DE2649738C2 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

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DE2649738C2 DE2649738A DE2649738A DE2649738C2 DE 2649738 C2 DE2649738 C2 DE 2649738C2 DE 2649738 A DE2649738 A DE 2649738A DE 2649738 A DE2649738 A DE 2649738A DE 2649738 C2 DE2649738 C2 DE 2649738C2
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Description

Ausführungsform des Halbleiterbauelements sowie dessen Herstellung erläutert werden.
Fig. Id zeigt einen Schnitt des fertigen Halbleiterbauelements. Diese Einrichtung umfaßt ein Halbleitersubstrat 2, einen Oberflächenschutzfilm 3 und ein Sperrschichtmetall 1. Das Halbleitersubstrat 2 kann aus einem beliebigen Halbleitermaterial bestehen, typischerweise aus Silicium, aber auch aus einem Verbindungshalbleiter der Elemente der Gruppen III und V des Periodensystems oder einem Verbindungshalbleiter der Elemente der Gruppen H und VI des Periodensystems oder aus einem Verbindungshalbleiter aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems. Das Halbleitersubstrat 2 weist gemäß Fig. Ic Hauptflächen IA und \B auf.
Die Oberflächenschutzschicht 3 besteht aus einem elektrisch isolierenden Material, typischerweise aus Siliciumdioxid (SiO2) oder Siliciumnitrid (S13N4). Der Siüciumdioxidfilm kann durch Aufwachsen aus der Dampfphase ausgebildet werden oder durch Sputterverfahren oder thermische Oxydationsverfahren. Das thermische Oxydationsverfahren ist jedoch nur anwendbar, wenn das Halbleitersubstrat 2 aus Silicium besteht. Der Siliciumnitridfilm kann durch Aufwachsen aus der Dampfphase ausgebildet werden. Vor dem Aufbringen der Oberflächenschutzschicht wird die Oberfläche des Halbleitersubstrats 2, ζ. B. einer Siliciumscheibe vom /7-Typ, mit einem organischen Lösungsmittel wie Trichlen gewaschen.
Eine Öffnung 3a wird gemäß Fig. Ia in einem bestimmten Bereich der Oberflächenschutzschicht 3 durch Photoätzung ausgebildet, wodurch ein Teil der Hauptfläche \A freigelegt wird. Die Oberflächenschutzschicht 3 hat normalerweise eine Dicke von 0,5 bis 2 μπι. Der freigelegte Bereich des Halbleitersubstrats wird nun mit einer Ätzlösung geätzt, wobei eine Ausnehmung 6 gemäß F i g. Ib gebildet wird. Wenn das Halbleitersubstrat aus Silicium besteht, so wird die Ätzlösung aus Fluorwasserstoffsäure und Salpetersäure gebildet. Bei diesem Ätzvorgang werden auch die Bereiche unterhalb der Oberflächenschutzschicht 3 in der Nähe der öffnung 3a geätzt, wobei ein überstehender Bereich 7 der Oberflächenschutzschicht 3 gebildet wird, welche über die periphere Kante der Ausnehmung 6 reicht. Somit besteht unterhalb des überstehenden Bereiches 7 ein Hohlraum 8. Die Tiefe rj der Ausnehmung 6 beträgt normalerweise I bis 10 μπι.
Das Sperrschichtmetall 1 wird gemäß Fig. Ic auf der Wandung der Ausnehmung 6 durch Elektroplattierung abgeschieden, wobei auch diejenigen Bereiche beschichtet werden, weiche direkt unterhalb des überstehenden Bereiches 7 liegen. Die Dicke der Schottky-Metallschicht kann bei dem Elektroplattierverfahren beliebig gesteuert werden. Eine Dicke von 50 bis 500 nm ist bevorzugt. Wenn die Dicke geringer als 50 nm ist, so kommt es zur Bildung von Nadellöchern, so daß ein darauf aufgebrachtes Metall durch die Nadellöchsr hindurch in das Halbleitersubstrat 2 diffundiert. Wenn die Dicke größer als 500 nm ist, so wird die Spannungsbeanspruchung der elektroplattieren Metallschicht zu groß, so daß diese sich ablöst.
Bei dem Elektroplattierverfahren wird das Halb= leitersubstrat 2 mit der Oberflächenschutzschicht 3 und der Ausnehmung 6 unter der öffnung 3a in eine Lösung eingetaucht, welche aus einer Nickelplattierlösung und einer Palladiumplattierlösung in einem zweckentsprechenden Verhältnis zcr Erzeugung einer Nickel-Palladium-Legierungsschicht besteht. Gegenüber dem HaIb-
leitersubstrat 2 wird in der Plattierlösung eine Anodenplatte aus Palladium oder Kohlenstoff angeordnet. Der positive Pol der Plattiergleichstromquelle wird mit der Anodenplatte verbunden und der negative Pol wird mit dem Halbleitersubstrat 2 verbunden. Diese Elektroplattiertechnik ist bevorzugt, da hierbei die Dicke der Metallschicht 1 leicht gesteuert werden kann. Eine Elektrode 9 wird sodann ausgebildet, um die Anbringung einer externen Zuleitung zu erleichtern und um das Sperrschichtmetall 1 zu schützen. Bei der Ausbildung der Elektrode 9 wird Gold verwendet, wenn die Elektrode 9 durch Elektroplattierung aufgebracht wird. Wenn man Vakuumdampfabscheidungsverfahren anwendet, so verwendet man Gold oder Aluminium als Metall der Elektrode 9. Der Hohlraum 8 wird gefüllt, wenn die Elektrode 9 nach dem Elektroplattierverfahren ausgebildet wird. Andererseits bleibt jedoch ein Teil des Hohlraums 8 erhalten, wenn man nach dem Vakuumdampfabscheidungsverfahren arbeitet Dieser Fall ist in Fig. 1d gezeigt In der letzten Stufe wird auf der anderen Hauptfläche Iß der Siliciumscheibe 2 vom /7-Typ ein Ohm'scher Kontakt 10 mr Wickel hergestellt.
im folgenden soll anhand der Fig.~a und 2b eine weitere Ausführungsform des Halbleiterbauelements erläutert werden. Zunächst werden wiederum die Verfahrensstufen gemäß den F i g. 1 a und I b durchgeführt. Danach wird das Schottky-Sperrschichtmetall 1 nach einem bekannten Vakuumdampfphasenabscheidungsverfahren oder Sputter-Verfahren aufgebracht, und zwar mindestens in dem mittleren Bereich der Ausnehmung 6 in der Siliciumscheibe- 2 vom n-Typ. Unter Anwendung bekannter Photoätzverfahren wird diese Metallschicht 1 nur im mittleren Bereich der Ausnehmung belassen, welcher der Fläche unterhalb der Öffnung 3a des SiO2- Filmes entspricht. Die Dicke t der Metallschicht ! ist geringer als die Tiefe rj der Ausnehmung 6, so daß in der nachfolgenden Stufe eine Nickel-Palladium-Plattierlösung leicht in den Hohlraum 8 eintreten kann. Das Metall 1 besteht z. B. aus Molybdän (Mo), Platin (Pt), Tantal (Ta), Wolfrain (W). Sodann wird das Halbleitersubstrat in der Plattierlösung mit einer Nickel-Palladium-Legierung plattiert, wobei die'jiliciumscheibe 2 als negativer Pol dient und wobei eine Palladiumplatte oder Kohlenstoffplatte als positiver Pol dient. Das Schottky-Metall 11 aus Nickel-Palladium-Legierung wird auf das Schottky-Metall 1 aufgebracht, welches zuvor aufgetragen wurde, sowie auf die Wandung der Ausnehmung 6, welche unterhalb des überstehenden Bereiches 7 des SiO2-FiImSS 3 liegt. In der Praxis ist die Fläche der Wandung der Ausnehmung 6, welche unterhalb des überstehenden Bereiches 7 liegt, beträchtlich kleiner als der Bereich der Wandung der Ausnehmung 6, welcher unterhalb der Öffnung 3a der SiO2-Schicht liegt. Das Sperrschichtmetall av.'f der Wandung der Ausnehmung 6 im Bereich unterhalb der Öffnung 3a besteht aus einem in hohem Maße hitzefesten Material, wie Molybdän. Andererseits besteht das Metall im Bereich unterhalb des überstehenden Bereiches 7 aus der Nickel-Palladium-Legierung, welche leicht durch Elektroplattierung aufgebracht werden kann. Auf diese Weise bedecken die Metallschichten ii und 1 die gesamte Wandung der Ausnehmung 6 der Siliciumscheibe 2. Die Verwendung eines Materials großer Hitzebeständigkeit als Metall 1 dient dazu, die elektrischen Eigenschaften der Schottky-Barriere gegen thermische Einflüsse zu stabilisieren.
In einer letzten Stufe wird eine Elektrode 9 durch Elektroplattierung. Vakuumdampfphasenabscheidung
oder Spulterung aufgebracht. Danach wird die jedoch auch eine Siliciumschcibe vom ρ-Typ verwenden
Ohm'sche Elektrode IO auf der anderen Haupifläche oder eine andere Halbleiterscheibe, /.. B. eine Ge- oder
aufgebracht(Fig. 2b). eine GaAs-Scheibe. Die Erfindung wurde für eine
In den beschriebenen Beispielen wurde eine Silicium- Schottky-Diode beschrieben. Sie eignet sich jedoch
scheibe vom n-Typ als Halbleitersubstrat verwendet. '· auch zur Anwendung auf andere Halbleitereinrichtun-
Anslelle des Siliciumsubstrats vom p-Typ kann man gen mit einer Schottky-Sperrschicht.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Halbleiterbauelement mit
(1) einem Halbleitersubstrat, das in einer Hauptfläche eine Ausnehmung aufweist
(2) einerOberflächenschutzschichtdie
(2.1) eine Öffnung aufweist und ]0
(22) über die Ausnehmung übersteht
(3) einem Schottky-Sperrschicht-Metall, das
(3.1) auf die Oberfläche der Ausnehmung aufgebracht ist
dadurch gekennzeichnet, daß das Schottky-Sperrschicht-Metall
20
(3.2) cöfcgesamte Ausnehmung (6) bedeckt und
(33) zumindest im Bereich unterhalb der überstehenden Oberflächenschutzschicht aus einer durch Elektroplattierung aufgebrachten Nickel-Palladium-Legierung besteht
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Schottky-Sperrschicht-Metall eine Dicke von 50 bis 500 nm aufweist.
3. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprü- J0 ehe 1 oder 2, gekennzeichnet durch eine zwischen dem Halbleitersubstrat (2) und dem durch Elektroplattierung ausgebildeten Teil des Metalls im Bereich unter der öffnung der Oberflächenschutzschicht (3) durch Sputterurvg oder Vakuumdampfab- 3; Scheidung angeordnete Zwiscnenschicht (1) aus einem Metall.
4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet daß die Zwischenschicht (1) aus Nickel, Chrom, Molybdän, Platin, Tantal, Titan, Wolfram, Palladium oder Rhodium besteht.
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleitersubstrat, das in einer Hauptfläche eine Ausnehmung aufweist, einer Oberflächenschutzschicht, die eine Öffnung aufweist und über die Ausnehmung übersteht, und einem Schottky-Sperrschichtmetall, das auf die Oberfläche der Ausnehmung aufgebracht ist. Ein solches Halbleiterbauelement ist aus der DE-OS 19 41912 bekannt. Zur Herstellung dieses bekannten Halbleiterbauelementes wird das Schottky-Metall durch Vakuumaufdampfung aufgebracht. Hierdurch wird erreicht, daß die Oberfläche der Ausnehmung nur direkt unterhalb der Öffnung in der Oberflächenschutzschicht beschichtet wird, während die Oberflächenbereiche der Ausnehmung, welche im Schatten des überstehenden Randes der Oberflächenschutzschicht liegen, frei bleiben, Dieser Struktur wird eine Erhöhung der Durchbruchsperrspannung zugeschrieben sowie die angestrebte Steilheit der Sperrspannungscharakteristik. Insbesondere wird die Auffassung vertreten, daß die niedrige Sperrspannung und der sanfte Sperrspannungsverlauf bei älteren Schottky-Dioden darauf zurückzuführen sind, dai3 die Schottky-Sperrschicht sich bis zu einer Ladungsspeicherschicht an der Grenzfläche zwischen dem Halbleitersubstrat und der Oberflächenschutzschicht erstreckt Der gleiche Kausalzusammenhang kommt in den US-Patentschriften 37 77 228 und 37 46 950 zum Ausdruck.
Es hat sich jedoch in der Praxis gezeigt, daß derartig aufgebaute Halbleiterbauelemente noch eine zu weiche Stromspannungscharakteristik im Sperrbereich aufweisen. Die Abweichung der Sperrcharakteristik von der theoretischen Sperrcharakteristik mit einem abrupten Obergang zu unendlicher Steilheit kann durch den n-Wert ausgedrückt werden. Die theoretische Sperrcharakteristik hat den η-Wert I. Schottky-Dioden, welche nach den oben erläuterten Prinzipien aufgebaut sind, zeigen n-Werte im Bereich von etwa 1,4 bis 1,8.
Darüber hinaus hat sich gezeigt daß bei der .Herstellung der bekannten Halbleiterbauelemente des eingangs genannten Typs die Reproduzierbarkeit der elektrischen Eigenschaften unzureichend ist Dies äußert sich zum einen in der erheblichen Streuung des n-Wertes und anderen auch in einer großen Streuung der Durchbruchspannung. Darüber hinaus sind die bekannten Schottky-Dioden mit einer unzureichenden Temperaturstabilität behaftet. Es kommt z. B. bei einer Schottky-Diode des Typs Au/Ni/GaAs schon bei Temperaturen von 2000C zu einer starken wechselseitigen Diffusion von Nickel einerseits und Galliumarsenid andererseits.
Aus der DE-OS14 39 527 ist bereits ein Elektroplattierungsverfahren bekannt, und aus der US-PS 36 77 909 ist auch bereits eine Badzusammensetzung zur Ausbildung einer Plattierungsschicht aus einer Nickel-Palladium-Legierung bekannt. Bisher wurden jedoch diese Verfahren nicht zur Hersteilung von Schottky-Dioden verwendet.
Es ist somit Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, daß die elektrischen Eigenschaften eine geringe Streuung aufweisen und daß insbesondere die Durchbruchspannung in Sperrichtung einen reproduzierbar hohen Wen aufwji't und eine dem theoretischen Verlauf weitgehend angenäherte Sperrcharakteristik hoher Reproduzierbarkeit vorliegt.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das Schottky-Sperrschichtmetall die gesamte Ausnehmung bedeckt und zumindest im Bereich unterhalb der überstehenden Oberflächenschicht aus einer, durch Elektroplattierung aufgebrachten Nickel-Palladium-Legierung besteht.
Bei einem derart aufgebauten Halbleiterelement ist entgegen der Lehre des Standes der Technik die gesamte Ausnehmung mit dem Sperrschichtmetall bedeckt. Überraschenderweise wird dennoch eine hohe DMrchbruchspannung in Sperrichtung erzielt sowie ein harter Kennlinienverlauf im Sperrbereich. Die elektrischen Daten streuen nur geringfügig. Der η-Wert liegt bei etwa 1,1 und zeigt nur eine äußerst geringe Streuung. Auch die Durchbruchspannung in Sperrichtung zeigt eine überraschend hohe Reproduzierbarkeit. Darüber hinaus ist die TemperaturstabilitSt des Halbleiterbauelements wesentlich verbessert.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt
Fig. la bis Id Schnitte durch verschiedene Stadien der Herstellung des Halbleiterelementes;
Fig.2a und 2b Schnitte verschiedener Stadien der Herstellung einer abgewandelten Ausführungsform des Halbleiterbauelements.
Im folgenden soll anhand der Fig. la bis Id eine
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1601059A (en) * 1978-05-31 1981-10-21 Secr Defence Fet devices and their fabrication
NL8202009A (nl) * 1982-05-14 1983-12-01 Philips Nv Werkwijze voor de vervaardiging van fijn-gestructureerde metaalpatronen op metaal- of halfgeleider oppervlak.
US4638551A (en) * 1982-09-24 1987-01-27 General Instrument Corporation Schottky barrier device and method of manufacture
US4742377A (en) * 1985-02-21 1988-05-03 General Instrument Corporation Schottky barrier device with doped composite guard ring
US6303969B1 (en) * 1998-05-01 2001-10-16 Allen Tan Schottky diode with dielectric trench
JP3180776B2 (ja) * 1998-09-22 2001-06-25 日本電気株式会社 電界効果型トランジスタ
GB0129450D0 (en) * 2001-12-08 2002-01-30 Koninkl Philips Electronics Nv Trenched semiconductor devices and their manufacture
US20060076639A1 (en) * 2004-10-13 2006-04-13 Lypen William J Schottky diodes and methods of making the same
US8907408B2 (en) * 2012-03-26 2014-12-09 Infineon Technologies Austria Ag Stress-reduced field-effect semiconductor device and method for forming therefor
CN111034091B (zh) 2017-08-31 2023-08-29 索尼公司 通信设备和方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1031837A (en) * 1963-08-01 1966-06-02 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in or relating to metal plating
US3349297A (en) * 1964-06-23 1967-10-24 Bell Telephone Labor Inc Surface barrier semiconductor translating device
JPS4733176B1 (de) * 1967-01-11 1972-08-23
GB1207093A (en) * 1968-04-05 1970-09-30 Matsushita Electronics Corp Improvements in or relating to schottky barrier semiconductor devices
BE736650A (de) * 1968-08-01 1969-12-31
GB1265018A (de) * 1968-08-27 1972-03-01
NL6816449A (de) * 1968-11-19 1970-05-21
US3764865A (en) * 1970-03-17 1973-10-09 Rca Corp Semiconductor devices having closely spaced contacts
CA903928A (en) * 1971-03-11 1972-06-27 A. Hoare Raymond Pit form barrier diode
JPS493229A (de) * 1972-04-22 1974-01-12
FR2329172A5 (fr) * 1973-07-03 1977-05-20 Thomson Csf Procede de fabrication d'une diode schottky et diode fabriquee selon un tel procede
US3999281A (en) * 1976-01-16 1976-12-28 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method for fabricating a gridded Schottky barrier field effect transistor

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5254369A (en) 1977-05-02
SE7612070L (sv) 1977-04-30
DE2649738A1 (de) 1977-05-12
US4223327A (en) 1980-09-16
SE423761B (sv) 1982-05-24

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