DE2600321B2 - Verfahren zur Herstellung eines Glasüberauges auf einer Halbleiteranordnung - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Glasüberauges auf einer HalbleiteranordnungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Glasfiberzugs auf einer Halbleiteranordnung, bei
dem pulverförmiges Glas in einem flüssigen Dispersionsmedium dispergiert und die Dispersion vermittels
Elektrophorese auf die Halbleiteranordnung aufgebracht wird.
Der Vollständigkeit halber wird auf die L1S-PS
33 03 399 hingewiesen, aus der ein Verfahren zur Herstellung eines Glasüberzugs auf einer Halbleiteranordnung
bekannt ist, bei dem der unpolare gesättigte Kohlenwasserstoff Hexan als Dispersionsmedium für
pulverförmiges Glas verwendet wird. Diese Glasschicht wird jedoch nicht mit Hilfe der Elektrophorese, sondern
mechanisch aufgebracht.
Derartige Glasüberzüge können dazu dienen, an die Oberfläche tretende oder an der Oberfläche liegende
wesentliche Teile von Halbleiteranordnungen, z. B. PN-Übergänge, die beim Betrieb verhältnismäßig
hohen Sperrspannungen ausgesetzt werden müssen, oder für atmosphärische Einflüsse empfindliche Teile zu
schützen.
Beim Anbringen derartiger Oberzüge können lange dauernde Erhitzungsbehandlungen bei mäßiger Temperatur
die elektrischen Eigenschaften der Haibleiteranordnungen
beeinträchtigen. Mit Rücksicht auf eine angemessene abschirmende Wirkung gegen atmosphärische
Einflüsse soll der Überzug eine genügende Dicke aufweisen. Bei großen Schichtdicken besteht jedoch die
Gefahr thermisch hervorgerufener Spannungen, die eine Beschädigung der Halbleiteranordnung zur Folge
haben können Um einen Glasüberzug mit angemessener Dicke zu erhalten und lange Lrhit/.ungshchandlun·
gen μ vermeiden, wurde nach einem aus der CiFJ-PS
12 13 807 (Seite h. Zeilen 94 bis IOD bekannten
Verfahren die Glasschicht auf elektrophoretischem Weg aus einer Dispersion feinkörniger Glasteilchen in
einem Dispersionsmedium, wie Wasser, Methanol oder Äthylacetat, abgelagert Die Ladung der Glasteilchen
stammte von an den Teilchen haftenden Ionen. Eine derartige abgelagerte Schicht weist eine genügende
Haftung auf, um z, B, Spülbehandlungen aushalten zu
können. Für eine bessere Haftung und eine bessere abschirmende Wirkung ist danach eine nur kurzzeitige
ίο Erhitzung bei mäßiger Temperatur ausreichend.
Es hat sich jedoch herausgestellt, daß die elektrophoretische
Ablagerung oft nicht gleichmäßig über die Halbleiteroberfläche verteilt und die Ablagerung
manchmal völlig auf diejenigen Teile der Halbleiter-
f 5 oberfläche beschränkt ist, die in der unmittelbaren Nähe
des für die Elektrophorese angebrachten Elektrodenanschlusses liegen. Weiter wurde nun gefunden, daß
ungleichmäßige Oberzüge bei der Herstellung verschiedener
Typen von Halbleiteranordnungen in verschiedenem Maße auftreten.
Ein erster Gedanke, der zu der vorliegenden
Erfindung geführt hat, ist der, daß die obengenannten Erscheinungen mit Widerständen: in der Halbleiterscheibe
selbst im Zusammenhang stehen können. Wie Versuche nachgewiesen haben, tritt die ungleichmäßige
Ablagerung insbesondere stark bei denjenigen Halbleiterscheiben auf, die wenigstens größtenteils aus
Material verhältnismäßig hohen spezifischen Widerstandes bestehen.
