DE1800578A1 - Strahlungsdetektor - Google Patents

Strahlungsdetektor

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DE1800578A1 DE19681800578 DE1800578A DE1800578A1 DE 1800578 A1 DE1800578 A1 DE 1800578A1 DE 19681800578 DE19681800578 DE 19681800578 DE 1800578 A DE1800578 A DE 1800578A DE 1800578 A1 DE1800578 A1 DE 1800578A1
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Description

. ERICHE WALTHER
PHK.2913 Bks/Sp.
Anmafder: «. V. PiuuPS* GLOEiLAMPENFABRIEKEN •Anm,ld„„evom. "«a1?-^29-!?
3O.septeaber 1968
"Strahlungdetektor".
Di· vorliegende Erfindung bttieht eich auf «inta Detektor Detektieren und/oder Metten τοη Strahlung, intbesondere Strahlung τοη Teilohen, enthaltend eine Halbleiterplatte «it eines gleiohriohtenden übergang, bei den ein« der «rotten OberfHohen der Platte sit einer Elektrode Tertehen ist, wlhrend die Platte auf der ■ gegenftber-Iielenden Seite eine Widerttandttohioht aufweitt, die auf der τοη der Platte abgewandten Seite »it wenigetent zwei Elektroden Tertehen ist, und auf eine einen solchen Detektor aufweisende Schaltungaanord» nung ·
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Es ist bekannt, dass die Bestimmung des Auftreffpunktee der Teilchen auf einem bekannten Effekt,dem sogenannten lateralen photo-Toltaiaohen Effekt beruht, nach dem ein geladene· Teilchen, das einen Halbleiterfibergang durchsetzt, ElektronenlScherpaare bildet, die nicht nur einen transversalen Strom zwischen den zwei Seiten des Überganges, sondern auch laterale StrBme liefern. Mit diesem in eine homogene Kollektorschicht deren Widerstand schwach und linear sein muss, auftretenden lateralen Strömen, die in Form von Spannungsimpulsen auf an geeigneten Stellen an dieser Schicht angeordneten Kontaktelektroden fiber· tragen werden kSnnen, kann die Stelle des Teilchens bestimmt werden, denn et besteht ein Proportional!tltsfaktor zwischen d er Amplitude der erhaltenen Signale und dem Abstand tob Auftreffpunkt auf diesen Kontakten·
Es ist auch bekannt, dass das ▼erhSltnis und die Zeit der Sammlung der TrSger sowie der Wert der empfangenen Spannung nicht nur von der Art der Xollektorechicht, sondern auch Ton.der Tiefe der ErschBpfungszone ist, also Yon der in iev Sperrrichtung angelegten PoIaris&tionaapannung und voa spezifischen Widerstand des den Detektor bildenden Halbleitermaterial es ist daher zum Aufrechterhalten einer guten Genauigkeit der Messung, insbesondere In dem Falle, in dem die Teilchen nicht senkrecht auf die Oberfläche des Detektors auftreffen, notwendig, diese Tiefe zu beschränken·
Die Strahlungsdetektoren alt deren der Auftreffpunkt der Teilchen bestimmt werden kann, t.ind folgendermassen aufgebaut ι
Eine Halbleiterplatte mit einem Übergang bildet den Körper der Vorrichtung und sorgt für die mechanische Festigkeit des Systems.
Auf dieser Hatte sind mehrere Elektroden angeordnet. Die
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eiste iat auf die AuftrefflSche der Teilchen angeordnet, welche Fliehe zuvor mit einer dünnen Schicht aus einem leitenden Metall bedeckt iet, während wenigstens zwei Elektroden auf der gegenüberliegenden Fllohe angeordnet sind.
Bei einigen der bekannten Detektoren nimmt die Tief· der Erschöpfungszone nicht die ganze Dicke der Halbleiterplatte ein» diese nicht-erschSpfte Schicht spielt die Rolle eines Widerstandes. Diese Detektoren haben einige Nachteilet
Die Kollektorschicht hat den spezifischen Widerstand der Basisplatte, die nicht notwendig auch der optimale Wert fflr den Widerstand der Kollektorschicht ergibt.
Bei Detektoren mit groseen Abmessungen 1st es schwer ein homogenes Kristall und daher eine Schicht mit linearem Widerstand zu erhalten;
die Tiefe der ErschSpfungszone muss bestimmt sein, weshalb es notwendig ist der Polarisationsspannung einen genauen Wert aufzuerle gen und diesen dauernd zu kontrollieren.
Bei späteren Detektoren nimmt die ErschSpfungscon« die ganze Dicke der Platte ein und die Kollektorschicht wird durch Hiederechlagen eines Metalles oder einer Metallegierung auf der FlSche der-g«- nannten Platte, die der eintreffenden Strahlung gegenüberliegt angeordnet. Auch diese Detektoren haben Nachteilet
Die Wahl der verwendbaren Metalle zur Bildung der Kollektorschicht ist beschrankt.
Ein homogener Niederschlag der nach Art, Dicke und also Widerstand konstant ist, ist schwer anzuordnen und zu reproduzieren.
Das Anhaften des Niederschlages auf der Platte ist unsicher
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und wegen der Unterschiede, die zwischen den Ausdehnungskoeffizienten der verschiedenen Elemente bestehen, bleiben die Stossfestigkeit und die Festigkeit gegen Wärmebehandlungen nur mittelmäesig}
Sie Notwendigkeit, eine gute mechanische Festigkeit aufrechtzuerhalten, fordert die Anwendung von dicken Platten also von tiefen Erschöpfungszonen, die in bestimmten Füllen eine Ungenauigkeit in die Messung einführen.
Die Erfindung bezweckt, diese Nachteile zu beseitigen.
Nach der Erfindung ist ein Detektor der eingangserwähnten Art dadurch gekennzeichnet, dass die Widerstandsschicht eine epitaxiale Halbleiterschicht mit einem niedrigeren spezifischen Widerstand ale die Platte ist.
Der Detektor nach der Erfindung hat folgende Vorteile.
Die in den letzten Jahren in uer Technik der epitaxialen Niederschläge gemachten Fortschritte, machen es jetzt möglich, eine sehr homogene Schicht niederzuschlagen und zu reproduzieren.
Das Material, die Dicke, die Dotierung und der spezifische Widerstand der Kollektorschicht können abhängig vonder Platte oder vom Substrat gewählt werden und können leicht gemäss der erwünschten Charakteristiken des Detektors geändert werden.
Die Qualität der mechanischen Verbindung zwischen der Kollektorschicht und dem Substrat ist ausgezeichnet, was der Tatsache zu verdanken ist, dass die Epitaxialschicht, die man auf dem Substrat anwachsen lässt ein Ganzes mit dem Substrat bildet, wodurch einerseits ein uniformer und genügender Xontakt und andererseits eine ausgezeichnete Stossfestigkeit und Festigkeit gegen thermische Behandlungen erhalten wird, was die Zuverlässigkeit des Detektors bedeutend erhöht.
Die Polarisationsspannung des Detektors kann höher gewählt
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werden als zur Bildung der Erschöpfungszone in der ganzen Dicke der Platte erforderlioh ist und braucht nicht mehr auf einen sehr genauen Wert gehalten und also nicht mehr von einem Gerfit ausgezeichneter Qua» litSt geliefert zu werden. Aueserdem verbessert die Tatsache, dass die Spannung bedeutend erhSht werden kann, die Sammlungezeit.
Sie mechanis ehe Festigkeit des Systems kann durch die Halbleiterplatte alt eines hohen spezifischen Widerstand gesichert werden, aber in einer Abwandlung der vorliegenden Erfindung kann sie auch durch die Bpitaxialschicht selbst gebildet werden, der nan dann eine grosse {
