DE2301148A1 - Verfahren zur herstellung einkristalliner halbleiterkoerper und halbleiteranordnungen, insbesondere strahlungsdetektoren, die derartige einkristalline halbleiterkoerper enthalten - Google Patents
Verfahren zur herstellung einkristalliner halbleiterkoerper und halbleiteranordnungen, insbesondere strahlungsdetektoren, die derartige einkristalline halbleiterkoerper enthaltenInfo
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL7200677A NL7200677A (https=) | 1972-01-18 | 1972-01-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2301148A1 true DE2301148A1 (de) | 1973-07-26 |
Family
ID=19815182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2301148A Pending DE2301148A1 (de) | 1972-01-18 | 1973-01-11 | Verfahren zur herstellung einkristalliner halbleiterkoerper und halbleiteranordnungen, insbesondere strahlungsdetektoren, die derartige einkristalline halbleiterkoerper enthalten |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS504975A (https=) |
| BE (1) | BE794122A (https=) |
| DE (1) | DE2301148A1 (https=) |
| FR (1) | FR2168435B1 (https=) |
| GB (1) | GB1414202A (https=) |
| IT (1) | IT978173B (https=) |
| NL (1) | NL7200677A (https=) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2344124A1 (fr) * | 1976-03-12 | 1977-10-07 | Ibm | Procede de fabrication de dispositifs semi-conducteurs |
| JPS61266389A (ja) * | 1985-05-21 | 1986-11-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 結晶内不純物均一化用二重るつぼ |
| JPH01143224A (ja) * | 1987-11-28 | 1989-06-05 | Toshiba Corp | 半導体基板の表面処理方法 |
| US7535947B2 (en) * | 2006-10-20 | 2009-05-19 | Raytheon Company | Enhanced beam quality from a laser rod using interstitial dopants |
| CN109103088B (zh) * | 2018-08-30 | 2020-09-01 | 成都海威华芯科技有限公司 | 一种欧姆接触金属锗的蒸镀方法及其应用 |
| CN115726025A (zh) * | 2021-08-31 | 2023-03-03 | 隆基绿能科技股份有限公司 | 一种吸料装置和吸料方法 |
| CN114227485B (zh) * | 2021-12-20 | 2022-09-02 | 连云港国伦石英制品有限公司 | 一种大尺寸硅片氧化掺杂用石英器件的成型加工及清洗装置 |
-
0
- BE BE794122D patent/BE794122A/xx unknown
-
1972
- 1972-01-18 NL NL7200677A patent/NL7200677A/xx unknown
-
1973
- 1973-01-11 DE DE2301148A patent/DE2301148A1/de active Pending
- 1973-01-15 IT IT19231/73A patent/IT978173B/it active
- 1973-01-15 GB GB199973A patent/GB1414202A/en not_active Expired
- 1973-01-17 FR FR7301578A patent/FR2168435B1/fr not_active Expired
- 1973-01-17 JP JP48007129A patent/JPS504975A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL7200677A (https=) | 1973-07-20 |
| BE794122A (fr) | 1973-07-16 |
| FR2168435A1 (https=) | 1973-08-31 |
| IT978173B (it) | 1974-09-20 |
| JPS504975A (https=) | 1975-01-20 |
| FR2168435B1 (https=) | 1976-08-27 |
| GB1414202A (en) | 1975-11-19 |
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