μ Der Erfindung liegt nun weiter die Erkenntnis zugrunde, daß bei dem oben beschriebenen bekannten
Verfahren die verwendete Suspension eine verhältnismäßig hohe Leitfähigkeit aufweist, wodurch das Glas
aus der Suspension bei Elektrophorese ungleichmäßig
j5 abgelagert wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, Glasdispersionen zur elektrophoretischen Herstellung von
Glasüberzügen auf Halbleiterkörpern unterschiedlichster Art zu schaffen, mit denen über die gesamte
Halbleiteroberfläche sehr gleichmäßig verteilte Ablagerungen erreicht werden können.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die spezifische elektrische Leitfähigkeit der
Dispersion von Glasteilchen höchstens
4·; lO-'oOhm-'cm-' beträgt. Dabei ist die Tatsache zu
berücksichtigen, daß das Dispersionsmedium selbst eine geringere Leitfähigkeit als die mit diesem Medium
hergestellte Dispersion aufweist, so daß das flüssige Dispersionsmedium aus Flüssigkeiten mit einer spezifi-
w sehen Leitfähigkeit von weniger als Ib-">
Ohm-' cm-' gewählt werden soll. Wasser und Methanol weisen z. B.
eine spezifische Leitfähigkeit von mehr als lO-'^Ohm-'cm-' auf; dies gilt auch für Äthylacetat.
Hydrolyse kann die Leitfähigkeit von Äthylacetat
Nach einer bevorzugten Ausführungsform wird ein unpolares Dispersionsmedium verwendet. Ein solches
unpolares Dispersionsmedium weist eine Eigenleitfähigkeit von weniger als !0-i0Ohm-' cm-'auf.
ho Es empfiehlt sich, das flüssige Dispersionsmedium aus
den Kohlenwasserstoffen, vorzugsweise den gesättigten"
Kohlenwasserstoffen, /u wählen. Diese weisen eine sehr gelinge Eigenleitfähigkeit auf. Das Dispersionsmedkim
brauch ι nicht aus einem einzelnen fliissigen Kohlcnwas-
h', serstoff zu bestehen, sondern kann auch aus einem
flüssigem Gemisch von Kohlenwasserstoffen best-hen.
Nach einer weiteren bevorzugten Ausführungsform enthält die Disper^on noch mindestens ein HilfsdisDcr-
giermittel in Form eines ionisierbaren Stoffes, der ein
mehrwertiges Metall und mindestens ein Ion mit mindestens einer unpolaren organischen Gruppe
enthält Derarüge Hilfsdispergiermittel sind an sich bekannt Die Zersetzung eines solchen Hiifsdispergiermittels
in einem unpolaren Dispersionsmedium wird wahrscheinlich durch das Auftreten van-der-Waals'-scher-Kxäfte
zwischen der unpolaren Flüssigkeit und der unpolaren Gruppe (Gruppen) des obengenannten
Ions ermöglicht, wodurch ein solches Ion in der unpolaren Flüssigkeit gelöst wird. Das mehrwertige
Metall mit daran noch gebundenen Gruppen bildet wahrscheinlich ein einwertiges komplexes Ion, das an
den Glasteilchen haftet, wodurch diese Teilchen eine gewisse Ladung erhalten, deren Vorzeichen dem der
Ladung der in dem Dispersionsmedium gelösten Ionen entgegengesetzt ist Die an das mehrwertige Metall
gebundenen Gruppen des Ions können zu der Dispersion der Glasteilchen einen Beitrag liefern.
Van-der-WaalskJie-Kräfte sind im allgemeinen in
bezug auf elektrostatische Bindungskräfte zwischen Ionen entgegengesetzter Vorzeichen oder zwischen
einem Ion und einem Dipolmolekül gering. Um trotzdem eine Zersetzung des Hilfsdispergiermittels zu
ermöglichen, soll der unpolare Teil der in dem Dispersionsmedium gelösten Ionen verhältnismäßig
groß sein. Zum Beispiel kann der unpofare Teil aus einer Kette einer aliphatischen Kohlenwasserstoffgruppe mit
einer verhältnismäßig großen Anzahl von Kohlenstoffatomen bestehen. Die Beweglichkeit des Ions, die einen Ju
entscheidenden Faktor für die Leitfähigkeit der Dispersion bildet, ist durch die relative Größe des Ions
sehr gering.
Weiter kann die niedrige Leitfähigkeit auch der verhältnismäßig niedrigen Konzentration an gelösten i">
Ionen, u.a. infolge eines niedrigen Zersetzungsgrades
des Hilfsdispergiermittels, zugeschrieben werden. Die dispergierten Glasteilchen sind von kompensierender
Ladung aus einer Wolke gelöster Ionen umgeben, wobei die Wolke in dem unpolaren Dispersionsmedium sehr "?
dünn ist
Nach einer weiteren bevorzugten Ausführungsform wird der Dispersion außerdem ein Polymer als
Bindemittel für die Glasteilchen zugesetzt. Dadurch werden die Adhäsionskräfte zwischen den abgelagerten ·«
Glasteilchen gefördert Ein derartiges polymeres Bindemittel fördert als verstärkendes und stabilisierendes
Agens die Dispersion fester Teilchen in einem unpolaren Dispersionsmedium. Insbesondere im vorliegenden
Fall der Suspension von Glasteilchen, die selber v> einen polaren Aufbau besitzen, sind Polymere, die als
verstärkendes und stabilisierendes Agens wirken können, von besonderem Nutzen. Weiter besteht die
Möglichkeit, daß sie an den Teilchen haften und mit ihrem unpolaren Teil eine van-der-Waals'sche-Bindung
an die Moleküle des unpolaren Mediums fördern. Das Polymer kann Seitenketten von mindestens vier,
vorzugsweise zehn bis zwanzig Kohlenstoffatomen enthalten. Polymetacrylsäureverbindungen können besonders
geeignet sein. Bei einer etwaigen, nach der so Ablagerung des Glasüberzugs durchgeführten kurzzeitigen
Erhitzungsbehandlung können derartige Verbindungen, u. a. durch Depolymerisation, schnell verchwinden.
Es stellt sich nun heraus, daß mittel.1, des beanspruch- h",
ten Verfahrens auf zweckmäßige Weise Glasüberziigc gleichmäßiger Dicke auf Halbleiterscheiben mit vcrhältnismäßie
hohen Widerstandswerten ic lateralen Richtungen, sogar auf Scheiben mit einem mittleren
Flächenwiderstand in lateralen Richtungen von mindestens 500 Ω angebracht werden können.
Glasüberzüge sind für Halbleiteranordnungen mit PN-Obergängen, für die eine hohe Durchschlagspannung
erforderlich ist, von besonderer Bedeutung- Im allgemeinen wird bei der Herstellung derartiger
Halbleiteranoi'dnungen von einer Halbleiterscheibe mit hohem spezifischem Widerstand ausgegangen, in der,
z. B. durch Diffusion, eine oder mehrere Zonen entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps angebracht werden.
Eine auf diese Weise behandelte Scheibe besteht über den größten Teil ihrer Dicke aus dem ursprünglichen
hochohmigen Material. Durch das bekannte Verfahren gemäß der GB-PS 12 93 807 werden gerade
in diesem Fall ungleichmäßige Glasablagerungen erhalten. Durch das beanspruchte Verfahren
können nun mit Erfolg Scheiben überzogen werden, die über den größten Teil ihrer Dicke aus Halbleitermaterial
mit einem spezifischen Widerstand von mindestens 20 Ohm cm bestehen.
