DE3040676A1

DE3040676A1 - Verfahren zum herstellen von halbleiteranordnugen

Info

Publication number: DE3040676A1
Application number: DE19803040676
Authority: DE
Inventors: Edward 2202 Barmstedt Uden
Original assignee: Philips Patentverwaltung GmbH
Current assignee: Philips Intellectual Property and Standards GmbH
Priority date: 1980-10-29
Filing date: 1980-10-29
Publication date: 1982-05-27
Also published as: DE3040676C2

Description

Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungerl
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen, bei dem ein aus einem Metallstreifen gebildetes Leitergitter verwendet wird, von dem jeder Abschnitt eine Trägerfläche für einen Halbleiterkörper, -mehrere nebeneinanderliegende Leiter, sowie die Leiter miteinander verbindende Verbindungsteile, die später entfernt werden, umfaßt, bei dem Kontaktflächen des Halbleiterkörpers mit den Leitern verbunden werden und anschließend der Halbleiterkörper und Teile der Leiter mit einer Umhüllung aus Kunststoff umpreßt werden.
Ein Verfahren dieser Art ist aus der DE-PS 21 59 530 bekannt.
Bei einem solchen Verfahren war es bisher üblich, das Überziehen der Leiter, die die Anschlußbeine der fertigen Halbleiteranordnung bilden,.mit einer das Kontaktieren, insbesondere Löten, erleichternden Metallschicht, vorzugsweise Zinn, als einen der letzten Verfahrensschritte vorzunehmen, nachdem der montierte und kontaktierte Halbleiterkörper mit der Umhüllung aus Kunststoff versehen worden ist. Das Metallisieren kann dabei galvanisch oder durch Eintauchen in eine Schmelze erfolgen.
Ein solches Verfahren ist zunächsteinmal aufwendig, da. die einzelnen Halbleiteranordnungen bereits als Einzelbau<#1emente vorliegen oder nur noch zu wenigen zu einem Streifen veo den sind.
Weiter besteht die große Gefahr, daß die zum Metallisieren (Verzinnen) erforderlichen Beizmittel und Elektrolyten in die Umhüllung eindringen und nachteilige Einflüsse auf die Halbleiteranordnung ausüben.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das Verfahren der eingangs genannten Art so auszugestalten, daß der für das Metallisieren erforderliche Aufwand verringert wird und daß die während des Metallisierens auftretenden Umweltbedingungen keinen nachteiligen Einfluß mehr auf die Halbleiteranordnung ausüben können.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß das Leitergitter mit Ausnahme mindestens der Trägerflächen für den 1ialbleiterkörper und der für die Verbindung mit dem Halbleiterkörper vorgesehenen Kontaktflächen vor dem Anbringen und Kontaktieren der Halbleiterkörper mit einer Metallschicht überzogen wird.
Ein solches Verfahren hat den großen Vorteil, daß, da das Metallisieren vor dem Anbringen der Halbleiterkörper geschieht, alle nachteiligen Einflüsse des Metallisierens auf den Halbleiterkörper und damit die elektrischen Eigenschaften der Halbleiteranordnung vermieden werden.
Zudem ist es leicht möglich, daß aus einem Metallstreifen gebildete Leitergitter in einem kontinuierlich arbeitenden Verfahren (Bandvcrfahren) zu metallisieren, wobei die nicht zu metallisierenden Flächen durch Masken gegenüber dem Verzinnungsbad abgedeckt werden.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Werden gemäß der Ausgestaltung nach Anspruch 4 die nebeneinanderliegenden Leiter miteinander verbindenden Verbindungsteile (die später entfernt werden) beim Metailisieren, z.B. Verzinnen, nicht abgedeckt, d.h. mitverzinnt, so hat dies den großen Vorteil, daß das Zinn auf den Leitern und den Verbindungsteilen beim Umhüllen mit Kunststoff als Dichtmittel zwischen den beiden Teilen der Preßform wirkt und dadurch verhindert wird, daß Kunststoff aus der Form nach außen austritt und sich als dünne Schicht (flash) auf die Leiter legt, die anschließend mit großem Aufwand (so z.B. chemisches Einweichen, Bürsten oder Sandstrahlen) wieder entfernt werden muß.
Das Verfahren nach der Erfindung wird im folgenden an einem Ausfiihrungsbeispiel näher erläutert.
Die einzige Figur zeigt einen Teil eines aus einem Metallstreifen gebildeten Leitergitters, von dem Teile vor dem Anbringen und Kontaktieren der Halbleiterkörper verzinnt werden.
Jeder Abschnitt ja, Ib, Ic usw. des Leitergitter.s 1 umfaßt eine Trägerfläche 2, auf der der hier nicht dargestellte Halbleiterkörper befestigt wird, sowie mehrere, hier in zwei Gruppen nebeneinanderliegende Leiter 3, die schließlich die Anschlußbeine des fertigen Bauelementes bilden und die jeweils an ihren inneren Enden 7 mit Kontaktflächen auf dem Halbleiterkörper verbunden werden. Dics geschieht üblicherweise durch dünne Verbindungsdrähte, die z.B. durch Thermokompression mit den Leitern und dem ilalbleiterkörper verbunden werden.
In dem Leitergitter 1 sind die Leiter 3 durch Verbindungsteile 4, 5 und 6 miteinander verbunden, die, wenn der Halbleiterkörper montiert und mit einer Umhüllung aus Kunststoff umpreßt ist, z.B. mit einem geeigneten Stanzwerkzeug, entfernt werden.
Die Lage der Umhüllung ist in dem Abschnitt lb des Leitergitters mit ll bezeichnet.
Im Abschnitt lc des Leitergitters sind die im Abschnitt la ausführlich dargestellten Einzelheiten der Einfachheit der Darstellung halber fortgelassen.
Um nun die eingangs dargelegten Schwierigkeiten zu vermeiden, d.h. insbesondere den nachteiligen Einfluß der Verzinnung auf den bereits angebrachten und umhüllten Halbleiterkörper und das Austreten von Kunststoff aus der Form nach außen, wird das Leitergitter 1 bereits vor dem Anbringen und Kontaktieren der Halbleiterkörper und damit auch vor dem Umhüllen verzinnt. Das Verzinnen erfolgt jedoch nur auf den Teilen des Leitergitters, die eine Verzinnung aufweisen müssen, d.h., die aus dem Umhüllungsteil des fertigen Bauelements herausragenden ~reiB der Leiter 3 und vorzugsweise auch der Verbindtngsteile 5, die nebeneinanderliegende Leiter 3 miteinanderrverbinden, so daß die Form beim Umpressen des Halbleiterkörpers mit Kunststoff besser abgedichtet wird.
Das Verzinnen der Leitergitter geschieht vorzugsweise in einem kontinuierlichen Verfahren, d.h. einem Verfahren, bei dem das Leitergitter kontinuierlich durch ein Verzinnungsbad hindurchgeführt wird, wobei jedoch die nicht zu verzinnenden Teile des Leitergitters durch Masken abgedeckt werden, die vorzugsweise auf die entsprechenden Teile des Leitergitters aufgepreßt werden.
Die maskierten, d.h. nichtverzinnten Teile des Leitergitters sind die Trägerflächen für den Halbleiterkörper und die für die Verbindung mit dem Halbleiterkörper vorgesehenen Kontaktflächen 7 an den inneren Enden der Leiter 3, da Zinn auf diesen Flächen ein sicheres Befestigen und Kontnktieren des Halbleiterkörpers unmöglich machen würde.
Zweckmäßigerweise wird während des Verzinnens das Leitergitter so maskiert, daß jeweils ein die ge nannten Flächen umfassender, senkrecht zur Laufrichtung des Leitergitters verlaufender Streifen konstanter Breite abgedeckt wird.
In der Figur liegt dieser Streifen zwischen den gestrichelten Linien 8 und 9 und ist mit 10 bezeichnet.
Leerseite

Claims

pATENTANSP#ÜCHE: Verfahren zum Herste.llen von Halbl(' i. teranordnungen, bei dem ein aus einem Metallstreifen gebildetes Leitergitter verwendet wird, von dem jeder Abschnitt eine Trägerfläche für einen Halbleiterkörper, mehrere nebeneinanderliegende Leiter, sowie die Leiter miteinander verbindeilde Verbindungsteile, die später entfernt werden., umfaßt, bei dem Kontaktflächen des Halbleiterkörpers mit den Leitern verbunden werden und anschließend der Halbleiterkörper und Teile der Leiter mit einer Umhüllung aus Kunststoff umpreßt werden, dadurcli gekennzeichnet, daß das Leiter gitter (1) mit Ausnahme mindestens der Trägerflächen (2) für den Halbleiterkörper und der für die Verbindung mit dem Halbleiterkörper vorgesehenen Kontaktflächen (7) vor dem Anbringen und Kontaktieren der Halbleiterkörper mit einer Metallschicht überzogen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Leitergitter (1) mit Ausnahme der später von der Umhüllung (11) umschlossenen Flächen mit der Metallschicht überzogen wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Leitergitter (1) mit einem kontinuierlich arbeiten-.

den Verfahren (Bandverfahren) mit einer Metallschicht iiberzogen wird, wobei die nicht zu verzinnenden Flächen durch Masken gegenüber dem Verzinnungsbad abgedeckt werden.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Masken von jedem Abschnitt (la, lb, .0.) des Leitergitters (1) einen senkrecht oder parallel zur Laufrichtung des Leitergitters verlaufenden Streifen (10) konstanter Breite, der die Trägerfläche (2) und die Kontaktflächen(7) überdeckt, abdecken.
5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß nebeneinanderliegende Leiter (3) miteinander verbindende Verbindungsteile (5) beim Überziehen mit einer Metallschicht nicht abgedeckt werden.