DE2442773A1 - Integrierte master-slave-flipflopschaltung - Google Patents
Integrierte master-slave-flipflopschaltungInfo
- Publication number
- DE2442773A1 DE2442773A1 DE2442773A DE2442773A DE2442773A1 DE 2442773 A1 DE2442773 A1 DE 2442773A1 DE 2442773 A DE2442773 A DE 2442773A DE 2442773 A DE2442773 A DE 2442773A DE 2442773 A1 DE2442773 A1 DE 2442773A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- transistor
- memory cell
- master
- slave
- collector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
- H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
- H03K3/286—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable
- H03K3/289—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator bistable of the master-slave type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Shift Register Type Memory (AREA)
Description
Deutsche ITT Industries GmbH H.Herrmann - 7
78 Freiburg, Han3-Bunte-Str. 19 Go/re
30. August 19 74
DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GESELLSCHAFT MIT BESCHRANKTER HAFTUNG
FREIBURG I. BR.
Integrierte Master-Slave-Flipflopschaltung
Die Erfindung beschäftigt sich mit einer in integrierter
Injektionslogik (integrated injektion logic) ausgelegten Master-Slave-Flipflopschaltung für ein getaktetes Schieberregister.
2
Dieses Auslegungsprinzip (I L) entsprechend "Philips Technical Reviews" 33,3 (1973), Seiten 76 - 85,- wird auch als "Merged Transistor Logic" bezeichnet — vgl. "19 73 IEEE International Solid-state Circuits Conference, Digest of Technical Papers", Seiten 9.0 - 93. Das Hauptmerkmal dieses Auslegungsprinzips ist ein Injektor,· der als Teil einer lateralen Transistorstruktur den Stromfluss in einem vertikalen, invers betriebenen Transistor mit mindestens einem an der Halbleiteroberfläche liegenden Kollektor steuert. Der Injektor kann im Ersatzschaltbild als Ersatzschaltbild-Transistor dargestellt werden, dessen Basis auf dem Emitterpotential des betreffenden vertikalen
Dieses Auslegungsprinzip (I L) entsprechend "Philips Technical Reviews" 33,3 (1973), Seiten 76 - 85,- wird auch als "Merged Transistor Logic" bezeichnet — vgl. "19 73 IEEE International Solid-state Circuits Conference, Digest of Technical Papers", Seiten 9.0 - 93. Das Hauptmerkmal dieses Auslegungsprinzips ist ein Injektor,· der als Teil einer lateralen Transistorstruktur den Stromfluss in einem vertikalen, invers betriebenen Transistor mit mindestens einem an der Halbleiteroberfläche liegenden Kollektor steuert. Der Injektor kann im Ersatzschaltbild als Ersatzschaltbild-Transistor dargestellt werden, dessen Basis auf dem Emitterpotential des betreffenden vertikalen
6 0 9 812/0836
Fl 822 H.Herrmann -
Transistors liegt. Die Kollektorzone des Ersatzschaltbild-Transistors
ist identisch mit der Basiszone des
ο vertikalen Transistors. Für die IL- Auslegung sind
besonders Schaltungen mit Transistoren geeignet, deren Emitter auf gleichem Potential, beispielsweise auf Massepotential, liegen. Die Basisströme für die Transistoren,
häufig Multikollektortransistoren, werden über die Injektoren eingespeist.
Vorteile des Auslegungsprinzips der integrierten Injektions-
2
logik (I L) sind ein relativ geringer Oberflächenbedarf an Halbleitermaterial und die Möglichkeit der leichten Realisierbarkeit von Schaltungen mit Multikollektortransistoren ohne Widerstände und Kondensatoren, welche in herkömmlicher Planardiffusionstechnik hergestellt werden können. Da die Stromversorgung über die vorhandenen Inijektoren erfolgt, sind ferner keine besonderen Stromquellen, beispielsweise Konstantstromquellen, für die einzelnen Transistoren erforderlich.
logik (I L) sind ein relativ geringer Oberflächenbedarf an Halbleitermaterial und die Möglichkeit der leichten Realisierbarkeit von Schaltungen mit Multikollektortransistoren ohne Widerstände und Kondensatoren, welche in herkömmlicher Planardiffusionstechnik hergestellt werden können. Da die Stromversorgung über die vorhandenen Inijektoren erfolgt, sind ferner keine besonderen Stromquellen, beispielsweise Konstantstromquellen, für die einzelnen Transistoren erforderlich.
Die Erfindung betrifft eine integrierte Master-Slave-Flipflopschaltung
für ein getaktetes Schieberegister in
2
I L-Auslegung mit Mehrfach!
I L-Auslegung mit Mehrfach!
galvanisch verbunden sind.
I L-Auslegung mit Mehrfachkollektortransistoren, welche
Aufgabe der Erfindung ist, die Angabe einer leicht
realisierbaren Schaltung einerin I L-Auslegung realisierbaren Master-Slave-Flipflopschaltung,'weichte für ein
getaktetes Schieberegister geeignet ist.
Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 angegebene Erfindung gelöst.
Eine Mehrzahl solcher Master-Slave-Flipflopschaltungen
nach der Erfindung .können in monolithisch integrierter Form zu einem Schieberegister zusammengeschaltet werden,
609812/0836
Fl 822 H.Herrmann -
wobei die Ausgänge einer Einheit mit den Eingängen der nächsten Einheit so verbunden werden, dass während
der positiven Taktflanko des an die Master-Speicherzellen
angelegten Taktimpulses die Binärinformation um eine Stelle weitergeschoben wird. Diese Mctster-Slave-Flipflopschaltung
übernimmt bei diesem Taktimpuls die Information der vorangehenden Master-Slave-Flipflopcchaltung.
Bei einem getakteten Schieberegister mit einer Mehrzahl von integrierten Master-Slave-Flipflopschaltungen
nach der Erfindung ist es zur Entkopplung der Flipflopschaltungen besonders günstig, die Injektoren
benachbarter Speicherzellen, d.h. Master- oder Slave-Speicherzellen,
innerhalb der Schieberegisterreihe galvanisch voneinander zu trennen. An die voneinander
getrennten Injektoren jeder Speicherzelle werden die Impulse zweier sich nicht überlappender Taktimpulsreihen
angelegt, für die eine besondere Bemessungsregel gilt, die einen von parasitären Effekten ungestörten Betrieb
gewährleistet.
Diese Bemessungsregel fordert, dass die Summe aus/ Abfall- und Anstiegszeit zweier aufeinanderfolgende;;,·
Impulse jedes Impulses der einen Taktimpulsreihe im
Verhältnis zu jedem der Impulse der anderen Taktimpulsreihe
zuzüglich ihres Abstandes voneinander kleiner ist als die Speicherzeit des jeweils in Sättigung
befindlichen Transistors jeder Speicherzelle. Unter Speicherzeit wird hier die Zeit verstanden, in der ein
2
in I L-Auslegung integrierter Transistor nach Abschalten wieder in einen solchen Zustand gelangt ist, dass die abfliessenden Minoritätsladungsträger den Zustand eines benachbarten Transistorelements nicht mehr störend beeinflussen können.
in I L-Auslegung integrierter Transistor nach Abschalten wieder in einen solchen Zustand gelangt ist, dass die abfliessenden Minoritätsladungsträger den Zustand eines benachbarten Transistorelements nicht mehr störend beeinflussen können.
609812/0836 -.4-
FL 822 H.Herrmann - 7
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung
erläutert,
deren Fig. 1 das Schaltbild der integrierten Master-Slave-Flipflopschaltung nach der Erfindung
und deren Fig. 2 zur Erläuterung der erwähnten Bemessungsregel für die Impulsabstände der
Impulse der beiden Impulsreihen dient.
Die integrierte Master-Slave-Flipflopschaltung nach der
Erfindung mit einem Schaltbild gemäss der Fig. 1 besteht
aus der Master-Speicherzelle M und der Slave-Speicherzelle S
mit je zwei Doppelkollektorentransistoren. Die Master-Speicherzelle M weist zwei Transistoren T,.., T2M au^'
an deren Basisanschlüsse je eines der beiden Eingangssignale E,, E» anliegt. Bei dieser Master-Speicherzelle M
sind ferner der Basisanschluss des ersten Transistors T-..
mit einem ersten Kollektoranschluss 1 eines zweiten
Transistors T» und der Basisanschluss des zweiten Transistors
T_,. mit einem ersten Kollektoranschluss 1 des
2M
ersten Transistors T1.. verbunden.
IM
In gleicher Weise sind bei der Slave-Speicherzelle S- der
Basisanschluss des ersten Transistors T,„ mit einem ersten
Kollektor eines zweiten Transistors Τ_σ und der Basisanschluss
dieses Transistors T00 mit einem ersten Kollektor
des ersten Transistors T-,s verbunden, Ferner besteht eine
galvanische Verbindung zwischen der Master-Speicherzelle M und der Slave-Speicherzelle S zwischen einem zweiten
Kollektor 2 des ersten Transistors T,M der Master-Speicherzelle
M und dem Basisanschluss des ersten Transistors T,„ der Slave-Speicherzelie S und zwischen einem zweiten
Kollektor 2 des zweiten Transistors Tn., der Master-
2M
Speicherzelle M und dem Basisanschluss des zweiten Transistors T2S der Slave-Speicherzelle S. Das Ausgangssignal A
wird zwischen den beiden zweiten Kollektoren der beiden Transistoren Tlg und T-^ abgegriffen.
609812/0836 -5-
— ο — ·
Fl 822 H.Herrmann -
Beide Speicherzellen S und M weisen voneinandergetrennte Injektoren Ic und I auf. Die Injektorpaare jeder
Speicherzelle M und S werden vorzugsweise in Form einer Injektorzone zusammengefasst.
An die Injektoren IM der Master-Speicherzelle M und die
Injektoren I„ der Slave-Speicherzelle S werden zum Betrieb
Impulse von zwei sich nicht überlappenden Impulsreiheri
angelegt, für die noch die um folgenden erläuterte
Bemessungsregel gilt.
In der Fig. 2 sind die Impulsreihen T,, welche an die Injektoren der Master-Speicherzelle M angelegt werden
und die Taktimpulsreihe T-/ welche an die Injektoren I^
der Slave-Speicherzelle S angelegt werden, dargestellt. Mit tf ist die Abschaltzeit, mit t die Anstiegzeit und
mit Δ t der Abstand jedes einzelnen Impulses der Taktimpulsreihe
T-, vom folgenden Taktimpuls der Taktimpulsreihe T_ bezeichnet.
Beim Betrieb einer integrierten Master-Slave-Flipflopschaltung
bzw. eines getakteten Schieberegisters mit einer Mehrzahl von integrierten Master-Slave-Flipflop- schaltungen
nach der Erfindung werden die Taktimpulsreihen
T1 und T9 so bemessen, dass die Summe aus Abfallzeit t^,
Anstiegszeit t und Abstandes Λt jedes Impulses der
einen Impulsreihe vom folgenden Impuls der anderen .Impulsreihe kleiner ist als die Speicherzeit des jeweils in
Sättigung befindlichen Transistors jeder Speicherzelle.' Dies ergibt eine vollständige Entkopplung der Master-Speich.erzelle
M von der Slave-Speicherzelle S jeder integrierten Master-Slave-Flipflopschaltung nach der Erfindung.
609812/0838 - 6 -
Fl 822 H.Herrmann -7
Die Eingangsinformation wird während der positiven Taktimpulsflanke der Taktimpulsreihe T, in die
Master-Speicherzelle M übertragen und während der positiven Taktimpulsflanke der Taktimpulsreihe T_
in die Slave-Spei'.cherzelle S weitergegeben. Bei einem
Taktimpuls der Taktimpulsreihe T2 steht die Information
am Ausgang A zwischen den klemmen A, und A2 der Slave-Speicherzelle
S zur Verfügung. Die Takteingänge mit der Bezeichnung T-, und T2 in der Fig. 1 sind gleichzeitig
Löscheingänge, damit der negativen Taktimpulsflanke von T, die Information in der Master-Speicherzelle
M und mit der negativen Taktimpulsf lc'nke von T2
die Binärinformation in der Slave-Speicherzelle S gelöscht
wird.'
Die Eingangsinformation muss vor dem Taktimpuls T, am Eing&ng der Master-Speicherzelle M liegen. Die Speicherwirkung
der Master-Speicherzelle infolge des gesättigten, durch die P-leitenden Injektoren I„ gegebenen lateralen
PNP-Transistors und des jeweils von diesem in den Sättigungszustand gesteuerten NPN-Transistors vertikaler
Struktur bewirkt, dass die ßinärinformation in der Master-Speicherzelle
M noch eine zeitlang enthalten ist, auch wenn der Taktimpuls nicht mehr anliegt. Die ansteigende Taktimpulsflanke
von T2 muss so rechtzeitig die Slave-Speicherzelle
ansteuern, dass die in der Master-Speicherzelle M gespeicherte Binärinformation die Slave-Speicherzelle
S in die gewünschte Pachtung kippt.
— 7 —
6 0 9 81 2/0836
Claims (1)
- Patentans-prüche2
getaktetes Schieberegister in I L-Auslegung mit Mehrfachkollektortransistoren, welche galvanisch verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, fdass die Master-Speicherzelle (M) zwei Transistoren (^1M/ T2M^ aufweist, an deren Basisanschlüsse je eines der beiden Eingangssignale (E-,, E2) angelegt wird und bei denen der Basisanschluss des" ersten Transistors (TlM) mit einem ersten Kollektoranschluss (1) des zweiten Transistors CP2IyJ und der Basisanschluss des zweiten Transistors (T2 ) mit einem ersten Kollektoranschluss Cl). des ersten Transistors (T,M) verbunden sind,dass der Basisanschluss eines ersten Transistors (T, ) der zwei Transistoren (T,g, T33J aufweisenden Slave-Speicherzelle (S) sowohl mit einem zweiten Kollektor (2) des ersten Transistors (T-, M) der Master-Speicherzelle (M) als auch mit einem ersten Kollektor (1) des zweiten Transistors (T25) der Slave-Speicher— zelle (S) sowie die Basis dieses zweiten Transistors (T 2S^ sowohl mit einem zweiten Kollektoranschluss (2) des zweiten Transistors der Master-Speicherzelle (M) als auch mit einem ersten Kollektor (1) des ersten Transistors (T, Q) der Slave-Speicherzelle (S) verbundenJL i_fsind,6098Ί2/0836- 8 *■Fl 822 H.Herrmann - 7dass das Ausgangssignal (A) zwischen je einem zweiten Kollektor (2) der Transistoren (T, „, T2 ) der Slave-Speicherzelle (S) abgegriffen wird unddass voneinandergetrennte Injektoren (IM, Ig) für jede Speicherzelle vorgesehen sind, an die eine Takt impulsreihe (T-,) für die Master-Speicherzelle (M) und eine Taktimpulsreihe CT0) für die Slave-Spc.icherzelle (S) angelegt werden.2« Getaktete Schieberegister mit einer Mehrzahl von integrierten MasterrSlave-Flipflopschaltungen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Injektoren benachbarter Speicherzellen (Master-Speicherzelle und Slave-Speicherzelle) innerhalb der Schieberegisterreihe galvanisch voneinander getrennt sind.3. Verfahren zum Betrieb einer Master-Slave-Flipflopschaltung nach Anspruch 1 oder eines getakteten Schieberegisters nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Taktimpulsreihen (T-, , T2) so bemessen werden, dass dio Summe aus Abfallzeit (tf) und Anstiegszeit (t ) eines Taktimpulses einer Taktimpulsreihe vom folgenden Impuls der andern Taktimpulsreihe zuzüglich ihres Abstandes CAt) voneinander kleiner ist als die Speicherzeit des jeweils in Sättigung befindlichen Transistors der Speicherzellen.609812/0836
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2442773A DE2442773C3 (de) | 1974-09-06 | 1974-09-06 | Integrierte Master-Slave-Flipflopschaltung |
GB3608275A GB1476709A (en) | 1974-09-06 | 1975-09-02 | Integrated master slave flipflop circuit |
IT26909/75A IT1042295B (it) | 1974-09-06 | 1975-09-04 | Circuitto flip flop principale secondario integrato |
ZA00755645A ZA755645B (en) | 1974-09-06 | 1975-09-04 | Integrated master slave flipflop circuit |
FR7527267A FR2284223A1 (fr) | 1974-09-06 | 1975-09-05 | Bascule maitre-esclave integree en logique a injection |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2442773A DE2442773C3 (de) | 1974-09-06 | 1974-09-06 | Integrierte Master-Slave-Flipflopschaltung |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2442773A1 true DE2442773A1 (de) | 1976-03-18 |
DE2442773B2 DE2442773B2 (de) | 1978-04-27 |
DE2442773C3 DE2442773C3 (de) | 1978-12-14 |
Family
ID=5925076
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2442773A Expired DE2442773C3 (de) | 1974-09-06 | 1974-09-06 | Integrierte Master-Slave-Flipflopschaltung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE2442773C3 (de) |
FR (1) | FR2284223A1 (de) |
GB (1) | GB1476709A (de) |
IT (1) | IT1042295B (de) |
ZA (1) | ZA755645B (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2755715A1 (de) * | 1976-12-14 | 1978-06-15 | Tokyo Shibaura Electric Co | Logische schaltung |
DE2755714A1 (de) * | 1976-12-14 | 1978-06-15 | Tokyo Shibaura Electric Co | Logische schaltung |
WO1981000332A1 (en) * | 1979-07-19 | 1981-02-05 | Motorola Inc | Bistable circuit and shift register using integrated injection logic |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4104732A (en) * | 1977-08-02 | 1978-08-01 | Texas Instruments Incorporated | Static RAM cell |
DE3637158A1 (de) * | 1986-10-31 | 1988-08-11 | Telefunken Electronic Gmbh | Kettenfoermige logikschaltung |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3655999A (en) * | 1971-04-05 | 1972-04-11 | Ibm | Shift register |
NL7107040A (de) * | 1971-05-22 | 1972-11-24 | ||
GB1494481A (en) * | 1973-12-21 | 1977-12-07 | Mullard Ltd | Electrical circuits comprising master/slave bistable arrangements |
-
1974
- 1974-09-06 DE DE2442773A patent/DE2442773C3/de not_active Expired
-
1975
- 1975-09-02 GB GB3608275A patent/GB1476709A/en not_active Expired
- 1975-09-04 ZA ZA00755645A patent/ZA755645B/xx unknown
- 1975-09-04 IT IT26909/75A patent/IT1042295B/it active
- 1975-09-05 FR FR7527267A patent/FR2284223A1/fr active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2755715A1 (de) * | 1976-12-14 | 1978-06-15 | Tokyo Shibaura Electric Co | Logische schaltung |
DE2755714A1 (de) * | 1976-12-14 | 1978-06-15 | Tokyo Shibaura Electric Co | Logische schaltung |
WO1981000332A1 (en) * | 1979-07-19 | 1981-02-05 | Motorola Inc | Bistable circuit and shift register using integrated injection logic |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2442773B2 (de) | 1978-04-27 |
GB1476709A (en) | 1977-06-16 |
IT1042295B (it) | 1980-01-30 |
ZA755645B (en) | 1976-08-25 |
FR2284223A1 (fr) | 1976-04-02 |
FR2284223B1 (de) | 1982-07-23 |
DE2442773C3 (de) | 1978-12-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2132652C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Festwertspeichers | |
DE1136371B (de) | Elektronische Speicherschaltung | |
DE1474388B2 (de) | Schieberegisterspeicherstufe mit feldeffekttransistoren | |
DE2302137B2 (de) | Leseschaltung zum zerstörungsfreien Auslesen dynamischer Ladungs-Speicherzellen | |
DE2828325A1 (de) | Emittergekoppelte logikstufe | |
EP0000169B1 (de) | Halbleitersperrschichtkapazität in integrierter Bauweise und Bootstrap-Schaltung mit einer derartigen Halbleitersperrschichtkapazität | |
DE2445455A1 (de) | Bipolare speicherschaltung | |
DE1499650A1 (de) | Einrichtung zur Speicherung und Verarbeitung von Daten | |
DE2442773C3 (de) | Integrierte Master-Slave-Flipflopschaltung | |
EP0078335B1 (de) | Verfahren zum Lesen eines Halbleiterspeichers | |
DE2657293A1 (de) | Transistorschaltung | |
DE2137976A1 (de) | Monolithische speichermatrix und verfahren zur herstellung | |
DE2216024C3 (de) | Speicherzelle für Verschieberegister | |
DE2360887C3 (de) | Komplementär-Speicherelement und Verfahren zum Betrieb desselben | |
DE2518847C2 (de) | Hochgeschwindigkeitszähler | |
EP0003030B1 (de) | Dynamische bipolare Speicherzelle | |
DE2750432C2 (de) | I↑2↑L-Logik-Schaltungsanordnung | |
DE2455125C2 (de) | Frequenzteilerstufe | |
DE2805217C3 (de) | Monolithisch integrierte I2 L-Schaltung fur ein Zweiphasen-Schieberegister | |
DE2132560C3 (de) | ||
DE2739086C2 (de) | Verfahren zum Betrieb eines dynamischen Halbleiter-Speicherelementes und Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE2459023C3 (de) | Integrierbare, aus Isolierschicht-Feldeffekttransistoren gleicher Leitungsund Steuerungsart aufgebaute statische Schreib/Lesespeicherzelle | |
DE2628210C3 (de) | Logischer Schaltkreis mit einer Vielzahl von Einzelschaltkreisen | |
DE2111409C3 (de) | Dynamisches Schieberegister | |
DE2854703C2 (de) | Integrierte I2L-Schaltung zur Überlagerung von tonfrequenten elektrischen Signalen einer elektronischen Orgel |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |