DE2545570A1 - Bildaufzeichnungsverfahren - Google Patents
BildaufzeichnungsverfahrenInfo
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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Description
Die Erfindung betrifft ein Bildaufzeichnungsverfahren, insbesondere
ein neues Verfahren zur Herstellung eines hitzebeständigen
Bilds mit starkem Kontrast und hohem Auflösungsvermögen unter Verwendung eines photographischen Materials,
das auf einem Substrat entweder direkt oder auf mindestens einer auf das Substrat aufgebrachten Haftschicht mindestens
eine Silberhalogenid-Emulsionsschicht aufweist. Ferner betrifft die Erfindung ein neues Verfahren zur Herstellung
einer haltbaren Photomaske mit hohem Auflösungsvermögen und guter Konturenschärfe unter Verwendung eines photograph!sehen
Materials, das auf einem transparenten Substrat eine Maskierungsschicht aufweist, auf die wiederum entweder direkt oder
auf mindestens eine auf die Maskierungsschicht aufgebrachte Haftschicht mindestens eine Silberhalogenid-Emulsionsschicht
aufgebracht ist.
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Die optische Dichte eines Silberbilds, das durch Belichten und Entwickeln eines photοgraphisehen Materials, das auf.
einem Substrat eine Silberhalogenid-Emulsionsschicht aufweist, erhalten worden ist, nimmt allmählich von einem Maximalwert
bis zu einem Hintergrundwert in den Bandbereichen des Silberbilds ab. Der Abstand zwischen dem Bereich maximaler
Bilddichte und dem Hintergrund beträgt gewöhnlich etwa 1 n. Es ist daher im allgemeinen schwierig, ein stark kontrastiertes
Silberbild aus eng beieinanderliegenden Linien mit einem Abstand von z.B. etwa 1 u zu erhalten. Die zwischen den benachbarten
Bildlinien vorhandenen Silberkörner vermindern den Bildkontrast und das Auflösungsvermögen.
Darüberhinaus verfärbt sich eine derartige Emulsionsschicht durch thermische Zersetzung des Bindemittels, wenn man sie
auf etwa 150 bis 2000C erhitzt. Sie eignet sich daher nicht
für Anwendungsgebiete, bei denen Hitzebeständigkeit erforderlich ist.
Ein derartiges Anwendungsgebiet ist die "Supermikrophotographie",
Ein von einem 23 x 36 cm-Original mit einem Verkleinerungsverhältnis
von etwa 10 auf einen 35-mm-Film verkleinertes Bild wird gewöhnlich als "Mikrophotographie" bezeichnet. Ein weiter
um einen Faktor von etwa 10 auf eine Größe von etwa 2x Jim
verkleinertes Bild wird als "Supermiki-ophotographie" bezeichnet.
Eine Mikrophotographie weist somit einen Verkleinerungsfaktor von etwa 10, eine Supermikrophotographie einen Verkleinerungsfaktor
von etwa 100 auf.
Da die Bildgröße einer Supermikrophotographie etwa 2x3 nun oder
kleiner beträgt, liegt der Vergrößerungsfaktor bei der Projektion der Supermikrophotographie auf einen Bildschirm in
Originalgröße bei etwa 100 (1000, bezogen auf das Flächenverhältnis). Es ist daher eine Lichtintensität von etwa 10 Millionen
Lux auf der Bildoberfläche der Supermikrophotographie erforderlich, wenn das auf einen Transmissionsschirm (z.B. mit
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geschwärzter Backfläche) projizierte Bild eine Lichtintensität
von etwa 100 Lux haben soll und der Schirm eine optische Transmissions dichte von 1 aufweist. Tatsächlich wird eine
Supermikrophotographie mit einer Lichtintensität von etwa 12 bis 13 Millionen Lux belichtet, um den Verlust durch die
Projektionslinsen zu kompensieren.
Die Temperatur der Emulsionsschicht einer derartigen Supermikrophotographie
nimmt während der kontinuierlichen Belichtung mit derart starkem Licht aufgrund der Wärmeentwicklung
durch das in der Emulsions schicht absorbierte Licht auf einige 1000C zu. Dies hat zur Folge, daß sich das Bindemittel der
Emulsionsschicht thermisch zersetzt und verfärbt, so daß das
auf den Bildschirm projezierte Bild abgeschwächt und verfärbt wird. Da die Silberbildbereiche besonders gut das Licht absorbieren,
steigt die Temperatur insbesondere in diesen Bereichen und auch das Bindemittel zersetzt sich vorzugsweise in diesen
Bereichen. Erst später greift die Zersetzung auf die umliegenden Bereiche über. Auch in den Nicht-Silberbildbereichen wird
die Zersetzung des Bindemittels beschleunigt, sobald sich das Bindemittel geringfügig verfärbt und es zu einer Lichtabsorption
kommt.
Als Photomasken für mikro elektroni sehe Zwecke wurden bisher
im allgemeinen Emulsionsmasken und Hartmasken verwendet. Vie bereits erwähnt, besitzen jedoch Emulsionsmasken einen niedrigen
Randkontrast und geringe mechanische Festigkeit, so daß sie leicht beschädigt werden können und nur geringe Haltbarkeit
besitzen. Andererseits sind Hartmasken zwar haltbar, jedoch nur auf komplizierte Weise herstellbar. Bei der Herstellung
von Hartmasken ist eine Photoätzung unter Verwendung eines Photoresists erforderlich, das aufgrund der geringen Empfindlichkeit
lange Belichtungszeiten erfordert.
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Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Verfahren zur Herstellung hitzebeständiger Bilder mit starkem Kontrast und
hohem Auflösungsvermögen zu schaffen.
Eine v/eitere Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur leichten Herstellung einer haltbaren Photomaske mit hohem Auflösungsvermögen
und guter Eonturenschärfe bereitzustellen.
Die erste Aufgabe läßt sich nach der Erfindung dadurch lösen, daß man durch Belichten und Entwickeln eines photograph!sehen
Materials, das auf einem Substrat entweder direkt oder auf · mindestens einer auf das Substrat aufgebrachten Haftschicht
mindestens eine Silberhalogenid-Emulsionsschicht aufweist, ein Silberbild erzeugt, das Silberbild gegebenenfalls intensiviert
und/oder tönt und schließlich die Nicht-Bildbereiche der
Emulsionsschicht durch Ionenätzung bildmäßig entfernt.
Die Lösung der zweiten Aufgabe gelingt nach der Erfindung dadurch,
daß man durch Belichten und Entwickeln eines photographischen Materials, das auf einem transparenten Substrat
eine Maskierungsschicht aufweist, wobei auf die Maskierungsschicht
entweder direkt oder auf mindestens eine auf die Maskierungs schicht aufgebrachte Haftschicht mindestens eine Silberhalogenid-Emulsionsschicht
aufgebracht ist, ein Silberbild erzeugt, das Silberbild intensiviert und/oder tönt, die Schicht
bzw. Schichten oberhalb der Maskierungsschicht durch Ionenätzung
bildmäßig entfernt, um die Nicht-Bildbereiche der Emulsionsschicht
abzulösen und die darunterliegende Maskierungsschicht freizulegen, und schließlich die Maskierungsschicht in
den freigelegten Bereichen wegätzt.
Eine Art des erfindungsgemäßen photograph!sehen Materials besteht
im wesentlichen aus einem Substrat und einer darauf auf-
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gebrachten Silberhalogenid-Emulsionsschicht. Gegebenenfalls können zwischen dem Substrat und der Silberhalogenid-Emulsionsschicht
eine oder mehrere Haftschichten angeordnet sein; z.B. wenn die Trägeroberfläche hydrophob ist.
Eine andere Art des erfindungsgemäßen photographischen Materials
besteht im wesentlichen aus einem transparenten Substrat, auf das eine Maskierungsschicht und eine Silberhalogenid-Emulsionsschicht
aufgebracht sind. Gegebenenfalls können zwischen der Maskierungsschicht und der Silberhalogenid-Emulsionsschicht
eine oder mehrere Haftschichten angeordnet sein.
Das Substrat wird je nach dem Verwendungszweck ausgewählt; es
können z.B. harte Substrate, wie Gläser, Metalle oder Porzellan, oder flexible Substrate,verwendet werden. Auch transparente
oder getrübte Substrate sind verwendbar.
Als flexible Substrate eignen sich z.B. die gewöhnlich für photographische Aufzeichnungsmaterialien verwendeten Materialien,
z.B. Folien aus Cellulosenitrat, Celluloseacetat, Celluloseace tat-butyrat, Celluloseacetat-propionat, Polystyrol, PoIyäthylenterephthalat
oder Polycarbonat, Laminate dieser Folien, Dünnglasfolien oder hitzebeständige hochschmelzende Polymerisate,
z.B. Poly(pyromeHithsäure-p-phenylendiaminimid), Poly(p-oxybenzoat)
Poly(äthylen-2,6-naphthalat), die in der US-PS 3 554 984 beschriebenen
Polyamidoimid-Polymerisate, die in der US-PS 3 472 815 beschriebenen Polyimidoimin-Polymerisate sowie Kohlefasern.
Typische Hartsubstrafe sind z.B. Gläser, wie Silicatglas, Natronkalkglas,
Borsilicatglas, Bariumglas und Kaliglas, Keramikstoffe, z.B. Hartporzellan, wie Aluminiumoxid-, Titan-, Berylliumoxid-,
Mullit-, Talkum-, Spinell-, Zirkon- oder Ferrit-Porzellan,
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Weichporzellan, wie gesintertes Porzellan, Sevres-Porzellan oder Knochenporzellan, Steingut, glasiertes oder gebranntes
Steingut, Keramik-Metallverbundwerkstoffe, wie Al^O^-Fe oder
TiC-Ni, Siliciumdioxid, Saphir, Metalle, wie Eisen, Kupfer, Zink, Antimon, Nickel, Kobalt, Aluminium, Titan, Chrom,
Wolfram, Molybdän, Gold, Platin, Palladium, Iridium, Rhodium^ Ruthenium, Zirkon, Tantal, Hafnium, Tellur, Nickel-Eisen-.
Nickel-Chrom-Eisen-, Aluminium-Eisen-, Chrom-Eisen-, Chrom-Aluminium-,
Kupfer-Beryllium-, Kobalt-Eisen-, Silicium-Gold-,
Titan-Aluminium-, Kobalt-Nickel- oder Nickel-Chrom-Eisen- Legierungen,
Halbmetalle, wie Silicium oder Germanium, Chalkogengläser, wie As-S-Ge, As-Se-Ge oder Ge-S, Porzellanemaille,
d.h. Metalle, die mit einer Glasur überzogen und dann gebrannt worden sind, Metalle mit einer darauf erzeugten Metalloxidschicht,
Graphit und dergl..
Die für Photomasken verwendeten Substrate müssen transparent sein, da dies eine wesentliche Voraussetzung für die Maskenzeichnung,
z.B. bei der Herstellung mikroelektronischer Bauteile
ist. Unter "transparenten Substraten" werden im folgenden Substrate verstanden, die aus einer Substanz bestehen, die für
nicht weniger als 50 %, vorzugsweise nicht weniger als 70 %,
der elektromagnetischen Wellen im nahen UV-Bereich (z.B. etwa 2900 bis 4000 S) und im sichtbaren Bereich (z.B. etwa 4000
bis 7000 S.) durchlässig ist.
Die Maskierungsschicht wird dadurch hergestellt, daß man ein Maskierungsmaterial z.B. durch Vakuumbeschichtung, Aufsprühen,
ionische oder chemische Plattierung auf ein transparentes Substrat aufbringt. Geeignete Maskierungsmaterialien sind z.B.
Metalloxide, wie Siliciumoxid, Chromoxid, Eisen(III)-oxid, magnetisches Eisenoxid, (Eisen(II)-eisen(III)-oxid), Kupfer(I)-oxid,
Kupfer(II)-oxid, Nickeloxid, Kobaltoxid, Germaniumoxid,
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Cadmiumoxid, Titanoxid oder Tantaloxid, Metalle, wie Chrom, Aluminium, Silber, Titan, Kobalt, Wolfram, Nickel, Tellur,
Gold, Platin, Iridium, Palladium, Rhodium, Molybdän, Tantal, Nickel-Eisen-, Niekel-Chrom-Eisen-, Aluminium-Eisen-, Chrom-Eisen-,
Chrom-Aluminium-, Nickel-Chrom-, Nickel-Kobalt-, Kobalt-Eisen-, Silicium-Gold-, Titan-Aluminium- oder Kupferberyllium-Legierungen,
Halbmetalle, wie Silicium oder Germanium, Chalkogengläser, wie As-S-Ge, As-Se-Ge oder Ge-S,
und Gemische von Oxiden dieser Metalle auf dem Metall, z.B. Chromoxid auf Chrom, Kobaltoxid auf Kobalt oder Siliciumoxid
auf Silicium.
Das Maskierungsmaterial ergibt insbesondere gegenüber UV-Licht einen Maskierungseffekt und wird vorzugsweise aus solchen Materialien
ausgewählt, die für sichtbares Licht durchlässig sind und TJV-Licht absorbieren.
Die Dicke der Maskierungsschicht richtet sich nach dem Verwendungszweck.
Im allgemeinen beträgt sie jedoch etwa 0,0*1 bis 10 u, vorzugsweise 0,07 bis 1,5-u. Bei zu geringer Schichtdicke
ist die Absorption des UV-Lichts zu gering, während bei zu großen Schichtdicken die Itzung viel Zeit erfordert und eine
unerwünschte Randätzung auftritt. Da Metalle bzw. Metalloxide größere mechanische Festigkeit besitzen als eine photographische
Emulsionsschicht oder dergl., wird der Photomaske (Träger +
bildmäßige Maskierungsschicht) durch die Maskierungsschicht
Kratzbeständigkeit verliehen.
Die erfindungsgemäß verwendete Haftschicht ist eine Schicht,
die sowohl gegenüber dem Substrat als auch der Silberhalogenid-Emulsionsschicht bzw. der Maskierungsschicht und der Silberhalogenid-Emulsionsschicht
gutes Haftvermögen besitzt. Falls das Substrat bzw. die Maskierungsschicht Eigenschaften aufweisen,
die von denen der Silberhalogenid-Emulsionsschicht stark ver-
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schieden sind, können zwei oder mehrere Haftschichten angewandt
werden. Diese sollen an der ihnen nächsten Schicht und natürlich untereinander gut haften. Geeignete Haftschichten
bestehen z.B. aus Gelatine, Gelatinederivaten, z.B. den nachstehend aufgeführten wasserlöslichen Bindemitteln, Albumin,
Kasein, Cellulosederivaten, z.B. den nachstehend aufgeführten wasserlöslichen Bindemitteln, Stärkederivaten, Natriumalginat,
Polyvinylalkohol, Poly-N-vinylpyrrolidon, Polyacrylsäure-Copolymerisäten,
z.B. den nachstehend aufgeführten wasserlöslichen Bindemitteln, Polyacrylamid, alkohollöslichen Polyamidharzen
(JA-AS 5509/64), Gemischen von Celluloseestern und
Polyestern aus Terephthalsäure und Glykolen (JA-AS 14 503/68), Gemischen aus Gelatine und Nitrocellulose (JA-AS 2597/69)» den
in der JA-AS 11 616/71 beschriebenen Verbindungen, oder den in der DT-OS 2 001 727 beschriebenen Homo- oder Copolymerisaten
von Glycidyl-(meth)-acrylat. Als Haftschicht eignet sich auch eine dünne Polyvinylacetatschicht (z.B. mit einer Stärke von
etwa 0,1 bis 0,3 )0ϊ deren Oberfläche zur Verseifung mit einer
wässrigen alkalischen Lösung, z.B. wässriger Natronlauge, behandelt worden ist. Die Schichtdicke der Haftschicht kann z.B.
etwa 0,1 bis 0,5 U betragen.
Die erfindungsgemäß verwendete Silberhalogenidemulsion kann
durch Dispergieren eines Silberhalogenids in einem wasserlöslichen
Bindemittel hergestellt werden. Als Silberhalogenide eignen sich z.B. Silberchlorid, Silberbromid, Silberjodid,
Silberchlorobromid, Silberbromojodid, Silberchlorobromojodid
und deren Gemische. Es können beliebige Silberhalogenidemulsionen angewandt werden, jedoch sind zur Erzielung eines hohen
Auflösungsvermögens Emulsionen mit Silberhalogenidkörnern mit einer Größe unterhalb 0,1 u bevorzugt. Die Korngröße ist jedoch
nicht auf diesen Bereich beschränkt. Das Gewichtsverhältnis von Silberhalogenid zu wasserlöslichem Bindemittel (Trockengewicht)
beträgt vorzugsweise etwa 1 : 6 bis 6:1, jedoch
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können auch andere Verhältnisse angewandt werden. Eine typische
Silberhalogenidemulsion enthält z.B. 90 Molprozent oder mehr Silberbromid, das vorzugsweise nicht mehr als
etwa 5 Molprozent Silberjodid enthält, sowie Silberhalogenidkörner
mit einer mittleren Teilchengröße von nicht mehr als etwa 0,1 η (sogenannte "Lippmann"-Emulsion), wobei das
Gewichtsverhältnis von Silberhalogenid zu wasserlöslichem
Bindemittel etwa 1 : 4 bis 6 : Λ beträgt. Ein weiteres Beispiel
für eine Silberhalogenidemulsion ist eine Emulsion, die etwa 50 Molprozent oder mehr (vorzugsweise 70 Molprozent)
Silberchlorid enthält und Silberhalogenidkörner mit einer mittleren
Korngröße von nicht mehr als etwa 1,0 η aufweist.
Geeignete Beispiele für wasserlösliche Bindemittel sind Gelatine, kolloidales Albumin, Kasein, Cellulosederivate, wie
Carboxymethylcellulose und Hydroxyäthylcellulose, Saccharidderivate,
wie Agar-Agar, Natriumalginat und Stärkederivate,
synthetische hydrophile Kolloide, wie Polyvinylalkohol, Poly-N-vinylpyrrolidon, Polyacrylsäure-Copolymerisate, Polyacrylamid
und deren Derivate. Gegebenenfalls kann auch ein verträgliches Gemisch aus zwei oder mehreren dieser Bindemittel angewandt
werden. Das bevorzugte Bindemittel ist Gelatine, die teilweise oder vollständig durch synthetische hochmolekulare Substanzen,
sogenannte Gelatinederivate, ersetzt werden kann, die durch Behandeln
der Gelatine mit einer Verbindung die zur Reaktion mit den funktioneilen Gruppen des Gelatinemoleküls, d.h. den Amino-,
Imino-, Hydroxyl- oder Carboxylgruppen, befähigt ist, oder durch Aufpfropfen der Molekülkette einer anderen hochmolekularen
Substanz auf die Gelatine herstellbar sind.
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Geeignete Verbindungen zur Herstellung dieser Gelatinederivate sind z.B. die in der US-PS 2 614 928 beschriebenen Isocyanate,
Säurechloride und Säureanhydride, die in der US-PS 3 118 766 beschriebenen Säureanhydride, die in der JA-PS 5514/64· beschriebenen
Bromessigsäuren, die in der JA-PS 21845/67 beschriebenen Phenylglycidyläther, die in der US-PS 3 Ί32 945 beschriebenen
Vinylsulfone, die in der GB-PS 861 414 beschriebenen IT-Allyl vinyl-sulfonamide,
die in der US-PS 3 186 846 beschriebenen Maleinimide, die in der US-PS 2 594 293 beschriebenen Acrylnitrile,
die in der US-PS 3 312 553 beschriebenen Polyalkylenoxide, die in der JA-PS 26845/67 beschriebenen Epoxyverbindungen,
die in der US-PS 2 763 639 beschriebenen Säureester, sowie
die in der GB-PS 1 033 189 beschriebenen Alkansultone. Geeignete
verzweigte Hochpolymere zum Aufpfropfen auf die Gelatine sind z.B. in den US-PSen 2 763 625, 2 831 767 und 2 966 884,
in Polymer Letters, Bd. 5, S. 595 (1961J, Phot. Sei,, Eng. ,
Bd. 9, S. 148 (1965) und J. Polymer Sei. A-1, Bd. 9, S. 3199
(1971) beschrieben. Homo- und Copolymerisate von Vinylmonomeren,
wie Acrylsäure und Methacrylsäure bzw. deren Estern, Amiden und Nitrilen, sowie von Styrol werden ebenfalls zum Pfropfen von
Gelatine verwendet. Hydrophile Vinylpolymere mit einer gewissen Verträglichkeit gegenüber Gelatine, z.B. die Homopolymerisate
oder Copolymerisate von Acrylsäure, Acrylamid, Methacrylamid, Hydroxyalkylacrylaten oder Hydroxyalkylmethacrylaten, d.h.
Copolymerisate dieser Materialien untereinander und Copolymerisate
dieser Materialien mit anderen Comonomeren, sind besonders bevorzugt.
Diese Silberhalogenidemulsionen werden "vaEzugpweise mit einem cder mehreren
optischen Sensibilisatoren, z.B. Cyan- oder Merocyanfarbstoffen,
sensibilisiert; vergl. US-PSen 1 346 3OI, 1 846 302,
1 942 854, 1 990 507, 2 493 747, 2 793 964, 2 493 748,
2 503 776, 2 519 001, 2 666 761, 2 734 900 und 2 739 149 und
GB-PS 450 958.
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Die Silberhalogenidemulsion kann mit elektromagnetischer Strahlung bestrahlt werden, gegenüber der sie empfindlich
ist, z.B. mit sichtbarem oder UV-Licht, Elektronenstrahlen oder Röntgenstrahlen. Optisch sensibilisierte lichtempfindliche
Aufzeichnungsmaterialien werden vorzugsweise mit Strahlung bestrahlt, die hauptsächlich eine dem sensibilisierten
Bereich entsprechende Wellenlänge aufweist.
Die Emulsion wird vorzugsweise mit Edelmetallsalzen, z.B. von !Ruthenium, Rhodium, Palladium, Iridium oder Platin, chemisch sensibilisiert;
vergl. US-PSen 2 448 060, 2 566 245 und 2 566 263-Außerdem
kann die Emulsion mit einem Goldsalz chemisch sensibilisiert (US-PS 2 339 083) oder gegen Schleierbildung stabilisiert
werden (US-PSen 2 597 856 und 2 597 915)· Darüberhinaus kann der
Emulsion zu diesem Zweck ein in der US-PS 3 046 129 beschriebenes Thiopolymerisat einverleibt werden. Die Emulsion kann auch mit
den in der US-PS 3 046 129 beschriebenen Quecksilberverbindungen,
Triazolen, Azaindenen, Disulfiden, quaternären Benzothiazoliumverbindungen,
Zinksalzen und/der Cadmiumsalzen gegen Schleierbildung stabilisiert werden.
Die Emulsion kann auch lichtabsorbierende Farbstoffe enthalten;
vergl. z.B. US-PSen 2 52? 583, 2 611 696,' 3 24? 127 und
3 260 601.
Die Emulsion wird vorzugsweise mit einem geeigneten Härtungsmittel für hydrophile Kolloide gehärtet, z.B. Formaldehyd,
den in den US-PSen 2 732 316 und 2 586 168 beschriebenen 3J-Methylolverbindungen,
den in der US-PS 3 091 537 beschriebenen Carbodiimiden, halogensubstituierten Fettsäuren, wie Mucochlor^·
säure oder Mucobromsäure, Verbindungen mit mehreren Säureanhydridgruppen,
Methansulfonsäure-diestern, Dialdehyden oder deren Natriumbisulf it-Addukt en, z.B. ß -Methyl glut ar al dehyd-bis-
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(natriumhydrogensulfit)-Addukten, Bis-aziridincarboxyamiden,
z.B. Trimethylenbis(i-aziridincarboxyamid) oder Triazinderivaten,
wie 2-Hydroxy-4,6-dichlor-s-triazin.
Die Silberhalogenidemulsion wird entweder direkt auf das Substrat oder auf die Maskierungsschicht aufgebracht, nachdem
man gegebenenfalls eines der in der US-PS 3 046 129 beschriebenen
Beschichtungshilfsmittel zugesetzt hat. Die Silberhalogenid-Emulsionsschicht
besitzt vorzugsweise eine Trockenschichtdicke von etwa 0,3 bis 10 n. Sie kann in einer oder mehreren
Schichten auf die Maskierungsschicht oder auf eine oder beide Oberflächen des Substrats aufgebracht werden. Beim Auftragen
von zwei Schichten der Silberhalogenidemulsion auf eine Oberfläche des Trägers beträgt die Gesamtschichtdicke weniger als
etwa 10 ii, während beim getrennten Auftragen von zwei Schichten
auf beide Oberflächen des Trägers die Gesamtschichtdicke im trockenen Zustand nicht mehr als etwa 20 ai beträgt. Falls
die Silberhalogenidemulsion auf beide Oberflächen des Trägers aufgetragen wird, können selbstverständlich beide Emulsionen
der erfindungsgemäßen Behandlung unterzogen werden. Die Schichtdicke der Emulsionsschicht richtet sich nach dem Verwendungszweck
des Aufzeichnungsmaterials.
Gegebenenfalls können auf das Substrat, die Maskierungsschicht
oder die Emulsionsschicht auch eine Rückschicht, eine Lichthofschutzschicht,
eine Zwischenschicht, eine Deckschicht (z.B. eine Schutzschicht) oder dergl. aufgetragen werden.
Die Erzeugung des Silberbilds in der Silberhalogenid-Emulsionsschicht
erfolgt auf übliche Weise, d.h.durch Entwiekeln der belichteten
Emulsionsschicht und eine eventuelle Fixage. Die übliche photοgraphische Verarbeitung einschließlich Belichtung,
Entwicklung, IPixage usw. ist im einzelnen z.B. in "Techniques
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of Microphotography", Kodak Data Book P- 52, Eastman Kodak Co., Rochester, N.Y. beschrieben.
Zur Erzeugung des Silberbilds nach dem erfindungsgemäßen Verfahren
eignen sich bekannte Entwickler, z.B. Dihydroxybenzole, wie Hydrochinon, 2-Chlorhydrochinon, 2-Bromhydrochinon, 2-Isopropylhydrochinon,
Tolylhydrochinon, 2-Phenylhydrochinon, 2,3-Dichlorhydrochinon, 2,5-Dimethylhydrochinon oder Pyrogallol,
3-Pyrazolidone, wie i-Phenyl-3-pyrazölidon, 1-Phenyl-4~methyl-3-pyrazolidon,
1-Phenyl-4,4-dimethyl-3-pyrazolidon, 1-Phenyl-4-ä%hyl-3-pyrazolidon
und i-Phenyl^-methyl^-pyrazolidon,
Aminophenole, wie o-Aminophenol, p-Aminophenol, o-(Methylamino)-phenol,
ρ-(Methylamino)-phenol, p-(Diäthylamino)-phenol, 2,4-Diaminophenol
und p-(Benzylamino)-phenol, Ascorbinsäure, Λ —
Aryl-3-aminopyrazoline, wie 1- (p-Hydroxyphenyl)-3-aminopyrazolin.
Λ- (p-Methyl~aminophenyl )-3-pyrazolin, 1- (p-Aminophenyl )-3~
pyrazolin und 1-(p-Amino-m-methylphenyl)-3-aminopyrazolin ,
Έ-(p-Hydroxyphenyl)-glycin, die bei C.E.K. Mees & T. H. James,
The Theory of the Photographic Process, 3· Ausgabe, Kapitel Macmillan Co., Uew York (1966) und L.P.A. Mason, Photographic
Processing Chemistry, S. 16-30, The Focal Press, London (1966) beschriebenen Entwickler sowie deren Gemische. Der pH des Entwicklerbads
beträgt üblicherweise nicht weniger als etwa 8, vorzugsweise etwa 8,5 bis 12,5·
Das Entwicklerbad kann gegebenenfalls z.B. enthalten ein alkalisches Mittel (z.B. ein Alkalimetall- oder Ammoniumhydroxid,·
-earbonat- oder borat), einen pH-Kegler bzw. Puffer (z.B. eine schwache Säure oder Base, wie Essigsäure, Borsäure oder deren
Salze), einen Entwicklungsbeschleuniger (z.B. die in den US-PSen 2 648 604 und 3 671 247 beschriebenen Pyridiniumverbindungen und kationischen Verbindungen, Kaliumnitrat, Natriumnitrat,
die in den US-PSen 2 533 990, 2 577 127 und 2 950 970 beschriebenen
Kondensationsprodukte von Polyäthylenglykol und dessen
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Derivaten, nichtionische "Verbindungen, z.B. die in den GB-PSen
1 020 033 und 1 020 032 beschriebenen Polythioäther, Pyridin,
organische Amine, wie Ethanolamin, Benzylalkohol oder Hydrazine),
Antischleiermittel (z.B. ein Alkalibromid, Alkalijodid, die in
der US-PS 2 496 940 beschriebenen Nitrobenzimidazole, Mercaptobenzimidazole,
5-Methylbenzotriazol, i-Phenyl-5-mercaptotetrazol,
die in den US-PSen 3 113 864, '3 34-2 596, 3 295 976,
3, 615 522 und 3 597 199 beschriebenen Verbindungen für Schnell-entwicklerbäder,
die in der GB-PS 972 211 beschriebenen Thiosulfonylverbindungen, die in der JA-AS 41675/71 beschriebenen
Phenazin-N-oxide, oder die in Kagaku Shashin Binran (Handbook of Scientific Photography), Bd. 2, S. 29-47, Maruzen, Tokyo
(1959) beschriebenen Antischleiermittel), die in den US-PSen
3 161 513 und 3 161 514- und GB-PSen 1 030 442, 1 144 481, .und
1 251 558 beschriebenen einkstoff- und fleckenverhindernden
Mittel, Konservierungsmittel (z.B. Sulfite, Säuresulfite, Hydroxylamin-hydrochlorid, Formaldehyd-Sulfitaddukte oder
Ä'thanolamin-Sulfitaddukte) sowie grenzflächenaktive Mittel.
Geeignete Fixiermittel für das Silberhalogenid sind die bekannten Lösungsmittel für Silberhalogenide, z.B. wasserlösliche
thiosulfate, wie Kalium-, Natrium- und Ammoniumthiοsulfat,
wasserlösliche Thiocyanate, wie Kalium-, Natrium- und Ammoniumthiocyanat, wasserlösliche organische Diole, wie 3-Thia-1,5-pentandiol,
3,6-Dithia-1,8-octandiol, 3,6,9-0)rithia-1,11-undecandiol
und 3,6,9,12-Tetrathia-1,14-tetradecandiol, wasserlösliche
schwefelhaltige organische Dicarbonsäuren, wi.e Ä'thylenbisthioglykolsäure,
oder deren wasseriösIiehe Salze, wie
Kalium-äthylenbisthioglykolat und Natrium^.äthylenbisthioglykolat,
sowie deren Gemische.
Die das Fixiermittel enthaltende Lösung kann gegebenenfalls z.B. ein Konservierungsmittel (z.B. ein Sulfit oder Bisulfit),
einen pH-Puffer (z.B. Borsäure oder ein Borat), einen pH-Kegler (z.B. Essigsäure) oder einen Chelatbildner enthalten.
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Auf diese Weise entsteht in den belichteten Bereichen ein Silberbild, während in den nichtbelichteten Bereichen das
Silberhalogenid durch Fixieren entfernt wird, wobei das Bindemittel in den nichtbelichteten Bereichen der Silberhalogenid-Emulsionsschicht
unversehrt bleibt. Wenn als Silberhalogenidemulsion eine Umkehremulsion verwendet wird, oder eine
Umkehrentwicklung durchgeführt wird, bleibt die Bindemittelschicht in den belichteten Bereichen erhalten, während das
Silberbild in den nichtbelichteten Bereichen erzeugt wird.
Die Ausdrücke "ITicht-Silberbildbereiche" bzw. "Nicht-Silberhalogenidbildbereiche"
(Nicht-Bildbereiche) bedeuten Bereiche, die von den Silberbildbereichen bzw. Silberhalogenid-Bildbereichen
(Bildbereichen) verschieden sind. Die Ausdrücke "Silberbildbereiche" bzw. "Silberhalogenid-Bildbereiche" und
"Nicht-Silberbildbereiche" bzw. "Nicht-Silberhalogenid-Bildbereiche"
bedeuten nicht unbedingt Bereiche, die mit Licht belichtet bzw. nicht belichtet worden sind. Bildbereiche und
Nicht-Bildbereiche bedeuten nicht unbedingt Bilder bzw. ITicht-Bilder
aus Silber bzw. Silberhalogeniden, sondern können in manchen Fällen auch Bildbereiche bzw. Nicht-Bildbereiche bedeuten,
die durch ein Bindemittel erzeugt werden. Beispielsweise wird ein Silberhalogenidbild durch eine übliche Umkehrentwicklung
erzeugt. Dazu wird z.B. eine Silberhalogenidemulsion belichtet und entwickelt und anschließend mit einer wässrigen
Lösung gebleicht, die Kaliumdichromat und Schwefelsäure enthält. Ein Silberhalogenidbild kann auch.dadurch erzeugt
werden, daß man ein Silberbild in ein Silberhalogenidbild umwandelt. Beispielsweise kann man ein Silberbild mit einer
wässrigen Lösung bleichen, die Kaliumdichromat und Salzsäure enthält, und so das Silber in ein Silberhalogenid überführen.
Ein Bindemittelbild kann z.B. dadurch erhalten werden, daß man ein Silberbild mit einer wässrigen Lösung bleicht, die
Kaliumdichromat und Salzsäure enthält, und anschließend das erzeugte Silberhalogenid durch Bleichen mit einer Fixierlösung
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entfernt.
Das photograhische Material, in dem ein Silber- bzw. Silberhalogenidbild
erzeugt worden ist, wird dann einer Ionenätzung unterzogen. Unter "Ionenätzung" wird ein Verfahren verstanden,
bei dem eine Substanz mit hochenergetischen Ionen, beschossen wird, so daß sie teilweise abgetragen wird; vergl. Ro 6·. Wilson
& G. R. Brewer, ION BEAMS With Application to Ion Implantation, S. 317 - 335, John Wiley & Sons, (1973) und L. I. Maissei &
E. Glang, Handbook of Thin Film Technology, S. 7 - 4-9 - 7 - 53,
McGraw-Hill, (1971). Ein Beispiel für die Ionenätzung ist die Kathodenzerstäubung. Andere Beispiele sind etwa die Glimmentladung
und die Hochfrequenzentladung. Das erfindungsgemäße Verfahren ist jedoch nicht auf den Ionenbeschuß durch Kethodenzerääubmg
und die anderen genannten Methoden beschränkt, sondern es kann im Gegenteil eine beliebige Ionenbeschußtechnik angewandt werden,
mit der es gelingt, die beschossene Substanz abzutragen. Die Kathodenzerstäμbung ist nur ein Beispiel für die erfindungsgemäße
Ionenätzung, die vorzugsweise angewandt wird, um die Nicht-Bildbereiche des photograph!sehen Materials zu entfernen.
Es ist bereits bekannt, daß durch Zerstäuben eine Itzung bewirkt
■werden kann.Es war jedoch bisher nicht bekannt, daß die Geschwindigkeit
der Ionenätzung bzw. Zerstäubungsätzung in den Nicht-Silberbildbereichen größer ist als in den Bildbereichen.
Dies ist ein .wichtiges Merkmal der vorliegenden Erfindung. Es hat sich gezeigt, daß bei der Kathodenzerstäubung einer beschichteten
Oberfläche eines photographischen Materials, d.h. eines Materials mit Silber- oder Silberhalogenid-Bildbereichen
und einer Bindemittelschicht, die Nlcht-Bildbereiche weggeätzt
werden, während in den Bildbereichen lediglich die Schichtdicke mit äußerst geringer Geschwindigkeit abnimmt. Die Ionenätzung
wird daher vorzugsweise dann durchgeführt, wenn die Nicht-Silberbildbereiche
unter Freilegung des darunterliegenden Substrats
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entfernt worden sind, während die Bildbereiche unverändert
bleiben. Obwohl die Ionenätzung von den Zerstäubungsbedingungen abhängt, z.B. der Frequenz, der Leistung, dem Elektrodenabstand,
dem Gas und dem Gasdruck, wird sie vorzugsweise so durchgeführt, daß das photographische Material nicht aufgeladen
wird, um ein Zerstäuben zu vermeiden. Außerdem wird das Bindemittel in den Nicht-Bildbereichen durch die Zerstäubungsätzung der Emulsionsschicht nicht unbedingt vollständig entfernt,
sondern bleibt in kleiner Menge zurück, d.h. das Bindemittel ist in den Nicht-Bildbereichen in einer Menge vorhanden,
daß die Ätzlösung in die Emulsionsschicht eindringen kann.
Für die Ionenätzung können Gleichstrom, Wechselstrom oder eine Kombination aus Gleichstrom und Wechselstrom angewandt
werden. Wechselstrom ist dann bevorzugt, wenn das zu ätzende Material isolierend ist.
