DE2458026A1

DE2458026A1 - Verfahren zur herstellung einkristalliner staebe aus einer schmelze und durch dieses verfahren hergestellte einkristalline koerper, insbesondere aus halbleitermaterial

Info

Publication number: DE2458026A1
Application number: DE19742458026
Authority: DE
Inventors: Jean-Pierre Besselere; Gerard De Loynes
Original assignee: Philips Gloeilampenfabrieken NV
Current assignee: Koninklijke Philips NV
Priority date: 1973-12-14
Filing date: 1974-12-07
Publication date: 1975-07-03
Also published as: DE2458026C2; FR2320773B1; GB1491239A; JPS546034B2; CH593099A5; JPS5092868A; FR2320773A1; BE823290A; IT1026995B

Description

FPlIN. 7^52. Va/EVH.

2.12.1974.

..;: PHN- 7452
6. Dez. .1974

Verfahren zur Herstellung einkristalliner Stäbe aus einer Schmelze und durch dieses Verfahren hergestellte einkristalline Körper, insbesondere aus Halbleitermaterial

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen Stabes durch gleichmassige Kristallisation aus einer langgestreckten geschmolzenen Charge eines Ausgangsmaterdals' mit seiner Längsrichtung in nahezu waagerechter Lage, bei dem die Schmelze und der. anwachsende Stab in der Längsrichtiing der Charge durch aufeinanderfolgende Temperaturzonen geführt Ttferden, wobei in einer Zone, der Erstarrungszone, die Schmelze derart abgekühlt wird, dass Kristallisation auftritt, und in einer darauffolgenden Zone das kristallisierte Material wenigstens teilweise Aireiter abgekühlt wird.

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Weiterhin bezieht sich die Erfindung auf einkristalline Körper, insbesondere aus Halbleitermaterial, die durch Anwendung dieses Verfahrens hergestellt sind.

Nach einem derartigen bekannten Verfahren wird ein längliches Schiffchen mit der zu kristallisierenden Charge durch eine Anzahl aufeinanderfolgender Temperaturzonen geführt, und zwar durch eine oder mehrere Zonen zum Erhalten des Materials in flüssigem Zustand bei einer homogenen die Schmelztemperatur Überschreitenden Temperatur, durch eine Kühltingszone, die sogenannte Er st ar rung sz one, zum Kristallisieren aus der Flüssigkeit, die einen Gradienten aufweist, durch den die Temperatur der Flüssigkeit örtlich auf die Erstarrungstemperatur herabgesetzt wird und Kristallisation stattfindet, und durch eine darauffolgende Kühlungszone für den gebildeten Feststoff, die hinter der vorhergehenden Zone liegt und einen Gradienten aufweist, durch den die Temperatur des Feststoffes herabgesetzt werden kann. Es ist dabei bekannt, im Ofen feste Temperaturzonen einzustellen und die Charge durch den Ofen zu bewegen. Auch ist es bekannt, die Zonen mit den erforderlichen Temperaturgradienten in der Längsrichtung des Ofens durch geeignete Steuerung der Erhitzungselemente im Ofen zu verschieben, wie in den französischen Patentschriften 1 4°Λ 831 und 2 116 66h beschrieben ist. Aus diesen Patentschriften ist es bekannt, dass die

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Erstarrungsfront, d.h. die Grenzfläche wischen Feststoff und Schmelze und zugleich die isotherme Kristallisationsfläche, die sich durch die Charge verschiebt, von der Seite der Flüssigkeit her gesehen vorzugsweise etwas konvex sein soll, Weiter ist diese Erstarrungsfront etwas schräg in bezug auf die Senkrechte angeordnet, und zwar derart, dass, wenn «in Schnitt senkrecht zu der Kristallisationsrichtung betrachtet wird, die Kristallisation in einem in der Nähe der Oberfläche liegenden mittleren Gebiet erfolgt, bevor sie.in der Nähe der Wände und des Bodens des verwendeten Schiffchens stattfindet, was für ein freies Wachstum des Einkristalls günstig ist.

