DE2539026C2 - Verfahren zur Herstellung eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors der Vertikalausführung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors der Vertikalausführung

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Kenichi Hyogo Muramoto
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
    • H10D30/83—FETs having PN junction gate electrodes
    • H10D30/831—Vertical FETs having PN junction gate electrodes

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