Glasüberzüge werden bei Halbleiteranordnungen mit hochohmigen Substraten, wie Dioden mit hoher
Durchschlagspannung und vielen Thyristoren, dazu benutzt niedrige Durchschlagspannungen infolge von
Randstörungen an den Stellen, an denen PN-Obergänge an die Halbleiteroberfläche treten, zu vermeiden. So
kann eine Halbleiterscheibe verwendet werden, die ein hochohmiges Substrat enthält auf dem auf mindestens
einer Seite mindestens eine Halbleiterzone anderer Leitfähigkeit und/oder anderen Leitfähigkeitstyps angebracht
ist Auf der anderen Seite der angebrachten Halbleiterzone(n) kann ein Netzwerk von Nuten bis in
das hochohmige Substrat angebracht werden, wonach der Glasüberzug aus der Dispersion in dem unpolaren
Dispersionsmedium ebenfalls in den Nuten abgelagert wird. Auf diese Weise können in den Nuten endende
PN-Obergänge mit einer stabilisierenden Glasschicht überzogen werden. Dadurch, daß sich ^-ie Nuten bis in
das hochohmige Material erstrecken, sind die verschiedenen, von den Nuten eingeschlossenen Halbleiterteile
miteinander nur noch durch hochohmiges Substratmateriai verbunden, wodurch nichtvernachlässigbare laterale
Widerstände in der Scheibe auftreten. Dies führt bei Anwendung der bekannten Dispersionen von GIf steilchet!
in polaren Dispersionsmedien dazu, daß ein ungleichmäßiger oder sogar nur örtlicher Glasiiberzug
entsteht, während durch das beanspruchte Verfahren ein Glasüberzug auf da'gesamten Halbleiteroberfläche
in praktisch gleichmäßiger Dicke erhalten wird.
Ein weiterer wichtiger Aspekt des beanspruchten Verfahrens ist folgender. Bei der bekannten Ablagerung
gemäß der GB-PS werden nur halbleitende und gegebenenfalls metallisch leitende Oberflächenteile
überzogen, wohingegen vorhandene Isolierschichten, auch wenn sie verhältnismäßig dünn sind, unbedeckt
bleiben. Durch das beanspruchte Verfahren werden auch Oberflächenteile aus Isoliermaterial mit den
Glasteilchen überzogen. Dadurch kann eine bessere Abschirmung wesentlicher Teile der herzustellenden
Halbleiteranordnung erhalfen werden.
Die Erfindung wird nachstehend anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert. In diesem Ausführungsbeispiel
wird ein Glasüberzug auf einer scheibenförmigen Siliciumscheibe angebracht, die z. B. auf
folgende Weise erhalten ist:
Es wird von einer runden Scheibe aus einkristallinem Silicium mit einem spezifischen Widerstand von etwa
50 Ω cm ausgegangen. Die Scheibe weist einen Durchmesser von etwa 50 mm und eine Dicke von 200 μΓΠ auf.
Sie wurde aus einem stabförmigen Einkristall in einer (lOO)-Ebene geschnitten und anschließend durch Schleifen,
Polieren und Ätzen auf die angegebene Dicke gebracht
Durch an sich bekannte Techniken, z. B. Diffusionsvorgänge laid gegebenenfalls epitaktischc Ablagerung,
werden auf einer Seite eine oder mehrere für herzustellende Halbleiteranordnungen bestimmte Zon.en
angebracht, welche einen anderen Leitfähigkeitstyp und/oder eine andere Leitfähigkeit als der übrige Teil
aus dem ursprünglichen Material der Scheibe aufweist (aufweisen). Dieser übrige Teil, der den größten Teil der
Scheibe beansprucht, wird, hier nachstehend als das
hochohmige Substrat bezeichnet Auf der Halbleiteroberfläche auf der Seite der angebrachten Zone(n) kann
noch eine Schicht aus Isoliermaterial, z. B. aus Siliciumoxid, gemäß einem gewünschten Muster angebracht
sein.
Auf der Seite der Scheibe, auf df;- die Zone(n) angebracht ist (sind), werden nun Nuten, z. B. gemäß
einem Netzwerk von Ritzbahnen gebildet, entlang welchen die Scheibe in eine Anzahl von Halbleiteranordnungen
unterteilt werden kann. Diese Nuten können auf an sich bekannte Weise angebracht werden, wobei
zunächst eine etwaige Isoliermaterialschicht gemäß dem Nutenmuster entfernt wird. Nach dem gewünschten
Nutenmuster wird unter Verwendung einer ätzbeständigen Maskierung das Silicium anisotrop
geätzt, und zwar bis zu einer Tiefe, die größer als die Dicke der angebrachten Zone(n) auf der betreffenden
Seite ist Obergänge im Halbleitermaterial, z. B. zwischen einer solchen Zone und dem Substratmaterial,
können an den Nutenwänden an die Oberfläche treten.