Nach der französischen Patentschrift 1 494 831 ist es zu bevorzugen, die gleiche konvexe Form der Erstafrungsfront während der ganzen Kristallisation aufrechtzuerhalten. Nach dieser französischen Patentschrift wird die konvexe Form der Erstarrungsfront visuell geprüft. In dem Zusatz zu der genannten französischen Patentschrift, und zwar der französischen Patentschrift 2 116 66k, die sich auf eine Verbesserung des genannten Verfahrens bezieht, wird besondere Aufmerksamkeit lateralen und vertikalen Temperaturgradienten in der Zone, in. der Kristallisation stattfindet, gewidmet.

Die obenbeschriebene Form der Erstarrungsfront die für das Wachstum'eines Einkristalls hoher Gtite

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günstig ist, soll vorzugsweise bereits am Anfang der Kristallisation erhalten und während der ganzen Verschiebung dieser Grenzfläche in der Längsrichtung der Charge beibehalten werden. Es wurde nun gefunden, dass, wenn die Erhitzungsbedingungen in den verschiedenen Zonen, durch die das Schiffchen geführt wird, konstant gehalten werden, sich die Form der Grenzfläche während ihrer Verschiebung ändern kann, und dass die Güte des Stabes in seinem kristallisierten Teil von einer abweichenden Erstarrungsfront beeinträchtigt werden kann.

Die Erfindung bezweckt u.a., die obengenannten Nachteile der bekannten Verfahren zu beheben. Sie bezweckt u.a., ein Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen Stabes der eingangs genannten Art zu schaffen, bei dem die Form und die Orientation der isothermen Kristallisationsfläche während der Dauer des Kristallisationsvorganges mehr oder weniger aufrechterhalten werden. Weiter bezweckt die Erfindung, einkristalline Halbleiterstäbe mit einer homogenen Güte und einem Mindestmass an Versetzungen und an kristallinen Fehlern mit Hilfe dieses Verfahren herzustellen. Nach der Erfindung ist das Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen Stabes durch gleichmässige Kristallisation aus einer langgestreckten geschmolzenen Charge eines Ausgangsmaterials mit seiner Längsrichtung in nahezu waagerechter Lage, bei dem die

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Schmelze und der anwachsende Stab in der Längsrichtung der Charge durch aufeinanderfolgende Temperaturzonen geführt werden, wobei in einer Zone, der Erstarrungszone, die Schmelze derart abgekühlt wird, dass Kristallisation auftritt, und in einer darauffolgenden Zone das kristallisierte Material wenigstens teilweise weiter abgekühlt wird, dadurch gekennzeichnet, dass bei wachsender Länge des Kristalls der Temperaturgradient in der Längsrichtung des Kristalls in der genannten Zone, in der das kristallisierte Material abgekühlt wird, allmählich herabgesetzt wird* Während der Kristallistaion werden die Wärmeverluste durch Strahlung, Leitung und Kenvexion von der Flüssigkeit und dem Feststoff her in erheblichem Masse von der ausgelösten Kristallisationswärme und von der Zufuhr von von äusseren Wärmequellen gelieferter Wärme ausgeglichen. Die thermischen Eigenschaften des Feststoffes und der Flüssigkeit sind jedoch nicht identisch. So ist der feste Teil des Stabes ein besserer thermischer Strahler als die Flüssigkeit. Der Effekt der Ausstrahlung wird denn auch umso grosser, je nachdem' die Oberfläche des festen Teiles zunimmt und die Oberfläche der verbleibenden Flüssigkeit abnimmt. Die gleichmässige Herabsetzung des Wertes des Gradienten in der Zone hinter der Erstarrungszone führt eine gleichmässige Herabsetzung der Verluste von dem Feststoff her herbei und ermöglicht es auf diese

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Weise, konstante Gleichgewichtsbedingungen während des ganzen Verlaufes des Kristallisationsvorganges aufrechtzuerhalten. Die Erstarrungsfront behält nahezu die gleiche Form, wodurch die Homogenität des erhaltenen Stabes verbessert wird. Nun kann eine Erstarrungsfront, die vom Anfang des Kristallwachstums an, von der Flüssigkeit her gesehen, etwas konvex ist und etwas schräg in bezug auf die Senkrechte angeordnet ist, in dieser vorteilhaften Form während der Kristallisation des ganzen Stabes beibehalten werden»

Nach einer günstigen Ausführungsform des Verfahrens gemäss der Erfindung wird der longitudinale Temperaturgradient über die ganze Länge des erstarrten Teiles des Stabes nahezu gleichmässig gehalten, wodurch die inneren Spannungen im Material herabgesetzt werden» Dabei wird vorzugsweise der Wert des' betreffenden Gradienten über'die ganze Länge des erstarrten Teiles derart geändert, dass über diese Länge der Temperaturgradient während der Vergrösserung der Länge des erstarrten Teiles annähernd uniform bleibt. Wenn die relative Bewegung des Stabes und der Temperaturzone mit konstanter Geschwindigkeit durchgeführt wird, wird vorzugsweise der Gradient linear geändert, was sich mit üblichen Regelmitteln einfach erzielen lässt.

