DE2239425A1 - Verfahren zur behandlung von nioboberflaechen fuer wechselstromanwendungen - Google Patents
Verfahren zur behandlung von nioboberflaechen fuer wechselstromanwendungenInfo
- Publication number
- DE2239425A1 DE2239425A1 DE2239425A DE2239425A DE2239425A1 DE 2239425 A1 DE2239425 A1 DE 2239425A1 DE 2239425 A DE2239425 A DE 2239425A DE 2239425 A DE2239425 A DE 2239425A DE 2239425 A1 DE2239425 A1 DE 2239425A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- niobium
- layer
- pentoxide
- resonator
- pentoxide layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 34
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 34
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 29
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 claims description 18
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims description 13
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 101100324525 Rattus norvegicus Asrgl1 gene Proteins 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 54
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 6
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100117236 Drosophila melanogaster speck gene Proteins 0.000 description 1
- NGWKGSCSHDHHAJ-YPFQVHCOSA-N Liquoric acid Chemical compound C1C[C@H](O)C(C)(C)C2CC[C@@]3(C)[C@]4(C)C[C@H]5O[C@@H]([C@](C6)(C)C(O)=O)C[C@@]5(C)[C@@H]6C4=CC(=O)C3[C@]21C NGWKGSCSHDHHAJ-YPFQVHCOSA-N 0.000 description 1
- NGWKGSCSHDHHAJ-UHFFFAOYSA-N Liquoric acid Natural products C1CC(O)C(C)(C)C2CCC3(C)C4(C)CC5OC(C(C6)(C)C(O)=O)CC5(C)C6C4=CC(=O)C3C21C NGWKGSCSHDHHAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002471 indium Chemical class 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229940072033 potash Drugs 0.000 description 1
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Substances [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000015320 potassium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000009210 therapy by ultrasound Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H7/00—Details of devices of the types covered by groups H05H9/00, H05H11/00, H05H13/00
- H05H7/14—Vacuum chambers
- H05H7/18—Cavities; Resonators
- H05H7/20—Cavities; Resonators with superconductive walls
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G1/00—Cleaning or pickling metallic material with solutions or molten salts
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/26—Anodisation of refractory metals or alloys based thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/06—Cavity resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Electrochemical Coating By Surface Reaction (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Electrolytic Production Of Metals (AREA)
Description
SIEMENS AKTIENGESELISCHAPT Erlangen, 9. August 1972
Berlin und München ' Werner-von-Siemens-Str.50
223942S
YPA 72/7551 Kb/Dm
Verfahren zur Behandlung von Moboberflächen für Wechselstromanwendungen
■ ■
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Behandlung von Niob-· Oberflächen für Wechselstromanwendungen, insbesondere von Oberflächen
von Niobresonatoren, bei welchem durch anodische Oxidation in einem Niobpentoxid praktisch nicht angreifenden,
flußsäurefreien Elektrolyten auf der Nioboberfläche eine Niobpentoxidschicht
erzeugt wird.
Niob ist bekanntlich als Supraleiter für Wechselstromanwendungen
hervorragend geeignet. Beispielsweise können Niobhohlkörper als supraleitende Hochfrequenzresonatoren oder Separatoren für
Teilchenbeschleuniger Anwendung finden. Ferner eignet sich Niob, beispielsweise in Rohr- oder Drahtform, auch als Supraleiter
für supraleitende Wechselstrom- bzw. Drehstromkabel. Pur die Anwendung von Niob als Wechselstromsupraleiter ist der physickalis
ehe Zustand der Nioboberfläche von entscheidender Bedeutung,
da elektromagnetische Wellenfelder bzw. Wechselströme nur etwa 300 bis 400 2. tief in den Supraleiter eindringen. Eine beispielsweise
durch Rauhigkeiten oder Verunreinigungen gestörte Oberfläche· kann die Eigenschaften des Supraleiters erheblich beeinträchtigen,
insbesondere zu erhöhten Wechselstromverlusten in der Oberfläche führen.
Die Supraleitungseigenschaften von zur Pührung von Wechselstrom
bestimmten Nioboberflächen, insbesondere von supraleitenden Niobhohlraumresonatoren, können erheblich dadurch verbessert
werden, daß durch anodische Oxidation in einem flußsäurefreien, aus einer Ammoniaklösung bestehenden Elektrolyten auf der dem
Resonatorhohlraum zugewandten, den Wechselstrom führenden Nioboberfläche eine Niobpentoxidschicht erzeugt wird
(»Physics letters» 34 A (1971), Seiten 439-440). Durch die
409808/10 10
- 2 - VPA 72/7551
223942b
Niobpentoxidschicht, die größenordnungsmäßig etwa 0,1 μπι
stark ist, konnte bei Niobhohlraumresonatoren eine erhebliche Steigerung der Güte Q und des unter Einv/irkung von
ac Wechselfeidern gemessenen kritischen Magnetfeldes H-
erreicht werden, ohne "daß das sonst übliche, sehr aufwendige
Entgasungsglühen des Resonators im Ultrahochvakuum bei
Temperaturen von etwa 20000C (vgl. z.3. "Journal of Applied
Physics" 39 (1968), Seiten 4417-4427, "Applied Physics Letters" 13 (1968), Seiten 390-391, "Applied Physics Letters» 16 (1970),
Seiten 333-335) erforderlich, war.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine weitere Möglichkeit zur Erzielung
guter Oberflächeneigenschaften von Niob für die Anwendung als Wechselstromsupraleiter anzugeben, ohne daß ein
Entgasungsglühen des Mobs im Ultrahochvakuum erforderlich ist.
Zur Lösung dieser Aufgabe wird erfindungsgemäß die zunächst auf der Nioboberfläche erzeugte Niobpentoxidschicht chemisch wieder
abgelöst.