Für die elektrophoretische Ablagerung eines Glasüberzugs
auf der Halbleiteroberfläche wird eine Dispersion von Glasteilchen in einem geeigneten
flüssigen, Dispersionsmedium hergestellt Die Glasteilchen bestehen aus einem geeigneten hochohmigen, für
Halbleiterzwecke an sich bekannten Glas aus Basis von Siliciumoxid, Bleioxid und Aluminiumoxid, das bei etwa
800 bis 850° C erweicht.
Der Korndurchmesser der Glasteilchen liegt zwischen etwa 0,1 und 10 μΐπ mi: einem Mittelwert von
etwa 3 μπι.
Als flüssiges Dispersionsmedium wird ein Gemisch von Isoparaffinen mit 9 bis 12 Kohlenstoffatomen pro
Molekül, in diesem Fall ein käuflich erhältliches
Gemisch, verwendet
Für die zuzusetzenden Hilfsdispergiermittel wird ein Gemisch verwendet, das enthält:
1 Gewichtsteil einer Calciumseife von Didecylester von Sulfobernsteinsäure,
1 Gewichtsteil einer Chromseife von Alkylsalicylaten,
deren Alkylgruppe 8 bis 14 Kohlenstoffatome enthält,
1 Gewichtsteil eines Copolymers von Laurylstearylmethacryiat
und 2-Methyl-5-vinylpyridin und
3 Gewichtsteile eines geeigneten Lösungsmittels wie Xylol.
Ein derartiges Gemisch ist käuflich erhältlich. 0,75 g
dieses Gemisches wird nun in 1 Liter des vorgenannten Gemisches von Isoparaffinen gelöst. Von diesem
Gemisch bilden die Calciumseife und die Chromseife die ionisierbaren Hilfsdispergiermittel. Das Copolymer
bildet ein verstärkendes und stabilisierendes Agens.
In dem vorliegenden Beispiel wird noch ein weiteres verstärkendes und stabilisierendes Agens in Form einer
Laurylstearylpolymethacrylatlösung von 20 g/l des bereits genannten Gemisches von Isoparaffinen verwendet
Die Suspension wird nun wie folgt zusammengesetzt: 1 Liter des als Dispersionsmediums verwendeten
Gemisches der Isopraffine werden zugesetzt:
10 g der zu suspendierenden Glasteilchen,
20 ml des vorher hergestellten Hilfsdispergiermittelge-
misches und
10 ml der Polymethacrylatlösung.
10 ml der Polymethacrylatlösung.
Die spezifische Leitfähigkeit der Dispersion ist 5χ10-|2Ω-'αυ-'.
Die zu überziehende Halbleiterscheibe wird über einen Randteil mittels einer Klemme mit einem
elektrischen Anschluß verbünde- „ der aus Platin besteht
und in die Suspension gehängt tine Gegenelektrode in
Form einer runden Platinscheibe mit einem Durchmesser von 5 cm wird der Seite mit den Nuten gegenüber
angeordnet so daß der gegenseitige Abstand der zu behandelnden Scheibe und der Plattenelektrode an allen
Anschließend wird eine Spannung von 200 V an die Elektrode angelegt wobei der Halbleiterscheibe eine
negative Vorspannung in bezug auf die Gegenelektrode gegeben wird. Nach einer Zeitdauer von etwa 1 Minute
ist eine gleichmäßig dicke Schicht auf der Halbleiteroberfläche auf der mit den Nuten versehenen Seite mit
einer Dicke von etwa 15 μπι angebracht, die sowohl die
Halbleiteroberfläche als auch, wenn sie bereits vorhanden sind, die darauf liegenden Isolierschichtteile
bedeckt
Nach Trocknung wird die Scheibe mit der aus Glasteilchen bestehenden Überzugsschicht bei der die
Glasteilchen im wesentlichen durch Methacrylat gebunden sind, einer Erhitzungsbehandlung in Luft bei einer
Temperatur von 5000C während 10 Minuten unterworfen,
wobei alle organisch-chemischen Bestandteile, wie das Methacrylat, teilweise durch Depolymerisation und
Verdampfung, teilweise durch Oxidation verschwinden. Dann werden die Glasteilchen zu einer dichten
Glasschicht bei 9000C während etwa 7 Minuten zusammengeschmolzen.
Vergleichsweise wurden ähnliche Halbleiteroberflächen elektrophoretischen Überzugsbehandlungen in
einer Dispersion von Glasteilchen in Methanol als Dispersionsmedium und AlCI3 als Hilfsdispergiermittel
unterworfen.
Die spezifische Leitfähigkeit der Dispersion in Methanol lag zwischen 6 · 10~s und
10 · ΙΟ-'Ω-'αη-'. Auch wurde eine Suspension in
Äthylacetat verwendet die eine spezifische Leitfähigkeit von 3 · ΙΟ-'Ω-'cm-' aufwies. Die Scheiben
wurden nicht oder nur in der Nähe des angebrachten Elektrodenaa^hlusses auf elektrophoretischem W^g
mit einer Schicht aus den Glasteilchen überzogen. Wo
so bereits Isolierschichten vorhanden waren, wurde in
keiner dieser Dispersionen mit polaren Dispersionsmedien an irgendeiner Stelle dieser Schichten eine
Ablagerung von Glasteüchen erhalten.
Ähnliche Ergebnisse wurden bei der Behandlung von
Ähnliche Ergebnisse wurden bei der Behandlung von
to Halbleiterscheiben für Thyristoren erzielt, bei denen zu
beiden Seiten Zonen in eine hochohmige Siliciumscheibe eindiffundiert waren und ein Netzwerk von Nuten
auf beiden Seiten bis in das Substrat aneebracht waren.
7 8
Der laterale Flächenwiderstand dieser Scheiben betrug formen mit Dispersionen in unpolaren Medien bedurchschnittlicR
200 Ω. Zwei scheibenförmige Gegen- schränkt und daß auf entsprechende Weise Halbleiterelektroden
wurden dabei zu beiden Seiten der scheiben aus einem anderen Halbleitermaterial als
Halbleiterscheibe und in gleichen Abständen von dieser Silicium und/oder mit HeteroÜbergängen im Kahmen
Scheibe angebracht. . des beanspruchten Verfahrens mit Glasüber/ügcn
Es wird darauf hingewiesen, daß sich das beanspruch- versehen werden können,
te Verfahren nicht auf die obengenannten Ausführungs-
te Verfahren nicht auf die obengenannten Ausführungs-
Claims (6)
1. Verfahren zur Herstellung eines Glasüberzugs auf einer Halbleiteranordnung, bei dem pulverförmiges
Glas in einem flüssigen Dispersionsmedium dispergiert und die Dispersion vermittels Elektrophorese
auf die HaJbleiteranordnung aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß die spezifische elektrische Leitfähigkeit der Dispersion
höchstens 10-'° Ohm-' cm-' beträgt
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein unpolares Dispersionsmedium
verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß das Dispersionsmedium aus einem oder mehreren Kohlenwasserstoffen besteht.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Dispersionsmedium aus einem
oder mehreren gesättigten Kohlenwasserstoffen besteht
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Dispersion mindestens
ein Hilfsdispergiermittel in Form eines
ionisierbaren Stoffes enthält, der ein mehrwertiges Metall und mindestens ein Ion mit mindestens einer
unpolaren organischen Gruppe enthält
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Dispersion ein
polymeres Bindemittel beigemengt wird.
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