DE2357350C3 - Wärmeableitungskörper zum Einbringen ein einen integrierten Schaltkreis enthaltendes elektrisches Bauelement - Google Patents
Wärmeableitungskörper zum Einbringen ein einen integrierten Schaltkreis enthaltendes elektrisches BauelementInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Wärmeableitungskörper
der im Oberbegriff <.es Patentanspruchs genannten, an sich bekannten Art (DE-PS 21 18 932).
Es ist bekannt, daß ein derartiger, in ein Harzgclhiiiisc
eingebauter Wärmeablcitungskörpcr nach dem Pressen des Harzes auf der einen Seite des fertigen Bauelements
eine große freie Fläche aufweisen muß. damit diese freie Fläche erforderlichenfalls mit einem iiußeren
Wärmeabstrahier verbunden werden kann. Um einen guten thermischen Kontakt zwischen detr genannten
freien Fläche und dem äußeren Wärmcabstrahler zu erzielen, muß die genannte Fläche so eben
wie möglich und frei von Fremdsubstanzen sein. Da in
der Praxis die genannte Fläche während des Preßvorganges von dem Harz mit hohem Druck umschlossen
wird, bildet sich leicht ein unerwünschter Harzschlcicr auf dieser Fläche. Dieser Harzschleier muß dann nach
der Fertigstellung des Bauelementes entfernt werden.
Dieses Problem der Vermeidung eines Harzfilmes tritt stets dann auf, wenn bei gepreßten Harztcilcn mit
darin vergossenen Metallteilen bestimmte Oberflächen der Metallteile mit bestimmten Flächen des fcrtiggcpreßten
Gegenstandes fluchten sollen. Die einfachste Lösung dieses Problems besteht darin, die Metallteile
an einer Innenwandung der Form anzubringen, bevor das Ausformen erfolgt, wobei dafür gesorgt werden
muß. daß jeder Metalltcil an der Formwandung mit einer Krafi haftet, die größer ist als die maximale entgegenwirkende
Kraft, die während des Prcßvorgiingcs
von dem Harz auf die gesamte Mctallflächc ausgeübt wird. Im besonderen Fall des Prcsscns von Harzgehäusen
von integrierten Schaltkreisen mit eingebautem Wiirmeablcitiingskörpcr kann jedoch das Abdecken
des Wärmciiblcilungskörpcrs an einer Wandung der
Form kaum erfolgen. Die Form ist nämlich immer eine Mehrfachform bzw. hat mehrere Plätze, so daß, selbst
wenn man für jeden Wärmeubleitungskörper bestimmte Befestigungspunkte vorsieht, das gleichzeitige Positionieren
an allen Plätzen der Form durch die große Verformbarkeit des Leiterstreifens beeinträchtigt würde,
auf welchem vorher die Wärmeableitungskörper befestigt werden, so daß die Form sehr kompliziert sein
müßte und wegen häufigen Blockierens auch umständlich in der Handhabung wäre.
Es ist bereits bekannt (DE-OS 20 08 511), bei einem
einen Wärmeableitungskörper und ein Harzgehäuse aufweisenden Halbleiterbauelement den Wärmeableitungskörper
auf der Oberfläche, die der von Harz freizuhaltenden
Fläche gegenüberliegt, mit einem Vorsprung zu versehen, der sich bis zu der der genannten
freizuhaltenden Fläche gegenüberliegenden Oberfläche des Halbleiterbauelements erstreckt Bei der Formung
des Harzgehäuses wirkt die Oberseite der Form gegen diesen Vorsprung, wodurch der Wärmeableitungskörper
gegen die Unterseite der Form gedruckt wird und dadurch die Unterseite des Wärmeableitungskörpers
während des Formungsvorganges von Harz freigehalten wird. Bei dieser bekannten Anordnung hat der
Vorsprung die Form eines Ringes, der mit einer öffnung
des Wärmeableitungskörpers ausgerichtet ist und zum Durchstecken eines Befestigungsbolzens dient Durch
besondere Maßnahmen, nämlich ein Anordnen des Wärmeableitungskörpers und des Ringes in einer
Lötlehre und anschließendes Verlöten in einem Ofen wird die Gesamthöhe des Wärmeableitungskörpers und
des Ringes auf den richtigen erwünschten Wert gebracht bevor die so gebildete Struktur in die
Formungsmatrize gebracht wird.
Die Aufgabe der Erfindung ist es, einen Wärmeableitungskörper der im Oberbegriff des Patentanspruchs
genannten Art so auszubilden, daß in einfacher Weise ein unerwünschter Harzschleier auf der von Harz freizuhaltenden
Fläche des Wärmeableitungskörpers vermieden werden kann.
Diese Aufgabe wird durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs angegebenen Merkmale
gelöst.
Der erfindungsgemäße Wärmeablcitungskörpcr wird beim Preßvorgang automatisch mit seiner freizuhaltenden
Fläche gegen die entsprechende Innenwandung der Form mit großer Kraft gedrückt, wodurch auch bei
Verwendung einer Mehrfachform zum gleichzeitigen Herstellen mehrerer Bauelemente die genannte Fläche
von Harz freigehalten wird. Die während des Preßvorganges auf die Überstände ausgeübte mechanische
Verformung kann in vorteilhafter Weise zur zusätzlichen Verankerung des Wärmcablcitungskörpcrs in
dem Harz ausgenutzt werden. Der Wärmcablcilungskörpcr
kann durch Druckguß oder Extrudieren hergestellt werden oder aus einem Strang durch mechanische
Bearbeitung erhallen werden. Die Erfindung ist anwendbar auf eine integrierte Schallung enthaltende
Bauelemente vom Typ Dual-in-linc mit beliebiger Anzahl
von Kontaktfüßen.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachstehend
im Zusammenhang mil den Zeichnungen näher beschrieben. In den Zeichnungen zeigt
F i g. I den Wärmcablcitungskörper.
Fig. 2 einen bei dem Wärmcableitiingskörpcr nach
F i g. I verwendbaren Lederstreifen gemäß Beispiel Λ,
F i g. 3 einen bei den Wiirmcablciiiingskörpern nach
Fig.) verwendbaren Leiterstreifen gemäß Beispiel B,
Fig. 4 das fertige Bauelement in der Draufsicht und
in einer leilweisen Schnittansichl gemäß dem Beispiel
B von F i g. 3.
Die in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispiele betreffen zwar den Fall eines Dual-in-line-Gehüuses
mit 14 KoniaktfüQen; grundsätzlich kann jedoch eine beliebige Anzahl von Kontaktfüßen vorgesehen
werden.
Von dem Wärmeableitungskörper 1 von F i g. 1 stehen zwei gleiche symmetrische Überstände vor, die
sich in die Ebenen 4 und 3 und die Oberflächen 2 aufleilen.
Die Ebene 4 dient zum Auflegen eines Leiterstreifens, wie er gemäß Beispiel A in F i g. 2 oder gemäß
Beispiel B in F i g. 3 dargestellt ist, und zwar jeweils mit
dem um ein Fenster fhemrn angeordneten Bereich des
Leiterstreifens. Die Ebene 3 dient bei dem in Fig. 2 dargestellten Beispiel A dazu, durch mechanische Einwirkung
verformt zu werden, um den auf die Ebene 4 des Wärmeableitungskörpers 1 aufgelegten Lederstreifen
dort zu verriegeln. Ausschließlich die Oberflächen 2 sind dazu bestimmt, beim Schließen der Form so verformt
zu werden, wie das in Fig.4 mit gewollt übertriebenen
Abmessungen für den Zustand np.ch dem Formungsvorgang dargestellt ist. Die konkaven Flächen
5 haben die Funktion, den Griff des Harzes am Wärmeableitungskörper 1 zu verstärken. Die im Verhältnis
zu den Oberflächen 2 große Fläche 6 ist diejenige, die nach dem Ausformen harzfrei bleiben muß. Der
Wärmeableitungskörper 1 nach F i g. 1 wird aus einem Strang von wärmeleitendem Material, vorzugsweise
Kupfer oder Aluminium, unier mechanischer Verarbeilung mit Schneidwerkzeugen hergestellt, oder er wird
durch Druckguß oder Extrudieren erhalten.
Der in F i g. 2 dargestellte Leiterstreifen a gemäß Beispiel A besitzt zwei Fenster f, durch die die beiden
Überstände des Wärmeablcitungskörpers 1 sich erstrecken, und zwar so weit, daß die Fläche des Leilcrstrcifcns
a die in F i g. I dargestellten Ebenen 4 berührt.
In F i g. 2 ist die mechanische Verformung der Ebenen
3 von F i g. 1 dargestellt, durch welche eine feste Bloktcierung
des vVärmeableiiungskörpers I an dem Leiterstreifen
a erreicht wird. Der darauffolgende Arbeitsgang, bei dem ein Siliziumplältchen, auf dem sich der
integrierte Schaltkreis befindet, auf den Wärmeableitungskörper 1 aufgeschweißt wird, ist nicht dargestellt.
Der in F i g. 3 dargestellte Leiterstreifen b gemäß
Beispiel S besitzt an seinem Mittelpunkt eine Wanne c. die dazu bestimmt ist. das Siliziumpläuchen ρ mit dem
integrierten Schallkreis aufzunehmen, wobei das Sili/iumpiätichen
vor der Befestigung des Wärmenbleilungskörpers
i am Lederstreifen b angebracht, verschweißt und elektrisch angeschlossen wird. In diesem
Fall dienen die Fenster f als Führung für die beiden Überstände des Wärmeableilungskörpers 1. und wenn
die Ebenen 4 von F i g. I die Ebene des Leiterstreifens b berühren, wird die Schweißung zwischen der Unterseite
der Wanne c und der darunterliegenden Fläche des Wärmeauleitungskörpers 1 durchgeführt. In dieser
Weise wird auch bei diesem Beispiel eine genügende Verankerung des Wärmeableitungskö^ers 1 am
Leiterstreifen b erzielt, und es ist nicht notwendig, wie im Beispiel A. die Ebenen 3 zu verformen.
In der Darstellung des fertigen Bauelements gemäß
F i g. 4 sLht man im Teilschnitt A-A eine der Oberflächen 2 von F i g. 1 nach der Verformung, und zwar in
einer aus Gründen der Deutlichkeit übertriebenen Darstellung, wobei diese Verformung während des Schließens
der Form auf Grund der Kompression des Wärmeableitungskörpers 1 zwischen entgegengesetzten
Wänden der Form zustande kam. Die Ebenen dieser Wände der Form werden in Fig.4 durch die Pfeile ρ
und pt angedeutet.
Im Teilschnitt A-A ist ersichtlich, daß die Ebene 3
nicht, wie bei dem in F i g. 3 dargestellten Beispiel B vorgesehen, verformt ist.
Hierzu 4 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentanspruch:Wärmeableitungskörper zum Einbau in ein einen integrierten Schaltkreis enthaltendes elektrisches Bauelement mit Harzgehäuse vom Typ Dual-in-line, bestehend aus einem einzigen, gut wärmeleitenden Metallkörper, der auf der einen Seite Überstände, die dazu ausgebildet sind, im Fenster eines zur Aufnähme mehrerer Wärmeableitungskörper dienenden Leiterstreifens positionierend einzugreifen, und auf der anderen Seite eine große, nach dem Ausformen von Harz freibleibende Fläche aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die ge- is nannten Überstände — von der von Harz freizuhaltenden Fläche des Metallkörpers aus gemessen — eine etwas größere Höhe haben als das ausgeformte Gehäuse und durch die von der Form bei der Schließung ausgeübte Kompression bis zum Erreichen tier für das ausgeformte Gehäuse vorgesehenen Höhe verformbar sind.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
IT31713/72A IT974672B (it) | 1972-11-16 | 1972-11-16 | Dissipatore di calore da incorpo rare in circuiti integrati con contenitore in resina |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2357350A1 DE2357350A1 (de) | 1974-06-12 |
DE2357350B2 DE2357350B2 (de) | 1975-05-22 |
DE2357350C3 true DE2357350C3 (de) | 1980-01-24 |
Family
ID=11234262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2357350A Expired DE2357350C3 (de) | 1972-11-16 | 1973-11-16 | Wärmeableitungskörper zum Einbringen ein einen integrierten Schaltkreis enthaltendes elektrisches Bauelement |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS501660A (de) |
DE (1) | DE2357350C3 (de) |
ES (1) | ES420805A1 (de) |
FR (1) | FR2207356B1 (de) |
GB (1) | GB1446739A (de) |
IT (1) | IT974672B (de) |
NL (1) | NL7315711A (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5651328Y2 (de) * | 1976-08-18 | 1981-12-01 | ||
FR2495376A1 (fr) * | 1980-12-02 | 1982-06-04 | Thomson Csf | Boitiers pour composants semiconducteurs de puissance a cosses de type faston |
IT1218271B (it) * | 1981-04-13 | 1990-04-12 | Ates Componenti Elettron | Procedimento per la fabbricazione di contenitori in plastica con dissipatore termico per circuiti integrati e combinazione di stampo e dissipatori utilizzabile con tale procedimento |
-
1972
- 1972-11-16 IT IT31713/72A patent/IT974672B/it active
-
1973
- 1973-11-13 FR FR7340339A patent/FR2207356B1/fr not_active Expired
- 1973-11-15 NL NL7315711A patent/NL7315711A/xx not_active Application Discontinuation
- 1973-11-16 GB GB5332473A patent/GB1446739A/en not_active Expired
- 1973-11-16 ES ES420805A patent/ES420805A1/es not_active Expired
- 1973-11-16 DE DE2357350A patent/DE2357350C3/de not_active Expired
- 1973-11-16 JP JP48129110A patent/JPS501660A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT974672B (it) | 1974-07-10 |
ES420805A1 (es) | 1976-04-16 |
DE2357350A1 (de) | 1974-06-12 |
FR2207356B1 (de) | 1976-11-19 |
DE2357350B2 (de) | 1975-05-22 |
FR2207356A1 (de) | 1974-06-14 |
GB1446739A (en) | 1976-08-18 |
JPS501660A (de) | 1975-01-09 |
NL7315711A (de) | 1974-05-20 |
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---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
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