Die Erfindung beruht auf der überraschenden Peststellung, daß eine
zunächst durch anodische Oxidation in einem Niobpentoxid praktisch nicht angreifenden, flußsäurefreien Elektrolyten mit einer
Niobpentoxidschiciit versehene Nioboberfläche auch nach dem
chemischen Ablösen der Niobpentoxidschicht weiterhin hervorragende Supraleitungseigenschaften aufweist. Anscheinend
v/erden beim anodischen Oxidieren vorteilhafte Veränderungen in einer Oberflächenschicht des Mobs hervorgerufen, deren
Dicke etwa der Eindringtiefe von Wechselströmen, also etwa
300 bis 400 $., entspricht, und es verbleiben diese vorteilhaften
Veränderungen auch nach dem Ablösen der Niobpentoxidschicht. Der Grund für diese Veränderungen konnte bisher
noch nicht vollständig wissenschaftlich geklärt werden, jedoch besteht eine gewisse Wahrscheinlichkeit, daß diese Veränderungen
auf der Eindiffusion geringer Mengen von Sauerstoff in eine dünne, unterhalb der Niobpentoxidschicht liegende Oberflächenschicht
des Niobs beruhen.
-3-409808/ 10 10
- 3 - VPA 72/7551
?erner hat es sich gezeigt, daß die liioboberflache nach dem
Ablösen der Uiobpentoxidschicht wesentlich unempfindlicher
gegen die an sich schädlichen, die Oberflächeneigenschaften verschlechternden Einwirkungen von Luft ist als eine Uioboberfläche,
die nicht anodisch oxidiert wurde«,
Das erfindungsgemäße Verfahren, bei dem in einem ersten
Schritt in einem flußsäurefreien Elektrolyten eine mit wachsender Oxidationsdauer stetig stärker werdende Mobpent
oxid schicht erzeugt und in einem zweiten Schritt wieder
chemisch abgelöst wird, unterscheidet sich grundsätzlich von dem Elektropolierverfähren für Uiob, das in "Physics Letters"·
57 A (1971), Seiten 139-140 und in der deutschen Offenlegungsschrift
2 027 156 beschrieben ist. Bei diesem Elektropolierverfähren wird das zu polierende Uiobteil in einem Elektrolyten
aus 86 bis 93 Gew.$ H2SO., 1,5 bis 4 Gew.# HP und
5,5 bis 10 Gew.$ HpO mit einer Temperatur zwischen 15 und 50 C
als Anode eingebracht. Anschließend wird zwischen der Anode und der ebenfalls in den Elektrolyten eintauchenden Kathode
eine konstante elektrische Spannung zwischen 9 und 15 Volt derart eingestellt, daß dem Elektrolytstrom überlagerte
Stromschwingungen auftreten. Die Stromschwingungen werden
durch den Aufbau und den unmittelbar darauffolgenden teilweisen Zerfall einer Uioboxidschicht verursacht. Im Laufe einiger Minuten
steigt die mittlere Stärke der Niob oxidschicht an und '·
führt zum Abklingen der Stromschwingungen. Danach wird die elektrische Spannung solange abgeschaltet, bis sich die Uioboxidschicht
im flußsäurehaltigen Elektrolyten aufgelöst hat. Anschließend wird die konstante Spannung erneut eingeschaltet
und die Folge von Zuständen mit eingeschalteter und abgeschalteter Spannung·noch mehrfach durchlaufen. Dieses bekannte Verfahren eignet sich hervorragend zur Abtragung von Uiobschichten
mit einer Stärke von etwa 100 μπι und mehr unter gleichzeitiger·
Erzeugung spiegelblanker Oberflächen. Es führt jedoch für sich allein nicht zu den mit dem erfindungsgemäßen Ver- ■
fahren erzielbaren guten Supraleitungseigenschaften. Dies zeigt
-4-409808/10 10
-4- VPA 72/7551
sich insbesondere darin, daß die Supraleitungseigenschaften von Moboberflächen, die mit dem bekannten Verfahren elektropoliert
wurden, durch das erfindungsgemäße Verfahren noch erheblich verbessert werden können.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist insbesondere dann vorteilhaft
anwendbar·, wenn auf der zu behandelnden Moboberfläche keine Mobpentoxidschicht verbleiben soll. Dies kann beispielsweise
dann der Pail sein, wenn die Moboberfläche, beispielsweise im Resonator eines Teilchenbeschleunigers, hohen Dosen
ionisierender Strahlung, beispielsweise Elektronenstrahlung, ausgesetzt ist, die Schäden in der Mobpentoxidschicht hervorrufen
kann, oder wenn sich die an sich geringen dielektrischen Verluste in der Mobpentoxidschicht bei bestimmten Anwendungen
störend auswirken.
Als besonders vorteilhaft hat es sich erwiesen, wenn das Erzeugen der Mobpentoxidschicht durch anodische Oxidation
und das chemische Ablösen der erzeugten Schicht mehrfach wiederholt wird. Die bei der ersten anodischen Oxidation
erzeugte Mobpentoxidschicht weist nämlich gelegentlich gewisse Ungleichmäßigkeiten auf, welche dazu führen können, daß die
Ablösung der Oxidschicht an verschiedenen Stellen der Moboberfläche verschieden lang dauert. Dies kann die Eigenschaften der
liioboberfläche beeinträchtigen. Da bei mehrfacher anodischer
Oxidation und anschließendem Auflösen der Oxidschicht die später erzeugten Mobpentoxidschichten sehr gleichmäßig sind,
wird durch die mehrfache Wiederholung der anodischen Oxidation und der chemischen Auflösung der erwähnte nachteilige Einfluß
vermieden.
Um einen Ätzangriff auf die Moboberfläche und damit deren Aufrauhung
zu vermeiden, wird die Mobpentoxidschicht vorzugsweise mittels einer Mobpentoxid stark, Mob dagegen höchstens schwach
angreifenden flüssigkeit abgelöst. Als besonders geeignet für eine rasche, vollständige und gleichmäßige Auflösung der Mobpentoxidschicht
hat sich KLußsäure, vor allem etwa 20 bis 50
409808/ 10 10
- 5 - VPA 72/7551
Fluß säure, d.h.. eine Lösung von 20 Ms 50 Gew. $>
HP, Rest HpO, erwiesen. Zu bevorzugen ist insbesondere 40 bis 50 folge
Flußsäure. Je geringer die Konzentration der Flußsäure ist, desto schwächer wird nämlich die Mobpentoxidauflösung,
während das Niob stärker angegriffen wird, solange die Konzentration der Flußsäure nicht auf sehr geringe Werte,
insbesondere unter 10 j£, absinkt. Mit 40 bis 50 $iger Flußsäure
einer Temperatur von 220C kann beispielsweise pro Stunde
eine etwa 10 bis 15 μια starke Mobpentoxidschicht aufgelöst
werden, während in der gleichen Zeit von einer reinen Moboberfläche nur eine einige 10 μια starke Mobs chi cht abgetragen
wird.
Zur Erzeugung einer weitgehend homogenen, gleichmäßig aufwachsenden
Mobpentoxidschicht bei der anodischen Oxidation eignet sich insbesondere eine wäßrige Ammoniaklösung, vorzugsweise
mit 5 bis. 30 Gew.^ Ammoniak. Als besonders vorteilhaft hat sich eine Ammoniaklösung mit etwa 25 Gew.$ Ammoniak erwiesen.
Jedoch kann auch eine andere Ammoniakkonzentration vorteilhaft sein, wenn beispielsweise eine Erhöhung der
elektrischen Leitfähigkeit des Elektrolytbades erwünscht ist. Bei geringerer Konzentration als 25 Gew.$ steigt nämlich die
Leitfähigkeit des Bades zunächst etwa um den Faktor 2 bis 3 an, um dann mit weiter sinkender Konzentration wieder abzunehmen.
Ferner ist es besonders vorteilhaft, wenn während des Ablösens der Mobpentoxidschicht in einem aus der Ablösungsflüssigkeit
bestehenden Bad dieses Bad mit Ultraschall beaufschlagt wird. Insbesondere beim wiederholten Herstellen und Ablösen verhältnismäßig
dicker Mobpentoxidschichten mit einer Dicke von etwa 0,25 μπι können nämlich Oberflächenstörungen auf dem Mob
verbleiben, die sich als graue oder braune Flecken bemerkbar machen. Durch eine Beschallung des Ablösungsbades mit Ultraschall
können solche Störungen sicher vermieden werden, insbesondere wenn nach dem Auflösen der Mobpentoxidschicht in einem mit
Ultraschall beaufschlagten Flußsäurebad die Moboberfläche
409808/10 10
in einem mit Ultraschall beaufschlagten Bad aus einer Wasserstoff
peroxidlösung gespült wird, die wenigstens 2 Gew.$ Wasserstoffperoxid, vorzugsweise aber zwischen 5 und 30 Gew.#
HpOp» Rest Wasser, enthalten sollte.
Weiterhin bringt es auch Vorteile, die anodische Oxidation in einem mit Ultraschall beaufschlagten Elektrolytbad vorzunehmen,
insbesondere wenn die zu oxidierende Nioboberfläche nicht ganz chemisch rein ist. Die Ultraschallschwingungen
wirken sich dabei vorzugsweise bei der ersten Oxidation oxidationsfordernd aus, indem sie einmal insbesondere in Verbindung
mit einem Ammoniakbad eine Reinigungsfunktion erfüllen
und zum anderen zur Entfernung eines Belags von Gasblasen aus molekularem Sauerstoff dienen, der sich an einer verunreinigten
Nioboberfläche leicht bildet und die*Einwirkung des während der Oxidation jeweils.neugebildeten atomaren
Sauerstoffs auf die Uioboberflache behindert.
Ferner empfiehlt es sich,, die gesamte beim Ablösen der
pentoxidschicht in die Ablösungsflüssigkeit eintauchende Oberfläche des zu behandelnden Mobteiles vorher anodisch zu oxidieren.
Dadurch kann ein unterschiedlicher Angriff der Ablösungsflüssigkeit
auf oxidierte und oxidfreie Oberflächentei'le vermieden v/erden.
Anhand von Beispielen soll die Erfindung noch näher erläutert
werden:
Ein kreiszylinderf örmiger 2Eq-. ..-Feldtyp-Hohlraumresonator für
eine Frequenz von 9>5 GHz wurde aus zwei Teilen, nämlich einem topff örsiigen Unterteil mit einem Innendurchmesser und einer
Innenhöhe von jeweils 41 mm und einem scheibenförmigen Deckel,
aufgebaut. Unterteil und Deckel werden in Betriebszustand durch eine ringförmige Indiumdichtung vakuumdicht gegeneinander
abgedichtet. Diese Indiumdichtung ist in einer Hut an der dem Deckel zugekehrten Stirnseite des topfförmigen Unterteiles
-7-A09808/1010
angeordnet. Zur Einkopplung der Mikrowellenenergie sind im
Deckel zwei Koppellöcher mit einem Durchmesser von jeweils 1,5 mm vorgesehen. An der Deckelaußenseite schließen sich
an diese Koppellöcher kaminförmige Portsätze zur Einkopplung
der Mikrowellenenergie an. Eines der Koppellöcher dient auch zum Evakuieren des Resonatorinnenraumes.
Unterteil und Deckel des Resonators wurden aus elektronenstrahlgeschmolzenem
Niobvollmaterial gedreht, das bereits große Kristallkörner aufwies. Die Oberflächenrauhtiefe nach dem
Drehen betrug etwa 1 μ. Nach dem Drehen wurden Unterteil und Deckel nach dem in der deutschen Offenlegungsschrift 2 027
beschriebenen Verfahren elektropoliert, wobei eine etwa 150 μΐη
starke Oberflächenschicht an der dem Resonatorhohlraum zugewandten Innenseite des topfförmigen Unterteils und des Deckels
abgetragen wurde. Nach Spülen mit destilliertem Y/asser wurde der Resonator an Laborluft zusammengebaut, evakuiert und abgekühlt.
Um zu vermeiden, daß aus den Koppellöchern Schmutzteilchen in den Resonatorinnenraum fallen, wurde der Resonator
so angeordnet, dajB die Koppelleitungen von unten her in den
Resonatorhohlraum münden, wie dies bereits in der deutschen Patentanmeldung Aktz. P 21 64 529·4 vorgeschlagen ist. Nach
einer Svakuierungszeit von etwa 15 Stunden mittels einer
Turbomolekularpumpe wurde bei einer Temperatur von etwa 1,5 K
eine unbelastete Güte Q von etwa 2,8·10 bei einem kritischen
Magnetfeld E1T von etwa 46 mT gemessen. Als kritisches Magnetfeld
wird dabei dasjenige Magnetfeld an der Resonatoroberfläche bezeichnet, bei dessen Überschreiten Q innerhalb von wenigen
Uikr0Sekunden um mehrere Größenordnungen abnimmt.
Durch anodisches Oxidieren der Innenfläche des Resönatorhohlraumes
in einer 25 /aigen Ammoniaklösung gelang es, die Güte Q
auf 2,7·1010 und das kritische Magnetfeld Ha0 auf etwa 77 mT
zu steigern. Im Laufe weiterer Untersuchungen, bei denen der_ Resonator starken Beanspruchungen unterzogen wurde* indem er'
mehrfach auf Raumtemperatur aufgewärmt und wieder auf tiefe
Λ098 0 8 / 10 1 0
BAO ORIGINAL
- 8 - VPA 72/7551
Temperatur abgekühlt wurde, eine Oberflächenkontamination durch, ein verbrennendes Staubkorn erlitt und schließlich noch
mehrere Monate lang unter schlechtem Vakuum gelagert wurde, sanken die Güte Q auf etwa 7*10* und das kritische Magnetfeld
Hac auf etwa 54 mT ab.
Nach der Messung, die diese Werte ergeben hatte, wurde der Resonator auf. Raumtemperatur erwärmt und zerlegt.
Von der Innenseite des topfförmigen Unterteils wurde dann
zunächst die noch vorhandene Niobpentoxidschicht mittels 40 ^iger Flußsäure abgelöst. Bann wurde durch anodische Oxidation
eine neue Niobpentoxidschicht erzeugt und anschließend wieder chemisch abgelöst. Das anodische Oxidieren und das anschließende
chemische Ablösen wurde noch zweimal wiederholt. Abschließend wurde nochmals anodisch oxidiert, so daß sich im Endzustand
auf der Innenseite des topfförmigen Resonatorunterteils eine Niobpentoxidschicht befand.
Zum anödischen Oxidieren wurde der Resonatorunterteil jeweils selbst als Gefäß für das Oxidationsbad verwendet und bis zum
Rande mit einer wäßrigen Ammoniaklösung mit 25 Gew.$ Ammoniak gefüllt. Auf diese Weise wird verhindert, daß die Stirnfläche
des Unterteils, an der sich die Nut für die Indiumdichtung befindet, mit einer Oxidschicht bedeckt wird, die den galvanischen
Kontakt zum Deckel behindert. Zur Sicherheit wurde die Nut zusätzlich durch einen aufgeklemmten Kunststoffring abgedeckt,
der gleichzeitig ein Überlaufen des Ammoniakbades beim Einfüllen in das Resonatorunterteil verhindert. Das mit der
Ammoniaklösung gefüllte Unterteil wurde dann mit dem Pluspol einer Spannungsquelle verbunden. Als Kathode wurde in das Bad
ein Niobrohr mit etwa 20 mm Außendurchmesser etwa 30 mm tief
koaxial zur Zylinderachse des Resonatorunterteils eingetaucht. Die Badtemperatur betrug etwa 200C. Während der anodischen
Oxidation wurde die elektrische Spannung zwischen Anode und Kathode in Stufen von je 10 Volt von 10 auf 100 Volt erhöht.
Bei Beginn jeder Stufe betrug die anodische Stromdichte etwa 3 mA/cm . Zur nächsten Stufe wurde umgeschaltet, wenn die
409808/1010
anodische Stromdichte auf etwa 1,5 mA/cm abgesunken war.
Nach einer Gesamtzeit von etwa 4. Minuten wurde die anodische
Oxidation beendet. Die erzeugte Mobpentoxidschicht hatte eine Dicke von etwa 0,28 μη. In dieser Weise wurden alle anodischen
Oxidationen durchgeführt.
Zum Auflösen der Mobpentoxidschicht wurde jeweils in das
Resonatorunterteil gegebenenfalls nach Entleeren des Ammoniaks 40 $ige Flußsäure mit einer Temperatur von etwa 20 G eingefüllt
und dort solange belassen, bis die Hiobpentoxidschicht, die
zunächst die Farbe Grün in 3.Ordnung zeigte, optisch nicht
mehr sichtbar war. Dies dauerte etwa drei Minuten. Zur Sicherheit wurde die Flußsäure noch weitere 1,5 Minuten inuResonatorunterteil
belassen.
Nach dem Oxidieren und dem Ablösen der Oxidschicht wurde jeweils
mit'destilliertem Wasser gespült.
Der Resonatordeckel, der in diesem speziellen Falle noch einer Entgasungsglühung im Ultrahochvakuum bei einer Temperatur von
etwa 20000C unterzogen worden war,' wurde in entsprechender
Weise behandelt. Da er jedoch als Gefäß für ein Bad selbst nicht geeignet ist, wurde er zur anodischen Oxidation'in einen
mit der Ammoniaklösung gefüllten Behälter so eingetaucht, daß die Deckelinnenfläche senkrecht stand. Erforderlichenfalls kann
dabei .die Auflagefläche für die Indiumringdichtung mit einem Kunststoffrihg abgedeckt werden. Als Verbindungsdraht zum Pluspol
der Stromquelle wurde ein Mobdraht verwendet. Als Kathode wurden beidseitig des Resonatordeckels je eine Uiobscheibe in
das Bad eingebracht, um nicht nur eine Oxidation der Deckelinnenseite sondern auch der Deckelaußenseite und der Koppellöcher
zu ermöglichen.
Zur Auflösung der Niobρentoxidschicht wurde der Resonatordeckel
jeweils etwa 6 Minuten lang in ein mit 40 $iger Flußsäure
gefülltes Gefäß eingetaucht.
409808/1010
Im Unterschied zum Resonatorunterteil wurde der Deckel nicht
in einem abschließenden Verfahrensschritt oxidiert. Er wurde vielmehr nach den Ablösen der letzten Oxidschicht ohne Oxidschicht
belassen. ' -
Nach Abschluß der erwähnten Behandlung wurden Resonatorunterteil
und Deckel nit destilliertem 7/asser und Aceton gespült, zusammengesetzt und nach Einbau in einen Kryostaten evakuiert
und abgekühlt. Nach einer Evakuierungszeit von etv/a 15 Stunden
wurde bei einer Temperatur von etwa 1,5 K eine unbelastete Güte Q von etv/a 2,4'10 und ein kritisches -Magnetfeld H^c
O C
von etwa 120 mT gemessen. Aufgrund der Beldverteilung im
Resonatorinnenraum ergibt sich daraus, daß das kritische Magnetfeld
an der Innenseite des Resonatordeckels, dessen zunächst vorhandene ITiobpentoxidschicht abgelöst worden war, wenigstens
80 mT betrug.
Auch nach mehrfachem Erwärmen des Resonators auf Raumtemperatur und erneutem Abkühlen auf 1,5 K und sogar nach einer 8 Tage
langen Lagerung des Resonators an offener Luft blieben diese hervorragenden Werte für Q und H praktisch unverändert.
Da von der Innenseite des Resonatordeckels die zunächst aufgebrachte Niobpentoxidschicht abgelöst war, zeigt dies deutlich,
daß die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren behandelten Nioboberflächen
nach dem Ablösen der Oxidschicht weitgehend unempfindlich gegen Luft sind.
liach der erwähnten achttägigen Lagerung an Luft wurden Resonatorunterteil
und Resonatordeckel in der bereits erläuterten Art 3- bzw. 4-mal anodisch oxidiert und anschließend die Oxidschicht
jeweils chemisch abgelöst. Abschließend wurde durch anodische Oxidation auf den Innenseiten des Resonatorunterteils
und des Resonatordeckels eine etv/a 0,28 μΐη starke ITiobpentoxidschicht
erzeugt. Nach einiger Zeit wurde diese Hiobpentoxidschicht wieder mit 40 ^iger Flußsäure abgelöst. Anschließend
wurden die Resonatorteile vor dem Zusammenbau zwei Stunden lang an Luft stehengelassen. Nach dem Zusammenbau zeigte der nun
409808/1010
- 11 - VPA 72/7551
oxidschichtfreie Resonator eine'unbelastete Güte Q von
etwa 2,7'1010 und ein kritisches Magnetfeld H^c von
etwa 100 mS; Auch diese sehr guten Werte zeigen wieder, daß
durch das erfindungsgemäße Verfahren hervorragende Oberflächeneigenschaften
des Niobs zu erzielen sind.
In weiteren Versuchen wurde die Resonatorinnenseite erneut mehrfach unter jeweils anschließender chemischer Ablösung
der Oxidschicht anodisch oxidiert. Dabei wurde zum Ablösen der Oxidschicht gelegentlich auch 50 $ige Flußsäure verwendet,
welche die etwa 0,28 μΐη starke Oxidschicht schon in etwa 1 Minute
ohne sichtbare Spuren auflöste. Mit zunehmender Zahl dieser anodischen Oxidationen machten sich-jedoch störende braune
und braungraue Beläge auf der' Resonatorinnenfläche bemerkbar, die schließlich zu einem Absinken des kritischen Magnetfeldes
Hac auf etwa 52 mT führten. Die Bedingungen für die Auflösung
c .
der Niobpentoxidschicht wurden daher geändert.
Eine Verhinderung der braunen bzw. braungrauen Beläge bzw. eine Auflösung noch schwacher, bereits gebildeter Beläge
gelang dadurch, daß das zur Auflösung der Eiobpentoxidschicht
dienende Flußsäurebad mit Ultraschall beschallt und anschließend noch die-Nioboberflache unter Ultraschall in einer
Wasserstoffperoxidlösung gespült wurde. Zur Ultraschallbehandlung bringt man beispielsweise das mit Plußsäure gefüllte
Resonatorunterteil bzw. das mit Plußsäure gefüllte Gefäß,
in welchem sich der Resonatordeckel befindet, in eine Wanne, an deren Boden Ultraschallschwinger angebracht sind. In der
Wanne befindet sich eine Flüssigkeit, beispielsweise Wasser, die den Ultraschall auf die Plußsäure bzw. die Resonatorteile
überträgt. Ss wurde eine handelsübliche Ultraschallbadwanne
mit einer Ultraschallfrequenz von 50 kHz verwendet. Die Ultraschalleistung, bezogen auf das gesamte in der Y/anne befindliche
Plüssigkeitsvolumen von etwa 2 Litern, betrug 100 Watt. Bei der Bearbeitung größerer Mobteile sind natürlich
-12-409808/1010
- 12 - VPA 72/7551
höhere Ultraschalleistungen erforderlich. Auf die Ultraschallfrequenz
kommt es nicht entscheidend an, beispielsweise sind auch handelsübliche Ultraschallbadwannen mit einer
Ultraschallfrequenz von 20 kHz geeignet.
liach einer Reinigung der Resonatorinnenflächen im Plußsäurebad
unter Ultraschall gelang es durch 2- bis 4-maliges anodisches
Oxidieren mit nachfolgender chemischer Ablösung der Uiobpentoxidschicht unter Ultraschall und abschließender
Erzeugung einer üiobpentoxidschicht die kritische Feldstärke Hac des Resonators wieder auf 97 ml zu erhöhen. Die
c 10
unbelastete Güte Q betrug dabei etwa 2,5*10 . Nach einem
Tag wurde die Niobpentoxidschicht mittels Flußsäure unter Ultraschall abgelöst. Im Anschluß daran betrug die kritische
Feldstärke H^c des Resonators ohne Uioboxidschient etwa
95 ml, blieb also praktisch unverändert.
Im einzelnen wurde zur Auflösung des ÜTiobpentoxids unter
Ultraschall 50 $igeFlußsäure verwendet, welche die 0xi4~
schicht jeweils in wenigen Minuten auflöste. Im Anschluß an die Oxidauflösung wurden die Resonatorteile (ohne Zwischenspülung
mit destilliertem Wasser) mit einer 6,5 #igen (Gew.5^) wäßrigen
Wasserstoffperoxidlösung gefüllt bzw. in diese Lösung eingetaucht und etwa 3 Sekunden lang unter Ultraschall dieser
Lösung ausgesetzt. Anschließend wurde mit Wasser gespült. Die anodische Oxidation wurde wiederum mit 25 zeiger Ammoniaklösung
vorgenommen. Jedoch wurde diesmal eine konstante Anodenstromdichte von 3 mA/cm eingestellt und solange oxidiert,
bis die elektrische Spannung über der erzeugten Niobpentoxidschicht
etv/a 100 Volt und die Schichtdicke etwa 0,28 μΐη betrug.
Während der ersten der verschiedenen aufeinanderfolgenden
Oxidationsschritte wurde auch das zur Oxidation dienende 21ektrolytbad in entsprechender Weise wie das Flußsäurebad
mit Ultraschall beaufschlagt. Jede einzelne Oxidation dauerte
wiederum etv/a 4 Minuten. !Nach dem oxidieren wurde jeweils
mit destilliertem Wasser gespült.
-13-409808/1010
Vfeitere Untersuchungen zeigten, daß die Oxidationszeiten durch
Erhöhung der anodischen Stromdichte ohne nachteilige Auswirkungen noch weiter verkürzt werden können. Beispielsweise
dauert die Entstehung einer etwa 0,28 μια starken ITi oTd ρ ent oxidschicht
unter den bereits erwähnten Bedingungen bei einer anodischen Stromdichte von etwa 40 mA/cm nur etwa TO Sekunden.
Während die anbdische Stromdichte ohne Nachteile auch darüber
hinaus noch weiter erhöht werden kann, sollte jedoch darauf geachtet werden, daß sie nicht v/eniger als etv/a 1,5 mA/cm
beträgt. Unterhalb dieser Stromdichte bildet sich nämlich auf der Uioboberfläche häufig ein feiner, nur schwer zu entfernender
Belag aus. Bevorzugt sollte mit einer anodischen Stromdichte von wenigstens 3 mA/cm gearbeitet werden. Beim Arbeiten
mit nicht konstanter Anodenstromdichte kann der-Wert von
1,5 mA/cm auch vorübergehend unterschritten werden, wenn die Anodenstromdichte während der restlichen Zeit entsprechend
höher liegt.
Die Spülung der Moboberfläche in der Wasserstoffperoxidlösung
soll einerseits ausreichend lange dauern, um auch letzte Oxidspuren von der Oberfläche zu entfernen, andererseits aber
möglichst kurz gehalten werden, um eine ätzende Einwirkung der beim Spülen in die Wasserstoffperoxidlösung gelangenden
und dort verdünnten Flußsäurereste auf die Moboberfläche
zu vermeiden. Je nach der Konzentration der Wasserstoffperoxidlösung haben sich Spülzeiten von etwa 1 bis 20 Sekunden als
vorteilhaft erwiesen. Mit zunehmender Wasserstoffperoxidkonzentration sollte dabei die Spülzeit verringert werden.
Zur Auflösung des Niobpentoxids sind außer Flußsäure an sich.
auch noch andere Flüssigkeiten, beispielsweise eine Mischung aus Fluß- und Schwefelsäure, insbesondere aus 20 Vol.$
50 folge? Flußsäure und 80 Vol.jS 95- bis 97 $iger Schwefelsäure
geeignet. Häufig entstehen jedoch bei der Verwendung einer solchen Mischung auch bei der zusätzlichen Anwendung von
Ultraschall schwache Beläge auf der Moboberflache. Auch heiße
409808/1010
-H- VPA 72/7551
Kalilauge kann man beispielsweise zur Auflösung von Hiobpentoxid verwenden, hier besteht jedoch die Gefahr, daß
sich beim anschließenden anodischen Oxidieren unerwünschte
Störungen in Form von Belägen ergeben. Plußsäure, insbesondere mit 40 bis 50 Gew.$ HP, Rest Wasser, ist somit zu
bevorzugen.
Zur anodischen Oxidation des Niobs sind außer der vorzugsweise
verv/endeten Ammoniaklösung auch noch andere Elektrolyte, wie beispielsweise Schwefelsäure, geeignet.
Wie insbesondere die Ausführungsbeispiele erkennen lassen,
eignet sich das erfindungsgemäße Verfahren nicht nur zur selbständigen Behandlung und Verbesserung von Nioboberflächen,
sondern beispielsweise auch zur Regeneration bereits vorbehandelter, insbesondere bereits anodisch oxidierter
Nioboberflachen. Has erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht
dabei in einfacher Weise eine Wiederherstellung ursprünglich vorhandener guter Oberflächeneigenschaften, indem
beispielsweise eine· kontaminierte Oberflächenschicht abgetragen wird, ohne daß selbst glatteste Oberflächen in ihrer mechanischen
Qualität verschlechtert werden. Da die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erzeugten und anschließend chemisch
aufgelösten IJi obpent oxid schicht en zudem sehr dünn sind, wird auch die Maßhaltigkeit der behandelten Niobteile, auf die es
gerade bei Hohlraumresonatoren oft entscheidend ankommt, praktisch nicht beeinträchtigt.
Außer zur Behandlung der dem Resonatorhohlraum zugekehrten
Innenflächen von ITiobhohlraumresonatoren eignet sich das
erfindungsgemäße Verfahren beispielsweise auch zur Behandlung
der äußeren Oberflächen von Resonatorwendeln oder auch für die Oberflächenbehandlung von liiobleitern für supraleitende
Wechsel- und Drehstromkabel.
13 Patentansprüche
0 Piguren
0 Piguren
40 980-8/1010
Claims (13)
1. Verfahren zur Behandlung von Nioboberflächen für Y/echselstroinanwendungen,
insbesondere von Oberflächen von ITiobresonatoren,
bei welchem durch anodische Oxidation in einem Mobpentoxid praktisch nicht angreifenden, flußsäurefreien
31ektrolyten auf der Hi ob oberfläche eine Uiobpentoxidschicht
erzeugt wird, dadurch gekennzeichnet, daß die erzeugte Uiobpentoxidschicht chemisch wieder abgelöst wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Erzeugen der Niobpentoxidschicht durch anodische Oxidation
und das chemische Ablösen der erzeugten Schicht mehrfach wiederholt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
die Uiobpentoxidschicht mittels* einer Uiobpentoxid stark,
Niob dagegen höchstens schwach angreifenden Flüssigkeit abgelöst wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die
Niobpentoxidschicht mittels etwa 20 bis 50 #iger Flußsäure
abgelöst wird.
5· Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet,, daß die
STiobpentoxidschicht mittels etwa 40 bis 50 $iger Flußsäure
abgelöst wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet,
daß in e.iner wäßrigen, vorzugsweise 5 bis 30 #igen,
Ammoniaklösung anodisch oxidiert wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß in
einer etwa 25 folgen wäßrigen Ammoniaklösung anodisch oxidiert
wird.
409808/10 10
- 16 - YPA 72/7551
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet,
daß während des Ablösens der Niobpentoxidschicht
die Ablösungsflüssigkeit mit Ultraschall beaufschlagt wird.
9. Verfahren nach den Ansprüchen 4 oder 5 und 8, dadurch gekennzeichnet,
daß nach dem Ablösen der Niobpentoxidschicht mittels Plußsäure die Nioboberfläche in einem mit Ultraschall
beaufschlagten Bad aus einer Wasserstoffperoxidlösimg gespült wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß in einer wenigstens 2 #igen, vorzugsweise etwa 5 bis 30 9&igen,
Wasserstoffperoxidlösung gespült wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, .dadurch gekennzeichnet,
daß mit einer Anodenstromdichte von wenigstens 1,5 mA/cm anodisch oxidiert wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet,
daß in einem mit Ultraschall beaufschlagten Elektrolytbad anodisch oxidiert wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet,
daß die gesamte beim Ablösen der Niobpentoxidschicht in die Ablösungsflüssigkeit eintauchende Oberfläche
des zu behandelnden Niobteils vorher anodisch oxidiert wird.
409808/1010
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2239425A DE2239425C3 (de) | 1972-08-10 | 1972-08-10 | Verfahren zur elektrolytischen Behandlung von Nioboberflächen für Wechselstromanwendungen |
CH1006673A CH577037A5 (de) | 1972-08-10 | 1973-07-10 | |
US386423A US3902975A (en) | 1972-08-10 | 1973-08-07 | Method for treating niobium surfaces used in AC circuit applications |
SE7310871A SE402133B (sv) | 1972-08-10 | 1973-08-08 | Sett att behandla niobytor for vexelstromstillempningar, serskilt ytor hos niobresonatorer |
GB3766873A GB1405730A (en) | 1972-08-10 | 1973-08-08 | Method of treating niobium surfaces to improve their super conductive properties |
NL7311022A NL7311022A (de) | 1972-08-10 | 1973-08-09 | |
CA178,395A CA1018473A (en) | 1972-08-10 | 1973-08-09 | Method for treating niobium surfaces used in ac circuit applications |
FR7329211A FR2328053A1 (fr) | 1972-08-10 | 1973-08-09 | Procede pour le traitement de surfaces de niobium pour des utilisations en courant alternatif |
JP9047273A JPS5722993B2 (de) | 1972-08-10 | 1973-08-10 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2239425A DE2239425C3 (de) | 1972-08-10 | 1972-08-10 | Verfahren zur elektrolytischen Behandlung von Nioboberflächen für Wechselstromanwendungen |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2239425A1 true DE2239425A1 (de) | 1974-02-21 |
DE2239425B2 DE2239425B2 (de) | 1977-09-01 |
DE2239425C3 DE2239425C3 (de) | 1978-04-20 |
Family
ID=5853260
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2239425A Expired DE2239425C3 (de) | 1972-08-10 | 1972-08-10 | Verfahren zur elektrolytischen Behandlung von Nioboberflächen für Wechselstromanwendungen |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3902975A (de) |
JP (1) | JPS5722993B2 (de) |
CA (1) | CA1018473A (de) |
CH (1) | CH577037A5 (de) |
DE (1) | DE2239425C3 (de) |
FR (1) | FR2328053A1 (de) |
GB (1) | GB1405730A (de) |
NL (1) | NL7311022A (de) |
SE (1) | SE402133B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0010382A2 (de) * | 1978-10-16 | 1980-04-30 | Marston Palmer Ltd. | Verwendung von behandeltem Niob oder Tantal für einen elektrischen Steckverbinder, ein solcher Steckverbinder und ein kathodisches Schutzsystem, das einen solchen Stecker verwendet |
FR2601968A1 (fr) * | 1986-07-25 | 1988-01-29 | Interox Sa | Bains decapants et procede pour eliminer un revetement comprenant du niobium sur un substrat. |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2608089C3 (de) * | 1976-02-27 | 1979-03-15 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Herstellen einer supraleitfähigen Nb3 Sn-Schicht auf einer Nioboberfläche für Hochfrequenzanwendungen |
DE2635741C2 (de) * | 1976-08-09 | 1978-10-19 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Herstellen einer supraleitfähigen Nb3 Sn-Schicht auf einer Nioboberfläche für Hochfrequenzanwendungen |
US4514254A (en) * | 1983-09-26 | 1985-04-30 | International Business Machines Corporation | Groundplane post-etch anodization |
IT1311147B1 (it) * | 1999-11-04 | 2002-03-04 | Edk Res Ag | Macchina per pulizia localizzata con cella, elettrolitica e/o adultrasuoni, di decapaggio e/o lucidatura |
DE10035949A1 (de) * | 2000-07-21 | 2002-02-07 | Knn Systemtechnik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen elektromagnetischer Felder hoher Feldstärke und Feldstärkehomogenität |
JP4947384B2 (ja) * | 2008-08-07 | 2012-06-06 | 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 | 超伝導高周波加速空洞の製造方法 |
CN103276433B (zh) * | 2013-04-10 | 2015-10-14 | 西南交通大学 | 一种纯金属铌片着全色的方法 |
US11202362B1 (en) | 2018-02-15 | 2021-12-14 | Christopher Mark Rey | Superconducting resonant frequency cavities, related components, and fabrication methods thereof |
US11464102B2 (en) | 2018-10-06 | 2022-10-04 | Fermi Research Alliance, Llc | Methods and systems for treatment of superconducting materials to improve low field performance |
US11266005B2 (en) | 2019-02-07 | 2022-03-01 | Fermi Research Alliance, Llc | Methods for treating superconducting cavities |
US11920253B2 (en) * | 2021-05-17 | 2024-03-05 | Jefferson Science Associates, Llc | Methods of controllable interstitial oxygen doping in niobium |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2744860A (en) * | 1951-11-13 | 1956-05-08 | Robert H Rines | Electroplating method |
DE2106628C3 (de) * | 1971-02-12 | 1974-02-14 | Siemens Ag, 1000 Berlin U. 8000 Muenchen | Verfahren zur Oberflächenbehandlung von supraleitenden Niob-Hohlraumresonatoren |
-
1972
- 1972-08-10 DE DE2239425A patent/DE2239425C3/de not_active Expired
-
1973
- 1973-07-10 CH CH1006673A patent/CH577037A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1973-08-07 US US386423A patent/US3902975A/en not_active Expired - Lifetime
- 1973-08-08 GB GB3766873A patent/GB1405730A/en not_active Expired
- 1973-08-08 SE SE7310871A patent/SE402133B/xx unknown
- 1973-08-09 FR FR7329211A patent/FR2328053A1/fr active Granted
- 1973-08-09 CA CA178,395A patent/CA1018473A/en not_active Expired
- 1973-08-09 NL NL7311022A patent/NL7311022A/xx not_active Application Discontinuation
- 1973-08-10 JP JP9047273A patent/JPS5722993B2/ja not_active Expired
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0010382A2 (de) * | 1978-10-16 | 1980-04-30 | Marston Palmer Ltd. | Verwendung von behandeltem Niob oder Tantal für einen elektrischen Steckverbinder, ein solcher Steckverbinder und ein kathodisches Schutzsystem, das einen solchen Stecker verwendet |
EP0010382A3 (en) * | 1978-10-16 | 1980-05-14 | Imi Marston Limited | Use of treated niobium or tantalum as a connector, such a connector and a cathodic protection system using such a connector |
FR2601968A1 (fr) * | 1986-07-25 | 1988-01-29 | Interox Sa | Bains decapants et procede pour eliminer un revetement comprenant du niobium sur un substrat. |
EP0257671A1 (de) * | 1986-07-25 | 1988-03-02 | Solvay | Verfahren zum Entfernen einer Niob enthaltenden Beschichtung von einem Substrat |
US4950359A (en) * | 1986-07-25 | 1990-08-21 | Solvay & Cie (Societe Anonyme) | Process for removing a coating containing niobium from a substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE402133B (sv) | 1978-06-19 |
DE2239425B2 (de) | 1977-09-01 |
FR2328053A1 (fr) | 1977-05-13 |
JPS5722993B2 (de) | 1982-05-15 |
FR2328053B1 (de) | 1978-07-07 |
CH577037A5 (de) | 1976-06-30 |
DE2239425C3 (de) | 1978-04-20 |
JPS4986230A (de) | 1974-08-19 |
US3902975A (en) | 1975-09-02 |
GB1405730A (en) | 1975-09-10 |
NL7311022A (de) | 1974-02-12 |
CA1018473A (en) | 1977-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2239425C3 (de) | Verfahren zur elektrolytischen Behandlung von Nioboberflächen für Wechselstromanwendungen | |
DE2327764B2 (de) | Wäßriges Bad zur elektrolytischen Körnung von Aluminium | |
DE2913802C2 (de) | Emitter für Feldemission von Elektronen oder Ionen und Verfahren zum Herstellen eines solchen Emitters | |
DE2106628C3 (de) | Verfahren zur Oberflächenbehandlung von supraleitenden Niob-Hohlraumresonatoren | |
DE69517700T2 (de) | Schärfungsverfahren für emissionstellen durch oxydation bei niedriger temperatur | |
DE2545046A1 (de) | Eloxierverfahren | |
DE69224948T2 (de) | Schutzbeschichtungen für Metallteile, die bei hohen Temperaturen verwendet werden | |
DE3780117T2 (de) | Verfahren zur reinigung von aluminium-oberflaechen. | |
DE2500541A1 (de) | Elektrolyt zum aufbringen von anodischen sperrueberzuegen | |
DE4033355C2 (de) | Verfahren zum elektrolytischen Ätzen von Siliziumcarbid | |
DE2027156A1 (de) | Verfahren zum elektrolytischen Polieren von Niobteilen | |
DE2201015C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Bleidioxydelektrode | |
DE2609549C3 (de) | Verfahren zum anodischen Polieren von Oberflächen aus intermetallischen Niobverbindungen und Nioblegierungen | |
DD112145B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur erzeugung von wischfesten haftbelaegen auf metallfolien, insbesondere auf kupferfolien | |
DE112019002046T5 (de) | Anodische Oxidationseinrichtung, anodisches Oxidationsverfahren und Verfahren zum Herstellen der Kathode der anodischen Oxidationseinrichtung | |
DE2608089A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer supraleitfaehigen nb tief 3 sn-schicht auf einer nioboberflaeche fuer hochfrequenzanwendungen | |
DE3127161A1 (de) | Verfahren zum herstellen einer elektrodenfolie fuer insbesondere niedervolt-elektrolytkondensatoren | |
DE2428867A1 (de) | Verfahren zur behandlung von supraleitfaehigen nb tief 3 sn-oberflaechen | |
DE1131481B (de) | Aluminiumoxyd- oder Berylliumoxydfolie als Fenster fuer den Durchtritt von Strahlung und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE10305270B4 (de) | Verfahren zum Entfernen einer vernetzten Epoxidharz-Struktur | |
DE2105816B2 (de) | Verfahren zur kathodischen Entfernung von Eisenverunreinigungen eines Nitrierungssalzbades | |
DE1240360B (de) | Verfahren zur Verbesserung durch anodische Oxydation auf Aluminiumelektroden erzeugter Oxydschichten | |
DE1122635B (de) | Verfahren zur galvanoplastischen Herstellung von Kontaktierungen auf Halbleiterkoerpern | |
AT223298B (de) | Verfahren zur Herstellung von Kondensatoren | |
EP3904561A1 (de) | Verfahren zur herstellung von mikro- und nanostrukturen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |