DE1439952A1 - Halbleiter-Dioden und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Halbleiter-Dioden und Verfahren zu ihrer Herstellung

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DE1439952A1 DE19631439952 DE1439952A DE1439952A1 DE 1439952 A1 DE1439952 A1 DE 1439952A1 DE 19631439952 DE19631439952 DE 19631439952 DE 1439952 A DE1439952 A DE 1439952A DE 1439952 A1 DE1439952 A1 DE 1439952A1
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Description

WESTlBI ELEOTEIO GDMPiHT, Incorporated" I«* Tork 7» I.Y., V.St.A.
Dr. Expl
ι H 3 9 9 5 2 Halbleiter-Diode« und Verfahren zu ihrer
Herstellung.
Sie Erfindung bezieht eich auf Halbleiter-Dioden, insbesondere auf Kapazität empfindlich· Dioden aus Galliumarsenid, die üblicherweise als "Varaotorw~Dioden beseiohnet werden·
Die Betriebskennlinien von Galliumarsenid-Varactor-Dioden erfosdern einen Aufbau, der einen dünnen Oberflaohenbereich aufweist· Dieser Oberflächenbtreich wird üblicherweise durch Oberfläohendif fusionverfahr en eneugt, wodurch ein pn-übergang erhalten wird, der einige Zehntel Mikron bis einige Mikron tief unter der Halbleiteroberfläche liegt, oder duroh Abscheiden eines Metallfilmes auf der Halbleiteroberfläche erzeugt, wodurch ein Oberflächensperrsohioht-pn-Übergang erzeugt wird. Auf diesen dünnen Oberfläohenbereich muss ein Kontakt niedrigen Widerstandes mit einem Sauteil hergestellt werden, das seinerseits einen leichten Anschluß an äußere Spannungsquellen gestattet. Zusätzlich hierzu erfordern die elektrischen i Erfordernisse der Diode eine Begrenzung des Querschnittsgebietes dea pn-Überganges selbst· Es ist daher notwendig, die Herstellung allen diesen Paktoren anzupassen, so daß bei vernünftigen Herstellungskosten Dioden mit befriedigenden Eigenschaften hergestellt werden können»
Der Erfindung liegt daher allgemein die Aufgabe zugrunde, eine verbesserte Galliumarsenid-Varactor-Diode zu schaffen, insbesondere eine Diode mit einem verringerten Serienwiderstand, und die mit einfacheren und leichteren Fabrikationsmethoden hergestellt werden kann« „V*
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Gemäß einem Merkmal der Erfindung umfaßt die Diode und ■ deren Herstellungsverfahren ein« Galliumarsenidplättehen, das auf einer Oberfläche einen Öberfläohensperrechichtpn-Übergang aufweist· Vorteilhafterweise aber nicht notwendig, kann diese Oberfläche eine dünne, durch epitaktische Abscheidung hergestellte Halbleitersohicht aufweisen· Auf einem begrenzten Teil dieser epitaktisch gewachsenen Schicht wird ein dünner Goldfilm zur Bildung der Oberflächensperrschicht aufgedampft· Anschließend wird auf der Oberseite dieses Goldfilmes eine vergleichsweise dicke Silberlage aus der Dampfphase abgeschieden· Während beider Aufdampfungsvorgänge bleibt die Temperatur unterhalb der Legierungstemperatur der verwendeten Materialien«
Gemäß einem anderen Merkmal der Erfindung umfaßt die Diode und deren Herstellungsverfahren ein Galliumarsenidplättehen, in das ein dicht unter einer Oberfläche desselben liegender pn-übergang eindiffundiert worden ist«. Auf einem begrenzten Teil diäser einen Oberfläche wird eine relativ dicke Silberlage aufgedampft» Hierbei wird zwar die Unterlage auf einer erhöhten Temperatur aber unterhalb der Legierungstemperatur der verwendeten Materialien gehaltene
Bei beiden Ausführungsformen wird zum Schütze und zur Erleichterung der elektrischen Kontaktgabe eine dünne Goldsctiicht auf der Silberlage abgeschiedene Ein niederohmiger Kontakt auf der andern Seite des Halbleiterplättchens wird durch flattieren und Auflegieren einer Zinnlage auf diese rückseitige Oberfläche hergestellt. Anschließend werden durch ein chemisches Ätzmittel die Teile der epitaktißch aufgewachsenen oder diffusionsbehandelten Oberflächenschicht, dis nicht durch das Silber-Gold-Kontakt-
eo· .
o= element abgedeckt sind, entfernt* Hierdurch wird-ein ^1Q, Diodenelement erzeugt, das ein begrenztes Gegbiet eines
liegenden gleichrichtenden Übergangwund einen hiermit ω v#rbuaden®n reinen Metallkontakt sehr niedrigen Wider itand·« aufweist, tan den leiaht ein elektrischer An-■ohluß herangeführt werden kann, was beispielsweise durch äußere Kontaktfedern ohne nennenswerte Schwierigkeiten
sehr dicht an einer Oberfläche des Halbleiterplättohens
erreicht werden kann·
Im folgenden ist die Erfindung anhand zweier in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele beschrieben; es zeigen:
Pig. 1A bis G die verschiedenen Verfahrensschritte bei der Herstellung eines ersten Ausführungsbeispiels der Erfindung,
Pig· 2A bis E die verschiedenen Verfahrensstufen bei der Herstellung eines zweiten Ausführungsbeispieles,
Pig· 3 die gleichzeitige Herstellung einer Vielzahl dieser Elemente aus einer einzigen Halbleiterscheibe und
'Fig. 4 eine beispielsweise Darstellung ei&er
Verkapselung, die zur Aufnahme der Diode gemäß der Erfindung dient·
Bei dem in der Pig· 1A dargestellten Ausführungsbeispiel ist ein Teil einer Scheibe, bestehend aus n-leitendem einkristallinen Galliumarsenid-Halbleitermaterial, im Querschnitt gezeichnet. Die Zeichnung ist nicht maßstabsgetreu und einzelne Teile sind zur deutlicheren Darstellung vergrößert gezeichnet. Üblicherweise weist die ganze Scheibe 20, wie sie in der Pig· 3 dargestellt ist, einen Durchmesser von etwa 12,5 mm und eine Dicke von 0,125 — 0,25 mm auf. Der Einfachheit halber ist in den Pig· 1A bis G der Que rschnitt eines einzigen Elementes der vielen, üblicherweise gleichzeitige aus der in der Pig· 3 dargestellten Scheibe 20 hergestellten Elemente gezeichnet· In der Pig. 1A ist ein Teil der als Ausgangsmaterial verwendeten Scheibe aus η-leitendem Galliumarsenid niedrigen Widerstandes dargestellt· Mittels gut bekannter Techniken wird eine dünne Schicht 22 aus n-leit*ndem Galliumarsenid relativ hohen Widerstandes auf einer Oberfläche dieser S.heibe abgeschieden· Wie aus der Pig· 1B ersichtlich ist, stellen die gestrichelte Linie 21 die ursprüngliche Oberfläche der Scheibe und die Schicht 22 den, beispielsweise durch epitaktisches Aufwachsen, abgeschiedenen Teil dar. Üblicherweise weist 909A03/0309
ORiQlNAL INSPECTED
die Schicht 22 eine Stärk· τοη 0,5 bis 3,0 Hlkroa auf# Yorteilhafterweise hat diese Schicht eine endgültige Dicke, die gerade gleitfh der Raumladungsschicht bei 'der gewünschten Durohbruehsspannung in Sperriehtung ist«
Obgleich nicht gezeichnet, ist es vorteilhaft zu diesem Zeitpunkt des Herstellungsverfahrens den rückwärtigen Ohm5sehen Kontakt anzubringen, der aus einer oberflächlich anlegierten Zinnplättierung besteht, ¥or dem Aufbringen der Zinnelektrode ist - wie in fig. IC dargestellt « die Scheibe 20 in ihrer Gesastdick® von etwa 0,51 ma auf 0,2 μ durch Läppen und Ätzen der Oberfläche^ «le der di® epitaktische Schidht tragenden Oberfläch· gegenüberliegt, verringert worden· Ein hierfür geeignetes Ätzmittel besteht aus einer wässrigen Lösung aus Iluorwaeser=- Btoff- und Salpetersäure. Nach dem Aufbringen der Zinnpla&Merung wird die die epitaktische Schicht tragend® Oberfläche leicht angeätzt, um die optimale Dicke für die epitaktische Schicht zu erhalten. Eine wünschenswerte langsame Ätzgesehwindigkeit von etwa 3 bis 4 Mikron pro Minute kann duroh Verwenden einer Mischung au« Schwefelsäure und Wasserstoff-Peroxyd in Wasser oder aus Phosphorsäur· mit Wasserstoff«Peroxyd in Methylalkohol erreicht werden.
Eine öffnungen des gewünschten Durchmessers, üblicherweise 0,025 ma oder 0,050 ma, aufweisende^ Metallmaske wird direkt über die geätzte Oberfläche 23 gelegt* Die mit der Maske abgedeckte Scheibe wird dann in einer Vakuumaufdampfvorrichtung untergebracht, die auf etwa 5 x 10 mm Quecksilbersäule evakuiert ist* Die Haltevorrichtung und die Scheibe werden dann auf etwa 20O0G ee> erwärmt ,und unter Verwendung eines induktionsbeheizten ^Mölybdäntiegels wird ein dünner etwa 2 bis 3 Mikron ■?·' starker Goldfilm durch die Maske hindurch auf die
ω» Oberfläche 23 aufgedampft, so daß dadurch der auf einem ο begrenzten Teil der Scheibe vorhandene Gildfilm 24"ge-Q bildet wird. Im Anschluß an den Goldaufdampfvorgang . wird ein anderer, Silber enthaltender Tiegel in die Induktionsheizvorrichtung eingesetzt, um eine etwa
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0,0125 bis 0,025 ma stark· Silberschicht aufiudampfen. Hierduroh wird auf der Oberseite de· Ooldflime· 24 eine Silberschicht 25 gebildet. Anschließend wir« in derselben Vorrichtung eine weitere, iwei bit drei Mikron starke Sohioht 26 aue (JoId auf der Silberschicht abgeschieden, im diese τογ Korrosion iu schützen und um eine erleichterte Kontaktgäbe au bewirken·
Anschließend wird die Scheibe 20 au· der Auidampfvorriohtung entfernt und in die einaelnen Plättchen zerschnitten, wobei jedes Plättohen einen knopfartigen, in zentraler Stellung angeordneten Kontakt aufweist·
Bas Plättchen wird dann mit einem sich über den knopf«- f
artigen Kontakt und über dessen unmittelbaren Hand hinaus erstreckenden Wachs tropfen abgedeckt und die ganze Einheit, die auf einem Plättohenhalter befestigt ist, in Methylalkohol, der mit durchströmendem Chlor gesättigt ist, geätzt« Dieser Ätzvofgang erstreckt sich vorzugsweise auf die Kanten des Plattohens und entfernt die äußeren Randteile des Plättohens, wodurch die Möglichkeit eines Kontaktes zwischen einem eiförmigen federglied und den Katen dea Plättohens verringert wird.
Ferner wird - wie gleichfalls aus der yig· 1? hervorgeht -
naoh Entfernung der Waohsmaske das Plättohen einer sehr kurzen, etwa zwei Sekunden lang dauernden Ätzung aus einer Mischung aus 5 Teilen Salpetersäure und einem Teil
Fluorwasserstoffsäure unterworfen, wodurch eine leiohte
üaterschneidung entsteht, so daß der den "Metallknopf"« umgebende Teil des epraktischen Filmes entfernt wird·
Soüließlioh wLrd noohr wie in der Pig. 1G gezeigt, ein Kontakt mit dem Knopf mittels eines nachgiebigen Ϊedergliedes 29 hergestellt, das auf einem teilweise dargestellten Zapfen 33 montiert ist· Anschließend wird diese Anordnung in eine Verkapselung üblicher Bauart, wie sie in der Fig. 4 dargestellt ist, eingesetzt*
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Be 1st wichtig zu bestärken, daß. zu keinem Zeitpunkt die Temperatur der Anordnung auf einen Wert ansteigt, bei dem eis Legieren der verwendeten Materialien auftreten könnte«, Der Oberf läehensperrsehicht-Goldfilm wird daher im Effekt kalt oder bei niedriger Temperatur abgeschieden« In. gleicher Weise werden die naehfeXgenden Metallaufdampfungen bei Temperaturen vorgenommen, die ausreichend unterhalb denjenigen liegen,, bei denen eine legierung v©& Galliumarsenid mit Gold bzw· Silber auftreten."
Alternativ hierzu kann "bei diesem Aueführungsbeispiel ein knoifförmiger Silberkontakt direkt, also unter Weglassen des Goldes, auf der epitaktisehen Schicht abgeschieden werden» Eine derartige Vorrichtung ist im Unterschied zu einer den Goldkontakt aufweisenden Vorrichtung in der Lagef etwas höheren Temperaturen widerstehen zu können.
Das in. der Figo 2A dargestellte Ausführungsbeispiel seigt einen Querschnitt durch einen Teil 11 einer Seheibe, die aus einkristallinem η-leitendem öalliumarsenid-Halbleiter-* material niedrigen Widerstandes besteht« Die Zeichnung ist nicht maßstabsgetreu und bestimmte Dimensionen sind der Deutlichkeit halber vergrößert. Üblicherweise weist die ganze Scheibe 20, wie sie im der Fig«, 3 dargestellt ist, eines Durohmesser von annähernd 12S5 mm und eine Dicke von etwa 0,125 bis 0,250 mm auf« Der Einfachheit halber zeigen die. Pig« 2A bis ΪΕ je einen Querschnitt eines einzelnen, der zahlreichen üblicherweise gleichzeitig aus der Scheibe der 3?ig« 3 hergestellten Elemente· 11e In der Figo 2A stellt die gestrichelte gezeichnete Linie 12 einen flach unter die Oberfläche eindiffundierten pn-übergang dar, wie er durch die p-leitende Zone 13 und die n-leitende Zone 14 ^ definiert ist« Üblicherweise wird die eindiffundier.te Zone *P 13 duroh β Eindiffundieren von Zink bei einer erhöhten Qo
ο Temperatur entsprechend gut bekannter Techniken erzeugt, ■v. um einen Übergang in einer Tiefe von etwa 2,0 Mikron zu erhalten» Üblicherweise überschreitet die Tiefe des pn- ° Überganges nicht 5 Mikrons und ist vorteilhafterweise kleiner als 1 Mikron. Unter diesen Bedingungen kann die Oberfläche einsprechend einer Trägerkonzentration von
BADORtQINAl.
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1Q
etwa 10 * pro Kubikzentimeter oder darüber ale degeneriert charakterisiert werden.· Anschließend wird die Scheibe 20 der Pig. 3, die den Teil 11 der ?ig. 2 enthält, in einar Aufdampfkammer angeordnet. Die Kammer wird dann evakuiert und die Scheibe auf etwa 500° erwärmt· üblicherweise wurden Temperaturen zwisohen 400 und 55O0C als vortellhaft gefunden· Jedooh können auch oberhalb der Zimmertemperatur! aber unterhalb der Temperatur des Galliumaraenid-Silbereutektikume von 670° liegende Temperaturen gewählt werden« Die Scheibe wird auf 5000C etwa zwanzig Minuten lang vorgewärmt ·
Eine Maske mit einer Reihe Löcher wird über die Oberfläche der Scheibe gelegt· ferner ist eine Blende vorgesehen, um eine Aufdämpfung auf die Halbleiteroberfläche solange zu verhindern, bis die Blende entfernt wird· Unter Verwendung üblicher Aufdampfungsteohniken wird Silber verdampft und ein Knopf 16 aus Silber auf der Oberfläche 15 durch Aufdampfen von Silber durch die Maskenb'ffnung hinduroh erzeugt· üblicherweise hat der Knopf einen Durchmesser von 0,05 mm und eine Dicke von etwa 0,025 mm. Während des Aufdampf Vorganges tind^praktiech keine Legierung des Silbers mit dem Galliumarsenid statt. Dies ist wichtig, um eu verhindern, daß die dünne Oberflächenschicht vom metallischen Kontakt durchdrungen wird, so daß diese kurzgeschlossen wäre· Das Ergebnis dieses Aufdampfprosesses auf eine erwärmte Unterlage ist jedoch ein gut haftender Silberknopf, der einen Kontakt extrem niedrigen Widerstandes auf der dünnen, eindiffundierten p-leitenden Zone 13 erzeugt·
Anschließend läßt man das Substrat abkühlen und bei einer
Temperatur von weniger als 2000C wird eine dünne Goldplat-S tierung17 durch die Öffnungen derselben Maske hinduroh ^ aufgedampft· so daß das Silberelement 16 abgedeckt wird. ° Zweokmäßigerweise wird zu diesem Zeitpunkt des Herstellungsv. verfahrene ein metallischer ohm1scher Kontakt auf die S rüokeeitige η-leitende Oberfläche der Scheibe aufplattiert. ° üblicherweise wird hierzu bei 5000G ein Zinnkontakt an legiert. Es versteht sich, daß dieser Verfahrensschritt an der ganzen Scheibe bewerkstelligt wird·
BAD
Anschließend wird die Halbleiterseheibe 20 aus der Takuuaaufdampfvorrichtung entfernt und uater Verwendung üblicher Mittel, z.B. mittels Ultraschallsohneiden, längs ,dsn*gestrichelten Linien 40 zerschnitten* Der nächste Yarfahrensschritt "besteht in der Reduzierung der pn«Üb®rgangsfXäeh· auf eine Größe entsprechend den elektrischen Erfordernissen· Dies wird bewerkstelligt durch während einer sehr kurzen Zeitspanne erfolgendes Abätssn dar eindiffundiertsis. p«leitenxten Zone mit Ausnahme der Stelle, an der diese diirsh das· K©ntaktel©ment 17 abgeedeskt ist« Sin hierfür gesig«« aetes Ätzmittel besteht aus fünf Yolumteilen-Salpetersäure und ©in©m Yolumteil üPluorwasseratoffsäiiB* Beide Säusln werden in standardisierter Qualität (standard reageat gri&»s)/£ Mit diesem Ätzmittel wird" jedes Plättchen etwa 3-5 Sekunden lang behandelt, anschließend.gewaeohen uad ■ zur Bestimmung der Kapazität eiaer elektrischen Kessuog unterworfen.· Dia Ätzfeehandlung wird solange fortgssetäst, bis die elektrischen Parameter innerhalb der gewünsshten · Bereiche liegen« Ein zu langte Ätzen ist nicht wünsciienswert, da @s ein ITnterschneiden oder eine Halabildiang bewirkt j wodurch is Effekt ein Mesa-Halbleiter entsteht und der Serienwiderstand der ?®rriohtung sunimmt· Yorteilfeafterweise wird di@ Kostaktknopfgröß© so ausgewählt, daß ®ine kurae Ä'tzbehandlung zur Erzeugung einer Diode mit der gewünschten Kapazität ausreicht® In Yerbindang mit d@r Itsbehandlung kann es unter Umständen vorteilhaft sein, ein Itamittel au verwenden, das vorsugsweise das p-leitsnä® Material angreift und daher nicht dasu tendiert, das η-leitende Material unterhalb des Überganges zu unterschneidene Jedoch muß Sorge dafür getragen werden, daß das ausgewählte Ätzmittel nicht von d@r Art ist, das
die metallischen Kontaktelemente zu, rasch abätzt, es·
ο
es* Üblicherweise weist das Silberknopfelement eine Dicke von · o .0,0125 bis 0,025 mm auf und sein Durchmesser kann zwischen ^.0,025 mm und 0,127 mm liegen» Eine Serie von Dioden dieses ο Typs weisin eine Kapazität von 1,0 bis 1,5 Picofarad
o bei der Vorspannung· Null auf. Diese Dioden haben ein ■ *° KontaktelenBnt mit 0,0508 mm Durchmesser auf einer 2 Mikron starken p-leitenden Zone, die in eine epitaktisch
BAD ORtGiNAL
aufgewaohsene, η-leitende Sohioht hohen Widerstandes und tiner Tragerkonzentration τοα etwa 7 χ 10 pro Kubikzentimeter »iiidif fundiert worden ist· Für höher· Kapazitätswerte werden größere Kontaktknöpfe verwendet.
Dae abgeätzte Plättchen wird anschließend in einer Diodenrerkapaelung 30, wie in der Fig· 4 £ dargestellt, angeordnet· In der Pig. 21 iat eine Ausführungeform einer federnden Kontaktsuführung zum Knopfelement dargestellt, mittel» der auf einfache Weise eine Kontalrfcgabe bewerkstelligt werden kann.· Im allgemeinen ist es wünsohenswert, Schleifen oder Bügel in den Ansohlußfgliedern zur Verringerung der Induktivität au vermeiden. Vorteilhafterweise können mittels Thermokompression befestigte weiche Drähte für derartige Anordnungen verwendet werden· In jedem falle stellt das erhabene Knopfelement ein Mittel zur leichten Herstellung eines Kontaktes niedrigen Widerstandes dar.
Die Verkapselung der Fig. 4 ist üblicher Bauart· Das Halbleiterelement 31 ist hierbei auf einem Metallkopf befestigt und der gegenüberliegende Kontaktdraht 33 ist durch eine justierbare Kontakthalterung eingeführt«
Als Folge dieser Anordnung weist die Diode einen reduzierten Serienwiderstand auf, da das Volumen des Halbleitermaterials auf der einen Seite des Überganges beträcht lioh gegenüber vergleichbaren bekannten Mesa-Dioden reduziert ist« Insbesondere ersetzt hierbei die vergleiche· weise große Silbermenfee das bisher von Halbleitermaterial wesentlich höheren Widerstandes eingenommene Volumen. Zusätzlich zur Möglichkeit einer erleichterten Kontaktgabe zwischen dem "erhabenen Knopf" und einer Zuleitung sind die besonderen Kontaktmaterialien im Hinblicg auf ihre Widerstandsfähigkeit gegen das zur Reduzierung der pn-Übergangsflache erforderliche Xtzenji Darüber hinaus ist •;8 bei der Herstellung einer großen Anzahl dieser Elemente aus einer einzigen Scheibe nioht notwendig, eine besonders genaue Ausrichtung bei den Aufdampfνorgangen einzuhalten.
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Kleine Unterschiede in den. Abständen zwisohen Ytrsehiedenen Kontaktknöpfen auf einer Scheibenoberfläche sind insoweit nicht kritisch* als die Soheib© 20 der Pig. 3 nachfolgend in einzelne Elemente unterteilt wird, an denen leicht wie in I1Ig0 4 dargestellt ist -< äußere Anschlüsse angebracht werden können«
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Claims (1)

  1. H39952
    Patentansprüche
    ( 1 ·) Verfahren zur Herstellung einer kapazitiven Hoohfrequencc Halbleiterdiode, gekennzeichnet durch unter Vakuum erfolgendes Erhitzen tines Galliumareenid-Halbleiterkörpers mit einer dünnen p-leitenden Oberflächenzone auf eine !Temperatur, die kleiner 1st als die Temperatur des Galliumarsenid-Silber** Eutektikume, durch Abscheiden eines knopfartigen B Gebildes auβ Silber auf einen begrenzten Teil der Oberflächenzone, durch Abkühlen des Halbleiterkörpers auf unterhalb etwa 20O0C, duroh Abscheiden eines dünnen Goldüberzuges auf dem knopfartigen Gebilde* und duroh Abätzen des nicht von dem knopfartigen Gebilde abgedeckten Teiles der Oberflächenzone·
    2. Verfahren zur Herstellung einer kapazitiven Hochfrequenz-Halbleiterdiode, gekennzeichnet durch auf einer Oberfläche eines Galliumarsenidkörpers eines Leitfähigkeitstyps erfolgendes Aufbringen einer dünnen Galliumarsenidsohioht des gleichen Leitfähigkeitstyps, aber höheren Wideretandes, mittele epitaktisohea Wachstums, durch Abscheiden eines dünnen Goldfilmes auf einem begrenzten Teil der Oberfläche der epitaktisoh aufgewachsenen Schicht zur Bildung einer Oberfläohensperrschicht mit dem Galliumarsenid, durch Abscheiden eines knopfartigen Gebildes aus Silber auf der Oberfläche des Goldfilmes, durch Abscheiden eines dünnen Goldüberzuges auf dem knopfartigen Gebilde und durch Abätzen des nicht von dem knopfartigen Gebilde abgedeckten Teils der epitaktisch aufgewachsenen Schicht,
    3, Kapazitive Hochfrequenz-Halbleiterdiode, insbesondere hergestellt nach dem Verfahren nach den Ansprüchen 1 oder 2, mit einem Plättchen aus Galliumarsenid-Halbleitermaterial,
    909803/0309
    A U39952
    dadurch gekennzeichnet, dass das Plättchen eine gleichrichtende Sperrschicht in einer Tiefe aufweist, die kleiner als etwa 5 Mikron, gemessen von der Oberflächenzone des Plättchens aus, ist, daß ein knofpfartiges Gebilde aus Silber in niederohmigem elektrischen Eontakt mit der Oberflächenzone steht^ und diese nicht durchdringt, daß die gleichrichtende Sperrschicht eine Fläche aufweist, die im wesentlichen gleich der Fläche des knopfartigen Gebildes aus Silber ist,, daß eine das knopf artige Gebilde umgebende dünne Goldschicht vorgesehen ist und ein mit dem goldplattierten Gebilde in Kontakt stehender Anschluß vorgesehen isto
    4· Diode nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß die gleichrichtende Sperrschicht durch den Obergang zwischen einer p-leitenden Oberflächenzone und dem hieran angrenzenden Teil des Plättchens definiert ist·
    5· Diode nach Anspruch 3f gekennzeichnet durch einen auf der Oberflächenzone des Pläti.chens abgeschiedenen dünnen Goldfilm zur Bildung einer gleichrichtenden Sperrschicht des Oberflächensperrschichttyps.
    6· Diode nach Anspruch 5f gekennzeichnet durch eine dünne Schicht epitaktisch aufgewachsenen Galliumarsenides . zwischen dem Plättchen und dem Goldfilm.
    7. Diode nach einem der Ansprüche 3-6, dadurch gekennzeichnet, dass das knopfartige Gebilde eine Dicke von 0,0125 bis 0,025 mm aufweist«
    8. Diode nach einem der Ansprüche 3-7, dadurch gekennzeichnet, daß das knopfartige Gebilde einen Durchmesser von etwa 0,025 bis 0,125 mm aufweisto
    909Ö03/0309
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