
bei erfindungsgemäßen Widerständen bei entsprechender thermischer Belastung lediglich eine Wertänderung
von bis zu 1,5% auf.
Diese Vorteile ergeben sich aus dem relativ langsamen und gleichmäßigen Aufbringen der Schichten,
da sich der Schichtaufbau beim reaktiven Aufstäuben durch Anlagerung von Atomen oder
Molekülen vollzieht. Bei dem eingangs genannten bekannten Sprühvorgang kann sich insbesondere beim
Aufbringen von sehr dünnen Schichten eine solche Gleichmäßigkeit nicht ergeben, weil die Beschichtung in
Quanten von Atom- bzw. Molekülverbänden abläuft. Bei aufgesprühten Schichten ergibt sich daher eine
kristalline Struktur über größere Bereiche erst durch einen längeren Alterungsprozeß.
Bei den erfindungsgemäß hergestellten Widerständen ergeben sich entsprechend günstige Verhältnisse auch
als Funktion der Zeit bei elektrischer Belastung und vorgegebener Temperatur. Das Ergebnis ist im
wesentlichen ebenso günstig wie bei der vorgenannter thermischen Belastung.
Eine weitere wichtige Eigenschaft von Widerständen ist ihre Unempfindlichkeit gegen Feuchte-Einflüsse
Diese Eigenschaft wird nicht so sehr durch die Schichtqualität, sondern vielmehr durch Umhüllung, die
am Widerstand auftretenden elektrischen Fcldstärkcr und insbesondere durch die Größe des Flächenwider·
Standes bestimmt. Berücksichtigt man die am Wider stand auftretenden elektrischen Feldstärken und die
Größe des Flächenwiderstandes durch Wendelung dei Widcrstiindsschichl und umhüllt die so gcwcndcltc
Widerstandsschicht mit einer feuchtebeständigen Schutzschicht, beispielsweise einem Silikon-Lack, so ist
die Feuchtebeständigkeit im Vergleich zu bisher bekannten Widerständen mindestens gleichwertig.
Bei elektrischer und thermischer Belastung von Widerständen ist nicht nur mit irreversiblen, sondern
auch mit reversiblen Änderungen des Widerstandswertes zu rechnen. Ein Maß für die wichtigste reversible
Wertänderung ist der Temperaturkoeffizient.
Bei erfindungsgemäßen Widerständen ergeben sich Werte des Temperaturkoeffizienten von
< ±200 χ 10"6 pro 0C. Typische Werte liegen bei
< 125 χ 10~6 pro 0C.
Die Abhängigkeit des Temperaturkoeffizienten von der Temperatur im Bereich von -55°C bis 175°C ist
<50 Einheiten. Im Vergleich dazu ergeben sich auch bei aufgesprühten Oxidschichten im gleichen Temperaturbereich
Werte von bis zu 250 Einheiten.
Ein weiteres Qualitätsmerkmal für Schichtwiderstände ist die Nichtlinearität. Diese Größe äußert sich z. B.
darin, daß bei einer Beanspruchung des Widerstandes mit einem rein sinusförmigen Strom der Grundfrequenz
Anteile mit ganzzahligen Vielfachen der Grundfrequenz auftreten, welche Spannungen der ganzzahligen Vielfachen
der Grundfrequenz erzeugen. Als Maß für die Nichtlinearität ist das Verhältnis der angelegten
Spannung zu der Spannung mit der dreifachen Frequenz
festgelegt nach der Formel
A3 = 20 Ig ^- .
Darin bedeuten Ki die angelegte Spannung, £3 die
Spannung mit der dreifachen Frequenz und Ig der Logarithmus mit der Basis 10 und A3 das Maß für die
Nichtlinearität. Die Nichtlinearität ist also hoch, wenr der Aj-Wert klein ist und umgekehrt. In der
Widerstandsnormen sind für die einzelnen Schichcarten Widerstandsgrößen und Widerstandsnennwerte maximal
zulässige Werte dieses Verhältnisses angegeben, die von mindestens 95% einer Widerstandsgruppe nichi
überschritten werden dürfen. Auch hier zeigt sich, daß die erfindungsgemäßen Widerstände den zulässiger
Bereich bei weitem nicht ausschöpfen.
Abschließend werden in einer Tabelle elektrische Daten eines erfindungsgemäßen Widerstandes mii
Keramikzylinder als Trägerkörper, Metalloxidschicht Kappen, an die Kappen angeschweißte bleiverzinnte
Anschlußdrähte und Silikonlackumhüllung mit Grenzwerten nach DIN 44 063 verglichen, woraus sich die
Vorteile von erfindungsgemäß hergestellten Widerständen besonders sinnfällig ergeben. Die Werte resultierer
aus einem Versuch mit Widerständen der DIN-Baugrö ßeO414.
Grenzwerte nach DIN 44063
Typische Werte des
erfindungsgem.
Widerstandes
Widerstandsbereich
Widerstandstoleranzen
Widerstandstoleranzen
El. Belastung bei einer Umgebungstemperatur
von WC
von WC
Maximale Betriebsspannung
Temperaturkoeffizient
Temperaturkoeffizient
Widerstandsveränderung nach 1000 Std. bei 70'C
und 1 Watt el. Belastung
und 1 Watt el. Belastung
Widerstandsänderung nach 10000 Std. bei 70°C
und 1 Watt el. Belastung
und 1 Watt el. Belastung
Wertänderung bei Feuchteeinwirkung
Nichtlinearität (100 kOhm)
Nichtlinearität (100 kOhm)
| 10 Ohm bis 100 kOhm | 1 | 3hm bis lO'Ohn | ±1,5 | % |
| 2% und 5% | 2% und 5% | ±0,5 | % | |
| 0,5 Watt | 1 Watt | |||
| 350 V | 35OV | |||
| <400 X 10~6/"C | <200 X 10"f7DC | |||
| ±2% | φι % | |||
| ±4% | ||||
| 1,5% | < |
<110dB
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
Claims (8)
1. Verfahren zur Herstellung von Dünnschicht-Widerstandselementen,
bei dem auf einen isolierenden Trägerkörper durch reaktives Zerstäuben in Verbindung mit Sauerstoff eine einen Metallzusatz
enthaltende Chrom-Nickel-Widerstandsschicht aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet,
daß Chrom und Nickel unter Zusatz von Gold reaktiv zerstäubt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als reaktives Gas Luft verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Sauerstoff einem die zu zerstäubenden
Metalle enthaltenden Target (6) beigegeben wird (F ig. 1).
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Eauerstoffpartialdruck
und die Metallzerstäubungsrate so eingestellt werden, daß die aufgebrachte Widerstandsschicht
eine Metalloxid-Schicht ist.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Sauerstoffpartialdruck
und die Metallzerstäubungsrate so eingestellt werden, daß die aufgebrachte Widerstandsschicht
metallischen Charakter besitzt.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht
zur Einstellung des Widerstandssollwerts gewendelt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsschicht
mit einer Lackschicht, vorzugsweise mit einem Silikon-Lack, überzogen wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Trägerkörper und
die darauf befindliche Widerstandsschicht mit Kunststoff umpreßt werden.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19762605174 DE2605174B2 (de) | 1976-02-10 | 1976-02-10 | Verfahren zur Herstellung von Dünnschicht-Widerstandselementen |
| GB536377A GB1523841A (en) | 1976-02-10 | 1977-02-09 | Process for the production of a thin-film resistor |
| US05/908,679 US4204935A (en) | 1976-02-10 | 1978-05-23 | Thin-film resistor and process for the production thereof |
| US05/974,491 US4205299A (en) | 1976-02-10 | 1978-12-29 | Thin film resistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19762605174 DE2605174B2 (de) | 1976-02-10 | 1976-02-10 | Verfahren zur Herstellung von Dünnschicht-Widerstandselementen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2605174A1 DE2605174A1 (de) | 1977-08-11 |
| DE2605174B2 true DE2605174B2 (de) | 1978-07-27 |
Family
ID=5969497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19762605174 Ceased DE2605174B2 (de) | 1976-02-10 | 1976-02-10 | Verfahren zur Herstellung von Dünnschicht-Widerstandselementen |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2605174B2 (de) |
| GB (1) | GB1523841A (de) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182351A (ja) * | 1984-02-28 | 1985-09-17 | Diesel Kiki Co Ltd | スイツチ付弁装置 |
| JPS60234965A (ja) * | 1984-05-04 | 1985-11-21 | Diesel Kiki Co Ltd | 薄膜製造方法 |
-
1976
- 1976-02-10 DE DE19762605174 patent/DE2605174B2/de not_active Ceased
-
1977
- 1977-02-09 GB GB536377A patent/GB1523841A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1523841A (en) | 1978-09-06 |
| DE2605174A1 (de) | 1977-08-11 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| 8235 | Patent refused |