DE2508369A1 - Verfahren zum herstellen von scheibenfoermigen siliciumkoerpern, insbesondere fuer solarzellen - Google Patents
Verfahren zum herstellen von scheibenfoermigen siliciumkoerpern, insbesondere fuer solarzellenInfo
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 30
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 14
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 14
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000155 melt Substances 0.000 claims description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 3
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/20—Controlling or regulating
- C30B15/22—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal
- C30B15/24—Stabilisation or shape controlling of the molten zone near the pulled crystal; Controlling the section of the crystal using mechanical means, e.g. shaping guides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/002—Continuous growth
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/182—Special manufacturing methods for polycrystalline Si, e.g. Si ribbon, poly Si ingots, thin films of polycrystalline Si
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/914—Crystallization on a continuous moving substrate or cooling surface, e.g. wheel, cylinder, belt
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- Photovoltaic Devices (AREA)
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Description
SIEMENS AKTIENGESSIISCHAFT München 2, 26.FEB. 19?5
Berlin und München Wittelsbacher-olatz
75 P 1021 BRD
Verfahren zum Herstellen von scheibenförmigen Siliciumkörpern
insbesondere für Solarzellen.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von scheibenförmigen
Siliciumkörpern, wie sie insbesondere für Solarzellen verwendet werden.
Zur Herstellung von Solarzellen, welche aus großflächigen Siliciumscheiben
bestehen, seil möglichst billiges Silicium verwendet
werden. Die Anforderungen, die an diese Bauelemente in Bezug auf Kristallqualität gestellt werden, sind nicht so hoch, wie bei
den für Schaltungen einsetzbaren Bauelementanordnungen.
Es war deshalb ein Tfeg zu finden, Silicium auf einfache und billige
Y/eise herzustellen, d. h., möglichst ohne Materialverlust. Außerdem sollen die teueren Arbeitsgänge, wie läppen und Sägen
eines Stabes in Scheiben, entfallen.
Aus der deutschen DT-PS 1 155 916 ist nun bekannt, scheibenförmige
Siliciumkörper dadurch herzustellen, daß ein Siliciumstab durch Erhitzen in den duktilen Zustand übergeführt und durch
Walzen oder Schmieden zu einem Flachkörper verformt wird, aus dem dann die Siliciumscheiben durch Zerteilen abgetrennt werden.
Diese Scheiben sollen, da von einem einkristallinen HaIb-
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leiterstab ausgegangen wird, durch das Überführen in den duktilen
Zustand und das anschließende Walzen oder Schmieden ihren einkristallinen Charakter nicht verlieren. Es treten aber trotzdem
sehr stark gestörte Einkristalistrukturen auf, die durch einen anschließenden Temperprozeß wieder regeneriert werden
können.
Ziel der vorliegenden Erfindung ist es jedoch, in einem einzigen Arbeitsgang billiges Silicium rationell herzustellen, wobei die
kristalline Struktur eine untergeordnete Rolle spielt.
Dieses Ziel wird dadurch erreicht, daß zunächst polykristallines Silicium aufgeschmolzen und durch Walzen in die Form eines die
gewünschte Dicke der scheibenförmigen Siliciumkörper aufweisenden Bandes zum Erstarren gebracht wird und dann dieses Band
entsprechend den gewünschten Abmessungen der Siliciumkörper zerteilt wird.
Es liegt im Rahmen der Erfindung, das Aufschmelzen in einem induktiv-beheizten Tiegel vorzunehmen und die Schmelze durch
einen, am Boden des Tiegels befindlichen Schlitz zum Auslaufen und durch Walzen als Band zum Erstarren zu bringen, oder das
Aufschmelzen durch tiegelfreies Zonenschmelzen eines senkrecht gehalterten, polykristallinen Siliciumstabes mittels einer, den
Stab ringförmig umschließenden Induktionsheizspule durchzuführen und das geschmolzene Silicium durch unterhalb der Schmelzspule
angebrachte Walzen zu einem Band umzuformen und dann zum Erstarren zu bringen. Eine weitere Möglichkeit bietet sich an,
indem die tiegelfrei gehalterte Schmelze durch eine Schlitzplatte gepreßt und anschließend zu einem Band gewalzt zum Erstarren
gebracht wird.
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Als Material für die Walzen wird Silicium oder Siliciurckarbid
verwendet., wobei zweckmäßigerwei<;e die Y/alzen mittels eines
Gebläses auf einer Temperatur von 900 - 1300 C gehalten werden. Die Walzgeschwindigkeit wird auf 30 - 200 cm/min eingestellt
und das fertiggestellte Siliciumband kann auf einer Rolle aufgewickelt
werden. Die Walzen sind geschliffen und können auch poliert sein.
Das Aufschmelzen und Walzen geschieht zweckmäßigerweise in Schutzgasatmosphäre.
Es hat sich als vorteilhaft erwiesen, die Schmelze in Rotation zu versetzen.
An Hand von Ausführungsbeispielen und der Fig. 1 bis 3 soll das Verfahren nach der Lehre der Erfindung noch näher erläutert werden.
In Fig. 1 ist eine Verfahrensweise dargestellt, bei der das Aufschmelzen
des polykristallinen Silicium 4 in einem Schmelztiegel 2 aus Quarz vorgenommen wird, welcher durch eine Schmelzspule
3 induktiv beheizt wird. Das aufgeschmolzene Silicium 4 gelangt durch eine schlitzförmige Blende 9 am Boden des Schmelztiegels
2 zwischen zwei Y/alzen 5 und 6 und wird zu einem breiten
Siliciumband 7 ausgewalzt. Die Walzgeschwindigkeit beträgt 200 cm/min. Die Dicke des ausgewalzten Siliciumbandes 7 wird
;je nach gewünschter Solarzellenscheibendicke auf 0,1 - 0,3 mm
eingestellt. Die Walzen 5 und 6 bestehen aus Hohlzylindern aus Silicium oder Siliciumkarbid, welche mittels einer Gebläseströmung
8 auf einer !Temperatur von ca. 900° - 13000C gehalten
werden. Das entstandene Siliciumband 7 erstarrt makropolykristallin.
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Eine Dosierung der den Walzen zugeführten Schmelzmengp kann durch
entsprechende Einstellung des Druckunterschiedes des Schutzgases
zwischen Tiegelinnerem und Tiegelumgebung erfolgen. Auf diese Weise kann die zur Herstellung einer bestimmten Dicke des Walzbandes
benötigte Schmelzmenge genau dosiert werden.
Pig. 2 zeigt eine andere Ausführungsform des Verfahrens, bei der
das polykristalline Silicium 10 in Stabform durch das sog. tiegelfreie Zonenschmelzverfahren aufgeschmolzen wird. Dabei wird
die Schmelzzone 11 mittels einer, den Stab 10 ringförmig umschließenden, einwindigen Induktionsheizspule 12, welche zur Kühlung
mit Wasser 13 durchströmt ist, erzeugt. Unterhalb der Schmelzspule 12 befinden sich zwei Walzen 5 und 6, welche das geschmolzene
Silicium zu einem Band 7 verformen. Das Bezugszeichen 8 soll, wie bei der Beschreibung der Fig. 1 ausgeführt, die
Gebläsekühlung der Walzen 5 und 6 darstellen.
Fig. 3 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispxel, bei dem der polykristalline
Siliciumstab 10 auf eine unterhalb der Schmelzspule befindliche, mit einem Schlitz 17 versehenen Quarzplatte 14 gedrückt
wird (siehe Pfeil 15). Dies kann beispielsweise dadurch, geschehen, daß die den Stab tragende Halterung mit einer bestimmten
Vorschubgeschwindigkeit beaufschlagt wird. Der aus dem Schlitz 17 austretende Siliciumstrahl wird durch das Walzenpaar
5 und 6 zu einem Band 7 gewalzt, welches auf eine Rolle 18
aufgewickelt wird. Vorzugsweise wird der Siliciumstab 10 um seine Achse in Rotation versetzt (siehe Drehpfeil 16).