Im folgenden werden üblicherweise angewandte Bedingungen für die Ionenätzung dargelegt. Diese Bedingungen gelten für jede
der genannten Stromarten, obwohl natürlich die Frequenz bei Gleichstrom keine Rolle spielt. Als Elektroden können z.B.
beliebige feste Leiter verwendet werden, z.B. Edelstahl, Eisen, Chrom, Nickel oder Titan. Die Größe kann von einigen Zentimetern
bis zu einigen 10 cm oder mehr erreichen, je nach.der
Kapazität der elektrischen Spannungsquelle. Die Elektroden können rechteckig, quadratisch oder kreisförmig sein. Die
Größe der Elektroden richtet sich weitgehend nach dem zu ätzenden photοgraphischen Material. Im allgemeinen sind die
Elektroden etwas größer, z.B. 1 bis 2 cm größer, als das photographische Material. Eine typische Größe für kreisförmige
Elektroden (Scheiben) ist ein Durchmesser von etwa 2 bis 50 cm,
während rechteckige Elektroden bis zu etwa 1 m lang sein können, Der Elektrodenabstand kann von einigen Zentimetern bis zu
einigen 10 cm betragen. Er richtet sich nach der angelegten
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Spannung, wobei der Abstand umso größer ist, je höher die
Spannung ist. Der Abstand beträgt üblicherweise etwa 1 bis
20 cm, vorzugsweise 3 bis 20 cm und insbesondere 15 cm. Die
angelegte Spannung kann einige 100 Volt bis zu einigen 10 KV betragen, z.B. etwa 300 V bis 30 KV, vorzugsweise 500 V
bis 30 KV, wobei die Frequenz bei etwa 10 bis 30 MHz liegt,
wenn Wechselstrom angewandt wird. Die Temperatur liegt üblicherweise im Bereich von etwa Raumtemperatur (z.B. etwa
20 bis 300C) bis etwa 600 C, wobei die Obergrenze der Temperatur
der nachstehend beschriebenen Hitzebehandlung ent-
-3 -1 spricht, während der Druck üblicherweise etwa 10 ^ bis 10
Torr beträgt. Die Ionenätzung kann in einer GasatmoSphäre durchgeführt
werden, z.B. in Luft, Argon, Sauerstoff, Stickstoff,vksserstoff,
Helium, Xenon, Krypton, Kohlenmonoxid oder Kohlendioxid, Vfes-·
bzw. Gemischen dieser Gase. Die Zusammensetzung der Gasatmosphäre
unterliegt keiner bestimmten Beschränkung. Die erforderliche Zeit liegt im Bereich von einigen 10 Sekunden bis zu
einigen 10 Minuten, z.B. etwa 20 Sekunden bis 1 Stunde.
Es wurde gefunden, daß sich das Bindemittel zersetzt und die Ionenätzungsgeschwindigkeit wesentlich zunimmt, wenn man die
Emulsionsschicht vor der Ionenätzung auf hohe Temperaturen erhitzt. Diese Hitzebehandlung kann dadurch erfolgen, daß man
an der Luft oder in einem anderen Gas, wie Sauerstoff, Stickstoff, Argon, Helium, Xenon, Krypton, Kohlenmonoxid oder Kohlendioxid,
oder im Vakuum auf Temperaturen oberhalb etwa 1500C,
vorzugsweise 250 bis 6000C und insbesondere 300 bis 6000C erhitzt,
um das Bindemittel zu zersetzen. Die bei der Hitzebehandlung angewandte Atmosphäre unterliegt keiner bestimmten
Beschränkung. Bei Temperaturen unterhalb etwa 1500C erfordert
die Hitzebehandlung lange Zeit, während bei Temperaturen oberhalb 6000C die Gefahr einer Deformierung des Substrats besteht.
Die Hitzebehandlungszeit entspricht der zur Zersetzung des Bindemittels erforderlichen Zeit und richtet sich nach der ange-
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wandten Temperatur. Vorzugsweise beträgt die Hitzebehandlungszeit etwa 1 bis 60 Minuten, insbesondere 2 bis 30 Minuten.
Besteht das Bindemittel z.B. hauptsächlich aus alkalibehandelter Gelatine in einer Dicke von 2/U, so ist eine 2 bis
3 Minuten dauernde Hitzebehandlung bei 4000O ausreichend. Eine
relativ große Schichtdicke des Bindemittels hat keinen Einfluß auf die Hitzebehandlungszeit. Ist jedoch die Schichtdicke sehr
klein (z.B. weniger als etwa 0,5 n) so ergeben kurze Hitzebehandlungsz-eiten
bessere Ergebnisse. Es hat sich gezeigt, daß-durch die Hitzebehandlung die Geschwindigkeit der Ionenätzung
um das 5 bis 8-fache gesteigert werden kann. Die Hitzebehandlung wirkt sich sowohl auf die Bindemittel in den Bildbereichen
als auch in den Nicht-Bildbereichen aus.
Die Ionenätzung wird beendet, wenn die Nicht-Bildbereiche unter Freilegung des darunterliegenden Substrats entfernt sind. Das
Bindemittel des so erhaltenen Bilds, das Silber oder Silberhalogenid enthält, wird durch die während der Ionenätzung entwickelte
Hitze oder bei der vorstehend beschriebenen Hitzebehandlung zersetzt. Kleinere Mengen des zersetzten Bindemittels werden vermutlich
während der Hitzebehandlung vergast, oder auch einige bei hohen Temperaturen leicht flüchtige Komponenten können bei
der Hitzebehandlung verdampfen. Im Rahmen der Erfindung sind jedoch diese Mengen unbedeutend. Falls die Zerstäubungsenergie
niedrig ist, wird auch nur wenig Hitze entwickelt, so daß das Bindemittel nicht immer zersetzt wird. Bei diesen Ausfuhrungsformen
verläuft die Ionenätzung mit hoher Geschwindigkeit, wenn das Bindemittel zersetzt wird, während sie mit geringer Geschwindigkeit
verläuft, wenn das Bindemittel nicht zersetzt wird. Beide Ausführungsformen werden von der Erfindung umfaßt.
-Das so erhaltene Bild ist hitzebeständig, da es in den Nicht-Bildbereichen
kein Bindemittel aufweist. Gegenüber dem in der
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Emulsionsschicht auf übliche Veise erzeugten Original-Silberbild
besitzt es auch einen glatteren Rand, einen höheren Kontrast und damit verbunden, ein besseres Auflösungsvermögen.
In einer anderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens
wird das Silber- bzw. Silberhalogenidbild vor der Ionenätzung auf übliche Veise intensiviert und/oder getönt.
Bei der Intensivierung und/oder Tönung (im folgenden kurz: Intensivierung) wird das Silberbild in andere Materialien
überführt oder andere Materialien werden dem Silberbild zugesetzt. Es hat sich gezeigt, daß die Ionenätzungsgeschwindigkeit
der intensivierten Silber- bzw. Silberhalogenid-Bildbereiche im Vergleich zu den nicht intensivierten Silberbildbereichen
wesentlich abnimmt. Falls die Ionenätzungsgeschwin-. digkeit in den Bildbereichen gering ist, nimmt die für die
Ionenätzung erforderliche Zeit zu und der Itzungsvorgang wird
dadurch wesentlich erleichtert. Mit anderen Worten: Die Ionenätzungszeit ist dann nicht kritisch. Die Intensivierung wird bei
nicht hitzebehandelten Emulsionsschichten angewandt. Ist die
Hitzebehandlungstemperatur niedrig und die Hitzebehandlungszeit kurz, z.B. 2 Minuten bei 1500C, so wird das Bindemittel nicht
vollständig zersetzt. In diesem Fall kann die Intensivierung mit einer hitzebehandelten Emulsionsschicht durchgeführt werden.
Dies erfordert jedoch eine längere Intensivierungszeit und ist daher aus praktischen Gesichtspunkten ungünstig.
Übliche Intensivierungsmethoden sind z.B. bei Pierre Grafkides, "Photographic; Chemistry;, Bd. 1, S. 189-199 und Bd. 2, S. 64-3
bis 662, Fountain Press, London (1958) beschrieben. Geeignete Verfahren sind z.B. die Quecksilber-, Kupfer- und Bleiintensivierung
sowie die Uran-, Selen-, Schwefel-, Eisen-, Nickel-, Kobalt-, Kupfer-, Vanadin-, Titan-, Bleichromat-, Cadmium- und
Edelmetalltönung. Von diesen sind die Vanadin-, Titan-, Eisen-,
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Nickel-, Kobalt-, Kupfer-, Rhodium-, Palladium- und Bleichromattönung
besonders bevorzugt, da die Ionenätzungsgeschwindigkeit
des getönten Bilds bei diesen Methoden sehr niedrig ist.
Photomasken werden nach dem Verfahren der Erfindung dadurch hergestellt,
daß man durch Belichten und Entwiekeln eines photographischen Materials, das auf einem transparenten Substrat
eine Maskierungsschicht aufweist, wobei auf die Maskierungsschicht entweder direkt oder auf mindestens eine auf der Maskierungsschicht
aufgebrachten Haftschicht mindestens eine Silberhalogenid-Emulsionsschicht
aufgebracht ist, ein Silberbild erzeugt, das Silberbild intensiviert und/oder tönt, die Nicht-Bildbereiche
der Emulsionsschicht durch bildmäßige Ionenätzung der Schicht bzw. Schichten oberhalb der Maskierungsschicht entfernt,
um die darunterliegende Maskierungsschicht freizulegen, und schließlich die Maskierungsschicht in den freigelegten
Bereichen wegätzt. Die vorstehend beschriebene Hitzebehandlung kann auch bei dieser Ausführungsform angewandt werden.
Die freigelegte Maskierungsschicht in den Nicht-Bildbereichen
wird unter den genannten Bedingungen durch Ionenätzung oder chemische Ätzung entfernt. Die in den Bildbereichen verbleibende
Emulsionsschicht wirkt als Eeservage für die Ionenätzung. Die Ionenätzung der Maskierungsschicht läßt sich erfolgreich dann
durchführen, wenn die Emulsionsschicht in den BiMbereichen noch verbleibt oder gerade verschwindet, wenn die Maskierungsschicht durch Ionenätzung gerade entfernt ist. Die Ionenätzung
ist weniger erfolgreich, wenn die Emulsionsschicht in den BiIdberebhen
vollständig entfernt ist und die Maskierungsschicht bei der Ionenätzung nicht vollständig entfernt worden ist. Eine
notwendige Voraussetzung für die Eeservage (Emulsionsschicht in den Bildbereichen) ist es daher, daß sie eine niedrige Ionen-
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ätzungsgeschwindigkeit aufweist. Falls die Maskierungsschicht
aus einer Substanz besteht, die durch Ionenätzung nur schwer entfernbar ist, z.B. Chrom, ist dieses Erfordernis besonders
wichtig.
