DE2540053C2 - Verfahren zum Dotieren von III/V-Halbleiterkörpern - Google Patents

Verfahren zum Dotieren von III/V-Halbleiterkörpern

Info

Publication number
DE2540053C2
DE2540053C2 DE2540053A DE2540053A DE2540053C2 DE 2540053 C2 DE2540053 C2 DE 2540053C2 DE 2540053 A DE2540053 A DE 2540053A DE 2540053 A DE2540053 A DE 2540053A DE 2540053 C2 DE2540053 C2 DE 2540053C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
diffusion
diffusion tube
tube
temperature
chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2540053A
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE2540053A1 (de
Inventor
Norbert Herouville St. Clair Sirot
Robert Ste. Honorine du Faye Thevenon
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE2540053A1 publication Critical patent/DE2540053A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2540053C2 publication Critical patent/DE2540053C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H10P95/00—
    • H10P32/12—
    • H10P32/171—

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
DE2540053A 1974-09-16 1975-09-09 Verfahren zum Dotieren von III/V-Halbleiterkörpern Expired DE2540053C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7431243A FR2284982A1 (fr) 1974-09-16 1974-09-16 Procede de diffusion d'impuretes dans des corps semiconducteurs

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2540053A1 DE2540053A1 (de) 1976-03-25
DE2540053C2 true DE2540053C2 (de) 1983-12-01

Family

ID=9143118

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2540053A Expired DE2540053C2 (de) 1974-09-16 1975-09-09 Verfahren zum Dotieren von III/V-Halbleiterkörpern

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPS5238388B2 (enExample)
CA (1) CA1061225A (enExample)
DE (1) DE2540053C2 (enExample)
FR (1) FR2284982A1 (enExample)
GB (1) GB1515318A (enExample)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5742008Y2 (enExample) * 1976-10-08 1982-09-16
FR2409791A1 (fr) * 1977-11-25 1979-06-22 Silicium Semiconducteur Ssc Appareils de dopage par diffusion de tranches semi-conductrices
FR2479278A1 (fr) * 1980-03-26 1981-10-02 Loic Henry Procede de diffusion d'impuretes dans un semiconducteur et dispositif pour la mise en oeuvre de ce procede
JPS60236471A (ja) * 1984-05-10 1985-11-25 新光電気工業株式会社 気密ガラス端子
JP2662318B2 (ja) * 1991-03-13 1997-10-08 株式会社日立製作所 半導体基体への不純物の拡散方法
WO2023121228A1 (ko) * 2021-12-20 2023-06-29 주식회사 에이치피에스피 웨이퍼의 박막에 대한 탄소 도핑 방법
CN114855261B (zh) * 2022-03-21 2025-01-24 西北工业大学 一种基于水平梯度凝固法生长化合物半导体单晶的气相掺杂方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2178751B1 (enExample) * 1972-04-05 1974-10-18 Radiotechnique Compelec

Also Published As

Publication number Publication date
DE2540053A1 (de) 1976-03-25
GB1515318A (en) 1978-06-21
FR2284982A1 (fr) 1976-04-09
JPS5238388B2 (enExample) 1977-09-28
FR2284982B1 (enExample) 1979-02-16
CA1061225A (en) 1979-08-28
JPS5164371A (enExample) 1976-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2140092C3 (de) Verfahren zur Herstellung dünner Schichten auf Substraten
DE1596586B2 (de) Verfahren zur Herstellung von Floatglas und Vorrichtung zu seiner Durchführung
DE2216688A1 (de) Verfahren zum aufkohlen der randzonen eines werkstueckes
EP2026927A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur temperaturbehandlung, insbesondere lotverbindung
DE2647088A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum reinigen von oberflaechen
DE2119920B2 (de) Verfahren zur kontinuierlichen Warmbehandlung und nachfolgenden kontinuierlichen Ummantelung eines langgestreckten Grundmaterials mit einem geschmolzenen Mantelmetall
DE2540053C2 (de) Verfahren zum Dotieren von III/V-Halbleiterkörpern
DE2931432C2 (de) Verfahren zum Eindiffundieren von Aluminium in Silizium-Halbleiterscheiben
DE2430432A1 (de) Rohrofen mit einem gasdurchstroemten reaktionsrohr
DE2061726C3 (de) Vorrichtung zur kontinuierlichen Behandlung von Stahlbandern und Verfahren zu ihrem Betrieb
CH493646A (de) Verfahren zum Auftragen von Kupfer auf einen Kupferdraht
DE1233828B (de) Verfahren zur Herstellung, Reinigung und/oder Dotierung von ein- oder polykristallinen Halbleiterverbindungen
CH615948A5 (enExample)
DE60207933T2 (de) Verfahren zur kontinuierlichen Wärmebehandlung von Metallen unter Argonatmosphäre
DE2244913C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Wärmebehandlung von Bandstahl
DE2829568A1 (de) Verfahren zur gleichmaessigen abscheidung von refraktaermetallschichten in rohren aus der gasphase, sowie vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
DE2615265A1 (de) Vorrichtung zur erzeugung einer reduzierenden atmosphaere fuer thermische behandlungsanlagen
DE3813931A1 (de) Schutzgasloetverfahren und vorrichtung zur ausfuehrung dieses verfahrens
DE2315894A1 (de) Verfahren zum durchfuehren von diffusionen mit zwei quellen
DE2705926C2 (de) Verfahren zur Ablösung von Metallablagerungen von dem Überbau einer Floatglaskammer
DE2121975B2 (de) Verfahren zur Entfernung von Verun reinigungen in Kohlenstoffkorpern
DE2219111C3 (de) Vorrichtung zur Wärmebehandlung kleiner Teile
DE2737194C2 (de) Vorrichtung zum Eindiffundieren eines Verunreinigungsstoffes in Halbleiterscheiben
DE477182C (de) Verfahren zur Waermebehandlung von Metallen und Metallegierungen in lang-gestreckter Form, insbesondere von gleichfoermig induktiv belasteten Leitern
DE709181C (de) Verfahren zum Vorbehandeln von Metallkoerpern vor dem schmelzfluessigen UEberziehen mit anderen Metallen

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
8128 New person/name/address of the agent

Representative=s name: NEHMZOW, F., PAT.-ASS., 2000 HAMBURG

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee