DE1614668A1 - Halbleiter-Anordnung mit gut loetbaren Kontaktelektroden - Google Patents

Halbleiter-Anordnung mit gut loetbaren Kontaktelektroden

Info

Publication number
DE1614668A1
DE1614668A1 DE19671614668 DE1614668A DE1614668A1 DE 1614668 A1 DE1614668 A1 DE 1614668A1 DE 19671614668 DE19671614668 DE 19671614668 DE 1614668 A DE1614668 A DE 1614668A DE 1614668 A1 DE1614668 A1 DE 1614668A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
diffusion barrier
contact
contact metal
layer
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19671614668
Other languages
English (en)
Other versions
DE1614668B2 (de
Inventor
Dipl-Phys Peter Flohrs
Schaefer Dipl-Mineraloge Horst
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semikron GmbH and Co KG
Original Assignee
Semikron GmbH and Co KG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semikron GmbH and Co KG filed Critical Semikron GmbH and Co KG
Priority to DE19671614668 priority Critical patent/DE1614668B2/de
Priority to BR20334768A priority patent/BR6803347D0/pt
Priority to FR1587273D priority patent/FR1587273A/fr
Priority to CH1757768A priority patent/CH484514A/de
Priority to GB5700268A priority patent/GB1207010A/en
Publication of DE1614668A1 publication Critical patent/DE1614668A1/de
Publication of DE1614668B2 publication Critical patent/DE1614668B2/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Description

1614S68
S E MI EEOW Ges. f. Gleichrichterbau Uo Elektronik mbHo
8500 N ü τ η b e r g , Wiesentalstraße 40 Telefon 0911/30141, 31813 - Telex 06/22155
Datum: 29. November 1967 Unser Zeichens I 11/126710
H a 1 b le it er ° A η ο r d η u η g
mit g u % 1 ö t b a r e η
K ο η t a k t e 1 e k t r ο d en
Für den gewünschten Einsatz halbleitender Materialien in der Technik kommt ihrer flächenhaften, festen Verbindung mit angrenzenden, metallischen, überwiegend gleichzeitig zur stromleitung dienenden Bauteilen besondere Bedeutung zu*
Zur Erzielung einer solchen Verbindung weisen im allgemeinen die bei solchen Bauteilen dafür vorgesehenen Stellen oder Flächen mindestens einen metallischen Überzug auf, der - weiterhin als Kon- " taktelektrode bezeichnet -■ in der Weise ausgewählt ist, daß er so= wohl einen guten mechanischen Kontakt mit dem Trägermaterial bildet als auch die Kontaktierung mit weiteren Bauteilen begünstigt» Das Material dieser Kontaktelektroden ist bezüglich seiner Struktur und seiner Eigenschaften ausschlaggebend für die Herstellung guter flachenhafter Verbindungen zwischen aneinandergrenzenden Bauteilen von Halbleiter-Bauelementen sowie für deren Wirkungsweisee>
Bei der gegenseitigen Verbindung von Bauteilen für Halbleiter-Bau«=· elemente durch lötung ergeben sich vielfach dadurch erhebliche Schwierigkeiten, daß die Kontaktelektroden der einander zugeordneten Bauteilflächen durch das Halbleiterlot nur teilweise benetzt werdenö Die daraus resultierende Verringerung des vorgegebenen Stromleitungsquerschnittes des zu kpntaktierenden Schichtenaufbaues führt beim Einsatz der. Halbleiter=Bauelemente zu.thermischer Überlastung 'der "gut benetztes Ilächenteile und damit zum Ausfall der
ÖÖS844/0442 ~ 2 "
SBHIKRON
Gesellschaft für .Gleichrichterbau und Elektronik mbH. Blatt .2
Halbleiter-Anordnung» D±3 Ursache für die mangelhafte Benetzung liegt sehr häufig darin, daß die Oberflächen der für die Kontaktelektroden verwendeten Hstalle infolge Oxydation passiviert sind.
Mithilfe geeigneter Plußmittsl können diese BenetzungsSchwierigkeiten zwar beseitigt warden, jedoch haben Flußmittel und ihre Rückstände einen unerwünschton Einfluß auf die physikalischen Eigenschaften der Halbleiterbauelemente» Zur Vermeidung dieser nachteiligen Erscheinungen ist as bekannt, solche zur Oxydation neigenden Kontaktelektroden mit. einein nicht oxydierenden Überzug aus einem Edelmetall,'vorzugsweise aus Silber oder Gold abzudecken,
Halbleiter-Gleichrichter höherer Strombelasfbarkeit werden in vielen Fällen unter extremen Betriebsbedingungen eingesetzt· Insbesondere beim Einsatz mit häufigem Lastwschsel zwischen Leerlauf und Nennlast sind die Kontaktschichten zwischen den unterschiedliche Materialeigenschaften aufweisenden Kontaktbauteilen außerordentlich hohen mechanischen Beanspruchungen unterworfen. Um eine entsprechende Lebensdauer solcher Halbleiter-Bauelemente zu gewährleisten? wird von den aus Kontaktelektrode!! und Eontaktlot bestehenden Kontaktschichten eine ausreichende Pestigkeit und eine genügende Elastizität gefordert,. um cLJLe in den aneinan&ergrenzenden Bauteilen entstehenden Wärmedehnungen.auszugleichen»
Zur Lösung dieses -Problems und somit zur Erzielung geeigneter Lötkontalrte bei großflächigan Halbleiterbauelementen wurden Ausführungsformen vorgeschlagen, bei denen die su kontaktierenden, einander zugeordneten !Pläelion der einen vorgegebenen Sehiciitenaufbau. bildenden Bauteils eins Ivontakt elektrode darstellen, die aus einem unmittelbar auf dem Srägormaterial aufgebrachtan ersten Kontaktmetall und einer darauf angeordneten duktilen Edelmetallschieht ala zweitem Kontaktmetall bsrjtolit. Nach- dem Lösungov or schlag ist beispielsweise auf dom Hallleiterkörper ein unedloo duktiles Metall? vorzugsweise Aluminium, als erstes Kontalctmetall aufgebracht, das die gewünschte gute mecheiilBohe Verbindung der Kontaktelektrode mit dein Trägerkörper iisrstel.lt, und die duktile Edelm
009844/0442'
* BAD ORIGINAL
SEH XKR OS °
Gesellschaft für (rleiehrichterbau und Elektronik mbH. Blatt 3
vorzugsweise Silber, als zweites Kontaktmetall« Diese Silberschicht soll in vorteilhafter Weise die geforderte Benetzung durch geeignete Halbleiterlote ermöglicheno
Es hat sich Jedoch gezeigt, daß bei diesem speziell für den Halb- · leiterkörper vorgesehenen Kontaktelektroden-Aufbau bei nachfolgen« der fiußmittelfreier Weiterbehanalung trotz der Edelmetallachicht BenetzungsSchwierigkeiten auftreten» Als Erklärung für dieae Erscheinung liegt die Vergütung nahe, daß des leicht oxydierende erste Kontaktmetall Aluminium während einer nach, dem Lösungsvorschlag jeweils zur Regierungsbildung zwischen Kontaktmetallen und Halbleitermaterial· vorgesehenen Wärmebehandlung, aufgrund der Iiohön Diffueionsgeschwindiglceit im zweiten Kcnitaktraetall r dieses infolge Diffusion durchsetzt und an der freien Kontaktoberfläche durch Oxydation passivierte Fläehehabschnitte bildetr die eine Benetzung durch das Halbleiterlot verhindern*
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist daher die Beseitigung dieser Nachteile und die Anordnung einer insbesondere.für: die Herstellung von lötkontakt en geeigneten und auch unter extremen Betriebsbedingungen- hoch beanspruckbaren Kontaktelektrode aufBauteilan von Halbleiterbauelementen«
Die Erfindung betrifft Halblei:ter-Arior&mmgent insbesondere großflächige Halfeleiter-Gleichrichter, die zur iötkontaktierxrag geeignete, durch aneinandergr ens ende·■ S-ßhicht-en- unteracliiedliclien Hate- , rials, vorzugsweise durch^ eine S'chloht aus einen line dl en ersten Kontaktmetall und durch eine Schicht aus einem eälea zweiten Sontaktmetal! gebildete Kojitaktelektroden aufweisen und besteht darin* daß in der Schichtenfolge nach dsm era ten Koiitaktmetall an geeignoter Stelle wenigstens eins als Biffusioiisbarriere wirkende metallische Sehielit vorbestimmtsr 35ieke und geeigneten Katerials angeordnet istt daß das erste Eontaktiaetall in &.em Material der Diffusionsbarriere eine geringere Mffüsionsges-chwiiidigkeit". als im zweiten Kontäktmetall aufweist, und/oder SaS durch Bildung einer intermetallischen Verbindung zwischen--dem- bei-Warmebehandlung r^2' Diffusion
BAD ^;
3!,iuo. , . 4 , 16U668
Gesellschaft für Gleichrichterbau und Elektronik mbH. Blatt 4
durch das zweite Eontaktmetall und zur Oberflächenoxydation neigenden, ersten Kontaktmetall und dem Material der Diffusionsbarriere über eine abschließende Edelmetall-Deokelektrole eine optimale flußmittelfreie Benetzbarkeit der Kontaktelektrode gegeben -ist.
Anhand des in der Figur dargestellten Ausführungsbeisplels werden Aufbau und Wirkungsweise einer Kontaktelektrode gemäß der Erfindung f insbesondere der Kontaktelektrode für einen Halbleiterkörper·· aufgezeigt und erläutert.
Auf einer vorbereiteten,, gegebenenfalls mindestens einen pn-Übergang aufweisenden Scheibe 1 aus halbleitenden Stoffen oder Verbindungen, vorzugsweise aus Silizium, 1st ein erstes Kontaktmetall 2, beispielsweise Aluminium, und darauf ein zweites Kontaktmetall 3» beispielsweise Silber, fest aufgebracht. Auf dieser Schichtenfolge, deren äußere Schicht gemäß dem Lösungsvorschlag eine vorbestimmte ' Dicke aufweisen und genügend duktil sein muß, ist nunmehr erfindungsgemäß eine dünne Schicht eines Metalls 4 angeordnet, welches die Diffusion des ersten Kontaktmetalle durch die Schicht des zweiten Kontaktmetalle weltgehend hemmt und weiterhin als Diffusionsbarfiere bezeichnet wird. Von dieser Diffuslonsbarrlere 4 wird gefordert, daß in ihr die Diffusionsgesohwindigkeit des ersten Kon- . taktxetalls sehr klein und dadurch die Eindringtiefe verhältnismäßig gering 1st, und/oder daß es Bit diesem internetallisohe Verbindungen in dem Ausmaß und in der Weise eingeht, dad eine Durohdringung des zweiten Kontaktaetal^s bis zur freien Oberfläche und damit eine Oxydation der für die weitere Kontaktierung vorgesehenen Fläche der Kontaktelektrode verhindert wird. Aus Wirtschaftliohkeitsgründen und um die Wirkung der duktilen Schicht des zweiten Kontaktmetalls beim Einsatz der Halbleiter-Anordnungen nicht zu beeinträchtigen, soll die Diffusionsbarriere . 80 dünn als möglich ausgebildet sein. Sine Schichtdicke bis zu 2 ai erscheint auch unter Berücksichtigung der unterschiedlichen physikalischen Eigenschaften mehrerer, für die Diffusionsbarriere in Betracht kommender Materialien zur Erzielung des gewünschten Effekt· als hinreichend. Besonders günstige Ergebnisse wurden mit einer
009844/0442
BAD ORIGINAL - 5 -'
f 16U668
SBMIKHOI
Geeelleohaft für Oleichrichterbau und Elektronik mbH* Blatt 5 Schichtdicke Ton 0,3 bis 0,6/U erzielt.
Als DIffusionsbarrieren-Material kommen die Metalle Hiekel, Kobalt, Chrom, Titan oder Mangan in Betracht. Inabesondere Chrom eignet eich in vorteilhafter Weise für den Sohichtenaufbau einer Kontaktelektrode gemäß der Erfindung und kann außerdem günstig aus Wolfram-Verdampfern aufgebracht werden.
Die Aufbringung der Diffusionsbarriere erfolgt vorzugsweise wie diejenige der bereite vorgeschlagenen Kontaktmetalle 2 und 3 durch Aufdampfen im Hoohvakuum.bei ungefähr 10 Torr. Gegebenenfalls. . kann die Aufbringung auch duroh Kathodenzerstäubung erfolgen·
Da die für die Dlffueionsbarrlere verwendeten Metalle als unedle Metalle ebenfalls zur Oberflächenoxydation neigen, ist es erforderlich, sie duroh einen nicht oxydierenden Überzug abzudecken. Zu diesem Zweck ist auf der Diffusionsbarriere eine dünne Schicht 5 eines geeigneten Edelmetalls, vorzugsweise aus Silber, Gold oder Palladium, als Deckelektrode angeordnet, die im Hinblick auf die Verhinderung einer Oberflächenpassivierung im gleichen Verfahrensechritt und unter gleiohen Bedingungen wie die Diffusionsbarriere unmittelbar anschließend auf dieselbe aufgebrächt 1st. Diese Deckelektrode 5 kann aus einem anderen Material bestehen als das Kontaktmetall 3. Sie unterliegt lediglich der Bedingung, die vollständige Benetzung der Kontaktelektrode durch ein geeignetes Halbleiterlot zu gewährleisten.
Die gemäß der Erfindung vorgeschlagene Kontaktelektrode zeigt, wie Untersuchungen ergeben haben; weiterhin den Vorteil, daß die Diffusionsbarriere bedarfeweise zusätzlich als Sperre gegenüber Halbleiterloten dient, wodurch eine unerwünschte Durchdringung dee zweiten Kontaktmetalls, von der zur Lötverbindung vorgesehenen Kontaktflache her, mit Lötmetallen bei der Durchführung von Lötprozes-8en vermieden wird, so daß eine ausreichende Duktilität der Schicht des zweiten Kontaktmetalls zum Ausgleich von beim Einsatz der Halbleiter-Anordnungen auftretenden Wärmedehnungen erhalten bleibto
00·· U/04 43 BADoaa:.v.L
— 6 —
ς 16Η668
SEMIKRON
Gesellschaft für Gleichrichterbau und Elektronik mbH. Blatt 6
Eine vorteilhafte Weiterbildung einer Kontaktelektrode gemäß der Erfindung besteht darin, daß die Diffusionsbarriere 4 unmittelbar auf dem ersten Kontaktmoball 2 angeordnet istο Mit der auf diese Weise erzielten Schichtenfolge Halbleitermaterial ~ erstes Kontaktmetall - Diffusionsbarriere - zweites Kontaktmotall ist ein auch bezüglich der Aufbringung der einselnen Schichten wirtschaftlicher Aufbau einer Kontaktelektrode auf einem Halbleiterkörper gegebene Nach der legierungsbildung des er3ton Kontaktnietalls mit dem Halbleitermaterial werden zvsckmäßigerwöise sowohl die Diffusionsbarriers als auch das sweii-3 Konta.ktinetall durch Abscheiden aufgebracht .
Der Gegenstand der Erfiulung ißt nicht auf die vorbeochrieoenen Ausführungsbeispiels beecfcränkt. Weist ein als Stromleitungsanschluß dienendes, zur Lö {!kontaktierung mit einen woitcran Halbloi~ ter-Bauteil vorgesehenes, metallisches Kontaktbautail als Kontaktelektrode eine duktile Schicht eines Edelmetalls auf, die insbesondere für eine wechsellactbeständige Kontaktierung bestimmt und geeignet dimensioniert is-;;, so können unter Umotändon auch hier die vorerwähnten Benetzungscch'-rierigkeiten auf traben-, Eaotehen die Kontaktbauteile beispielsweise aus Aluminium oder sind dieselben mit Aluminium und/oder mit £ill>er beschichtet» so ist öui'ch Aufbringung einer erfindungsgei-iäßen Kontaktelektrode deren flußmittelfreie Benetzung zur Erzielung von Lötkontakten gewährleistet.
Der Vorteil der Kontaktelektrode gemäß der Erfindung besteht vor allem darin, daß durch clie Anordnung einer Diffrislonobarriere im Verlauf der vorgegebener. Kontaktmetall-Schichtenfolgo und durch die vorbestimmten physikalischen Eigenschaften dieser Diffusions4-barriere in Beaug auf d:Ls Schicht; eines erst on und κν/eiten Kontaktmetalls eine imervAinsch'ju Diffusion de>3 ersten Kontaktraetalls zur freien Kontakteloktroden.tläehe und oine durch Oxydation an der Oberfläche hervorgerufene Passlviarung verbind er« v/irdf und daß über eine abschließende Edelmetall-Deckclektro.le optimale Benetzbarkeit der Kontaktelektrode für die Erzielung von lütkontakten gegeben lato
0098AA/0A42 bad ctkc^al

Claims (1)

  1. SEMI KRON Gesc f, Gleichrichterta'.u u, Elektronik inliHc
    8500 Nürnberg , Wiesentalstraße 40 Telefon 0911/30141, 3ΐεΪ3 - Telex 06/22155
    Datum; 29= November 1967 Unser Zeichen: I 11/126710
    Patent - Ansprüche
    1 <, Halbleiter-Anordnungen, insbesondere großflächige Halbleitergleichrichter, die zur Lötkontaktierung geeignete, durch aneinandergrenzende Schichten unterschiedlichen Materials, vorzugsweise durch eine Schicht aus einem unedlen ersten Kontaktiaetall und durch eine Schicht aus einem edlen zweiten Kontaktmetall, gebildete Eontaktelektroden aufweisen, dadurch gekennzeichnet, daß in der Schichtenfolge nach dem ersten Kontaktmetall an geeigneter Stelle wenigstens eine als Diffusionsbarriera wirkende metallische Schicht vorbestimmter Dicke und geeigneten Materials angeordnet ist, daß das erste Kontaktmetall in dem Material der Diffusionsbarriere eine geringere Difxusionsgeschwindig-· keit als im zweiten Kontaktmetall aufweißt, und/oder daß durch Bildung einer intermetallischen Verbindung zwischen dem bei Yiäriaebe*-» handlung zur Diffusion durch das zweite Kontaktnetall und sur Oberflächenoxydation neigenden, ersten Kontaktmetall und dem Material der Diffusionsbarriere über eine abschließende Edelmetall-Deckelektrode eine optimale flußmittelfreie Benetzbarkeit der Kontaktelektrode gegeben ist»
    2ο Halbleiter-Anordnungen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Diffusionsbarriere in der Schichtenfolge nach und/oder zwischen dem ersten und den zweiten Kontaktmetall angeordnet ist?
    3* Halbleiter-Anordnungen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Diffusionsbarriere innerhalb der Schicht des zweiten Kontaktmetalle angeordnet istv
    4. Halbleiter-Anordnungen nach Anspruch 1 bis 3? dadurch gekennzeichnet, daß die Diffucionsbarriere eine Dicke bis zu 2/v. Tor-
    0098U/0U2 - /·
    o 16U668
    HEHIKRON ο
    ceJHZl} schaft Jür Gleichi-ichterbau und Elektronik mbH. Blatt 2
    nugsweiLse eine Dicke von 0f3 bis 0,G/U aufweist*
    5 ο Halbleiter-Anordnungen nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Diffusionsbarriere aus Nickel, Kobalt, Chrom, Titan oder Hangan besteht.
    6, Halbleiter-Anordnungen nach Anspruch 1 bis 5 t dadurch gekenn» zeichnet, daß das erste Eontaktmetall aus Aluminium, das zweite Kontaktmetall aus Silber und die Diffusionsbarriere aus Chrom besteht.
    7β Halbleiter-Anordnungen nach Anspruch 1 und/oder einem der folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die als dritte Schicht nach der Schicht aus dem zweiten Kontaktmetall angeordnete Diffusionsbarriere mit einer dünnen Schicht eines Edelmetalle abgedeckt iste
    8. Halbleiter-Anordnungen nach Anspruch 7* dadurch gekennzeichnet, daß die auf der Diffusionebe.rriere angeordnete dünne Schicht eines Edelmetalls aus Gold, Silber oder Palladium besteht„
    9ο Verfahren r.ur Herstellung von Hai-.-loiter-Anordnungen nach den Ansprüchen 1 Lis 0, dadv.rcli gekennzeichnet, daß die Diffusionsbarriere und bedarfsvoic-3 im gleichen VerfahrensBchritt auch die abschließende dichte £cl icVt eiiioo Edelmetalls durch Aufdampfen in Hoc'iv-Uuuni ΒΛλΐ^οΙϊΧ'ΰ.ο' .'3 ν erden * ·
    10, ^erfahren sur Herotellung von I.:J.Meiter-Anordnungen nach den Ansprüchen 1 LiB 6, daai-.ro1* gekennnelohne",, daß die Diffusionsbarriere durch KathociGKri^rc-iäubuiig r.ui>j:;ot)x>acht wird«
    11. Verfahren nur Herstrllimg von Ealbloitcr-Anordnungen nach den Ansprüchen 1 tis 6, nadi.rcl.· gekennscichuc';, daß die Diffusioriobarriere durch Abscheiden aufgebracht \rlr>\c
    00984 4/04
DE19671614668 1967-12-01 1967-12-01 Halbleiter-Anordnung mit Großflächigen, gut lötbaren Kontaktelektroden und Verfahren zu ihrer Herstellung Pending DE1614668B2 (de)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19671614668 DE1614668B2 (de) 1967-12-01 1967-12-01 Halbleiter-Anordnung mit Großflächigen, gut lötbaren Kontaktelektroden und Verfahren zu ihrer Herstellung
BR20334768A BR6803347D0 (pt) 1967-12-01 1968-10-23 Dispositivo semicondutor com eletrodos de facil soldagem
FR1587273D FR1587273A (de) 1967-12-01 1968-10-29
CH1757768A CH484514A (de) 1967-12-01 1968-11-26 Mit einer gut lötbaren Kontaktelektrode versehene Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
GB5700268A GB1207010A (en) 1967-12-01 1968-12-02 Improvements relating to contact electrodes

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES0113099 1967-12-01
DE19671614668 DE1614668B2 (de) 1967-12-01 1967-12-01 Halbleiter-Anordnung mit Großflächigen, gut lötbaren Kontaktelektroden und Verfahren zu ihrer Herstellung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1614668A1 true DE1614668A1 (de) 1970-10-29
DE1614668B2 DE1614668B2 (de) 1974-08-29

Family

ID=25753707

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19671614668 Pending DE1614668B2 (de) 1967-12-01 1967-12-01 Halbleiter-Anordnung mit Großflächigen, gut lötbaren Kontaktelektroden und Verfahren zu ihrer Herstellung

Country Status (4)

Country Link
CH (1) CH484514A (de)
DE (1) DE1614668B2 (de)
FR (1) FR1587273A (de)
GB (1) GB1207010A (de)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3044514A1 (de) * 1979-11-30 1981-09-03 Hitachi, Ltd., Tokyo Halbleiteranordnung
DE3124879A1 (de) * 1980-07-18 1982-03-18 Naamloze Vennootschap Philips' Gloeilampenfabrieken, 5621 Eindhoven "halbleiteranordnung"
DE102005029246A1 (de) * 2005-03-31 2006-10-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip mit einer Lötschichtenfolge und Verfahren zum Löten eines Halbleiterchips
DE102006035876A1 (de) * 2006-08-01 2008-02-07 Infineon Technologies Ag Chip-Modul, Verfahren zur Herstellung eines Chip-Moduls und Mehrfachchip-Modul

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4065588A (en) * 1975-11-20 1977-12-27 Rca Corporation Method of making gold-cobalt contact for silicon devices
DE2724641C2 (de) * 1977-06-01 1986-04-03 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum Aufbringen von Lötungen auf Goldschichten
DE3122387A1 (de) * 1981-06-05 1982-12-23 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg "glasumhuellte halbleiterdiode und verfahren zur herstellung"
DE3232837A1 (de) * 1982-09-03 1984-03-08 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen einer 2-ebenen-metallisierung fuer halbleiterbauelemente, insbesondere fuer leistungshalbleiterbauelemente wie thyristoren
JPH0730095A (ja) * 1993-06-25 1995-01-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
WO2008060447A2 (en) * 2006-11-09 2008-05-22 Quantum Leap Packaging, Inc. Microcircuit package having ductile layer
CN108400227B (zh) * 2018-05-04 2023-08-15 佛山市国星半导体技术有限公司 一种倒装led芯片及其制作方法
NL2021598B1 (en) * 2018-09-10 2020-05-01 Ampleon Netherlands Bv Seed layer for electroplating eutectic AuSn solder

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3044514A1 (de) * 1979-11-30 1981-09-03 Hitachi, Ltd., Tokyo Halbleiteranordnung
DE3124879A1 (de) * 1980-07-18 1982-03-18 Naamloze Vennootschap Philips' Gloeilampenfabrieken, 5621 Eindhoven "halbleiteranordnung"
DE102005029246A1 (de) * 2005-03-31 2006-10-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip mit einer Lötschichtenfolge und Verfahren zum Löten eines Halbleiterchips
US7598529B2 (en) 2005-03-31 2009-10-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor chip having a soldering layer sequence, and process for soldering a semiconductor chip
DE102005029246B4 (de) 2005-03-31 2023-06-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterchip mit einer Lötschichtenfolge und Verfahren zum Löten eines Halbleiterchips
DE102006035876A1 (de) * 2006-08-01 2008-02-07 Infineon Technologies Ag Chip-Modul, Verfahren zur Herstellung eines Chip-Moduls und Mehrfachchip-Modul

Also Published As

Publication number Publication date
CH484514A (de) 1970-01-15
DE1614668B2 (de) 1974-08-29
GB1207010A (en) 1970-09-30
FR1587273A (de) 1970-03-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1965546C3 (de) Halbleiterbauelement
DE2101609C3 (de) Kontaktanordnung für ein Halbleiterbauelement
DE2032872B2 (de) Verfahren zum Herstellen weichlötfähiger Kontakte zum Einbau von Halbleiterbauelementen in Gehäuse
DE2921971A1 (de) Schottky-anordnung, insbesondere schottky-diode, und verfahren zu ihrer herstellung
DE2647566A1 (de) Leiterstreifenstruktur, ihre verwendung und herstellung
DE1283970B (de) Metallischer Kontakt an einem Halbleiterbauelement
DE1614668A1 (de) Halbleiter-Anordnung mit gut loetbaren Kontaktelektroden
DE2510757C2 (de) Verfahren zum Herstellen von Trägersubstraten für hochintegrierte Halbleiterschaltungsplättchen
DE2228678A1 (de) Verfahren zum herstellen einer schicht aus leiterzugmaterial fuer halbleiterbauteile
EP0193127A1 (de) Filmmontierter Schaltkreis und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2509912C3 (de) Elektronische Dünnfilmschaltung
DE2033532B2 (de) Halbleiteranordnung mit einer Passivierungsschicht aus Siliziumdioxid
DE2621963A1 (de) Verfahren zur herstellung von verbindungskappen auf integrierten halbleiter-schaltungsbausteinen
EP0024572A2 (de) Elektrisch leitender Kontakt- oder Metallisierungsaufbau für Halbleitersubstrate
DE2436449B2 (de) Schottky-diode sowie verfahren zu ihrer herstellung
DE1958684A1 (de) Halbleiterbauelement
DE2839044C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit Schottky-Sperrschicht
DE3823347A1 (de) Leistungs-halbleiterelement
DE10207109B4 (de) Keramische Leiterplatte
DE3637513C2 (de)
DE2040929A1 (de) Ohmsche Kontaktanordnung fuer Halbleitervorrichtungen
DE2649738C2 (de) Halbleiterbauelement
DE1639262A1 (de) Halbleiterbauelement mit einer Grossflaechen-Elektrode
DE2359640A1 (de) Elektrischer anschlusskontakt an einen halbleiterkoerper
EP0193128A2 (de) Filmmontierter Schaltkreis und Verfahren zu seiner Herstellung