Erfindungsgemäß ist die Dicke der Reservage-Schicht (Emulsionsschicht
in den Bildbereichen) im allgemeinen gcößer als die der
Maskierungsschicht. Es ist daher nicht immer erforderlich, daß
die Ionenätzungsgeschwindigkeit der Eeservageschicht kleiner
ist als die der Maskierungs schicht. Verwendet man z.B. eine Chromschicht mit einer Stärke von 0,1 ax als Maskierungsschicht
und eine Emulsionsschicht in den Bildbereichen mit einer Starke
von 3 Μ als Reservage, so kann die Ionenätzungsgeschwindigkeit
der Eeservageschicht etwa das 20-fache der der Maskierungs schicht betragen. Wird die Maskierungsschicht durch Ionenätzung entfernt,
so ist die beschriebene Intensivierungsbehandlung besonders wichtig.
Die chemische Itzung erfolgt z.B. mit Hilfe einer J/tzlösung. Die
Ätzung wird dabei nach den üblicherweise bei Metallen oder Me-talloxiden angewandten Methoden durchgeführt. Als Ä'tzlösungen
für Chrom und Chromoxid (Cr2O-,) eignen sich z.B. eine wässrige
Lösung von Cerammoniumnitrat (mit einer Konzentration von etwa
80 bis 250 g/l) und 60 bis 70 prozentiger Perchlorsäure (in
einer Menge von etwa 20 bis 80 ml/l), wobei die Itzzeit bei einer Temperatur von etwa 15 bis 400C etwa 15 Sekunden bis
10 Minuten beträgt, oder eine wässrige Lösung von Cer(IV)-sulfat (in einer Konzentration von etwa 40 bis 200 g/l) und 98 gewichtsprozentiger
Schwefelsäure (in einer Menge von etwa 20 bis 100 ml/1), wobei die Ätzzeit bei einer Temperatur von etwa 15
bis 400G etwa 20 Sekunden bis 10 Minuten beträgt. Für Eisenoxid
eignet sich z.B. eine wässrige Salzsäurelösung (mit einer Konzentration von etwa 1 bis 12 n) wobei die Itazeit bei einer
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Temperatur von etwa 30 bis 600G etwa 10 Sekunden bis 4- Minuten
beträgt. Für Siliciumdioxid eignet sich z.B. Fluorwasserstoffsäure in wässriger Lösung (mit einer Konzentration von
etwa 6 bis 48 Gewichtsprozent), wobei die Ätzzeit bei einer Temperatur von etwa 15 bis 400C etwa 10 Sekunden bis 1 Minute
betragt, oder ein Gemisch aus etwa 0,5 bis 2 Volumenteilen Fluorwasserstoffsäure (46 gewichtsprozentige wässrige Lösung)
und etwa 6 bis 24- Volumenteilen Ammoniumfluorid (40 gewichtsproaentige
wässrige Lösung), wobei die Itzzeit bei einer Temperatur von etwa 15 bis 400G etwa 30 Sekunden bis 5 Minuten
beträgt. Für Nickel eignet sich z.B. eine wässrige Eisen(IIl)-chloridlösung
(mit einer Konzentration von etwa 5 bis 300 g/l), wobei die Itzzeit bei einer Temperatur von etwa 15 bis 400C
etwa 1 bis 5 Minuten beträgt. Für Titan eignet sich z.B. eine wässrige Fluorwasserstoffsäurelösung (mit einer Konzentration
von etwa 5 bis etwa 40 Gewichtsprozent), wobei die Xtzzeit bei
einer Temperatur von etwa 20 bis 40°C etwa 20 Sekunden bis 2 Minuten beträgt.
Nachdem die freigelegte Maskierungsschicht weggeätzt ist, kann die Emulsionsschicht gegebenenfalls gequollen oder gelöst werden,
um zusammen mit dem Silber Silbersalze oder Verbindungen, die bei der Intensivierungsbehandlung entstanden sind, abzutrennen.
Zum Entfernen des Bindemittels eignen sich z.B. Alkalien, z.B. eine wässrige Lösung von Natriumhydroxid oder Kaliumhydroxid
in einer Konzentration von etwa 10 bis 20 Gewichtsprozent, die etwa 2 bis 10 Minuten bei etwa 40 bis 600C angewandt
werden, Säuren, z.B. konzentrierte (98 gewichtsprozentige) Schwefelsäure, die etwa 5 bis 10 Minuten bei etwa 60 bis 980C
angewandt wird, oder konzentrierte (70 gewichtsprozentige) Salpetersäure, die etwa 2 bis 10 Minuten bei etwa 60 bis 95°C
angewandt wird, oder Salze, z.B. eine wässrige Lösung von -Natriumhypochlorit oder Kaliumhypochlorit in einer Konzentration
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von etwa 5 bis 10 Gewichtsprozent, die et\^a 2 bis 10 Minuten
bei etwa JO bis 60 C angewandt werden. Die Zum Entfernen des
Bindemittels verwendete Lösung darf lediglich, nicht die Maskierungsschicht
angreifen oder lösen. Weitere Beispiele sind in der US-PS 5 567 447 beschrieben.
In den folgenden Fällen wird die Reservage vorzugsweise nicht
entfernt: (1) falls die Maskierungsschicht Nadellöcher aufweist; die verbleibende Emulsionsschicht kann genügende optische
Dichte aufweisen (z.B. 1,5 bis 3,0 oder mehr), so daß
die Emulsionsschicht auf der Maskierungsschicht gegebenenfalls die Nadellöcher maskiert. (2) Sails die Maskierungsschicht
stark reflektierend ist. Beispielsweise hat eine Chromschicht einen Reflexionsgrad von 60 bis 80 %. (3) Falls ein mechanischer
Puffer auf der Maskierungsschicht erwünscht ist. Die Maskierungsschicht ist hart und dünn und kann z.B. bei der Berührung
mit einer Siliconplatte brechen. Dies kann mit Hilfe einer
mechanischen Pufferschicht auf der Maskierungsschicht vermieden
werden. Die Emulsionsschicht auf einer Emulsionsmaske wirkt als Puffer. Die zurückbleibende Reservage (Emulsionsschicht)
der Erfindung wirkt daher ebenfalls als Puffer.
Im Verfahren der Erfindung werden herkömmliche Techniken angewandt,
die in der Photolithographie, Photoätzung und Ionenätzung zur Herstellung von Halbleitern eingeführt sind. Das
Verfahren kann daher ohne nennenswerte Abänderung der herkömmlichen Techniken, Vorrichtungen und Ausrüstungen durchgeführt
werden, so daß es ein breites Anwendungsgebiet hat.
Die Beispiele erläutern die Erfindung. Alle Teile, Prozente und Verhältnisse beziehen sich auf das Gewicht,, falls nicht
anders angegeben.
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14-00 ml einer Silberbromidemulsion (mittlere Korngröße des
Silberbromids: etwa 0,06 u) werden auf übliche Weise aus
50 g Gelatine und 188 g Silberbromid hergestellt. Die Emulsion
wird dann mit 0,25 g 4-Methyl-2,3-di~äthoxythiazolocarbocyaninjodid
versetzt, um sie im Wellenlängenbereich, von 510
bis 530 mti zu sensibilisieren. Die erhaltene Emulsion wird in
einer Trockenschichtdicke von etwa 6 u auf eine Platte aus
Natronkalkglas aufgetragen und getrocknet. Das so hergestellte lichtempfindliche photographische Material wird 3 Sekunden mit
Licht aus einer Wolframlampe bildmäßig belichtet, das durch ein Grünfilter (Kodak Wratten Fr. 58B) tritt. Die Lichtintensität
unmittelbar vor dem Grünfilter beträgt etwa 1000 Lux. Anschließend entwickelt man 5 Minuten bei 24-0C mit einem Entwicklerbad
der folgenden Zusammensetzung und fixiert 1 Minute bei 24- C mit einem Fixierbad d<
wobei ein Silberbild entsteht.
wobei ein Silberbild entsteht.
Entwicklerbad
bei 24-0C mit einem Fixierbad der folgenden Zusammensetzung,
1-Phenyl-3~pyrazolidon . 0,5 g
Natriumsulfit (wasserfrei) 50 g
Hydrochinon 12 g
Natriumcarbonat-monohydrat 60 g
Kaliumbromid 2 g
Benzotriazol 0,2 g
i-Phenyl-5-mercaptotetrazol 5 mg
Phenazin-2-carbonsäure 1 g
Wasser auf 1 1
Fixierbad
70 % wässrige ümmoniumthiosulfatlösung 200 ml
Natriumsulfit (wasserfrei) 15 g
Borsäure 8 g
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Eisessig 16 ml
Ammoniumsulfat 10 g
Schwefelsäure (98 %) 2 ml
Wasser auf 1 1
Nach dem Spülen mit Wasser und Trocknen wird das photo graphische
Material in eine Zerstäubungsvorrichtung eingebracht (Modell "FP-46" der Nippon Electric-Varian K.K. Ltd.)? um die Ionenätzung
durchzuführen. Hierbei werden folgende Bedingungen angewandt :
Frequenz 13,56 MHz
Hochfrequenzleistung 500 W
Elektrodenabstand 50 mm
Gas Argon Gasdruck ■ 1,2 χ 10~2 Torr
Elektroden Edelstahl
Größe 170 mm 0
Temperatur Raumtemperatur
(23 - 260C)
Spannung 2 KV
Fach etwa 60 Minuten ist die Gelatine schicht in den Nicht-Bildbereichen
vollständig entfernt. Dagegen ist das Silberbild in den Silberbildbereichen nicht vollständig weggeätzt. Das so
hergestellte Silberbild ist hitzebeständig (es wird beim Erhitzen auf 5OO C nicht zerstört) und hat hohes Auflösungsvermögen
(1 u-Linien werden gut reproduziert).
Das Verfahren von Beispiel 1 wird wiederholt, Jedoch wird die
Emulsionsschicht 3 Minuten an der Luft auf 4000C erhitzt und
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die Ionenätzung wird 10 Minuten durchgeführt. Das so hergestellte
Silberbild ist ebenso hitzebeständig wie das Bild aus Beispiel 1 , besitzt jedoch besseres Auflösungsvermögen,
eine bessere Randglätte der Bildlinien und einen höheren Bildkontrast.
Das Verfahren von Beispiel 2 wird wiederholt, jedoch wird das Silberbild in einer 0,3 gewichtsprozentigen wässrigen
Lösung von Rhodiumchlorid (RhCl5) 2 Minuten bei 20°C getönt
und das bei der Tönung erzeugte Silberchlorid wird mit dem Entwickler von Beispiel 1 zu Silber reduziert. Das so hergestellte
Bild entspricht in der Hitzebeständigkeit, dem Auflösungsvermögen und dem Kontrast im wesentlichen dem Bild
von Beispiel 2
Das Verfahren von Beispiel 3 wird wiederholt, jedoch wird die Ionenätzung 15 Minuten durchgeführt. Es werden dieselben
Ergebnisse wie in Beispiel 3 erzielt.
Die Silberhalogenidemulsion von Beispiel 1 wird in einer Trockenschichtdicke von etwa 0,5 /U auf eine etwa 0,1 η dicke
Chromschicht aufgetragen, die durch Vakuumbeschichtung auf eine Glasplatte von 1,6 mm Stärke aufgebracht worden ist. In
der Emulsionsschicht des so hergestellten photographischen
Materials wird wie in Beispiel 1 ein Silberbild erzeugt, worauf man das photograph!sehe Material .2 Minuten an der Luft auf
etwa 400 C erhitzt und dann 1 Minute wie in Beispiel 1 eine Ionenätzung mit einer Hochfrequenzleistung von 5OO V durchführt.
In .den Hicht-Bildbereichen wird die zersetzte Gelatine praktisch.
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vollständig entfernt, während in den Bildbereichen die Emulsionsschicht
lediglich auf etwa 2/3 ihrer ursprünglichen Dicke abnimmt, jedoch nicht vollständig entfernt wird. Die in den
Bildbereichen zurückbleibende Emulsionsschicht eignet sich Jedoch nicht als Eeservage zur chemischen Ätzung der Chromschicht.
Reduziert man die Hochfrequenzleistung bei der Ionenätzung auf 250 W, während im übrigen dieselben Bedingungen
wie in Beispiel 1 angewandt werden, so eignet sich die Bindemittelschicht in den Bildbereichen nach 1-minütiger Ionenätzung
als Eeservage.
Tönt man das Silberbild vor der Ionenätzung 30 Minuten bei
25°C mit dem folgenden Tönungsbad, so erhält man nach vorherigem
Spülen mit Wasser und Trocknen durch 1-minütige Ionenätzung des photographischen Materials mit einer Hochfrequenzleistung
von 5OO W eine ausgezeichnete Eeservage. Auch bei 2-minütiger
Ionenätzung mit einer Hochfrequenzleistung von 400 W werden gute Ergebnisse erzielt. Im übrigen werden die Bedingungen von Beispiel
1 angewandt.
Lösung, die durch Zugabe von 40 ml einer 20 prozentigen wässrigen Kaliumferricyanidlösung
zu einer 10 gewichtsprozentigen wässrigen Titansulfatlösung hergestellt worden ist · 100 ml
gesättigte wässrige Oxalsäurelösung ' 25
Glycerin 50 ml
gesättigte wässrige Kalialaunlösung 50 ml
Wasser auf 11
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Die Chromätzlösung hat folgende Zusammensetzung:
Cerammoniumnitrat 16A-, 5 g
70 prozentige wässrige Perchlorsäurelösung 4-3 ml
Wasser auf 1 1
Die Ätzzeit der Chromschicht beträgt etwa 1 Minute bei 200C.
Die Silberhalogenidemulsion von Beispiel 1 wird in einer Trockenschichtdicke von etwa 5 # auf eine etwa 0,1 η dicke
Germaniumschicht aufgetragen, die durch Vakuumbeschichtung
auf eine Glasplatte von 1,6 mm Stärke aufgebracht worden ist. In der Emulsionsschicht des so hergestellten photographischen
Materials wird wie in Beispiel 1 ein Silberbild erzeugt und dann 25 Minuten bei 20 C mit einem Tönungsbad der folgenden
Zusammensetzung getönt.
20 prozentige wässrige Vanadinoxalatlösung 50 ml
gesättigte wässrige Oxalsäurelösung 50 ml
gesättigte wässrige Jnnmoniumalaunlösung 50 ml
20 prozentige wässrige Eisen(III)-oxalat-
lösung 100 ml
Glycerin 50 ml
10 prozentige wässrige Kaliumferricyanidlösung 10 ml
Wasser auf 1 1
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Nach dem Spülen mit Wasser und Trocknen wird das photographische Material 5 Minuten an der Luft auf 35O0C erhitzt
und dann 20 Minuten wie in Beispiel 1 einer Ionenätzung unterworfen. Die Germanium-Maskierungsschicht in
den Eicht-Bildbereichen wird vollständig entfernt, während
sie in den Bildbereichen nicht geätzt wird. Es entsteht eine haltbare Photomaske mit hohem Auflösungsvermögen.
Auf dem photographischen Material von Beispiel 6 wird ein Silberbild erzeugt, dann 5 Minuten bei 20°C mit einem Bleichbad
der folgenden Zusammensetzung gebleicht und schließlich 5 Minuten bei 200C mit einem Tönungsbad der folgenden Zusammensetzung
getönt.
Bleichbad
Kaliumferricyanid " 10 g
Ammoniakwasser (28 °/o) 10 ml
Wasser 200 ml
Pe(III)-ChIOrId . Ig
Salzsäure (37,2 %) 4- ml
Wasser . 200 ml
Das Silberbild wird in ein Bild aus Eisen(III)-hexacyanoferrat
und Silberchlorid überführt. Das dabei entstandene Silberchlorid wird mit dem Entwickler aus Beispiel 1 zu Silberreduziert,
worauf man das Bild nochmals mit dem Tönungsbad und unter den Bedingungen von Beispiel 6 tönt. Fach vorherigem Spülen und
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Trocknen wird das Material wie in Beispiel 6 hitzebehandelt
und weiterverarbeitet, wobei praktisch dieselben Ergebnisse wie in Beispiel 6 erzielt werden. Bei einer 25 minütigen
Ionenätzung gemäß Beispiel 1 wird die Reservage nicht beschädigt.
Das Verfahren von Beispiel 1 wird wiederholt, jedoch bringt man vor dem Auftrag der Silberhalogenidemulsion eine 0,2 bis
0,3 P dicke Haftschicht der folgenden Zusammensetzung durch
lauchbeschichtung auf die Natronkalkglasplatte auf und trocknet diese 15 Minuten bei 1300C.
Lösung, die durch Zugabe von 0,45 g Nitrocellulose. ("Nitrocellulose ES1/8" der Daicel
Ltd.) und 10,0 g Aceton unter Rühren zu einer Gelatinedispersion der folgenden Zusammensetzung
hergestellt worden isti
Gelatine 0,4 g
Salicylsäure 0,12 g
Methanol 0,18 g
Sthylenchlorid 55,0 g
Aceton 15,0 g
Es werden ähnliche Ergebnisse wie in Beispiel 1 erzielt.
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Claims (32)
1. Bildaufzeichnungsverfahren, dadurch gekennzeichnet , daß man durch Belichten und Entwickeln
eines photograph!sehen Materials, das auf einem Substrat
entweder direkt oder auf mindestens einer auf das Substrat aufgebrachten Haftschicht mindestens eine Silberhalogenid-Emulsionsschicht
aufweist, ein Silberbild erzeugt und hierauf die Nicht-Bildbereiche der Emulsionsschicht durch bildmäßige
Ionenätzung der Schicht bzw. Schichten auf dem Substrat wegätzt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die Silberhalogenid-Emulsionsschicht
Silberchlorid, Silberbromid, Silbergodid, Silberchlorobromid, Silberbromojodid, Silberchlorobromojodid oder deren Gemische
enthält.
3· Verfahren nach Anspruch 2, dadurch g e k e η η ζ
eichnet ,daß die Silberhalogenidemulsion etwa 90
Molprozent oder mehr Silberbromid und nicht mehr als etwa 5 Molprozent Silberjodid enthält und die mittlere Korngröße
der Silberhalogenidkörner nicht mehr als etwa 0,1 /u beträgt$
wobei das Gewichtsverhältnis von Silberhalogenid zu wasserlöslichem
Bindemittel in der Emulsion im Bereich von etwa 1 : M-bis 6 : 1 liegt.
4-. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Silberhalogenidemulsion etwa 50
Molprozent oder mehr Silberchlorid und Silberhalogenidkörner
mit einer mittleren Korngröße von nicht mehr als etwa 1 η enthält.
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5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man das phot οgraphische Material
vor der Ionenätzung erhitzt, um das Bindemittel zu zersetzen.
6. Verfahren nach Anspruch 5j dadurch g e k e nn zeichnet,
daß man auf etwa I50 bis 6000C erhitzt.
7. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet , daß die Ionenätzung
durch Kathodenzerstäubung erfolgt.
8. Bildaufzeichnungsverfahren, dadurch gekennzeichnet, daß man
a) auf einem photographischen Material, das auf einem Substrat entweder direkt oder auf mindestens einer auf das Substrat
aufgebrachten Haftschicht mindestens eine Silberhalogenid-Emulsionsschicht aufweist, durch Belichten und Entwickeln
ein Silberbild erzeugt,
b) das Silberbild mindestens einmal intensiviert und/oder tönt und
c) die Nicht-Bildbereiche der Emulsionsschicht durch bildmäßige
Ionenätzung der Schicht bzw. Schichten auf dem Substrat wegätzt.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Silberhalogenid-Emulsionsschicht
Silberchlorid, Silberbromid, Silberjodid, Silberchlorobromid, Silberbromojodid, Silberchlorobromojodid oder deren Gemische
enthält.
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10. Verfahren nach Anspruch. 9» dadurch g e k e η η ζ
e ic h η e t , daß die Silberhalogenidemulsion etwa 90 Molprozent oder mehr Silberbromid und nicht mehr als
etwa 5 Molprozent Silberjodid enthält und die mittlere
Korngröße der Silberhalogenidkörner nicht mehr als etwa 0,1 u beträgt, wobei das Gewichtsverhältnis von Silberhalogenid
zu wasserlöslichem Bindemittel in der Emulsion im Bereich von etwa 1 : 4· bis 6 : 1 liegt.
11. Verfahren nach Anspruch 9> dadurch gekennzeichnet, daß die Silberhalogenidemulsion etwa
50 Molprozent oder mehr Silberchlorid und Silberhalogenidkörner
mit einer mittleren Korngröße .von nicht mehr als etwa 1 ja enthält.
12. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet , daß man das photograph!sehe Material
vor der Ionenätzung erhitzt, um das Bindemittel zu zersetzen
13· Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß man auf etwa 150 bis 6000C erhitzt.
Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet , daß man zur Intensivierung b 2w. Tönung eine
Quecksilber-, Kupfer- oder Bleiintensivierung oder eine Uran-, Selen-, Schwefel-, Eisen-, Nickel-, Kobalt-, Kupfer-, Vanadin-,
Titan-, Bleichromat-, Cadmium- oder Edelmetalltönung durchführt,
15· Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 8 bis 14·,
dadurch gekennzeichnet , daß die Ionenätzung durch Kathodenzerstäubung erfolgt.
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16. Bildaufzeichnungsverfahren, dadurch gekennzeichnet,
daß man
a) auf einem photographischen Material, das auf einem transparenten
Träger eine Maskierungsschicht aufweist, wobei
auf die Maskierungsschicht entweder direkt oder auf mindestens
eine auf die Maskierungsschicht aufgebrachte Haftschicht mindestens eine Silberhalogenid-Emulsionsschicht
aufgebracht ist, durch Belichten und Entwickeln ein Silberbild erzeugt,
b) das Silberbild mindestens einmal intensiviert und/oder tönt,
c) die Nicht-Bildbereiche der Silberhalogenid-Emulsionsschicht
unter 3?reilegung der darunterliegenden Maskierungs schicht durch Ionenätzung der Schicht bzw. Schichten oberhalb der
Maskierungsschicht wegätzt und
d) die Maskierungsschicht in den freigelegten Bereichen wegätzt.
17· Verfahren nach Anspruch 16, dadurch g e k e η η ζ
eichnet , daß das transparente Substrat aus einer Glasplatte, Quarz, Saphir oder einem Kunstharz besteht.
18. Verfahren nach Anspruch 16j. dadurch gekennzeichnet , daß die Maskierungsschicht aus einem Material
besteht, das für sichtbares Licht durchlässig ist und UV-Licht absorbiert.
19· Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet , daß die Maskierungsschicht aus einem Metall,
•Metalloxid, Halbmetall, Chalkogenglas oder einem Gemisch die-
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ser Materialien besteht.
20. Verfahren nach Anspruch 19» dadurch gekennzeichnet, daß man als Metalloxid Siliciumoxid, Chromoxid,
Eisen(III)-oxid, Eisen(II)-Eisen(III)-oxid, Kupfer(I)-oxid, Kupfer(Il)-oxid, Nickeloxid, Kobaltoxid, Cadmiumoxid,
Germaniumoxid, Titanoxid oder Tantaloxid, als Metall Chrom , Aluminium, Silber, Titan, Kobalt, Wolfram, Tellur, Nickel,
Gold, Platin, Iridium, Palladium, Rhodium, Molybdän, Tantal, Niekel-Eisen-, Nickel-Chrom-Eisen-, Aluminium-Eisen-, Chrom-Eisen-,
Chrom-Aluminium-, Silicium-Gold-, Titan-Aluminium-,
Kupfer-Beryllium-, Kobalt-Eisen-, Kobalt-Nickel- oder Nickel-Chrom-Legierungen,
als Halbmetalle Germanium oder Silicium,
als Chalkogengläser As-S-Ge, As-Se-Ge oder Ge-S und als Gemische
Chromoxid auf Chrom oder Siliciumoxid auf Silicium verwendet.
21. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet·, daß die Maskierungsschicht durchlässig
ist für Licht mit einer Wellenlänge oberhalb -etwa 450 nm und
Licht mit einer Wellenlänge unterhalb etwa 450 nm absorbiert.
22. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch g e k en η -
ζ eichnet , daß die Maskierungsschicht eine Dicke von
etwa 0,01 bis 10u aufweist.
23. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch g e k e η η ζ
eichnet , daß die Silberhalogenid-Emulsionsschicht Silberchlorid, Silberbromid, Silberjodid, Silberchlorobromid,
Silberbromojodid, Silberchlorobromojodid oder deren Gemische
enthält.
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24·. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch g e k e η η ~
ζ e ic h η e t, daß die Silberhalogenidemulsion etwa 90
Molprozent oder mehr Silberbromid und nicht mehr als etwa 5 Molprozent Silberjodid enthält und die mittlere Korngröße der Silberhalogenidkorner nicht mehr als etwa 0,1 η beträgt, wobei das Gewichtsverhältnis von Silberhalogenid zu wasserlöslichem Bindemittel in der Emulsion im Bereich von etwa 1 : 4- bis 6 : 1 liegt.
Molprozent oder mehr Silberbromid und nicht mehr als etwa 5 Molprozent Silberjodid enthält und die mittlere Korngröße der Silberhalogenidkorner nicht mehr als etwa 0,1 η beträgt, wobei das Gewichtsverhältnis von Silberhalogenid zu wasserlöslichem Bindemittel in der Emulsion im Bereich von etwa 1 : 4- bis 6 : 1 liegt.
25. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch g e k e η η ζ
eichne t , daß die Silbex^halogenidemulsion etwa
50 Molprozent oder mehr Silberchlorid und Silberhalogenidkorner
mit einer mittleren Korngröße von nicht mehr als
etwa 1 η enthält.
etwa 1 η enthält.
26. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch g e k e η η ζ
e ic h η e t , daß man das photographische Material vor der Ionenätzung erhitzt, um das Bindemittel zu zersetzen.
27· Verfahren nach Anspruch 26, dadurch gekennzeichnet , daß man auf etwa I50 bis 6000G erhitzt.
28. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet , daß man zur Intensivierung bzw. Tönung
eine Quecksilber-, Kupfer- oder Bleiintensivierung oder
eine Uran-, Selen-, Schwefel-, Eisen-, Nickel-, Kobalt-,
Kupfer-, Vanadin-, Titan-, Bleichromat-r, Cadmium- oder
Edelmetalltönung durchführt.
eine Quecksilber-, Kupfer- oder Bleiintensivierung oder
eine Uran-, Selen-, Schwefel-, Eisen-, Nickel-, Kobalt-,
Kupfer-, Vanadin-, Titan-, Bleichromat-r, Cadmium- oder
Edelmetalltönung durchführt.
29. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 16 bis
28, dadurch gekennzeichnet , daß die Ionenätzung durch Kathodenzerstäubung erfolgt.
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30. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet , daß die Maskierungsschicht durch Ionenätzung
entfernt wird.
31. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Maskierungsschicht durch chemische
Ätzung entfernt wird»
32. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß man die Emulsionsschicht in den Bildbereichen
unter Beibehaltung der darunterliegenden Maskierungsschicht entfernt.
33· Verfahren nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, daß man die Emulsionsschicht in den Bildbereichen
durch Quellen oder Lösen in einer eine Säure, eine Base oder ein Salz enthaltenden Lösung entfernt.
3A-. Verfahren nach Anspruch 33» dadurch g e k e η η ζ
eichnet , daß man als Säure Schwefelsäure oder Salpetersäure, als Base Natriumhydroxid oder Kaliumhydroxid und
als Salz Natriumhypochlorit oder Kaliumhypochlorit verwendet.
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP49117280A JPS5230851B2 (de) | 1974-10-11 | 1974-10-11 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2545570A1 true DE2545570A1 (de) | 1976-04-22 |
Family
ID=14707825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19752545570 Withdrawn DE2545570A1 (de) | 1974-10-11 | 1975-10-10 | Bildaufzeichnungsverfahren |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4110114A (de) |
JP (1) | JPS5230851B2 (de) |
DE (1) | DE2545570A1 (de) |
NL (1) | NL7511939A (de) |
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JP6704375B2 (ja) | 2017-07-13 | 2020-06-03 | 日立建機株式会社 | 積載量補正システム |
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-
1974
- 1974-10-11 JP JP49117280A patent/JPS5230851B2/ja not_active Expired
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1975
- 1975-10-10 DE DE19752545570 patent/DE2545570A1/de not_active Withdrawn
- 1975-10-10 NL NL7511939A patent/NL7511939A/xx not_active Application Discontinuation
- 1975-10-14 US US05/622,330 patent/US4110114A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5230851B2 (de) | 1977-08-11 |
NL7511939A (nl) | 1976-04-13 |
US4110114A (en) | 1978-08-29 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |