DE2442773A1 - Integrierte master-slave-flipflopschaltung - Google Patents

Integrierte master-slave-flipflopschaltung

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DE2442773A1
DE2442773A1 DE2442773A DE2442773A DE2442773A1 DE 2442773 A1 DE2442773 A1 DE 2442773A1 DE 2442773 A DE2442773 A DE 2442773A DE 2442773 A DE2442773 A DE 2442773A DE 2442773 A1 DE2442773 A1 DE 2442773A1
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Deutsche ITT Industries GmbH
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    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/26Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
    • H03K3/28Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
    • H03K3/281Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
    • H03K3/286Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
    • H03K3/289Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable of the master-slave type

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Description

Deutsche ITT Industries GmbH H.Herrmann - 7
78 Freiburg, Han3-Bunte-Str. 19 Go/re
30. August 19 74
DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GESELLSCHAFT MIT BESCHRANKTER HAFTUNG
FREIBURG I. BR.
Integrierte Master-Slave-Flipflopschaltung
Die Erfindung beschäftigt sich mit einer in integrierter Injektionslogik (integrated injektion logic) ausgelegten Master-Slave-Flipflopschaltung für ein getaktetes Schieberregister.
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Dieses Auslegungsprinzip (I L) entsprechend "Philips Technical Reviews" 33,3 (1973), Seiten 76 - 85,- wird auch als "Merged Transistor Logic" bezeichnet — vgl. "19 73 IEEE International Solid-state Circuits Conference, Digest of Technical Papers", Seiten 9.0 - 93. Das Hauptmerkmal dieses Auslegungsprinzips ist ein Injektor,· der als Teil einer lateralen Transistorstruktur den Stromfluss in einem vertikalen, invers betriebenen Transistor mit mindestens einem an der Halbleiteroberfläche liegenden Kollektor steuert. Der Injektor kann im Ersatzschaltbild als Ersatzschaltbild-Transistor dargestellt werden, dessen Basis auf dem Emitterpotential des betreffenden vertikalen
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Transistors liegt. Die Kollektorzone des Ersatzschaltbild-Transistors ist identisch mit der Basiszone des
ο vertikalen Transistors. Für die IL- Auslegung sind besonders Schaltungen mit Transistoren geeignet, deren Emitter auf gleichem Potential, beispielsweise auf Massepotential, liegen. Die Basisströme für die Transistoren, häufig Multikollektortransistoren, werden über die Injektoren eingespeist.
Vorteile des Auslegungsprinzips der integrierten Injektions-
2
logik (I L) sind ein relativ geringer Oberflächenbedarf an Halbleitermaterial und die Möglichkeit der leichten Realisierbarkeit von Schaltungen mit Multikollektortransistoren ohne Widerstände und Kondensatoren, welche in herkömmlicher Planardiffusionstechnik hergestellt werden können. Da die Stromversorgung über die vorhandenen Inijektoren erfolgt, sind ferner keine besonderen Stromquellen, beispielsweise Konstantstromquellen, für die einzelnen Transistoren erforderlich.
Die Erfindung betrifft eine integrierte Master-Slave-Flipflopschaltung für ein getaktetes Schieberegister in
2
I L-Auslegung mit Mehrfach!
galvanisch verbunden sind.
I L-Auslegung mit Mehrfachkollektortransistoren, welche
Aufgabe der Erfindung ist, die Angabe einer leicht
realisierbaren Schaltung einerin I L-Auslegung realisierbaren Master-Slave-Flipflopschaltung,'weichte für ein getaktetes Schieberegister geeignet ist.
Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 angegebene Erfindung gelöst.
Eine Mehrzahl solcher Master-Slave-Flipflopschaltungen nach der Erfindung .können in monolithisch integrierter Form zu einem Schieberegister zusammengeschaltet werden,
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wobei die Ausgänge einer Einheit mit den Eingängen der nächsten Einheit so verbunden werden, dass während der positiven Taktflanko des an die Master-Speicherzellen angelegten Taktimpulses die Binärinformation um eine Stelle weitergeschoben wird. Diese Mctster-Slave-Flipflopschaltung übernimmt bei diesem Taktimpuls die Information der vorangehenden Master-Slave-Flipflopcchaltung. Bei einem getakteten Schieberegister mit einer Mehrzahl von integrierten Master-Slave-Flipflopschaltungen nach der Erfindung ist es zur Entkopplung der Flipflopschaltungen besonders günstig, die Injektoren benachbarter Speicherzellen, d.h. Master- oder Slave-Speicherzellen, innerhalb der Schieberegisterreihe galvanisch voneinander zu trennen. An die voneinander getrennten Injektoren jeder Speicherzelle werden die Impulse zweier sich nicht überlappender Taktimpulsreihen angelegt, für die eine besondere Bemessungsregel gilt, die einen von parasitären Effekten ungestörten Betrieb gewährleistet.
Diese Bemessungsregel fordert, dass die Summe aus/ Abfall- und Anstiegszeit zweier aufeinanderfolgende;;,· Impulse jedes Impulses der einen Taktimpulsreihe im Verhältnis zu jedem der Impulse der anderen Taktimpulsreihe zuzüglich ihres Abstandes voneinander kleiner ist als die Speicherzeit des jeweils in Sättigung befindlichen Transistors jeder Speicherzelle. Unter Speicherzeit wird hier die Zeit verstanden, in der ein
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in I L-Auslegung integrierter Transistor nach Abschalten wieder in einen solchen Zustand gelangt ist, dass die abfliessenden Minoritätsladungsträger den Zustand eines benachbarten Transistorelements nicht mehr störend beeinflussen können.
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Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung erläutert,
deren Fig. 1 das Schaltbild der integrierten Master-Slave-Flipflopschaltung nach der Erfindung und deren Fig. 2 zur Erläuterung der erwähnten Bemessungsregel für die Impulsabstände der Impulse der beiden Impulsreihen dient.
Die integrierte Master-Slave-Flipflopschaltung nach der Erfindung mit einem Schaltbild gemäss der Fig. 1 besteht aus der Master-Speicherzelle M und der Slave-Speicherzelle S mit je zwei Doppelkollektorentransistoren. Die Master-Speicherzelle M weist zwei Transistoren T,.., T2M au^' an deren Basisanschlüsse je eines der beiden Eingangssignale E,, E» anliegt. Bei dieser Master-Speicherzelle M sind ferner der Basisanschluss des ersten Transistors T-..
mit einem ersten Kollektoranschluss 1 eines zweiten Transistors T» und der Basisanschluss des zweiten Transistors T_,. mit einem ersten Kollektoranschluss 1 des 2M
ersten Transistors T1.. verbunden.
IM
In gleicher Weise sind bei der Slave-Speicherzelle S- der Basisanschluss des ersten Transistors T,„ mit einem ersten Kollektor eines zweiten Transistors Τ_σ und der Basisanschluss dieses Transistors T00 mit einem ersten Kollektor des ersten Transistors T-,s verbunden, Ferner besteht eine galvanische Verbindung zwischen der Master-Speicherzelle M und der Slave-Speicherzelle S zwischen einem zweiten Kollektor 2 des ersten Transistors T,M der Master-Speicherzelle M und dem Basisanschluss des ersten Transistors T,„ der Slave-Speicherzelie S und zwischen einem zweiten Kollektor 2 des zweiten Transistors Tn., der Master-
2M
Speicherzelle M und dem Basisanschluss des zweiten Transistors T2S der Slave-Speicherzelle S. Das Ausgangssignal A wird zwischen den beiden zweiten Kollektoren der beiden Transistoren Tlg und T-^ abgegriffen.
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— ο — ·
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Beide Speicherzellen S und M weisen voneinandergetrennte Injektoren Ic und I auf. Die Injektorpaare jeder Speicherzelle M und S werden vorzugsweise in Form einer Injektorzone zusammengefasst.
An die Injektoren IM der Master-Speicherzelle M und die Injektoren I„ der Slave-Speicherzelle S werden zum Betrieb Impulse von zwei sich nicht überlappenden Impulsreiheri angelegt, für die noch die um folgenden erläuterte Bemessungsregel gilt.
In der Fig. 2 sind die Impulsreihen T,, welche an die Injektoren der Master-Speicherzelle M angelegt werden und die Taktimpulsreihe T-/ welche an die Injektoren I^ der Slave-Speicherzelle S angelegt werden, dargestellt. Mit tf ist die Abschaltzeit, mit t die Anstiegzeit und mit Δ t der Abstand jedes einzelnen Impulses der Taktimpulsreihe T-, vom folgenden Taktimpuls der Taktimpulsreihe T_ bezeichnet.
Beim Betrieb einer integrierten Master-Slave-Flipflopschaltung bzw. eines getakteten Schieberegisters mit einer Mehrzahl von integrierten Master-Slave-Flipflop- schaltungen nach der Erfindung werden die Taktimpulsreihen T1 und T9 so bemessen, dass die Summe aus Abfallzeit t^, Anstiegszeit t und Abstandes Λt jedes Impulses der einen Impulsreihe vom folgenden Impuls der anderen .Impulsreihe kleiner ist als die Speicherzeit des jeweils in Sättigung befindlichen Transistors jeder Speicherzelle.' Dies ergibt eine vollständige Entkopplung der Master-Speich.erzelle M von der Slave-Speicherzelle S jeder integrierten Master-Slave-Flipflopschaltung nach der Erfindung.
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Die Eingangsinformation wird während der positiven Taktimpulsflanke der Taktimpulsreihe T, in die Master-Speicherzelle M übertragen und während der positiven Taktimpulsflanke der Taktimpulsreihe T_ in die Slave-Spei'.cherzelle S weitergegeben. Bei einem Taktimpuls der Taktimpulsreihe T2 steht die Information am Ausgang A zwischen den klemmen A, und A2 der Slave-Speicherzelle S zur Verfügung. Die Takteingänge mit der Bezeichnung T-, und T2 in der Fig. 1 sind gleichzeitig Löscheingänge, damit der negativen Taktimpulsflanke von T, die Information in der Master-Speicherzelle M und mit der negativen Taktimpulsf lc'nke von T2 die Binärinformation in der Slave-Speicherzelle S gelöscht wird.'
Die Eingangsinformation muss vor dem Taktimpuls T, am Eing&ng der Master-Speicherzelle M liegen. Die Speicherwirkung der Master-Speicherzelle infolge des gesättigten, durch die P-leitenden Injektoren I„ gegebenen lateralen PNP-Transistors und des jeweils von diesem in den Sättigungszustand gesteuerten NPN-Transistors vertikaler Struktur bewirkt, dass die ßinärinformation in der Master-Speicherzelle M noch eine zeitlang enthalten ist, auch wenn der Taktimpuls nicht mehr anliegt. Die ansteigende Taktimpulsflanke von T2 muss so rechtzeitig die Slave-Speicherzelle ansteuern, dass die in der Master-Speicherzelle M gespeicherte Binärinformation die Slave-Speicherzelle S in die gewünschte Pachtung kippt.
— 7 —
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Claims (1)

  1. Patentans-prüche
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    getaktetes Schieberegister in I L-Auslegung mit Mehrfachkollektortransistoren, welche galvanisch verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, f
    dass die Master-Speicherzelle (M) zwei Transistoren (^1M/ T2M^ aufweist, an deren Basisanschlüsse je eines der beiden Eingangssignale (E-,, E2) angelegt wird und bei denen der Basisanschluss des" ersten Transistors (TlM) mit einem ersten Kollektoranschluss (1) des zweiten Transistors CP2IyJ und der Basisanschluss des zweiten Transistors (T2 ) mit einem ersten Kollektoranschluss Cl). des ersten Transistors (T,M) verbunden sind,
    dass der Basisanschluss eines ersten Transistors (T, ) der zwei Transistoren (T,g, T33J aufweisenden Slave-Speicherzelle (S) sowohl mit einem zweiten Kollektor (2) des ersten Transistors (T-, M) der Master-Speicherzelle (M) als auch mit einem ersten Kollektor (1) des zweiten Transistors (T25) der Slave-Speicher— zelle (S) sowie die Basis dieses zweiten Transistors (T 2S^ sowohl mit einem zweiten Kollektoranschluss (2) des zweiten Transistors der Master-Speicherzelle (M) als auch mit einem ersten Kollektor (1) des ersten Transistors (T, Q) der Slave-Speicherzelle (S) verbunden
    JL i_f
    sind,
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    dass das Ausgangssignal (A) zwischen je einem zweiten Kollektor (2) der Transistoren (T, „, T2 ) der Slave-Speicherzelle (S) abgegriffen wird und
    dass voneinandergetrennte Injektoren (IM, Ig) für jede Speicherzelle vorgesehen sind, an die eine Takt impulsreihe (T-,) für die Master-Speicherzelle (M) und eine Taktimpulsreihe CT0) für die Slave-Spc.icherzelle (S) angelegt werden.
    2« Getaktete Schieberegister mit einer Mehrzahl von integrierten MasterrSlave-Flipflopschaltungen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Injektoren benachbarter Speicherzellen (Master-Speicherzelle und Slave-Speicherzelle) innerhalb der Schieberegisterreihe galvanisch voneinander getrennt sind.
    3. Verfahren zum Betrieb einer Master-Slave-Flipflopschaltung nach Anspruch 1 oder eines getakteten Schieberegisters nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Taktimpulsreihen (T-, , T2) so bemessen werden, dass dio Summe aus Abfallzeit (tf) und Anstiegszeit (t ) eines Taktimpulses einer Taktimpulsreihe vom folgenden Impuls der andern Taktimpulsreihe zuzüglich ihres Abstandes CAt) voneinander kleiner ist als die Speicherzeit des jeweils in Sättigung befindlichen Transistors der Speicherzellen.
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