DE2359640A1 - Elektrischer anschlusskontakt an einen halbleiterkoerper - Google Patents

Elektrischer anschlusskontakt an einen halbleiterkoerper

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Description

Licentia Patent-Verwaltungs-GrabH
6 Frankfurt/Main, Theodör-Stern-Kai 1
Heilbronn, den 27* Nov. 1973 PT-Ma/sr - HN 73/3
"Elektrischer Anschlußkontakt an einen Halbleiterkörper"
Die Erfindung betrifft einen elektrischen Anschlußkontakt an einen Halbleiterkörper, bei dem eine erste auf die Halbleiteroberfläche aufgebrachte Kontaktschicht aus Gold besteht. ' .
Es ist bekannt j Sold als Kontaktmaterial auf einen Halbleiterkörper aufzudampfen* Gold bildet mit Germanium und Silizium niederschmelzende Eutektikums, so daß die Halbleiterbauelemente bei relativ nierigen Temperaturen fest und elektrisch gut leitend auf einer Unterlage befestigt werden können.
Diese Aufbautechnik läßt sich jedoch für viele Halbleitermaterialien nicht verwenden. So bildet beispielsweise GaAs mit Gold erst oberhalb 45O°C ein .Eutektikum.
5Ό982Α/089
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Kontakt anzugeben, der für alle Halbleitermaterialien geeignet ist, eine niedrige Löttemperatur aufweist und niederohraig ist» _
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß-- dadurch gelöst, daß auf die erste Goldschicht eine Nickelschicht und auf die Nickelscliicht eine Schicht aus dotiertem Germanium aufgebracht ist und daß schließlich die Germaniumschicht mit einer -weiteren Goldschicht bedeckt ist.
Die erste Goldschicht wird beispielsweise auf den Halbleiterkörper aufgedampft. Um ohmsche Anschlußkontakte zu erhalten, muß die Goldschicht in vielen Fällen mit einem Dotierstoff versehen werden, so daß im Legierungsbereich der Goldschicht und des Halbleitermaterials eine Zone entsteht, die den dem Halbleiterkörper entsprechenden Leitungstyp aufweist.
Die zweite Goldschicht wird an die Germaniumschicht anlegiert. Da das Germaniuni dotiert ist, bleibt der Kontakt auch, dann niederohmig, wenn nur· ein Teil des Germaniums beim Legieren in der Goldschicht gelöst wird.
509824/0894
BAD ORIGINAL
:. ■;.; .: ; 235SSiO
Die Erfindung und ihre weitere vorteilhafte Ausgestaltung soll noch anhand eines Ausführungsb eispi ele.s näher erläutert werden. . ■
In der Figur 1 ist ein Halbleiterkörper !,dargestellt, der vorzugsweise aus QaAs besteht. Für den Anschluß des Halb-» leiterkörpers oder einer im Halbleiterkörper untergebrachten Zone wird eine Oberflächenseite des Halbleiter- ' körpers mit einer ersten Goldschicht 2 bedeckt. Diese Goldschicht ist beispielsweise 0,5yUm dick. Wenn das Halbleitermaterial p-leit end ist, muß die Goldschicht mit Zink oder Kadmium dotiert werden. Bei n-leitendem.GaAs dotiert man die Goldschicht, um einen niederohmigen Anschlußkontakt zu erzielen, mit Zinn, Gallium, Tellur oder Antimon. Die Göldkontaktschicht wird anschließend in einer S<h utzgasatmoSphäre bei ca. 450 C in den Halbleiterkörper einlegiert« :
Danach werden in aufeinanderfolgenden Aufdampfschritten auf die Goldschicht eine Nickelschicht 3 > eine Germanium-schicht k undeine Goldschicht 5 aufgedampft. Die Nickelschicht ist beispielsweise 0,3 /um, die Germaniumschicht 1,5/Um und die Goldschieht 0,2yum dick. Um eine erhöhte -
SO .9 /87 i/0 S3
BAD ORiGJJSJÄt
Haftfestigkeit zu erzielen, wird die zweite Goldschicht an die Germaniumschicht otoerhalb der eutektischen Temperatur von Gold-Germanium anlegiert. Die Germaniumschicht ist Vorzugsweise mit Antimon dotiert, so daß auch die mit Gold nicht legierten Teile der Germaniumschicht sehr . riiedeiOhinig sind.
Der erfindungsgemäße Kontakt weist eine Reihe von Vorteilen auf. So ist die Kontaktschicht selbst bei größeren Dicken (3-5/um) noch so spröde, daß eine kontaktierte Halbleiterscheibe nach dem Ritzen leicht in Einzelemente zerbrochen werden kann. Die Löttemperatur ist mit 370 bis %00 C sehr gering. Sie liegt unterhalb der Legierungstemperatur dotierter Goldkontakte. Durch die Nickeltrennschicht wird verhindert, daß der ohmsche Kontakt zwischen dem Halbleiterkörper und der Goldschicht beim Auflöten der Halbleiteranordnung auf einen Trägerkörper metallurgisch verändert wird. Ein derartiger Trägerkörper ist in der Figur mit der Ziffer 6 bezeichnet. Seine Oberfläche 7 ist vorzugsweise vergoldet. Da der Kontakt mit einer Goldschicht abschließt j ist sichergestellt,, daß der Halbleiterkörper noch nach längerer Lagerzeit sehr gut auf einen Trägerkörper aufgelötet werden kann. Die Lötzeiten können
S09824/0834
- 5 - -■■'-
extrem kurz sein; das Auflegen von Lötplättchen, "vr-i'e· es früher üblich war, entfällt* Beim Auflöten des Halbleiterkörpers zerfließt das Gold-Germanium über weite' Bereiche der Unterlagen, so daß sich die Qualität der Lötung optisch sehr gut kontrollieren läßt.
Der erfindungsgemäße Kontakt eignet sich für Germanium und Silizium-Halbleiterkörper aber in besonders vorteilhafter Weise für Ill-V-Verbindung, wie beispielsweise GaAs. Mit diesem Kontakt werden beispielsweise Leuchtdioden oder Gunnelemente versehen*
8 24/08

Claims (3)

  1. Patentansprüche
    / l) /EXektrischer Anschlußkontakt an einen Halbleiterkörper, bei dem eine erste auf die Halbleiteroberfläche aufgebrachte Kontaktschicht aus Gold besteht, dadurch gekennzeichnet, daß auf die erste Goldschicht eine Nickelschicht und auf die Nickelschicht eine Schicht aus dotiertem Germanium aufgebracht ist und daß schließlich die Germaniumschicht mit einer weiteren Goldschicht bedeckt ist.
  2. 2) Elektrischer Anschlußkontakt nach Anspruch 1, dadurch. gekennzeichnet, daß die erste Goldschicht derart dotiert ist, daß ein ohmscher Anschlüßkontakt entsteht und daß diese fioldschicht in den Halbleiterkörper einlegiert ist,
  3. 3) Elektrischer Anschlußkontakt nach Anspruch i oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Goldschicht an die Germaniumschicht anlegiert ist.
    509824/0834
    23596Λ0
    4j Verwendung eines elektrischen Anschlußköntaktes nach einem; der vorangehenden Ansprüche zur Kontaktierung eines Halbleiterkörpers aus (lälliiim-Arsenid*
    „>.
    SO 9 824/
    Leerseite
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2383522A1 (fr) * 1977-03-08 1978-10-06 Ates Componenti Elettron Procede de formation de zones metallisees sur une serie de dispositifs a semi-conducteurs
DE2930789A1 (de) * 1978-07-28 1980-02-07 Tokyo Shibaura Electric Co Halbleitervorrichtung
DE3043581A1 (de) * 1980-11-19 1982-06-03 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Halbleiteranordnung
US5444016A (en) * 1993-06-25 1995-08-22 Abrokwah; Jonathan K. Method of making ohmic contacts to a complementary III-V semiconductor device
US5480829A (en) * 1993-06-25 1996-01-02 Motorola, Inc. Method of making a III-V complementary heterostructure device with compatible non-gold ohmic contacts
US5606184A (en) * 1995-05-04 1997-02-25 Motorola, Inc. Heterostructure field effect device having refractory ohmic contact directly on channel layer and method for making
WO2009093994A1 (en) * 2008-01-25 2009-07-30 International Business Machines Corporation Metal catalyzed selective deposition of materials including germanium and antimony
US7820474B2 (en) 2007-01-09 2010-10-26 International Business Machines Corporation Metal catalyzed selective deposition of materials including germanium and antimony

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2907452B2 (ja) * 1989-08-30 1999-06-21 三菱化学株式会社 化合物半導体用電極

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3386867A (en) * 1965-09-22 1968-06-04 Ibm Method for providing electrical contacts to a wafer of gaas
US3530014A (en) * 1967-01-13 1970-09-22 Int Standard Electric Corp Method of producing gallium arsenide devices

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3386867A (en) * 1965-09-22 1968-06-04 Ibm Method for providing electrical contacts to a wafer of gaas
US3530014A (en) * 1967-01-13 1970-09-22 Int Standard Electric Corp Method of producing gallium arsenide devices

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2383522A1 (fr) * 1977-03-08 1978-10-06 Ates Componenti Elettron Procede de formation de zones metallisees sur une serie de dispositifs a semi-conducteurs
DE2930789A1 (de) * 1978-07-28 1980-02-07 Tokyo Shibaura Electric Co Halbleitervorrichtung
DE3043581A1 (de) * 1980-11-19 1982-06-03 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Halbleiteranordnung
US5444016A (en) * 1993-06-25 1995-08-22 Abrokwah; Jonathan K. Method of making ohmic contacts to a complementary III-V semiconductor device
US5480829A (en) * 1993-06-25 1996-01-02 Motorola, Inc. Method of making a III-V complementary heterostructure device with compatible non-gold ohmic contacts
US5606184A (en) * 1995-05-04 1997-02-25 Motorola, Inc. Heterostructure field effect device having refractory ohmic contact directly on channel layer and method for making
US7820474B2 (en) 2007-01-09 2010-10-26 International Business Machines Corporation Metal catalyzed selective deposition of materials including germanium and antimony
WO2009093994A1 (en) * 2008-01-25 2009-07-30 International Business Machines Corporation Metal catalyzed selective deposition of materials including germanium and antimony

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