DE2404276B2 - Verfahren zum Aufwachsen einer einkristallinen Schicht aus Halbleitermaterial auf ein Substrat - Google Patents

Verfahren zum Aufwachsen einer einkristallinen Schicht aus Halbleitermaterial auf ein Substrat

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Aufwachsen einer Schicht auf ein Substrat entsprechend dem Oberbegriff des Anspruches 1.
Insbesondere in der Halbleitertechnik wird bekanntlich die Epitaxie iuis der Gasphase meistens durch Aufwachsen auf einem Substrat aus einer aus einem massiven einkristallinen Halbleitermaterialstab ausgeschnittenen Scheibe durchgeführt. In gewissen Fällen ist jedoch das Substrat epitaktisch, d. h. selber durch epitaktisches Aufwachsen auf einem ersten einkristallinen Halbleitersubstrat erhalten.
Es ist jedoch möglich, daß sich ein Halbleitersubstrat in der Luft mit einer dünnen haftenden Oxidschicht überzieht, die sich schwer entfernen läßt und die es unmöglich macht, auf diesem Substrat durch Epitaxie aus der Gasphase ein Halbleitermaterial aufwachsen zu lassen.
Dies ist insbesondere der Fall, wenn das Substrat aus einer Halbleiterverbindung besteht, die neben mindestens einem anderen Element das Element Aluminium enthält, da dieses Element oxidiert wenn es mit Luft in Kontakt ist und eine komplexe Aluminiumoxidschicht liefert, auf der epitaktisches Aufwachsen praktisch nicht stattfinden kann.
Von den Halbleiterverbindungen dieses Typs seien z. B. Gallium-Aluminium-Arsenid, Aluminiumarsenid und Aluminiumphosphid erwähnt
Aus der US-PS 34 29 756 ist es bekannt, zur Herstellung möglichst fehlerfreier, flacher Einkristalle,
ίο z. B. aus Aluminiumarsenid, einen scKichtförmigen einkristallinen Halbleiterkörper durch epitaktisches Aufwachsen auf ein Substrat, ζ. Β. Galliumarsenid, und anschließendes Abätzen des Substrats herzustellen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren der eingangs genannten Art anzugeben, das möglichst einfach durchführbar ist
Dabei wird die Tatsache berücksichtigt, daß es möglich ist, eine epitaktische Schicht aus in der Luft nichtstabilem Material mit Hilfe des Trägers, auf dem sie hergestellt wird, zu schützen.
Die genannte Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruches 1 angegebenen Merkmaie gelöst.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Das Verfahren nach der Erfindung weist den wesentlichen Vorteil auf, daß es einfach ist und keine zusätzlichen oder komplizierten Bearbeitungen notwendig macht. Dieses Verfahren ermöglicht es, ein epitaktisches Aufwachsen auf Körpern durchzuführen, auf denen bisher eine ununterbrochene epitaktische und homogene Schicht gar nicht oder nur mit großen Schwierigkeiten angebracht werden konnte.
So ist z. B. ein epitaktisches Aufwachsen eines
J5 ternären Halbleitermaterials, wie z. B. Gallium-Indium-Arsenid, (Ga, In)As, auf einem einkristallinen Substrat aus einem ternären Halbleitermaterial, wie Gallium-Aluminium-Arsenid,(Ga, AI)As. möglich.
Es sei bemerkt, daß das Material des Substrats oft aus einer nur kleinen Zahl von möglichen Materialien gewählt werden muß. Die Wahl isi durch verschiedene Hindernisse weiter eingeschränkt, von denen sich eine Anzahl auf die Epitaxie selber, z. B. in bezug auf die Gitterkonstanten und die Möglichkeit zum Erhalten des Substrats selber und der mechanischen Eigenschaften desselben beziehen, während sich andere Hindernisse auf den etwaigen Gebrauch der Scheiben beziehen, insbesondere wenn es sich um optoelektronische Elemente handelt.
Auch wenn die Gitterkonstante von (Ga1 AI)As und von (Ga, In)As a priori die Epitaxie eines dieser Materialien auf dem anderen gestatten, ist die Lösung dieses Problems schwierig, weil es unmöglich ist, (Ga, AI)As in einer anderen Form als der epitaktischen Schicht auf GaAs zu erhalten.
Bisher konnte dieses Material nur mit großen Schwierigkeiten als Substrat erhalten werden, weil es in der Luft mit einer haftenden Schicht aus komplexen Aluminiumoxiden überzogen wurde.
M) Die vorliegende Erfindung schafft u. a. auch eine Lösung für dieses Problem.
Danach erfolgt das Aufwachsen einer Schicht aus Gallium-Indium-Arsenid (Ga, In)As, auf einem Substrat aus Gallium-Aluminium-Arsenid, (Ga, AI)As, dadurch, daß von einem Träger aus einem Halbleitermaterial vom Ill-V-Typ, wie z. B. Galliumarsenid, GaAs, ausgegangen wird, auf dem durch Epitaxie eine Schicht aus Gallium-Aluminium-Arsenid aufgewachsen wird (Ga,
Al)As. Dann wird die Dicke des Galliumarsenidträgers auf einen sehr geringen Wert herabgesetzt Die Scheibe, die aus dem Träger aus Galliumarsenid, GaAs, und der genannten Schicht aus Gallium-AIuminium-Arsenid, (Ga, Al)As, besteht, wird in eine geeignete, nicht-oxidierende Atmosphäre eingeführt Dann wird durch Ätzung in der genannten Atmosphäre die verbleibende Schicht des genannten Trägers aus Galliumarsenid, GaAs, entfernt, wonach man durch Epitaxie aus der Gasphase auf der so freigelegten Fläche der Schicht aus Gallium-Alum'i.iium-Arsenid, (Ga, Al)As, eine einkristalline Schicht aus Galliurn-Indium-Arsenid, (Ga, In)As, anwachsen IaBt
Das Gallium-Aluminium-Arsenid, (Ga, Al)As, hat eine Gitterkonstante, die nur eine geringe Abweichung in bezug auf die von Gallium-Indium-Arsenid, (Ga, In)As, aufweist Eine wirksame Schicht aus GalUum-lndium-Arsenid, (Ga, In)As, hoher Kristallgüte kann also erhalten werden. Das System Gallium-AIuminium-Arsenid/Gallium-Indium-Arsenid ist für die Herstellung von Transmissionsphotokathoden besonders geeignet.
Es ist zwar bereits bekannt. Anordnungen dadurch herzustellen, daß eine oder mehrere epiiaktische Schichten auf einem einkristallinen Substrat gebildet werden, das dann teilweise oder vollständig entfernt :s wird. Insbesondere in der DE-OS 21 63 075 ist eine Anordnung beschrieben, bei deren Bildung von einem epitaktischen einkristallinen Halbleitersubstrat ausgegangen wird, das aus einem Träger vom III-V-Typ aus z. B. Galliumarsenid besteht und auf dem eine so einkristalline epitaktische Schicht aus einer ternären Verbindung, wie (Ga, AI)As, angebracht ist, auf deren freier Fläche man ein Halbleitermaterial vom III-V-Typ anwachsen läßt, das ebenfalls Galliumarsenid sein kann.
Um den Konzentrationsgradienten der ternären )=> Schicht in bezug auf die freie Fläche der Schicht umzukehren und auf diese Weise die besseren optischen Bedingungen zu benutzen, wird nach dieser Patentanmeldung der einkristalline Träger entfernt und die letzte niedergeschlagene Schicht als mechanischer Träger und die ternäre Schicht als wirksamer Teil verwendet.
Nach der vorliegenden Erfindung wird der Träger vollständig von einer epitaktischen Scheibe entfernt und statt dessen die einkristalline Halbleiterscl.icht abgelagert, die erhalten werden soll und die durch Epitaxie aus r. der Gasphase auf der Fläche der durch Entfernung des anfänglichen Trägers freigelegten epitaktischen Schicht gebildet wird. Die mechanische Festigkeit wird dann durch die epitaktische Schicht erhalten, die zum Substrat geworden ist. v>
Die Erfindung wird nunmehr an einem Ausführungsbeispiel anhand der Zeichnung näher erläutert. Die Beschreibung bezieht sich auf die Herstellung einer Scheibe, uie durch eine Schicht aus Gallium-Indium-Arsenid (Ga, In)As, auf einer Schicht aus Gallium-Alumini- v> um-Arsenid, (Ga, AI)As, gebildet wird.
Fig. 1, 2, 3 und 4 zeigen eine Halbleiterscheibe in verschiedenen Stufen ihrer Herstellung.
Der Einfachheit halber sind gleiche Teile in den Figuren mit den gleichen Bezugsziffem bezeichnet. Der wi Deutlichkeit halber sind die Dicken der verschiedenen Schichten der Anordnung übertrieben groß dargestellt, und die Figuren nicht maßstäblich gezeichnet.
Fig. 1 zeigt einen einkristallinen Träger I1 der z. B. vorzugsweise aus Galliumarsenid bestehen kann und br> aus einem massiven einkristallinen Stab ausgeschnitten ist. Auf diesem Träger I ist unter Verwendung bekannter Verfahren durch Epitaxie aus der flüssigen Phase z. B. eine Schicht 2 aus in der Luft nichtstabilem Halbleitermaterial aufgewachsen, die im beschriebenen Beispiel aus Gallium-Aluminium-Arsenid, (Ga, AI)As, besteht und auf der man epitaktisch das gewünschte Halbleitermaterial anwachsen läßt Die Dicke des Trägers 1 kann z. B. zwischen 50 μπι und 1 mm liegen (diese Dicke ist nicht sehr wichtig, weil der genannte Träger während der anschließenden Bearbeitungen entfernt wird), während die Dicke der Schicht 2 aus nichtstabilem Material zwischen 10 μπι und 500 μίτι liegen kann. 3 bezeichnet die dem Träger 1 und der Schicht 2 aus nichtstabilem Material gemeinsame Fläche. Das nichtstabile Material 2 wird schnell in einer oxidierenden Atmosphäre mit einer Schicht aus komplexen Oxiden 4 überzogen.
Fig.2 zeigt die Scheibe nach Herabsetzung der Dicke des Trägers 1. Das nichtstabile Material 2 und die Schicht aus komplexen Oxiden 4 weisen nach wie vor die gleiche Dicke auf, während die Dicke des Trägers 1 auf einen Wert in der Größenordnung von 10 μπι (von 5 bis 15 μπ;) durch bekannte Vorgänge, wie z. B. eine mechanochemische Polierbearbeitv/ >j, herabgesetzt ist
Danach wird die Scheibe in eineni Peakior in einer nichtoxidierenden Atmosphäre eingeführt, z. B. dadurch, daß sie umgekehrt wird, um die nachher durchzuführenden Bearbeitungen zu erleichtern.
Dan ^ch wird die verbleibende Schicht des Trägers 1 geätzt, bis sie völlig verschwunden ist, dann ist die Scheibe nach F i g. 3 erhalten. Die Ätzung erfolgt durch bekannte Techniken, z. B. auf chemischem Wege mit Hilfe eines gasförmigen Wasserstoffhalogenides, wie z. B. Wasserstoffchiorid (HCl).
Dieses Wasserstoffchlorid kann vorzugsweise innerhalb des Reaktors durch Reaktion von Arsentrichlorid, AsCIj, mit Wasserstoff erhalten werden; dann wird »in situ« verdünntes Wasserstoffchlorid mit einem Pprtialdruck in der Größenordnung von 3 · 10~2 bar und mehr im allgemeinen zwischen 03 und 5 ■ 10~2 bar erhalten. Die Ätzung erfolgt bei einer Temperatur in der Größenordnung von 7000C und mehr im allgemeinen bei einer Temperatur zwischen 650°C und 75O°C; die Ätzgeschwindigkeit liegt dann zwischen 0,5 und 3 μιτι/min. Auf diese Weise wird die Fläche 3 der Schicht aus nichtstabilem Material freigelegt.
Dann wird dazu übergegangen, durch Epitaxie aus der Dampfphase auf der so freigelegten Fläche 3 eine Schicht aus Halbleitermaterial 5, wie Gallium-Indium-Arsenid, aufzuwachsen, deren Dicke zwischen 0,5 und 10 μίτι liegen kann.
Die genannte Epitaxie aus der Gasphase kann vorzugsweise durch das sog. Trichloridverfahren erfolgen, bei dem Arsenirichlorid, (AsCI), zersetzt wird, um Salzsäure zu erhalten, die durch Reaktion mit der Galliumquelle die Bildung von Galliumarsenid und ebenso durch Reaktion mit der Indiumquelle die Bildung von Indiumarsenid, InAs, gestattet. Die genannte Epitaxie kann vorzugsweise bei der auch für die Ätzung angewandten Temperatur erfolgen, was einer der Vorteile der vorliegenden Erfindung ist.
Auf diese Weise und unter derartigen Bedingungen können Scheiben erhalten werden, von denen eine in Fig.4 dargestellt ist. Diese Scheibe enthält eine wirksame Schicht 5 aus Halbleitermaterial von Gallium-Indium-Arsenid, (Ga, In)As, das epitakusch auf einem Substrat 2 aus Gallium-Aluminium-Arsenid, (Ga, AI)As, niedergeschlagen ist, das am oberen Teil eine Schicht 4 aus komplexen Aluminiumoxiden enthält, die sehr stabil und sehr gut haftend ist.
Das Vorhandensein der Schicht komplexer Aluminiumoxide ergibt den Vorteil, daß die Oberfläche des Substrats aus Gallium-Aluminium-Arsenid. (Ga, AI)As. geschützt und daß vermieden wird, daß sich auf dieser Oberfläche eine nicht gewünschte epitaktische Schicht aus Gallium-Indium-Arsenid bildet. In gewissen Fällen und zur Versteifung der Schicht komplexer Aluminiumoxide wird letztere mit Siliciumoxid überzogen.
Die zuletzt genannten Scheiben können für Transmissionsphotokathoden verwendet werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (8)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Aufwachsen einer einkristallinen Schicht aus Halbleitermaterial durch Gasphasenepitaxie auf ein Substrat aus einem in der Luft nichtstabilen Halbleiter-Material, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem Träger (1) ims einem einkristallinen Material mit geeigneter Kristallstruktur durch Epitaxie eine Schicht (2) aus dem nicht-stabilen Material aufgewachsen wird, wonach der Träger (1) auf eine sehr geringe Dicke reduziert, dann die aus dem Träger (I) und der Schicht (2) bestehende Scheibe in eine nicht-oxidierende Atmosphäre eingeführt und durch Ätzung der Rest des Trägers entfernt wird, wonach schließlich auf der freigelegten Fläche (3) der Schicht (2) durch Gasphasenepitaxie die einkristalline Schicht (5) aufgewachsen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mit einem gasförmigen Ätzmittel geätzt wird.
3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß für den Träger (i) Galliumarsenid, für die Schicht (2) Gallium-AIuminiumarsenid, für die Schicht (5) Gallium-Indiumarsenid eingesetzt werden.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Ätzung der Träger auf eine Dicke von zwischen 5 und 10 μίτι reduziert wird.
5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die nichtoxydierende Atmosphäre einen Halogenwasserstoff mit einem Partialdruck zwischen 0,5 jnd 5 ■ 10~2 Atm. enthält.
6. Verfahren nach Anspn?°h 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Ätzung bei einer Temperatur zwischen 650 und 750"C durch,? führt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Gasphasen-Epitaxie von Galliiiim-Indium-Arsenid bei einer Temperatur zwischen 650 und 7500C durchgeführt wird.
8. Verfahren nach den Ansprüchen 6 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß die chemische Ätzung und die Gasphasen-Epitaxie bei der gleichen Temperatur durchgeführt werden.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4216036A (en) * 1978-08-28 1980-08-05 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Self-terminating thermal oxidation of Al-containing group III-V compound layers
WO1981002948A1 (en) * 1980-04-10 1981-10-15 Massachusetts Inst Technology Methods of producing sheets of crystalline material and devices made therefrom
US4806996A (en) * 1986-04-10 1989-02-21 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Dislocation-free epitaxial layer on a lattice-mismatched porous or otherwise submicron patterned single crystal substrate
US4804639A (en) * 1986-04-18 1989-02-14 Bell Communications Research, Inc. Method of making a DH laser with strained layers by MBE
JPS6415913A (en) * 1987-07-09 1989-01-19 Mitsubishi Monsanto Chem Epitaxial growth method of substrate for high-brightness led
US5435654A (en) * 1993-09-27 1995-07-25 Nsk Ltd Seal device for rolling bearing
JPH08135667A (ja) * 1994-11-14 1996-05-31 Nippon Seiko Kk 転がり軸受用密封装置
US10707298B2 (en) 2018-09-05 2020-07-07 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor structures
US10790145B2 (en) 2018-09-05 2020-09-29 Micron Technology, Inc. Methods of forming crystallized materials from amorphous materials
US11018229B2 (en) 2018-09-05 2021-05-25 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor structures

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL281602A (de) * 1959-06-18
US3312570A (en) * 1961-05-29 1967-04-04 Monsanto Co Production of epitaxial films of semiconductor compound material
US3428500A (en) * 1964-04-25 1969-02-18 Fujitsu Ltd Process of epitaxial deposition on one side of a substrate with simultaneous vapor etching of the opposite side
DE1521789A1 (de) * 1964-07-15 1969-10-16 Ibm Deutschland Verfahren zum chemischen Feinpolieren
US3429756A (en) * 1965-02-05 1969-02-25 Monsanto Co Method for the preparation of inorganic single crystal and polycrystalline electronic materials
GB1186340A (en) * 1968-07-11 1970-04-02 Standard Telephones Cables Ltd Manufacture of Semiconductor Devices
NL6907023A (de) * 1969-05-07 1970-11-10

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5342598B2 (de) 1978-11-13
DE2404276A1 (de) 1974-08-15
DE2404276C3 (de) 1980-07-31
FR2217068A1 (de) 1974-09-06
GB1433085A (en) 1976-04-22
IT1009630B (it) 1976-12-20
JPS49114350A (de) 1974-10-31
US3966513A (en) 1976-06-29
FR2217068B1 (de) 1978-10-20

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