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Durch das Verfahren nach der Lehre der Erfindung ist die Möglichkeit
gegeben, in billiger und rationeller Weise Silicium in flächiger Form für Solarzellen herzustellen, ohne daß Säge- und
Läppvorgänge erforderlich sind. Dadurch werden die bei den üblichen Fertigungsprozessen durch Zerschneiden von Siliciumstäben
in Kristallscheiben anfallenden Materialverluste (ca. 50 $) umgangen.
3 Figuren
12 Patentansprüche
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Claims (12)
1.) Verfahren zum Herstellen von scheibenförmigen Siliciumkörpern,
wie sie insbesondere für Solarzellen verwendet werden, dadurch gekennzeichnet , daß zunächst polykristallines
Silicium aufgeschmolzen und durch Walzen in die Form eines, die gewünschte Dicke der scheibenförmigen Siliciumkörper
aufweisenden Bandes zum Erstarren gebracht wird und dann
dieses Band entsprechend den gewünschten Abmessungen der SiIiciumkörper
zerteilt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet , daß das Aufschmelzen in einem induktiv-beheizten
Tiegel vorgenommen wird und die Schmelze durch einen an Boden des Tiegels befindlichen Schlitz zum Auslaufen und
durch Walzen als Band zum Erstarren gebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2,dadurch gekenn zeichnet , daß die Dosierung der den Walzen zugeführten
Schmelzmenge durch Einstellung eines Druckunterschieds des Schutzgases zwischen Tiegelinnerem und Tiegelumgebung erfolgt.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet , daß das Aufschmelzen durch tiegelfreies
Zonenschmelzen eines senkrecht gehalterten, polykristallinen Siliciumstabes mittels einer, den Stab ringförmig umschließenden
Induktionsheizspule erfolgt und das geschmolzene Silicium durch unterhalb der Schmelzspule angebrachte Walzen zu
einem Band umgeformt und zum Erstarren gebracht wird.
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5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekenn zeichnet , daß die tiegelfrei-gehalterte Schmelze
durch eine Schlitzplatte gepreßt und anschließend zu einem Band gewalzt und zum Erstarren gebracht wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5f dadurch ge kennzeichnet
, daß Walzen aus Silicium oder SiIiciumkarbid verwendet v/erden.
7. Verfahren nach Anspruch 1 bis 6,dadurch ge kennzeichnet , daß die Walzen beispielsweise
mittels eines Gebläses auf 900° - 1300 C gehalten werden.
8. Verfahren nach Anspruch 1 bis 7, dadurch'ge kennzeichnet
, daß die Yfalzgeschwindigkeit auf 30 bis 200 cm/min eingestellt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 1 bis 8, da du roh ge kennzeichnet
, daß die Schmelze in Rotation versetzt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 1 bis 9f dadurch ge
kennzeichnet , daß das Aufschmelzen in Schutzgasatmosphäre vorgenommen wird.
11. Verfahren nach Anspruch 1 bis 10, dadurch ge kennzeichnet , daß das Walzen in Schutzgasatmosphäre
oder an luft vorgenommen wird.
12. Verfahren nach Anspruch 1 bis 11, dadurch g e
kennzeichnet , daß das fertiggestellte Band auf einer Rolle aufgewickelt und nach Bedarf zerteilt wird.
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2508369A1 true DE2508369A1 (de) | 1976-09-02 |
Family
ID=5939886
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19752508369 Withdrawn DE2508369A1 (de) | 1975-02-26 | 1975-02-26 | Verfahren zum herstellen von scheibenfoermigen siliciumkoerpern, insbesondere fuer solarzellen |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4108714A (de) |
JP (1) | JPS581044B2 (de) |
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|
8136 | Disposal/non-payment of the fee for publication/grant | ||
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |