DE2442773B2 - Integrierte Master-Slave-Flipflopschaltung - Google Patents
Integrierte Master-Slave-FlipflopschaltungInfo
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Description
Die Erfindung beschäftigt sich mit einer in integrierter Injektionslogik (integrated injektion logic) ausgelegten
Master-Slave-Flipflopschaltung für ein getaktetes Schieberegister.
Dieses Auslegungsprinzip (I2L) entsprechend »Philips
Technical Reviews« 33,3 (1973), Seiten 76-85, wird auch als »Merged Transistor Logic« bezeichnet — vgl.
»1973 IEEE International Solid-State Circuits Conference,
Digest of Technical Papers«, Seiten 90—93. Das Hauptmerkmal dieses Auslegungsprinzips ist ein Injektor,
der als Teil einer lateralen Transistorstruktur den Stromfluß in einem vertikalen, invers betriebenen
Transistor mit mindestens einem an der Halbleiteroberfläche liegenden Kollektor steuert. Der Injektor kann
im Ersatzschaltbild als Ersatzschaltbild-Transistor dargestellt werden, dessen Basis auf dem Emitterpotential
ίο des betreffenden vertikalen Transistors liegt. Die
Kollektorzone des Ersatzschaltbild-Transistors ist identisch mit der Basiszone des vertikalen Transistors. Für
die PL-Auslegung sind besonders Schaltungen mit Transistoren geeignet, deren Emitter auf gleichem
ι s Potential, beispielsweise auf Massepotential, liegen. Die
Basisströme für die Transistoren, häufig Multikollektortransistoren, werden über die Injektoren eingespeist
Vorteile des Auslegungsprinzips der integrierten Injektionslogik (I2L) sind ein relativ geringer Oberflächenbedarf
an Halbleitermaterial und die Möglichkeit der leichten Realisierbarkeit von Schaltungen mit
Multikollektortransistoren ohne Widerstände und Kondensatoren, welche in herkömmlicher Planardiffusionstechnik
hergestellt werden können. Da die Stromversorgung über die vorhandenen Injektoren erfolgt, sind
ferner keine besonderen Stromquellen, beispielsweise Kontstantstromquellen, für die einzelnen Transistoren
erforderlich.
Die Erfindung betrifft eine integrierte Master-Slave-Flipflopschaltung
für ein getaktetes Schieberegister in I2L-Auslegung mit Mehrfachkollektortransistoren, welche
galvanisch verbunden sind.
Aufgabe der Erfindung ist, die Angabe einer leicht realisierbaren Schaltung einer in I2L-Auslegung realisierbaren
Master-Slave-Flipflopschaltung, welche für ein getaktetes Schieberegister geeignet ist.
Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 angegebene Erfindung gelöst
Eine Mehrzahl solcher Master-Slave-Flipflopschaltungen nach der Erfindung können in monolithisch integrierter Form zu einem Schieberegister zusammengeschaltet werden, wobei die Ausgänge einer Einheit mit den Eingängen der nächsten Einheit so verbunden werden, daß während der positiven Taktflanke des an die Master-Speicherzellen angelegten Taktimpulses die Binärinformation um eine Stelle weitergeschoben wird. Diese Master-Slave-Flipflopschaltung übernimmt bei diesem Taktimpuls die Information der vorangehenden Master-Slave-Flipflopschaltung. Bei einem getakteten Schieberegister mit einer Mehrzahl von integrierten Master-Slave-Flipflopschaltungen nach der Erfindung ist es zur Entkopplung der Flipflopschaltungen besonders günstig, die Injektoren benachbarter Speicherzellen, d. h. Master- oder Slave-Speicherzellen, innerhalb der Schieberegisterreihe galvanisch voneinander zu trennen. An die voneinander getrennten Injektoren jeder Speicherzelle werden die Impulse zweier sich nicht überlappender Traktimpulsreihen angelegt, für die eine besondere Bemessungsregel gilt, die einen von parasitären Effekten ungestörten Betrieb gewährleistet.
Eine Mehrzahl solcher Master-Slave-Flipflopschaltungen nach der Erfindung können in monolithisch integrierter Form zu einem Schieberegister zusammengeschaltet werden, wobei die Ausgänge einer Einheit mit den Eingängen der nächsten Einheit so verbunden werden, daß während der positiven Taktflanke des an die Master-Speicherzellen angelegten Taktimpulses die Binärinformation um eine Stelle weitergeschoben wird. Diese Master-Slave-Flipflopschaltung übernimmt bei diesem Taktimpuls die Information der vorangehenden Master-Slave-Flipflopschaltung. Bei einem getakteten Schieberegister mit einer Mehrzahl von integrierten Master-Slave-Flipflopschaltungen nach der Erfindung ist es zur Entkopplung der Flipflopschaltungen besonders günstig, die Injektoren benachbarter Speicherzellen, d. h. Master- oder Slave-Speicherzellen, innerhalb der Schieberegisterreihe galvanisch voneinander zu trennen. An die voneinander getrennten Injektoren jeder Speicherzelle werden die Impulse zweier sich nicht überlappender Traktimpulsreihen angelegt, für die eine besondere Bemessungsregel gilt, die einen von parasitären Effekten ungestörten Betrieb gewährleistet.
Diese Bemessungsregel fordert, daß die Summe aus
Abfall- und Anstiegszeit zweier aufeinanderfolgender Impulse jedes Impulses der einen Taktimpulsreihe im
Verhältnis zu jedem der Impulse der anderen Taktim-
Ί) pulsreihe zuzüglich ihres Abstandes voneinander
kleiner ist als die Speicherzeit des jeweils in Sättigung befindlichen Transistors jeder Speicherzelle. Unter
Speicherzeit wird hier die Zeit verstanden, in der ein in
I2L-Auslegung integrierter Transistor nach Abschalten
wieder in einen solchen Zustand gelangt ist, daß die abfließenden Minoritätsiadungsträger den Zustand
eines benachbarten Transistorelements nicht mehr störend beeinflussen können.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung erläutert,
deren
deren
F i g. 1 das Schaltbild der integrierten Master-Slave-Flipflopschaltung
nach der Erfindung zeigt und deren ι υ
F i g. 2 zur Erläuterung der erwähnten Bemessungsregel
für die Impulsabstände der Impulse der beiden Impulsreihen dient.
Die integrierte Mastor-Slave-Flipflopschaltung nach
der Erfindung mit einem Schaltbild gemäß der Fig. 1 besteht aus der Master-Speicherzelle M und der
Slave-Speicherzelle S mit je zwei Doppelkollektorentransistoren. Die Master-Speicherzelle M weist zwei
Transistoren T\m, T2m auf, an deren Basisanschlüsse je
eines der beiden Eingangssignale £Ί, E2 anliegt. Bei
dieser Master-Speicherzelle M sind ferner der Basisanschluß des ersten Transistors 71m mit einem ersten
Kollektoranschluß 1 eines zweiten Transistors T2M und
der Basisanschluß des zweiten Transistors T2M mit
einem ersten Kollektoranschluß 1 des ersten Transistors Ti μ verbunden.
In gleicher Weise sind bei der Slave-Speicherzelle S der Basisanschluß des ersten Transistors 71s mit einem
ersten Kollektor eines zweiten Transistors T2s und der
Basisanschluß dieses Transistors T2S mit einem ersten
Kollektor des ersten Transistors 71s verbunden. Ferner
besteht eine galvanische Verbindung zwischen der Master-Speicherzelle Mund der Slave-Speicherzelle S
zwischen einem zweiten Kollektor 2 des ersten Transistors 71m der Master-Speicherzelle M und dem
Basisanschluß des ersten Transistors 71s der Slave-Speicherzelle 5 und zwischen einem zweiten Kollektor
2 des zweiten Transistors T2M der Master-Speicherzelle
M und dem Basisanschluß des zweiten Transistors T2s
der Slave-Speicherzelle S. Das Ausgangssignal A wird zwischen den beiden zweiten Kollektoren der beiden
Transistoren 71sund 72s abgegriffen.
Beide Speicherzellen 5 und M weisen voneinander getrennte Injektoren Is und Im auf. Die Injektorpaare
jeder Speicherzelle M und 5 werden vorzugsweise in Form einer Injektorzone zusammengefaßt.
An die Injektoren /Afder Master-Speicherzelle Mund
die Injektoren /sder Slave-Speicherzelle 5 werden zum
Betrieb Impulse von zwei sich nicht überlappenden Impulsreihen angelegt, für die noch die im folgenden
erläuterte Bemessungsregel gilt
In der F i g. 2 sind die Impulsreihen 7Ί, welche an die
Injektoren der Master-Speicherzelle M angelegt werden und die Taktimpulsreihe Ti, welche an die
Injektoren Is der Slave-Speichirzelle S angelegt
werden, dargestellt Mit f/ist die Abschaltzeit, mit irdie
Anstiegzeit und mit At der Abstand jedes einzelnen Impulses der Taktimpulsreihe 71 vom folgenden
Taktimpuls der Taktimpulsreihe T2 bezeichnet
Beim Betrieb einer integrierten Master-Slave-Flipflopschaltung
bzw. eines getakteten Schieberegisters mit einer Mehrzahl von integrierten Master-Slave-Flipflopschaltungen
nach der Erfindung werden die Taktimpulsreihen 71 und T2 so bemessen, daß die
Summe aus Abfallzeit tu Anstiegszeit fr und Abstand At
jedes Impulses der einen Impulsreihe vom folgenden Impuls der anderen Impulsreihe kleiner ist als die
Speicherzeit des jeweils in Sättigung befindlichen Transistors jeder Speicherzelle. Dies ergibt eine
vollständige Entkopplung der Master-Speicherzelle M von der Slave-Speicherzelle S jeder integrierten
Master-Slave-Flipflopschaltung nach der Erfindung.
Die Eingangsinformation wird während der positiven Taktimpulsflanke der Taktimpulsreihe 71 in die Master-Speicherzelle
M übertragen und während der positiven Taktimpulsflanke der Taktimpulsreihe T2 in die Slave-Speicherzelle
5 weitergegeben. Bei einem Taktimpuls der Taktimpulsreihe T2 steht die Information am
Ausgang A zwischen den Klemmen A\ und A2 der
Slave-Speicherzelle S zur Verfügung. Die Takteingänge mit der Bezeichnung Ti und T2 in der F i g. 1 sind
gleichzeitig Löscheingänge, damit der negativen Taktimpulsflanke von 71 die Information in der Master-Speicherzelle
M und mit der negativen Taktimpulsflanke von T2 die Binärinformation in der Slave-Speicherzelle
5 gelöscht wird.
Die Eingangsinformation muß vor dem Taktimpuls 71 am Eingang der Master-Speicherzelle M liegen. Die
Speicherwirkung der Master-Speicherzelle infolge des gesättigten, durch die P-leitenden Injektoren Im
gegebenen lateralen PNP-Transistors und des jeweils von diesem in den Sättigungszustand gesteuerten
NPN-Transistors vertikaler Struktur bewirkt, daß die Binärinformation in der Master-Speicherzelle M noch
eine Zeitlang enthalten ist, auch wenn der Taktimpuls nicht mehr anliegt. Die ansteigende Taktimpulsflanke
von T2 muß so rechtzeitig die Slave-Speicherzelle
ansteuern, daß die in der Master-Speicherzelle M gespeicherte Binärinformation die Slave-Speicherzelle
5 in die gewünschte Richtung kippt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (3)
1. Integrierte Master-Slave-Flipflopschaltung für
ein getaktetes Schieberegister in PL-Auslegung mit Mehrfachkollektortransistoren, welche galvanisch
verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Master-Speicherzelle (M) zwei Transistoren
(TiM, T2M) aufweist, an deren Basisanschlüsse
je eines der beiden Eingangssignale (E\, E2) angelegt wird und bei denen der Basisanschluß
des ersten Transistors (T]m) mit einem ersten Kollektoranschluß (1) des zweiten
Transistors (T2m) und der Basisanschluß des zweiten Transistors (Tim) mit einem ersten
ICollektoranschluß (1) des ersten Transistors (Ti m) verbunden sind,
daß der Basisanschluß eines ersten Transistors (Tis) der zwei Transistoren (T\s, T2s) aufweisenden
Slave-Speicherzelle (S) sowohl mit einem zweiten Kollektor (2) des ersten Transistors
("7Im) der Master-Speicherzelle (M) als auch mit
einem ersten Kollektor (1) des zweiten Transistors (T2s) der Slave-Speicherzelle (S) sowie die
Basis dieses zweiten Transistors (T2s) sowohl mit einem zweiten Kollektoranschluß (2) des
zweiten Transistors der Master-Speicherzelle (M) als auch mit einem ersten Kollektor (1) des
ersten Transistors (T\s) der Slave-Speicherzelle ß^ verbunden sind,
daß das Ausgangssignal (A) zwischen je einem zweiten Kollektor (2) der Transistoren (T\& T2s)
der Slave-Speicherzelle (S) abgegriffen wird und
daß voneinander getrennte Injektoren (Im, Is) für jede Speicherzelle vorgesehen sind, an die
eine Taktimpulsreihe (7!) für die Master-Speicherzelle
(M) und eine Taktimpulsreihe (T2) für die Slave-Speicherzelle (S) angelegt werden.
2. Getaktete Schieberegister mit einer Mehrzahl von integrierten Master-Slave-Flipflopschaltungen
nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Injektoren benachbarter Speicherzellen (Master-Speicherzelle
und Slave-Speicherzelle) innerhalb der Schieberegisterreihe galvanisch voneinander
getrennt sind.
3. Verfahren zum Betrieb einer Master-Slave-Flipflopschaltung nach Anspruch 1 oder eines getakteten
Schieberegisters nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Taktimpulsreihen (T\, T2) so
bemessen werden, daß die Summe aus Abfallzeit tr) und Anstiegszeit tr) eines Taktimpulses einer
Taktimpulsreihe vom folgenden Impuls der anderen Taktimpulsreihe zuzüglich ihres Abstandes (At)
voneinander kleiner ist als die Speicherzeit des jeweils in Sättigung befindlichen Transistors der
Speicherzellen.
Priority Applications (5)
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