Vorzugsweise wird der kristallisierte Stoff in

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einer Anzahl Stufen gekühlt. Nach einer etwaigen vorhergehenden Kühlung über einen sehr geringen Abstand in der Erstarrungszone kann eine erste Kühlung des Feststoffes in einer ersten'Kühlungszone für den Feststoff, die in der Nähe der Erstarrungsfront anfängt, bei Temperaturen in der Nähe der Kristallisationstemperatur stattfinden. Die Temperaturen in dieser Kühlungszone werden vorzugsweise genau geregelt. Der Temperaturgradient soll vorzugsweise genau sein und seine Aenderung soll vorzugsweise mit grösster Sorgfalt geprüft werden. Für diesen Zweck wird diese erste Kühlungszone vorzugsweise in verschiedene gesondert zu regelnde Teile unterteilt. Eine zweite Kühlungszone für den Feststoff schliesst sich der vorhergehenden an. Sie weist vorzugsweise einen niedrigeren Gradienten als die erste Kühlungszone auf und kann den Feststoff auf eine bestimmte niedrigere Temperatur, die in einem das Schiffchen enthaltenden Gefäss angewandt wird, abkühlen. Gegebenenfalls kann sich daran noch eine weitere Zone etwa konstanter Temperatur anschliessen, damit der ganze Stab auf diese Temperatur gebracht wird. Eine weitere Abkühlung auf Zimmertemperatur erfolgt vorzugsweise durch eine gleichmässige Kühlung des ganzen Stabes.

Es versteht sich, dass die gleichmässige Aenderung des Gradienten in dem erstarrten Teil des Stabes

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während der Kristallisationsbehandlung erwünschtenfalls mit der Anwendung anderer Massnahmen kombiniert werden kann, wie sie z.B. in der oben bereits genannten französischen Zusatzpatentschrift 2 116 664 beschrieben sind, wobei bestimmte Temperaturgradienten in der Kristallisationszone in Richtungen quer zu der Längsrichtung der Charge erhalten werden.

Die Unterschiede zwischen longitudinalen Gradienten sollen aber vorzugsweise nicht zu grosse Quergradienten herbeiführen, die innere Spannungen zur Folge haben können, die die Güte des Kristalls beeinträchtigen. Wenn von Verschiebung des Schiffchens in bezug auf die Temperaturzone die Rede ist, ist dieser Ausdruck in relativem Sinne aufzufassen. Er umfasst auch eine longitudinale Verschiebung z.B. eines verwendeten rohrförmigen Ofens, wobei das Schiffchen stillsteht.

Die Erfindung kann vorteilhaft zur Bildung einkristalliner Halbleiterstäbe hoher kristalliner Güte verwendet werden, wobei von geschmolzenen Halbleitermaterialien ausgegangen wird. Ein besonders vorteilhaftes Anwendungsbeispiel des erfindungsgemässen Verfahrens ist die Herstellung von Stäben aus Galliumarsenid aus einer Schmelze dieser Verbindung in stöchiometrischer Zusammensetzung durch das Anwachsen eines einkristallinen Keimkristalls mit kleinen Abmessungen in Arsendampf mit eitlem Druck von etwa 1 Atm,

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Die Erfindung kann auch vorteilhaft zur Herstellung einkristalliner Stäbe aus Silicium, Germanium, und anderen Halbleiterverbindungen, z.B. anderen Verbindungen vom Typ III-V oder vom Typ'II-IV-V₂, verwendet werden.

Die Erfindung wird nachstehend beispielsweise an Hand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 schematisch eine perspektivische Ansicht eines Teiles einer erfindungsgemessen Charge während der Herstellung eines stabförmigen Einkristalls,

Fig. 2 eine Draufsicht auf eine derartige stabförmige Charge,

Fig. 3 eine Seitenansicht der stabförmigen Charge nach Fig. 2,

Fig. h eine graphische Darstellung der Aenderung des Temperaturgradienten in einem bereits kristallisierten Teil eines einkristallinen Stabes während dessen Herstellung durch das erfindungsgemässe Verfahren , und

Fig. 5 einen,schematischen Schnitt durch eine Vorrichtung zum Durchführen des erfindungsgemässen Verfahrens, mit unter diesem Schnitt schematisch einer graphischen Darstellung der örtlichen Temperaturen in dieser Vorrichtung.

Bei der Herstellung eines einkristallinen Stabes aus einer langgestreckten geschmolzenen Charge 3 eines Ausgangsmaterials mit seiner Längsrichtung in nahezu

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waagerechter Lage durch gleichmässige Kristallisation in der Längsrichtung der Charge hat sich z.B. eine Erstarrungsfront mit der in Fig. 1 dargestellten Form zum Erhalten einer hohen Kristallgüte als geeignet erwiesen. Die Erstarrungsfront ist dabei in einer bestimmten Stufe dargestellt und weist eine Begrenzung k auf der Oberseite nach einer gekrümmten Linie und eine seitliche Begrenzung 5» normalerweise in Berührung mit einer Tiegelwand, nach einer schrägen Linie auf. Die Erstarrungsfront ist dabei, von der Schmelze her gesehen, konvex.

Bei Verschiebung dieser Erstarrungsfront in Richtung des Pfeiles 6, wobei der anwachsende Stab 1 mit einem Teil Z verlängert ist, ist es erwünscht, dass die Erstarrungsfront nahezu die gleiche Form behält. Die obere Begrenzung 7 muss z.B. nahezu gleich und parallel zu der Linie h sein, während die seitliche Begrenzung gemäss der Linie 8 nahezu gleich und parallel zu der Linie 5 sein muss.

Bei der Herstellung eines einkristallinen Stabes aus Galliumarsenid (siehe Fig, 2 und 3) wird z.B. eine Erstarrungsfront mit einer oberen Begrenzung gemäss der gekrümmten Linie 9 (Fig. 2) mit einem Pfeil zwischen 1 und 5 $ der Breite des Stabes verwendet, welche Breite gleich der inneren Breite des Schiffchens ist, in dem sich das Galliumarsenid befindet. Der enge Teil 10 des

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Stabes entspricht dem ursprünglichen Keimkristall geringen Querschnittes» Dieselbe Grenzfläche weist eine seitliche Begrenzung gemäss einer schrägen Linie 11 (Fig. 3) auf, die mit der Senkrechten nahezu einen Winkel & zwischen 5 und 15° einschliesst.

In dem nachstehenden an Hand der Fig. 5 beschriebenen Beispiel erfolgt die Bildung eines einkristallinen Stabes aus Galliumarsenid in einem Schiffchen 12 aus Siliciumoxid, das sich in einem luftdichten rohrförmigen Gefäss 13 innerhalb eines Rohrofens befindet. Das Schiffchen 12 mit dem Gefäss 13 wird in bezug auf den Ofen verschoben. Diese Verschiebung erfolgt vorzugsweise durch eine Bewegung des Ofens in bezug auf das Gefäss 13» das, gleich wie das Schiffchen 12, schräg angeordnet ist. Dank dieser Bewegung scheint es, als ob sich das Schiffchen in Richtung des Pfeiles 14 fortbewegt und so nacheinander die Zonen des Ofens durchläuft. Ein erster Ofenteil 15 bringt das Galliumarsenid auf eine Temperatur oberhalb seines Schmelzpunktes, in diesem Falle 125O⁰C, Xn der graphischen Darstellung nach Fig» 5 ist die Temperatur θ schematisch als Funktion des Abstandes χ längs des Ofens, wie er schematisch in dem Schnitt nach Fig. 5 gezeigt ist, aufgetragen. Der Temperatürbereich im ersten Ofenteil 15» dessen Temperaturen in der Verschiebungsrichtung lh einen Gradienten aufweisen, entspricht

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dem Teil AB der Kurve in der graphischen Darstellung, Ein Ofenteil 16 mit gleichmässiger Temperatur, wie schematisch mit dem Teil BC der Temperaturkurve dargestellt ist ', schliesst sich dem vorhergehenden Teil an. Die Zone im Ofenteil 16 bezweckt, die Temperatur der sich im Schiffchen befindenden Schmelze zu egalisieren. In dem Falle, in dem ein Keimkristall verwendet wird, wird das Schiffchen unmittelbar innerhalb der Zone im Ofenteil 16 angeordnet, welche Zone dann auf die erforderliche Temperatur gebracht wird, wobei der Keimkristall ausserhalb dieser Zone in die folgende Zone hineinragt, die in dem Ofenteil 17 an einer Stelle liegt, an der die Temperatur niedriger als die Schmelztemperatur ist.

Der nächstfolgende Ofenteil 17 enthält die

eigentliche Erstarrungszone. Dieser Ofenteil enthält eine erste Zone die zur Kühlung der Flüssigkeit auf etwa die Kristallisationstemperatur dient und deren Temperatur dem Teil CD der Kurve der graphischen Darstellung entsprechen. Eine zweite sehr kurze Zone innerhalb des Ofenteiles 17 ist die eigentliche Erstarrungszone, in der die Erstarrungsfront liegt. Diese Erstarrungszone weist vorzugsweise einen grossen Temperaturgradienten auf, wie mit dem Teil DE der Temperaturkurve angedeutet ist. Eine dritte Zone innerhalb des Ofenteiles 17 dient zur Kühlung des Feststoffes nach dem Durchlaufen der Erstarrungszone,

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Am Anfang des Kristallisationsvorgangs entsprechen die Temperaturen in der genannten dritten Zone des Ofenteiles 17 dem Teil EP der Temperaturkurve in Fig. 5» Die letztere Zone des Ofenteiles 17 weist einen Temperaturgradienten auf, der zeitlich von der ersten Kristallisation bis zu dem Durchgang des Endes des gebildeten einkristallinen Stabes allmählich abnimmt, wobei der entsprechende Teil' der Temperaturkurve allmählich von EP zu EP^f geht. Pur eine genaue Einstellung der Temperaturen für die longitudinalen Gradienten und die Gradienten in den Querrichtungen ist der Ofenteil 17 in gesondert regelbare Segmente 18 geeigneter Form unterteilt; die Erregung der Segmente auf der Seite der niedrigsten Temperaturen ist programmiert, damit die gleibhmässige Verringerung des Temperaturgradienten erhalten wird.

Die Verschiebung des Ofens in bezug auf das Schiffchen (oder umgekehrt des Schiffchens im Ofen) erfolgt mit einer langsamen und konstanten Geschwindigkeit. Der Gradient der Temperaturen, die dem Teil EP-EP¹ der Temperaturkurve in Pig» 5 entsprechen, ändert sich in diesem Falle linear als Funktion der Zeit, wie in der graphischen Darstellung der Fig. 5 mit einer geraden Linie angegeben ist. In dieser graphischen Darstellung ist nämlich schematisch der Temperaturgradient & θ an einem Punkt zwischen E und P (P¹) der Kurven nach Fig. 5 als

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FPHN.7^52, 2.12.7²U

" · . 2Λ58026

Funktion der Länge L des erstarrten Stabes und auch als Funktion der Zeit t, die ja zu L proportional ist, aufgetragen. Der Ofenteil 19 (siehe Fig» 5)» der hinter dem Ofenteil 17 liegt, dient gui- weiteren Kühlung des kristallisierten Materials auf die gleichmässige Temperatur in der Zone innerhalb des nächstfolgenden Ofenteils 20, Die letztere Temperatur ist die niedrigste Temperatur in dem Gefäss 13 tmd bestimmt den Dampfdruck eines gegebenenfalls vorhandenen flüchtigen Bestandteiles des zu kristallisierenden Materials, wie Arsen im gewählten Beispiel von Galliumarsenid. Aus der graphischen Darstellung nach Fig. 5 ist ersichtlich, dass der Temperaturgradient im Ofenteil 19 während der Behandlung im Zusammenhang mit der Abnahme des Temperaturgradienten innerhalb des angrenzenden Teiles des Ofenteiles 17 etwas zunehmen muss. Da jedoch der Ofenteil 19 in der Praxis viel länger als der Ofenteil 17 ist, bleibt der Temperaturgradient innerhalb des Ofenteiles 19 klein und ändert sich nur in geringem Masse, wobei der entsprechende Teil der Temperaturkurve von GF zu GF¹ geht«

In der Behandlungsstufe, die in Fig. 5 dargestellt ist, befindet sich die Erstarrungsfront 21 in dem Teil der Erstarrungszone, dessen Temperaturen mit dem Teil ED der Temperaturkurve schematisch angegeben sind und dessen Dicke in der Zeichnung der Deutlichkeit halber

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übertrieben gross dargestellt ist. Der gebildete Teil 22 des Stabes weist einen longitudinalen Temperaturgradienten zwischen den EP und EP« entsprechenden Gradienten auf. Der noch flüssige Teil 23 der Charge befindet sich noch teilweise im Ofenteil 16.

Beispielsweise weist bei der Herstellung eines

Galliumarsenidstabes mit einem Querschnitt von 8 cm und einer Länge von 25 cm das rohrförmige Gefäss 13 einen Durchmesser von 6 cm und der Ofenteil 17 eine Länge von 30 cm auf, dessen Teil mit" veränderlichem Temperaturgradienten zur Abkühlung des kristallisierten Materials 5 cm ist, Die Temperatur im Ofenteil 16 ist 1250⁰C und die Kristallisationstemperatur 1238⁰C. Der Temperaturgradient der Kühlungszone für den Feststoff im Ofenteil 17 ändert sich von 10°/cm (der Kurventeil von E bis P) zu 5°/^cm (nach der Kurve von E bis F'). Die Temperatur innerhalb des Ofenteiles 20 beträgt 610⁰C, wodurch im Gefäss 13 ein konstanter Arsendampfdruck von 1 Atm, vorherrscht. Die Verschiebungsgeschwindigkeit des Ofens in bezug auf das Gefäss 13 und das Schiffchen 12 ist 1 cm pro Stunde.

Es ist einleuchtend, dass im Rahmen der vorliegenden Erfindung noch viele andere Ausführungsformen, z.B. zur Herstellung einkristalliner Stäbe aus schmelzbarem Material, insbesondere schmelzbarem Halbleitermaterial, möglich sind, während die Erfindung auch bei waagerechtem Zonenschmelzen angewendet werden kann,

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Claims

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PATENTANSPRÜCHE;

1, Verfahren zur Herstellung eines einkristallinen, Stabes durch eine gleichmässige Kristallisation aus einer langgestreckten geschmolzenen Charge eines Ausgangsmaterials mit seiner Längsrichtung in nahezu waagerechter Lage, bei dem die Schmelze und,der anwachsende Stab in der Längsrichtung der Charge dxirch aufeinanderfolgende Temperaturzonen geführt werden, wobei in einer Zone, der Erstarrungszone, die Schmelze derart abgekühlt wird, dass Kristallisation auftritt, und in einer darauffolgenden Zone das kristallisierte Material wenigstens teilweise weiter abgekühlt wird, dadurch gekennzeichnet, dass bei wachsender Länge des Kristalls der Temperaturgradient in der Längsrichtung des Kristalls in der genannten Zone, in der das kristallisierte Material abgekühlt wird, allmählich herabgesetzt wird,

2, Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Temperaturgradient in dem kristallisierten Teil des Stabes über mindestens einen Teil seiner erhaltenen Länge von der Erstarrungszone her zu jedem Zeitpunkt des Kristallbildungsvorgangs gleichmässig gehalten wird, 3· Verfahren nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Wert des Temperatürgradienten in der an die Erstarrungszone grenzenden Zone linear mit der Länge des erstarrten Teiles geändert wird,

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4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3t dadurch gekennzeichnet, dass die Charge durch die aufeinanderfolgenden Temperaturzonen mit einer gleichmässigen Geschwindigkeit verschoben wird, 5· Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass für die Zonenreihe aus einer Zone zur Abkühlung der Flüssigkeit auf die Kristallisationstemperatur, der Erstarrungszone, und der darauffolgenden Zone zxir Abkühlung des kristallisierten Materials mit abnehmendem Temperaturgradienten zusammen ein Ofenteil aus einer Anzahl gesondert regelbarer Segmente verwendet wird.

6. Einkristalliner Körper, insbesondere aus Halbleitermaterial, dadurch gekennzeichnet, dass er durch ein Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche hergestellt ist«

7. Einkristalliner Körper nach Anspruch 6, der aus Galliumarsenid besteht.

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