Dicke gibt· Bei dieser Abwandlung kann alao die Anfangsplatte dünner gemacht werden und kann man die zurückbleibende dlnne Schicht alt eines hohen spezifischen Widerstand als ErachOpfungazone verwenden und bereits durch die Dicke dieser Schioht eine ^erbeaaerung der Genauigkeit der Messung erhalten·
Die Erfindung wird an Hand der schematisehen Zeichnung nlher erläutert»
Fig. 1 zeigt einen Queraohnitt einer ersten Ausffihrungaform eines Detektors nach der Erfindung
Fig- 2 zeigt einen Querschnitt einer zweiten Auefflhrungsform des Detektor« nach der Erfindung·
Der in Figur 1 dargestellte Detektor 1st eine Halbleiterdiode ait tinea übergang ait fiberlagerten aufeinanderfolgenden Schichten} eine erste dfinne Schioht 1 aus einea EdeInetall, durch die dl« zu de* taktierenden Teilchen treten, und deren Richtung in d er Figur ait dta Pfeil F bezeichnet ist, dient als Kontaktelektrode} ein unterliegende Schicht 2 ist eine Inversionsschicht, die in einen oxydierenden Uediua auf einer Siliziumplatte 3 vom η-Typ alt hohem Widerstand die auch die mechanische Festigkeit sichert angeordnet ist. Die Schicht 2 und
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die Platte 3 bilden also einen scharfen Übergang, der durch die Linie 4dargestellt ist. Eine unter der Platte 3 liegende Schicht 5 ist eine epitaxiale Widerstandeechicht vom η+Typ, die dünner, stSrker dotiert und daher Ton eines sohwlcheren spezifischen Widerstand ist. Teile 6 und 7 aus einen Edelmetall, die auf der Fliehe der gchlcht 5 gegenüber der Platte 3 anhaften, bilden Kontaktelektroden· Eine umgekehrte Polarisation· spannung wird 2wisehen die Elektroden 1 einerseits und 6 und 7 andrerseits angelegt, wodurch der Detektor ait einem Kondensator £ vergleichbar ist, dessen Dielektrikum die so gebildete Erschöpfungsione sein würde. Wenn ein Teilohen auf die Detektoroberfliehe auftrifft, durchsetzt es die Schicht 1 ohne dass es merkbar absorbiert wird, wegen der sehr kleinen Dicke dieser Schicht} beim· Eindringen des Kristalles erzeugt es eine ladung an den Klemmen des "Kondensators" de· Detektor·, und diese Ladung erscheint gleichzeitig in Form von Signalen an den elektroden 1, 6 und 7· Die 3umme der empfangenen Signalen an den Elektroden 6 und 7 ie* gleioh dem an der Elektrode 1 empfangenen Signal aber von entgegengesetzter Polarität. Eine geeignete lusserliohe Torrichtung veretfrkt und misst diese Signale, wodurch auf bekannte Weise der Auftreffpunkt der Teilohen bestimmt wird.
Die Iersteilung einer solohen Torriohtung ist einfach t_ sie besteht Aarin, dass nach dem bekannten Ipitaxial-Hiederschlagaverfahren auf einer Flieh· einer bzw· eines einkristallinischen η-Typ Siliziumplatte oder Substrats, z.B. vom η-Typ, von einem stark·» spezifischen Widerstand (300 bis 10.000 ohm.om) mit einer dick· Inder GrBssenordnung von 200/u, eine dünne Schicht 5 vom n+Typ, die stark dotiert und also von einem schwachen spezifischen Wideretand ist (10 bis 102ohm.cm), die sohliesslich die Kollektorschicht bildet,anwaohsen lSsstv
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Die Dotierungskonzentration der Schicht 5 ist vorzugsweise wenigstens in der GrosβenOrdnung von 10 ^ bis 10 ' At. pro cms, und als Dotierung wird vorzugsweise Phosphor verwendet. Da« Verfahren, das ' bei einer Temperatur von etwa 1300*C wfihrend einiger Minuten durchgeführt wird, liefert so eine Dicke von 10/um auf der Schicht 5.
Auf der anderen FlSche des Substrate 3 wird der übergang 4 durch Biossiegen des Kristalles und verlängerte Oxydation an der Luft angeordnet, wodurch die Umkehrschicht 5 erhalten wird, wobei das Blosslegen des ^ristalles durch eine chemische Reinigung mittels eines Bades, ä das zum Beispiel SalpetersSure, FluorwasserstoffsSure und Essigsäure enthält, durchgeführt werden kann.
Die Elektroden 1, 6 und 7 werden dann nach bereits in der Halbleitertechnik bekannten Verfahren angeordnet.
Die dielektrische Schicht des Detektors wird dadurch erhalten, dass eine Polarisationsspai.nung in der Sperrichtung deren Gro*ase von der Dicke des Substrats und der nachgesuchten Sammlungszeit abhängig ist, an den Kristal angelegt wird.
I.Ii-t einer nach obigem Verfahren hergestellten Vorrichtung könner wehren der Linearität des durch die Epitaxialschicht gebildeten Wider- ' standee genaue Messungen durchgeführt werden. Ausserdec, durch die Tatsache, dass-ein Substrat mit einem hohen spezifischen ?/iderstand gewählt wird, dass ein scharfer übergang gebildet wird und dass eine Spannung angelegt wird, die sehr viel höher ist als der zum Erschöpfen der ganzen Dicke ies genannten Substrats erforderliche Wert kann die Sammlungszeit der Träger auf etwa 0.1 ns zurückgebracht werden, und daher kann diese Vorrichtung bis auf Frequenzen in der GrSssenordnung von 10 GHz verwendet werden.
In der in Fig. 2 dargestellten zweiten Ausfährungsform er-
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hilt der Detektor die Teilchen (Pfeil F) durch eine dflnne al· Elektrode dienende Metallschicht 11; eine unterliegende Schicht 12 ist gleich der Schioht 2 aus Figur 1 und bildet mit einer Platte oder einem Substrat •13 von geringer Dicke einen durch die Linie 14 bezeichneten eoharfen Übergang, wobei die genannte Platte 13 in diesem Fall aus η-Typ Silizium mit einem hohen spezifischen Widerstand besteht· Eine Schicht 15 stellt die Epitaxialschicht n+ dar, die als Träger dient und auf der die Elektroden 16 und 17 angeordnet sind. Bei der Herstellung diesee Detektors kann als Auegangsmaterial ein Substrat 13 von einem hohen spezifischen Widerstand und mit einer Dicke in der GrSssenordnung von 200/um verwendet werden, auf einer deren Fliehen man eine Epitaxialschicht 15 Bit einem niedrigem spezifischen Widerstand aber mit grosser Dicke von d er GrSssenordnung von I50 bis 200/um anwachset lSsst.
Das Substrat 13 wird dann durch mechanisches Schleifen und chemische Behandlung auf der der Schicht 15 gegenüberliegenden Flieh· dünner gemacht, sodass nur eine dünne Schicht von z.B. 10/ua Dicke zurüokbleibt. Die chemieche Behandlung bildet dann die Inversionsschicht 12, die man durch Aussetzen an der Luft verbessern kann· Dann werden mit den üblichen Verfahren die Elektroden 11, 16 und 17 angeordnet·
Diese zweite Ausführungsform weist eine zusätzlichen Verbesserung des Detektors auft es ist tatsächlich bekannt, dass es au· Gründen der Montage oder Zuverlässigkeit (insbesondere Durchschlag) wichtig ist, eine ganz erschöpfte Zone zu erhalten wobei nur ein· Spannung mit beschranktem Wert verwendet wird. Diese Ausführungsfom bietet diese Möglichkeit, da die Zone mit einem hohen spezifischen Widerstand von sehr geringer Dicke und also mit einer schwachen Spannung erschöpft ist.
Selbstverständlich sind im Rahmen der Erfindung für den Faoh-
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Claims (3)

PHH.2913 mann viele Abfinderungen möglich. FATEHTAKSHtUECHE t
1. Detektor zum Detektieren und/oder Hessen Ton Strahlung, insbesondere Strahlung von Teilchen, enthaltend eine Halbleiterplatte mit einem gleichrichtenden übergang, bei dem eine der grossen Oberflächen der Platte mit einer Elektrode versehen ist, wÄhrend die Platte auf der gegenüberliegenden Seite eine Widerstandsschicht aufweist, die auf der von der Platte abgewandten Seite mit wenigstens zwei Elektroden versehen ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Widerstandaechioht ein· epitaxial· Hai bleiterschicht mit einem niedrigeren spezifischen Widerstand als der der Platte ist·
2. Detektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dasa di· Schichtdicke der Widerstandaechioht klein ist gegenüber der Dicke der Halbleiterplatt·.
3. Detektor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dasa der spezifische Widerstand der Platte wenigstens 300 Ohm.ob und der spezifische Widerstand der Widerstandsschicht höchstens 10 Ohm/o« betriet· '
4· Schaltungsanordnung mit einem Detektor nach einem oder ι
mehreren der Torangehenden Anspruch·, dadurch gekennzeichnet, daaa an den gleichrichtenden übergang eine Spannung in dar Sperriohtung angelegt wird, wobei di· am übergang gebildet· ErachSpfungaaohloht den Raum iwiaohen dem Übergang und dem Wideratandaachioht praktisch gana füllt·
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DE1800578A 1967-10-09 1968-10-02 Strahlungsdetektor Expired DE1800578C3 (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10308626B4 (de) * 2003-02-27 2015-02-19 Ketek Gmbh Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Strahlungsdetektoren und Halbleiter-Strahlungsdetektor

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3971057A (en) * 1973-08-21 1976-07-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Lateral photodetector of improved sensitivity
US3870887A (en) * 1973-10-10 1975-03-11 Mc Donnell Douglas Corp Optical image position indicator means using time and phase delay sensing
US4243885A (en) * 1979-09-25 1981-01-06 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Cadmium telluride photovoltaic radiation detector
DD151242A1 (de) * 1980-06-02 1981-10-08 Hartmut Reinhardt Halbleiter-sperrschicht-detektor

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3152939A (en) * 1960-08-12 1964-10-13 Westinghouse Electric Corp Process for preparing semiconductor members
US3117229A (en) * 1960-10-03 1964-01-07 Solid State Radiations Inc Solid state radiation detector with separate ohmic contacts to reduce leakage current
US3225198A (en) * 1961-05-16 1965-12-21 Hughes Aircraft Co Method of measuring nuclear radiation utilizing a semiconductor crystal having a lithium compensated intrinsic region
US3396318A (en) * 1966-09-16 1968-08-06 Electro Nuclear Lab Inc Charged particle detector with lithium compensated intrinsic silicon as an intermediate region

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10308626B4 (de) * 2003-02-27 2015-02-19 Ketek Gmbh Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Strahlungsdetektoren und Halbleiter-Strahlungsdetektor

Also Published As

Publication number Publication date
DE1800578B2 (de) 1978-02-09
GB1239255A (de) 1971-07-14
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JPS4725400B1 (de) 1972-07-11
DE1800578C3 (de) 1978-10-19
US3582654A (en) 1971-06-01

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