DE2239696A1

DE2239696A1 - Piezoelektrischer hochfrequenzdickenresonator

Info

Publication number: DE2239696A1
Application number: DE19722239696
Authority: DE
Inventors: Syuzo Fukunishi
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1971-08-12
Filing date: 1972-08-11
Publication date: 1973-02-22
Also published as: DE2239696B2; DE2239696C3; JPS4827689A; NL7210965A; GB1400543A

Description

Dr. F. Zumstein sen. - Dr. E. Assmann Dr. R. Koenigsberger - Dlpl.-Phys. R. Holzbauer - Dr. F. Zumstein Jun.

PATENTANWÄLTE

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TELEGRAMME: ZUMPAT POSTSCHECKKONTO: MÜNCHEN 91139

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4/Li

47P2S2-3 2239696

NIPPOlT TELEGRAPH AND TELEPHONE PUBLIC CORPORATION, Tokio

Piezoelektrischer Hochfrequenz-Dickenresonator.

Die Erfindung betrifft einen piezoelektrischen Hochfrequenz-'Dickenresonator, dessen Grundresonanzfrequenz erhöht ist, und ein Verfahren zu seiner Herstellung.

Bei einem piezoelektrischen Dickenresonator besteht zwischen seiner Dicke und der Grundresonanzfrequenz die Beziehung:

Dicke (m) ♦ Grundresonanzfrequenz (Hz) = Konstante(m·Hz).

Um eine hohe Grundresonanzfrequenz zu erhalten, ist es daher erforderlich, die Dicke des Resonators zu verringern. Zu diesem Zweck wurde bisher ein mechanisches Läppen oder Polieren oder chemisches Ätzen oder beides verwendet. Die oben genannte

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Konstante (m«Hz) ist z.B. für eine AT-Quarzplatte 1660. Um eine Grundresonanzfrequenz von 50 MHz für diese Quarzplatte zu erhalten, muß diese Quarzplatte geschliffen werden, bis ihre Dicke " auf 0,0332 mm verringert ist. Ein solcher Läpp- oder Poliervorgang erfordert jedoch eine sehr große Erfahrung und Geschicklichkeit. Weiter bietet eine auf diese V/eise hergestellte Quarz- ■ platte beträchtliche Schwierigkeiten bei der Handhabung und ebenso beim Anbringen von Zuführungsanschlüssen oder bei der Halterung selbst. Die Nachteile der herkömmlichen Läpp- oder Polierverfahren wurden nicht nur bei Quarzplatten, sondern auch bei anderen piezoelektrischen Materialien festgestellt. Um ein Ausgangssignal mit einer gewünschten hohen Frequenz bei einem Resonator zu erhalten, ohne sich auf die obigen Läpp- oder Polierverfahren zu verlassen, wurde auch ein Verfahren angewendet, welches eine bestimmte Gruppe von Materialien verwendet, die so bearbeitet werden können, daß sie" ungerade Harmonische, wie z.B. die 3-, 5- oder 7te oder darüber, der Grundfrequenz eines Resonators liefern können. Dieses Verfahren kann jedoch gelegentlich den Q-V/ert (die Güte) eines Resonators verringern. Weiter nimmt bekanntlich das Kapazitätsverhältnis eines Resonators proportional zu dem Quadrat der Ordnung der Harmonischen zu. Wenn daher bei einem Resonator für die Verwendung als Filter eine bestimmte Bandbreite gefordert wird, beeinträchtigt dieses genannte Verfahren unvermeidlich die physikalischen Eigenschaften des Endproduktes und beschränkt so seine Verwendbarkeit. Demgemäß bestand ein wachsendes Bedürfnis nach einem piezoelektrischen Resonator, der eine solche Ätzbearbeitung erlaubt, die seine Dicke über den Wert hinaus verringert, der als Grenze für die früheren Läpp- oder Polierverfahren angesehen wurde und der auch eine höhere Grundresonanzfrequenz liefern kann. Bisher wurden verschiedene Verfahren entwickelt, um die Dicke eines plattenförmigen piezoelektrischen Materials zu verringern, oder um die Resonanzfrequenz eines piezoelektrischen Dickenreeonators zu ändern. Gemäß der US-PS 3 528 851 ist der Bereich des piezoelektrischen Materials zwischen den zwei Elektroden in der Dicke geringer als

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der umgebende Bereich.. Dieses Verfahren ist nämlich darauf gerichtet, die Dicke eines Resonators im Hinblick auf ein Abnehmen der sogenannten Störsignale zu verringern, indem der Energiefalleneffekt (energy trapping effect) ausgenützt wird. Bei dem Verfahren dieser US-Patentschrift ist die einzige Forderung, daß der Bereich des piezoelektrischen Materials zwischen den zwei Elektroden eine Dicke besitzt, die um etwa 1 bis 2^cß> gegenüber der Dicke des umgebenden Bereichs verringert ist. Diese US-Patentschrift 'gibt keine erreichte Enddicke an, und es besteht auch keine Notwendigkeit für eine solche Angabe, soweit dieses Verfahren betroffen ist. In diesem Pail wird eine Grundfrequenz des Resonators von 10 MHz angenommen. Eine weitere, den Stand der Technik betreffende Literaturstello „.üt "Mode Control and Related Studies of VHP Quartz Pilter Crystals" von Theodore J.Lukaszek (Electronic· Components Lab., USAECOM). Diese Veröffentlichung beschreibt einen piezoelektrischen Resonator, der 0,6 Mikron tiefe Ausnehmungen auf der oberen und

unteren Oberfläche und in diese Ausnehmungen eingebettete Elektroden aufweist. Das in dieser Veröffentlichung beschriebene Verfahren hat das Ziel, die Störsignale durch den Energiefalleneffekt zu verringern. Gemäß diesem Verfahren hat die Ausnehmung eine weit geringere Tiefe als die Dicke der gesamten piezoelektrischen Platte. In diesem Pail hat der Resonator eine Grundfrequenz von 30 MHz und verwendet die 7te Harmonische der Prequenz. . " .

Weiter soll noch die Veröffentlichung "Sputtering machining of piezoelectric transducers" von D.Beecham (BTL) genannt werden. Das dort"beschriebene Verfahren besteht darin, die Dicke einer Platte aus piezoelektrischem Material auf etwa 2 Mikron zu verr.ingern, um einen Wandler mit einer so hohen Prequenz, wie 1,8 GHz von einem mit niedriger Prequenz zu erhalten. Die piezoelektrische Scheibe in dieser Veröffentlichung ist jedoch mit einer ihrer Seiten mit der ebenen Oberfläche des Übertragungsmediums verbunden, um Ultraschallwellen durch dieses zu leiten,

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so daß der piezoelektrische Resonator einen äußerst kleinen Q-V/ert besitzt.

Alle diese bekannten Verfahren sind darauf gerichtet, die technische Wirkung durch Maschinenbearbeitung eines plattenförmigen piezoelektrischen Materials zu erreichen. Diese Verfahren bestehen jedoch nicht darin, Ausnehmungen in diesem Material dadurch zu bilden, daß sein mittlerer Abschnitt auf ein Maß über das hinaus geätzt wird, welches als Grenze für das herkömmliche Läpp- oder Polierverfahren angesehen wird, sondern einfach darin, ein maschinenbearbeitetes piezoelektrisches Material mit einem getrennten Halterungsteil zu verbinden. Bisher wurde kein Veriahren zur Herstellung eines piezoelektrischen Hochfrequenz-Dickenresonators entwickelt, durch welches ein piezoelektrisches Material auf eine solche geringe Dicke geätzt werden kann, daß Beine Grundresonanzfrequenz erheblich vergrößert wird, und durch welches das so geätzte piezoelektrische Material auch starr genug gehaltert werden kann, um ein Ausgangssignal mit äußerst hoher Frequenz zu liefern.

Aufgabe der Erfindung ist daher ein piezoelektrischer Hochfrequenz-Dickenresonator, der leicht gehaltert und endbearbeitet werden kann, auch wenn er in einem solchen Ausmaß geätzt ist, daß eine Resonanz mit einer sehr hohen Grundfrequenz erreicht wird, und ebenso ein Verfahren zu seiner Herstellung.

Zur lösung der genannten Aufgabe besteht das erfindungsgemäße Verfahren darin, geladene Teilchen auf die vorgeschriebene Oberfläche eines plattenförmigen, piezoelektrischen Materials zu schicken, um seine Dicke auf etwa 1 bis 30 Mikron zu verringern, wobei die nicht geätzten Umfangsbeieich ausgenommen sind, die so hergestellt sind, daß ihre Dicke wenigstens 2 Mikron größer ist als die der geätzten Bereiche. Die obere Oberfläche, die diesen nicht geätzten, dickeren Bereich einschließt, und die untere Oberfläche der piezoelektrischen Platte sind teilweise

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mit zwei Elektroden beschichtet, die am Rand des nicht geätzten, dickeren Umfangsbereiches mit äußeren Zuführungen verbunden sind. Der plattenförmige piezoelektrische Resonator, der in der oben beschriebenen Weise erfindungsgemäß aufgebaut ist, kann aufgrund dieses nicht geätzten, dickeren Bereiches am Umfang fest gehaltert werden, auch wenn sein Basisbereioh über das Maß hinaus geätzt,ist, welches als Grenzwert für das herkömmliche Läpp- oder Polierverfahren angesehen wird, so daß eine Resonanz mit einer hohen G-rundfrequenz, insbesondere mit einer Frequenz von mehr als 100 MHz, erreicht wird. Weiter ist der erfindungsgemäße piezoelektrische Resonator, der einen großen Q-Wert besitzt,besser für die Verwendung als Filter geeignet.

Im folgenden soll die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beigefügte Zeichnung näher erläutert werden.

Pig. 1 erläutert das Herstellungsverfahren für-einen piezoelektrischen Dickenresonator, gemäß einer Ausführungsform der Erfindung.

Pig. 2 zeigt eine Draufsicht auf einen piezoelektrischen Dickenresonator, der nach dem Verfahren dieser Ausführungsform hergestellt ist.

Pig. 3 zeigt einen Schnitt längs der Linie IH-III der Pig. in Pfeilrichtung gesehen;

Pig. 4 ist eine Draufsicht auf einen piezoelektrischen Dickenresonator, der nach einem Verfahren gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung hergestellt ist.

Pig. 5 zeigt einen Schnitt längs der Linie V-V der Pig. 4 in Pfeilrichtung gesehen.

Pig. 6 zeigt eine Draufsicht auf einen piezoelektrischen Dickenresonator, der nach dem Verfahren gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung hergestellt ist.

Pig. 7 ist ein Schnitt längs der Linie VII-VII der Pig. 6 in Pfeilrichtung gesehen.

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Pig. 8 zeigt schematisch perspektivisch den piezoelektrischen Dickenre3onator gemäß der Erfindung im eingebauten Zustand.

Es soll nun unter Bezugnahme auf Fig. 1 das Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen Dickenresonators gemäß einer Ausführungsform der Erfindung beschrieben werden. Zuerst werden die Eigenschaften eines plattenförmigen, piezoelektrischen Materials von 60 bis 80 Mikron Dicke untersucht, z.B. die Resonanzfrequenz, der Q-Wert oder die Ebenheit der Oberfläche, wie sie optisch zu beobachten ist. Dann wird diese piezoelektrische Platte in eine Ausnehmung aufgenommen, die in eine Halterungsplatte ausgebildet ist, die z.B. aus rostfreiem Stahl von hoher Wärmeleitfähigkeit hergestellt und wenig einer Zerstäubung ausgesetzt ist. Der Teil der Oberfläche der rostfreien Halterungsplatte, der sich bis zu dem oberen Umfangsrand der piezoelektrischen Platte, die in der Ausnehmung aufgenommen ist, erstreckt, ist z.B. mit Glimmer oder Tantal abgedeckt. Die piezoelektrische Platte wird in dem in die Ausnehmung aufgenommenen Zustand in einer Vakuumglocke gehaltert, wie in Pig. 1 gezeigt ist. Mit 2 ist dabei die Halterungsplatte aus rostfreiem Stahl bezeichnet, mit 3 die piezoelektrische Platte und mit 4 die Abdeckungsmaske. Diese Anordnung ist mit einem Hochfrequenz-Oszillator 5 verbunden. Vor dieser piezoelektrischen Platte 3 und der Maske 4 befinden sich Elektroden 6, die mit einer GIeichspannungsquelle verbunden sind, welche außerhalb der Vakuumglocke 1 vorgesehen ist. In der Nähe von einer dieser Elektroden 6 ist ein Glühfaden 8 angeordnet, um Glühelektronen zu erzeugen, und eine Stromquelle 50 dient zu seiner Versorgung. Weiter aind in der Hähe der einander gegenüberliegenden Außenwände der Vakuumglocke 1 Magnete 9 angeordnet. Die Luft- in der Vakuumglocke 1 wird durch die Öffnung 10 abgepumpt, und nachdem das Innere der Vakuumglocke 1 auf etwa 10 torr evakuiert ist, wird Argon oder ein Gasgemisch von Argon und Sauerstoff mit einem Gasdruck von etwa

10 ^J torr eingeleitet. Auf diese Weise wird eine HF-Zerstäubungsvorrichtung gebildet. Es ist weiter eine nicht gezeigte Wasser-

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kühlung vorgesehen, um einen Temperaturanstieg in der Halterungsplatte 2 zu verhindern, der durch das Zerstäuben der piezoelektrischen Platte 3 verursacht wird.

Es soll nun das Herstellungsverfahren für die piezoelektrische Platte unter Verwendung der HF-Zerstäubungsvorrichtung beschrieben werden.

Eine piezoelektrische Platte 3, die aus einer AT-geschnitt&nen Kristallplatte (temp_:eraturabhängiger Kristall) von 37 mm Durchmesser und 82 Mikron Dicke besteht, wird mit einer Maske 4 aus Glimmer oder Tantal bedeckt, die in der Mitte mit einer Öffnung von 5j5 mm im Durchmesser durchbohrt ist.

Wenn die Zerstäubungsvorrichtung vom 4-Pol-Typ ist, werden Argonkationen, die in dem Plasma zwischen den Elektroden 6 erzeugt werden, zu der Halterungsplatte 2 aus rostfreiem Stahl gezogen, während der Aus gangs ans c hl tiß des HP-Oszillators eine negative Spannung hat, und als geladene Teilchen auf die Kristallplatte 3 geschickt, die auf der Oberfläche der Halterungsplatte 2 angebracht ist. Im Falle der oben genannten AT-Kristallplatte 3 ätzt das Auftreffen, der Argonkationen die Kristalloberfläche mit einer Geschwindigkeit von etwa 3 Mikron in der Dicke pro Std., wenn 300 ¥ RF-Leistung und ein Anodenstrom von 3 Amp. verwendet wird. Das Ausmaß dieses Ätzens kann durch die Größe des zugeführten Anodenstroms und die Ausgangsleistung des HP-Oszillators gesteuert werden. Wenn ein Anodenstrom von 4 Amp. angewendet wird, wobei die anderen Bedingungen gegenüber dem vorhergehenden Fall unverändert sind, dann beträgt die Atzgeschwindigkeit für die Kristallplatte 3 etwa 4 Mikron in der Dicke pro Std.

Das Auftreffen der geladenen Teilchen des Argons bewirkt, daß die offen liegenden Abschnitte der Kristallplatte, die der zentralen öffnung der Maske 4 mit einem Durchmesser von 5,5 mm gegenüberliegen, in ihrer Dicke von den ursprünglichen 70 Mikron um 40 Mikron abnehmen, wenn das Auftreffen 10 Std. fortgesetzt

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wird, wie in Pig. 3 gezeigt ist. Die Dicke des zentralen geätzten Abschnitts 21 der Kristallplatte 3 ist dann auf 30 Mikron verringert. Fach dem Beenden des Ätzvorgangs wird die Kristallplatte 3 aus der Vakuumglocke 1 herausgenommen, und ihre oberen und unteren Oberflächen werden teilweise mit zwei Elektroden 11 beschichtet, die z.B. aus Aluminium hergestellt sind, wobei der geätzte Abschnitt 21 zwischen diesen angeordnet ist. Wie Fig. 3 zeigt, erstrecken sich diese Elektroden 11 bis zu dem Rand des nicht geätzten, dickeren Umfangsabschnitts der Kristallplatte 3, wo sie mit äußeren Zuführungen 23 verbunden sind. Die auf diese V/eise hergestellte Quarzplatte 3 besaß eine Resonanz mit einer Grundfrequenz von 43 MHz,und ein.Q-Wert von 9 500 wurde beobachtet.

Das Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen Dickenresonators besteht gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung, wie in Fig. 5 dargestellt ist, darin, sowohl die obere als auch die untere Oberfläche der Kristallplatte 3 einem Zerstäuben durch Ionen zu unterwerfen, um ihre Dicke zu verringern, wodurch ein mittlerer, dünner Bereich 21 gebildet wird. V/enn in diesem Pail das Auftreffen der geladenen Ionen auf die obere und untere Oberfläche der Kristallplatte 3 8 Std. fortgesetzt wurde, war die Dicke des zentralen, geätzten Bereichs 21 auf 16 Mikron verringert, wodurch die Grundfrequenz der Kristallplatte 3 auf 100 MHz erhöht werden konnte, und ein Q-Wert von 5000 wurde festgestellt.Andere Beispiele von nach dem obigen Verfahren hergestellten Resonatoren sind in der folgenden Tabelle zusammengestellt.

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Tabelle

Kristall schnitt	fr t Q	Eigenschaften	'(MHz) (μπΟ	Typ*	Ätzdauer (Std.)
AT	fr t Q	119,536 13,9 4500	(MHz) (μπι)	B	6(eine Oberfläche) 5(andere Oberfläche)
Y	fr t Q	81,755 23,3 8800	106,1887 (14Hz) 23,9 (μπι) 24000 I	B	5,5
BT		6,5

A bezeichnet den in Pig. 3 gezeigten Typ B bezeichnet den in Pig. 5 gezeigten Typ

fr: Resonanzfrequenz t: Dicke
Q: Q-V/ert

Der wesentliche Punkt des erfindungsgemäßen Verfahrens ist, daß ein piezoelektrischer Dickenresonator, z.B. eine Kristallplatte 3, in der Dicke in ihrem mittleren Abschnitt auf 1 bis 30 Mikron durch Zerstäuben verringert wird, wobei der nicht geätzte Umfangsbereich ausgenommen ist, der in der Dicke wenigstens 2 Mikron größer als der geätzte Bereich gemacht wird, wodurch es möglich wird, den piezoelektrischen Resonator als Ganzes sicherer an der vorgesehenen Stelle anzubringen.

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Eine weitere Ausführungsform der Erfindung betrifft den Pail, bei dem ein einziges piezoelektrisches Material Resonanzschwingungen mit zwei verschiedenen Frequenzen durchführen soll. In diesem Fall wird ein piezoelektrisches Material, z.B» eine Kristallplatte 3, an der oberen und unteren Oberfläche durch Zerstäuben an zwei Stellen geätzt, um geätzte Bereiche 31 und zu bilden, wie in Fig. 7 gezeigt ist. Das Ätzen der Oberflächen dieser Bereiche 31 und 32 wird durch Einstellen der Zeitdauer bewirkt, während der die geladenen Teilchen auf die obere und untere Oberfläche der Kristallplatte 3 auftreffen, so daß es möglich ist, die gewünschten verschiedenen Grundresonanzfrequenzen zu erhalten. Da in diesem Fall die geätzten Bereiche 31 und

32 durch nicht geätzte dickere Bereiche 33,34 und 35 umgeben sind, macht es keine Schwierigkeiten, die Kristallplatte 3 in der gewünschten Lage anzubringen. In der Ausführungsform der Fig. 6 und 7 sind die Elektroden 36 und 37 an beiden Seiten des geätzten Bereichs 31 angebracht und mit äußeren Zuführungen und 41 an den Oberflächen der nicht geätzten dickeren Bereiche

33 und 34 verbunden. Andererseits sind die Elektroden 38 und an den beiden Oberflächen des geätzten Bereiches 32 angebracht und mit äußeren Zuführungen 42 und 43 an den Oberflächen der nicht geätzten, dickeren Bereiche 34 und 35 verbunden.

Es ist ebenso möglich, eine einzige piezoelektrische Platte Resonanzschwingungen mit einer Vielzahl von Grundfrequenzen ausführen zu lassen, indem irgendwelche gewünschten Bereiche dieser piezoelektrischen Platte auf verschiedene Dicken geätzt werden.

Die vorhergehenden Ausführungsformen betrafen den Fall, wo die piezoelektrische Platte aus einem AT-Kristall (temperaturabhängiger Kristall) besteht. Jedoch auch wenn die piezoelektrische Platte aus X- und Y-Platten eines Kristalls, aus 163-gedrehtem Y-geschnittenem Lithiumniobat oder aus einer X-Platte von Lithiumtantalat hergestellt ist, kann das Ziel der Erfindung

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erreicht werden, vorausgesetzt, daß die piezoelektrische Platte in ihrem mittleren Bereich in der Dicke auf 1 bis 30 Mikron verringert wird, wobei den umgebenden, nicht geätzten, dickeren Bereichen eine Dicke von wenigstens 2 Mikron größer als die des geätzten Bereiches belassen wird. Weiter kann die für das' Ätzen erforderliche Ionenquelle nicht nur aus einer HF-Tetrodenzerstäubungsvorrichtung bestehen, sondern auch aus einer Diodenoder Trioden-Zerstäubungsvorrichtung, oder aus einem Ionenstrahlgenerator. Es ist ebenso möglich, das Ätzen durch Verdampfen des zu bearbeitenden Bereichs einer piezoelektrischen Platte zu bewirken, das durch Anwenden eines Elektronenstrahls verursacht wird. Wenn dieses genannte Ätzverfahren verwendet wird, kann die zu bearbeitende !Fläche und das Ausmaß des Ätzens auch durch ein Elektronenstrahl-Ablenksystem oder durch Modulation des Elektronenstrahls gesteuert werden.

Wenn ein piezoelektrischer Dickenresonator als Filter verwendet wird, ist es erforderlich, daß er einen hohen Q-Wert und ein großes Kapazitätsverhältnis besitzt. Da der erfindungsgemäße Resonator diese Forderungen erfüllt, arbeitet er besser als Filter als die bekannten Erzeugnisse, die auf den harmonischen Frequenzen beruhen. Ein piezoelektrischer Dickenresonator, der nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt ist, wird für die Verwendung als Filter in der in Fig. 8 gezeigten Weise angeordnet. Zwei Elektroden 11, die an der piezoelektrischen Platte 3 angebracht sind, werden an dem äußeren Ende durch Halterungsdrähte 44 und 45 ergriffen, die am äußeren Ende klemmenförmig ausgebildet sind. Das untere Ende der Halterungsdrähte 44 und ist an dem oberen Ende von Stiften 47 und 48 angebracht, die durch einen isolierenden Sockel 46 laufen. Dieser piezoelektrische Resonator kann auch gehaltert werden, indem sein nicht geätzter, dickerer Umfangsbereich mit einer getrennten, ebenen Platte verbunden wird. ·

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Claims

Patentansprüche

1. ) Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen Hochfrequenz-Diekenresonators, dadurch gekennzeichnet, daß ein plattenförmiges, piezoelektrisches Material von beliebiger Form in die Ausnehmung einer Halterungsplatte, die einem Zerstäuben wenig unterworfen ist, eingesetzt wird, daß die Oberfläche dieser Halterungsplatte mit Ausnahme eines. Teils der Oberfläche der piezoelektrischen Platte mit einer Maske bedeckt wird, daß geladene Teilchen auf den offen liegenden Bereich der piezoelektrischen Platte geschickt werden, um diese auf eine äußerst geringe Dicke von 1 bis 30 Mikron zu ätzen, und daß je eine Elektrode auf einen Teil der oberen Oberfläche, die den nicht geätzten, dickeren Bereich einschließt, und der unteren Oberfläche des piezoelektrischen Materials aufgebracht wird, wobei das äußere Ende dieser Elektroden sich bis zu dem Rand des nicht geätzten, dickeren Umfangsbereichs des piezoelektrischen Materials erstreckt, wo diese Elektroden mit äußeren Zuführungen verbunden werden.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Ätzen der Oberflächen des plattenförmigen piezoelektrischen Materials bis zu einem Ausmaß von wenigstens 2 Mikron durchgeführt wird, um die Dicke des geätzten Grundbereichs auf 1 bis 30 Mikron zu verringern.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß

das plattenförnige, piezoelektrische Material an der oberen und unteren Oberfläche an mehreren, geeignet voneinander entfernten Stellen geätzt wird, wodurch mehrere Grundbereiche gebildet werden, die auf eine Dicke von 1 bis 30 Mikron goi.itζt ,sind.

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4. Piezoelektrischer Hochfrequenz-Dickenresonator, der gemäß dem Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche hergestellt ist, gekennzeichnet durch einen plattenförmigen Grundbereich, der auf eine Dicke von 1 bis 30 Mikron geätzt ist, und durch einen nicht geätzten, am Umfangsrand dieses Grundbereichs um wenigstens 2 Mikron von diesem im wesentlichen senkrecht vorspringen, mit diesem Grundbereich aus einem Stück bestehenden Bereich, wobei die obere Oberfläche, die diesen nicht geätzten, senkrecht vorspringenden Bereich umfaßt, und die untere Oberfläche des Resonators teilweise mit plattenförmigen Elektroden bedeckt sind, deren äußere Ränder sich bis zu dem Umfang des Resonators erstrecken, wo diese Elektroden mit äußeren Zuführungen verbunden sind.

5. Piezoelektrischer Resonator nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die nicht geätzten, im wesentlichen senkrecht vorspringenden Bereiche, die wenigstens 2 Mikron decker als die auf eine -Dicke von 1 bis 30 Mikron geätzten Grundbereiche sind, an den Umfangsrandern sowohl der oberen als auch der unteren Oberfläche des Grundbereichs ausgebildet sind.

6. Piezoelektrischer Resonator nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß in einem Stück in einem geeigneten Abstand mehrere nicht geätzte, im wesentlichen senkrecht vorspringende Bereiche, die wenigstens 2 Mikron dicker als der auf eine Dicke von 1 bis 30 Mikron geatzte Grandbereich sind, an der oberen und unteren Oberfläche dieses Grundbereichs ausgebildet sind, wobei zumindest der äußerste dieser vorspringenden Bereiche an dem Umfangsrand des Grundbereichs vorgesehen ist.

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