DE2106628C3 - Verfahren zur Oberflächenbehandlung von supraleitenden Niob-Hohlraumresonatoren - Google Patents
Verfahren zur Oberflächenbehandlung von supraleitenden Niob-HohlraumresonatorenInfo
- Publication number
- DE2106628C3 DE2106628C3 DE2106628A DE2106628A DE2106628C3 DE 2106628 C3 DE2106628 C3 DE 2106628C3 DE 2106628 A DE2106628 A DE 2106628A DE 2106628 A DE2106628 A DE 2106628A DE 2106628 C3 DE2106628 C3 DE 2106628C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- niobium
- superconducting
- magnetic field
- resonators
- cavity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H7/00—Details of devices of the types covered by groups H05H9/00, H05H11/00, H05H13/00
- H05H7/14—Vacuum chambers
- H05H7/18—Cavities; Resonators
- H05H7/20—Cavities; Resonators with superconductive walls
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
- C25D11/02—Anodisation
- C25D11/26—Anodisation of refractory metals or alloys based thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/06—Cavity resonators
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
Description
3 4
Pie Erfindung beruht auf der überraschenden Fest- Als besonders geeignet, um festhaftende, gleicli-
stellung, daß es zur Erhöhung der Güte bzw. des mäßig ausgebildete, zusammenhängende und dichte
kritischen Magnetfeldes von Niob-Hohlraumresona- Nioboxidschichten zu erzielen, hat sich eine wäßrige
toren entgegen der bisherigen Auffassung keineswegs Ammoniaklösung mit 20 bis 30 Gewichtsprozent
unbedingt erforderlich ist, die Nioboberfläche mög- 5 Ammoniak erwiesen.
liehst blank und frei von allen äußeren Einflüssen zu Um einen möglichst sauberen und ebenen Aushalten,
sondern daß sich eine solche Erhöhung auch gangszustand der zu oxydierenden Niobobcfläche zu
durch gezieltes Aufbringen einer Nioboxidschicht erreichen, kann die Nioboberfiäche vorteilhaft vor
mittels anodischer Oxydation erreichen läßt. Dies der anodischen Oxydation einer Vorbehandlung zur
war nicht zu erwarten, da sich beispielsweise eine an io Verbesserung der Oberflächenbeschaffenheit unternormaler
Luft bei Raumtemperatur unvermeidliche worfen werden. Als eine solche Vorbehandlung kom-Oxydation
der Nioboberfläche im Gegensatz zu der men insbesondere elektrolytisches oder chemisches
anodischen Oxydation äußerst nachteilig auswirkt. Polieren in Frage. Um ein Kornwachstum zu erzielen,
Das erfindungsgemäße Verfahren hat neben seiner kann auch eine Rekristallisationsglühung als Voreinfachen
Durchführbarkeit den weiteren Vorteil, daß 15 behandlung vorteilhaft sein. Es kann ferner zweckdie
anodisch oxydierten Niobteile ohne wesentliche mäßig sein, zwischen dieser Vorbehandlung und der
Verschlechterung ihrer Eigenschaften an normale anodischen Oxydation eine Berührung der Niob-Laborluft
gebrüht werden können. Durch die ano- oberfläche mit Luft zu vermeiden,
dische Oxydation wird also offenbar neben einer Er- Ferner hat es sich als vorteilhaft erwiesen, die höhung der Güte bzw. des kritischen Magnetfeldes ao anodische Oxydation in zwei Stufen derart durchzuauch eine weitgehende Konservierung einmal er- führen, daß die Nioboberfläche zunächst anodisch reichter guter Eigenschaften erzielt. Die Handhabung voroxydiert, dann die dabei entstandene Nioboxidder Hohlraumresonatoren und insbesondere der Zu- schicht chemisch abgelöst und anschließend durch sammenbau von Beschleunigern wird dadurch wesent- erneute anodische Oxydation an der Nioboberfläche lieh vereinfacht. Ferner sind Anzeichen dafür vor- as eine Nioboxidschicht erzeugt wird,
handen, daß sich die anodisch erzeugte Nioboxid- An Hand von Beispielen soll die Erfindung noch schicht auch günstig im Sinne einer Verhinderung von näher erläutert werden.
Feldemission a 'swirkt, die insbesondere bei hohen
dische Oxydation wird also offenbar neben einer Er- Ferner hat es sich als vorteilhaft erwiesen, die höhung der Güte bzw. des kritischen Magnetfeldes ao anodische Oxydation in zwei Stufen derart durchzuauch eine weitgehende Konservierung einmal er- führen, daß die Nioboberfläche zunächst anodisch reichter guter Eigenschaften erzielt. Die Handhabung voroxydiert, dann die dabei entstandene Nioboxidder Hohlraumresonatoren und insbesondere der Zu- schicht chemisch abgelöst und anschließend durch sammenbau von Beschleunigern wird dadurch wesent- erneute anodische Oxydation an der Nioboberfläche lieh vereinfacht. Ferner sind Anzeichen dafür vor- as eine Nioboxidschicht erzeugt wird,
handen, daß sich die anodisch erzeugte Nioboxid- An Hand von Beispielen soll die Erfindung noch schicht auch günstig im Sinne einer Verhinderung von näher erläutert werden.
Feldemission a 'swirkt, die insbesondere bei hohen
Feldern zu erheblichen zusätzlichen Verlusten und B e i s ρ i e 1 1
damit zu einer starken Beeint, ichtigung der Güte 30
führen kann. Ein kreiszylinderförmiger TEon-Feldtyp-Hohlraum-
Die anodisch erzeugten Nio&oxidschichten sind resonator für eine Frequenz von 9,5 GHz wurde aus
nicht supraleitend und bestehen im allgemeinen aus zwei Teilen, nämlich einem topfförmigen Unterteil
Niobpentoxid (NbaOs), können aber gegebenenfalls mit einem Innendurchmesser und einer Innenhöhe
auch noch Bestandteile des bei der anodischen Oxy- 35 von jeweils 41 mm und einem scheibenförmigen
dation verwendeten Elektrolyten enthalten. In der Deckel, aufgebaut. Unterteil und Deckel werden im
Regel sind die Nioboxidschichten amorph. Betriebszustand durch eine ringförmige Indiumdich-
Obwohl es im allgemeinen vorteilhaft erscheint, die tung vakuumdicht gegeneinander abgedichtet. Diese
gesamte den Resonatorhohlraum begrenzende Niob- Indiumdichtung ist in einer Nut an der dem Deckel
Oberfläche anodisch zu oxydieren, kann es in manchen 40 zugekehrten Stirnseite des topfförmigen Unterteiles
Fällen, beispielsweise bei speziellen Feldtypen, wie angeordnet. Zur Einkopplung der Mikrowellen-TM-Feldtypen,
oder wenn eine Oxydation der ge- energie sind im Deckel zwei Koppellöcher mit einem
samten Nioboberfläche technisch nicht durchführbar Durchmesser von 1,5 mm vorgesehen. Eine dieser
ist, günstig sein, nur bestimmte Bereiche der Niob- Koppellöcher dient auch zum Evakuieren des Resonaoberfläche
zu oxydieren oder solche Bereiche mit 45 torinnenraumes.
dickeren Nioboxidschichten zu versehen als andere Unterteil und Deckel des Resonators wurden aus
Bereiche. Insbesondere kommen dabei diejenigen elektronenstrahlgeschmolzenem Niobvollmaterial, das
Bereiche in Frage, in denen die höchsten elektrischen bereits große Kristallkörner aufwies, gedreht. Die
oder magnetischen Feldstärken herrschen, oder Be- Oberflächenrauhtiefe nach dem Drehen betrug etwa
reiche, die aus Fertigungsgründen ungünstige mecha- 50 1 μ. Nach dem Drehen wurden Unterteil und Deckel
nische Eigenschaften, beispielsweise Oberflächenspan- in einem Bad aus 60 Volumprozent konzentrierter
nungen oder Oberflächenrauhigkeiten, aufweisen. Salpetersäure und 40 Volumprozent 4O°/oiger Fluß-
Wie Versuche gezeigt haben, wirken sich insbeson- säure mit einer Badtemperatur von etwa 20° C etwa
dere Nioboxidschichten mit einer Dicke von mehr als 5 Minuten lang chemisch poliert. Dabei wurde von
0,01 μ vorteilhaft aus. Besonders große Erhöhungen 55 der Nioboberfläche eine etwa 50 μ starke Schicht ab-
der Güte und des kritischen Magnetfeldes wurden mit getragen.
Dicker als 10 μ sollte die durch anodische Oxyda- wurde der Resonator an Laborluft zusammengesetzt,
tion erzeugte Nioboxidschicht nicht sein. Einerseits in einen geeigneten Kryostaten eingebaut, evakuiert
lassen sich dickere Schichten in dichter und gleich- 60 und abgekühlt. Nach einer Evakuierungszeit von etwa
mäßig glatter Form durch anodische Oxydation nur 15 Stunden mittels einer Turbomolekularpumpe wurde
sehr schwer herstellen, und andererseits sind von bei einer Temperatur von etwa 1,5 K eine unbelastete
dickeren Schichten auch keine weiteren Verbesse- Güte Q0 von etwa 6 · 10* bei einem kritischen Magnetrungen zu erwarten. feld Ht von etwa 22 mT gemessen. Als kritisches
sehen als auch in sauren Bädern durchgeführt werden. der Resonatoroberfläche bezeichnet, bei dessen Über-
lösuna verwendet werden. um mehrere Größenordnungen absinkt.
Der gleiche Resonator wurde dann nach Erwärmen auf Raumtemperatur und Zerlegen einer unodischen
Oxydation unterzogen. Dabei wurde der topfförmige Resonatorunterteil selbst als Gefäß für das Oxydationsbad
verwendet. Unmittelbar vor der anodischen Oxydation wurde das Unterteil nochmals in dem bereits
erwähnten Bad aus Salpeter- und Flußsäure etwa 20 Sekunden lang chemisch poliert, wobei eine etwa
3 μ starke Niobschicht abgetragen wurde. Anschließend wurde das Unterteil zur anodischen Oxydation
bis zum Rand mit einer wäßrigen Ammoniaklösung mit 25 Gewichtsprozent Ammoniak gefüllt. Dabei
wurde darauf geachtet, daß die Ammoniaklösung die Stirnfläche des Unterteiles, an der sich die Nut für
die Indiumdichtung befindet, nicht benetzt, so daß an dieser Stirnfläche keine Oxydation erfolgt. Das mit
der Ammoniaklösung gefüllte Unterteil wurde mit dem Pluspol einer Konstantstromquelle verbunden.
Als Kathode wurde in das Bad ein Niobrohr mit etwa 20 mm Außendurchmesser efwa 30 mm tief
koaxial zur Zylinderachse des Resonatorunterteiles eingetaucht. Die Badtemperatur betrug 25° C.
Die anodische Oxydation erfolgte in zwei Stufen, nämlich einer Voroxydations- und einer Hauptoxydationsstufe.
Zur Voroxydation wurde zunächst mit einer Stromdichte von 3 mA je cm2 der Innenfläche
des Resonatorunterteiles so lange oxydiert, bis eine Endspannung zwischen Anode und Kathode von
2ü Volt erreicht war. Die dabei entstandene dünne Nioboxidschicht wurde nach Entleeren des Resonator-Unterteiles
mit 40°/0iger Flußsäure abgelöst.
Anschließend wurde zur Hauptoxydation das Resonatorunterteil
wieder mit der Ammoniaklösung gefüllt und nach Eintauchen der Kathode und Anschluß
der Konstantstromquelle wiederum mit einer Stromdichte von 3 mA/cm2 etwa 10 Minuten lang bis zum
Erreithen einer Endspannung von 100 Volt anodisch
oxydiert. Die Dicke der dadurch erzeugten Nioboxidschicht betrug etwa 0,4 μ.
Der Resonatordeckel wurde in gleicher Weise behandelt. Da er jedoch als Gefäß für das Bad selbst
nicht geeignet ist, wurde er zur anodischen Oxydation in einen mit der Ammoniaklösung gefüllten Behälter
aus geeignetem Kunststoff, wie Polypropylen, in waagerechter Lage eingetaucht. Die Auflagefläche für
die Indiumringdichtung wurde zur Vermeidung einer Oxydation an dieser Stelle abgedeckt. Als Verbindüngsleitung
zum Pluspol der Konstantstromquelle wurde ein Niobdraht verwendet. Als Kathode diente
wiederum das Niobrohr, das über der Mitte Jes Resonatordeckels in das Bad eingetaucht wurde.
Nach der anodischen Oxydation wurden Resonatorunterteil und -deckel mit destilliertem Wasser und
Aceton gespült, zusammengesetzt und nach Einbau in einen geeigneten Kryostaten evakuiert und abgekühlt.
Nach einer Evakuierungszeit von etwa 15 Stunden wurde bei einer Temperatur von etwa 1,5 K eine unbelastete
Güte Q0 von etwa 1,1 · 1010 bei einem kritischen
Magnetfeld Hc von etwa 33 mT gemessen. Gegenüber dem nicht oxydierten Zustand war somit
Q0 etwa um den Faktor 2 und He etwa um den Faktor
1,5 erhöht. Die Güte Q0 von etwa 1,1 · 1010 bei
etwa 1,5 K entspricht einer auf den Oberflächenrestwiderstand allein bezogenen Güte Qoret von etwa
2 · 10'°.
Ein weiterer kreiszylinderförmiger TEon-Feldtyp-Hohlraumresonator
für eine Frequenz von 9,5GHz mit gleichem Aufbau und gleichen Abmessungen wie
der im Beispiel I beschriebene Resonator wurde nüch
dem chemischen Polie/en in dem Salpetersäure-Flußsäure-Bad
zur Entgasung etwa 15 Stunden lang bei einer Temperatur von etwa 20000C unter Hochvakuum
mit einem Restgasdruck von weniger als 10-eTorr geglüht. Nach dieser Glühung blieb der
Resonator, da er zunächst nicht weiter benötigt wurde, mehrere Monate lang an Laborluft stehen. Im Anschluß
daran wurde der Resonator nochmals in dem Salpetersäure-Flußsäure-Bad chemisch poliert, wobei
in mehreren Polierschritten eine etwa 50 μ dicke Niobschicht abgelöst wurde. Nach Waschen mit
destilliertem Wasser und Aceton wurde der Resonator zusammengesetzt und unte. Jen gleichen Bedingungen
ao wie im Beispiel 1 vermessen. Bei einem kritischen
Magnetfeld H" von etwa 35 mT wurde eine unbelastete Güte Q0 von etwa 5 · 109 erreicht.
Der Resonator wurde dann zerlegt und gemäß Beispiel 1 nach nochmaligem chemischem Polieren
anodisch oxydiert. An dem anodisch oxydierten Resonator wurde unter den gleichen Bedingungen wie
im Beispiel 1 eine unbelastete Güte Q0 von etwa 8 · 10* bei einem kritischen Magnetfeld HJ von etwa
52 mT erreicht. Durch die anodische Oxydation wurden somit das kritische Magnetfeld //"/ um den
Faktor 1,5 und die Güte Qn um den Faktor 1,6 erhöht.
Der Vorgang der anodischen Oxydation kann gegenüber den Ausführungsbeispielen weitgehend abgewandelt
werden. Beispielsweise kann mit konstanter Spannung statt mit konstantem Strom gearbeitet
werden, indem man beispielsweise die Spannung stufenweise in Stufen von je 20 Volt von 20 auf 100 Volt
erhöht und jeweils zur nächsthöheren Stufe umschaltet,
" wenn der Strom auf 25°/„ des Ausgangswertes abgefallen
ist. Ferner kann bei der erwähnten 25°/oigen
Ammoniaklösung ohne wesentliche Nachteile auch sofort eine konstante Spannung von 100 Volt angelegt
werden.
Die Voroxydation, nach welcher die entstandene Nioboxidschicht wieder abgelöst wird, hat sich zwar
als vorteilhaft zur Erzeugung eines chemisch definierten Ausgangszustandes der Nioboberfläche erwiesen,
kann aber gegebenenfalls auch entfallen.
Wie die Ausführungsbeispiele zeigen, bietet das erfindungsgemäße
Verfahren die Möglichkeit, bei Niob-Hohlraumresonatoren die unbelastete Güte Q0 im
Temperaturbereich von 1,5 K, in dem lieh der Oberflächenrestwiderstand
des Niobs entscheidend bemerkbar macht, um den Faktor 1,6 und darüber und das kritische Magnetfeld Hc im gleichen Temperaturbereich
etwa um den Faktor 1,5 zu erhöhen. Diese Verbesserungen der Resonatoreigenschaften sind keineswegs
auf TE-Feldtyp-Hohlraumresonatoren beschränkt,
sondern können auch bei Hohlraumresonatoren von anderem Feldtyp, beispielsweise bei TM-Feldtyp-hohlraumresonatoren
erreicht werden. Eine weitere Erhöhung der Absolutwerte von Q0 und Hf
läßt sich erreichen, wenn man zwischen der Vorbehandlung, beispielsweise dem chemischen Polieren,
und der anodischen Oxydation eine Berührung der Nioboberfläche mit Luft vermeidet.
Claims (8)
1. Verfahren zur Oberflächenbehandlung von raumresonatoren von besonderem Interesse, da es
supraleitenden Niob-Hohlraumresonatoren, da- 5 unter den für Wechselstromanwendungen in Frage
durch gekennzeichnet, daß die den kommenden Supraleitermaterialien das höchste untere
Resonatorhohlraum begrenzende Nioboberfläche kritische Magnetfeld Hn von etwa 17OmT besitzt,
wenigstens teilweise durch anodische Oxydation Dieses in magnetischen Gleichfeldern gemessene
mit einer Nioboxidschicht versehen wird. kritische Magnetfeld Hn konnte jedoch bei Wechsel-
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn- io Stromanwendungen bislang nicht erreicht werden,
zeichnet, daß eine Nioboxidschicht mit einer Dicke Vielmehr liegen die bei Niob-Hohlraumresonatoren
•von etwa 0,01 bis 10 μ erzeugt wird. unter Einwirkung von Wechselfeldern gemessenen
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekenn- kritischen Magnetfelder Hf erheblich unterhalb von
zeichnet, daß eine Nioboxidschicht mit einer Dicke Hn. Auch dieser Effekt ist auf Oberflächenstörungen
von etwa 0,1 bis 1 μ erzeugt wird. 15 des Niobs zurückzuführen.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, Um durch die Herabsetzung des Oberflächenwiderdadurch
gekennzeichnet, daß die anodische Oxyda- Standes eine hohe Güte der Niob-Hohlraumresonation
in einer wäßrigen Ammoniaklösung durch- toren zu erreichen und das kritische Magnetfeld H"
geführt wird. zu erhöhen, war man bisher bestrebt, durch ent-
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekenn- ao sprechende Oberflächenbehandlungen möglichst glatte
zeichnet, daß eine wäßrige Ammoniaklösung mit und von Verunreinigungen freie Nioboberflächen zu
20 bis 30 Gewichtsprozent Ammoniak verwendet schaffen. Zu diesem Zweck wurden chemische Polierwird,
verfahren und Glühverfahren verwendet. Durch
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, letztere soll neben einer Reinigung der Nioboberfläche
dadurch gekennzeichnet, daß vor der anodischen as durch Entgasen auch ein Kornwachstum des Niobs
Oxydation die Nioboberfläche einer Vorbehand- erreicht werden, um die Zahl der Korngrenzen an der
lung zur Verbesserung der Oberflächenbeschaffen- Nioboberfläche herabzusetzen (Journal of Applied
heit unterworfen wird. Physics, 39 [1968], S. 4417 bis 4427).
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekenn- Diesen bekannten Verfahren haften jedoch verzeichnet,
daß zwischen Vorbehandlung und ano- 30 schiedene Nachteile an. Die Entgasungsglühung bedischer
Oxydation eine Berührung der Niobober- freit zwar das Niob von unerwünschten gasförmigen
fläche mit Luft vermieden wird. Verunreinigungen, insbesondere von unerwünschtem
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, Sauerstoff, kann aber gleichzeitig eine Verschlechterung
dadurch gekennzeichnet, daß die Nioboberfläche der Oberfläche durch Herauswachsen von Spitzen bezunächst
anodisch voroxydiert, dann die dabei ent- 35 wirken. Man hat daher bereits auch abwechselnd Entstandene
Nioboxidschicht chemisch abgelöst und gasungs- und chemische Polierbehandlungen durchanschließend
durch erneute anodische Oxydation geführt. Außerdem war man bestrebt, die entgasten
an der Nioboberfläche eine Nioboxidschicht er- bzw. polierten Oberflächen vor erneuter Verunreinizeugt
wird. gung dadurch zu schützen, daß man sie nicht mehr an
40 Luft brachte, sondern den Zusammenbau der Resona-
toren unter Schutzgas ausführte (Applied Physics
Letters, 13 [1968], S. 390 und 391; Applied Physics Letters, 16 [1970], S. 333 bis 335). Ein derartiges Vor-
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Ober- gehen bedarf jedoch aufwendiger Maßnahmen, wie
flächenbehandlung von supraleitenden Niob-Hohl- 45 Arbeiten im Handschuhkasten u. dgl., die sich insbe-
raumresonatoren. sondere beim Bau größerer Geräte technisch kaum
Bei supraleitenden Hohlraumresonatoren, die ins- durchführen lassen. Ferner ist die Entgasungsglühung
besondere für Teilchenbeschleuniger geeignet sind, der fertigen Resonatorbauteile, die sich über viele
wird 4ie Supraleitfähigkeit einer Oberflächenschicht Stunden erstreckt, zeitraubend und erfordert, da sie
aus Supraleitermaterial ausgenutzt. Da die Eindring- 50 bei Temperaturen von etwa 20000C im Ultrahochtiefe der durch die Mikrowellenfelder in den Wänden vakuum durchgeführt werden muß, aufwendige Vorder
Hohlraumresonatoren hervorgerufenen Wechsel- richtungen, insbesondere, wenn die zu behandelnden
itröme in das Supraleitermaterial nur sehr gering ist, Teile größere Abmessungen haben. Außerdem bringt
ist die Beschaffenheit der Oberfläche von ausschlag- das Engasungsglühen nicht immer den erwünschten
lebender Bedeutung. Insbesondere hängen der Ober- 55 Erfolg, da sich dabei verschiedene Prozesse abspielen,
flächenwiderstand und damit die Güte Q der Resona- die im einzelnen schwer zu verfolgen sind. Häufig
toren von der Oberflächenbeschaffenheit ab. Um eine besteht auch die Schwierigkeit, daß sich die bis nahe
hohe Güte zu erreichen, muß der Oberflächenwider- zum Schmelzpunkt erhitzten Niobteile beim Glühen
stand, der Wechselstromverluste verursacht, möglichst verformen,
niedrig gehalten werden. 60 Aufgabe der Erfindung ist es, durch eine Ober-
niedrig gehalten werden. 60 Aufgabe der Erfindung ist es, durch eine Ober-
Ein weiterer wichtiger Parameter für die Anwendung flächenbehandlung, die einen wesentlich geringeren
eines supraleitenden Hohlraumresonators ist das so- Aufwand erfordert, die Güte und/oder das kritische
genannte kritische Magnetfeld. Um Wechselstrom- Magnetfeld (Hf) von supraleitenden Niob-Hohl-
verluste, die mit den Magnetisierungseigenschaften raumresonatoren zu erhöhen,
des Supraleitermaterials verbunden sind, zu vermeiden, 65 Dies wird erfindungsgemiß dadurch erreicht, daß
müssen die Hohlraumresonatoren so betrieben werden, die den Resonatorhohlraum begrenzende Niobober-
daß das untere kritische Magnetfeld Hn nicht über· fläche wenigstens teilweise durch anodische Oxydation
schritten wird. Um dennoch hohe Hochfrequenz- mit einer Nioboxidschicht versehen wird.
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2106628A DE2106628C3 (de) | 1971-02-12 | 1971-02-12 | Verfahren zur Oberflächenbehandlung von supraleitenden Niob-Hohlraumresonatoren |
CH48972A CH563467A5 (de) | 1971-02-12 | 1972-01-13 | |
NL7200891A NL7200891A (de) | 1971-02-12 | 1972-01-21 | |
FR7203999A FR2125323B1 (de) | 1971-02-12 | 1972-02-07 | |
IT20314/72A IT947373B (it) | 1971-02-12 | 1972-02-08 | Processo per il trattamento super ficiale di risonatori a cavita al niobio superconduttori |
GB589672A GB1335165A (en) | 1971-02-12 | 1972-02-08 | Super conductor cavity resonators |
JP1471372A JPS5617847B1 (de) | 1971-02-12 | 1972-02-10 | |
US00225110A US3784452A (en) | 1971-02-12 | 1972-02-10 | Method of treating the surface of superconducting niobium cavity resonators |
SE01645/72A SE368232B (de) | 1971-02-12 | 1972-02-11 | |
CA134,502A CA965187A (en) | 1971-02-12 | 1972-02-11 | Method of treating the surface of superconducting niobium cavity resonators |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2106628A DE2106628C3 (de) | 1971-02-12 | 1971-02-12 | Verfahren zur Oberflächenbehandlung von supraleitenden Niob-Hohlraumresonatoren |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2106628A1 DE2106628A1 (de) | 1972-08-24 |
DE2106628B2 DE2106628B2 (de) | 1973-07-12 |
DE2106628C3 true DE2106628C3 (de) | 1974-02-14 |
Family
ID=5798542
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2106628A Expired DE2106628C3 (de) | 1971-02-12 | 1971-02-12 | Verfahren zur Oberflächenbehandlung von supraleitenden Niob-Hohlraumresonatoren |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3784452A (de) |
JP (1) | JPS5617847B1 (de) |
CA (1) | CA965187A (de) |
CH (1) | CH563467A5 (de) |
DE (1) | DE2106628C3 (de) |
FR (1) | FR2125323B1 (de) |
GB (1) | GB1335165A (de) |
IT (1) | IT947373B (de) |
NL (1) | NL7200891A (de) |
SE (1) | SE368232B (de) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2239425C3 (de) * | 1972-08-10 | 1978-04-20 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur elektrolytischen Behandlung von Nioboberflächen für Wechselstromanwendungen |
DE2608089C3 (de) * | 1976-02-27 | 1979-03-15 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Herstellen einer supraleitfähigen Nb3 Sn-Schicht auf einer Nioboberfläche für Hochfrequenzanwendungen |
DE2635741C2 (de) * | 1976-08-09 | 1978-10-19 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zum Herstellen einer supraleitfähigen Nb3 Sn-Schicht auf einer Nioboberfläche für Hochfrequenzanwendungen |
DE2965863D1 (en) * | 1978-10-16 | 1983-08-18 | Imi Marston Ltd | Use of treated niobium or tantalum as a connector, such a connector and a cathodic protection system using such a connector |
US4514254A (en) * | 1983-09-26 | 1985-04-30 | International Business Machines Corporation | Groundplane post-etch anodization |
US4713150A (en) * | 1985-11-08 | 1987-12-15 | Parker Pen Ltd. | Process for preparing a part for color anodization |
DE3736301A1 (de) * | 1987-10-27 | 1989-05-11 | Basf Ag | Verfahren zum einstellen der sprungtemperatur von keramischen supraleitern |
US5909012A (en) * | 1996-10-21 | 1999-06-01 | Ford Motor Company | Method of making a three-dimensional part with buried conductors |
US7151347B1 (en) * | 2005-06-28 | 2006-12-19 | Jefferson Science Associates Llc | Passivated niobium cavities |
US8673820B2 (en) * | 2007-10-26 | 2014-03-18 | Department Of Atomic Energy | Method of qualifying niobium and/or other super conducting materials for reliable fabrication of superconducting radio frequency (SCRF) cavities |
CN102808209B (zh) * | 2011-06-03 | 2015-06-10 | 上海造币有限公司 | 铌及铌合金表面氧化着色的方法 |
US11202362B1 (en) | 2018-02-15 | 2021-12-14 | Christopher Mark Rey | Superconducting resonant frequency cavities, related components, and fabrication methods thereof |
US11464102B2 (en) | 2018-10-06 | 2022-10-04 | Fermi Research Alliance, Llc | Methods and systems for treatment of superconducting materials to improve low field performance |
US11266005B2 (en) | 2019-02-07 | 2022-03-01 | Fermi Research Alliance, Llc | Methods for treating superconducting cavities |
US20220364257A1 (en) * | 2021-05-12 | 2022-11-17 | Jefferson Science Associates, Llc | Chemical soak to remove furnace contamination without disrupting surface oxide or removing bulk materials |
US11920253B2 (en) * | 2021-05-17 | 2024-03-05 | Jefferson Science Associates, Llc | Methods of controllable interstitial oxygen doping in niobium |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3314867A (en) * | 1963-11-01 | 1967-04-18 | James K Gore | Method of etching tantalum and niobium for electroplating |
US3378471A (en) * | 1965-06-17 | 1968-04-16 | Gen Electric | Anodized tantalum and niobium and method of forming an oxide coating thereon |
US3436258A (en) * | 1965-12-30 | 1969-04-01 | Gen Electric | Method of forming an insulated ground plane for a cryogenic device |
DE1927825B2 (de) * | 1969-05-31 | 1971-06-03 | Verfahren zur herstellung von supraleitenden hohlraumreso natoren insbesondere fuer teilchenbeschleuniger |
-
1971
- 1971-02-12 DE DE2106628A patent/DE2106628C3/de not_active Expired
-
1972
- 1972-01-13 CH CH48972A patent/CH563467A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1972-01-21 NL NL7200891A patent/NL7200891A/xx not_active Application Discontinuation
- 1972-02-07 FR FR7203999A patent/FR2125323B1/fr not_active Expired
- 1972-02-08 IT IT20314/72A patent/IT947373B/it active
- 1972-02-08 GB GB589672A patent/GB1335165A/en not_active Expired
- 1972-02-10 US US00225110A patent/US3784452A/en not_active Expired - Lifetime
- 1972-02-10 JP JP1471372A patent/JPS5617847B1/ja active Pending
- 1972-02-11 CA CA134,502A patent/CA965187A/en not_active Expired
- 1972-02-11 SE SE01645/72A patent/SE368232B/xx unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2125323B1 (de) | 1975-10-24 |
DE2106628B2 (de) | 1973-07-12 |
IT947373B (it) | 1973-05-21 |
NL7200891A (de) | 1972-08-15 |
CH563467A5 (de) | 1975-06-30 |
US3784452A (en) | 1974-01-08 |
GB1335165A (en) | 1973-10-24 |
SE368232B (de) | 1974-06-24 |
CA965187A (en) | 1975-03-25 |
FR2125323A1 (de) | 1972-09-29 |
JPS5617847B1 (de) | 1981-04-24 |
DE2106628A1 (de) | 1972-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2106628C3 (de) | Verfahren zur Oberflächenbehandlung von supraleitenden Niob-Hohlraumresonatoren | |
DE2239425C3 (de) | Verfahren zur elektrolytischen Behandlung von Nioboberflächen für Wechselstromanwendungen | |
DE2635741C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer supraleitfähigen Nb3 Sn-Schicht auf einer Nioboberfläche für Hochfrequenzanwendungen | |
DE1927825A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von supraleitenden Hohlraumresonatoren,insbesondere fuer Teilchenbeschleuniger | |
DE2608089C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer supraleitfähigen Nb3 Sn-Schicht auf einer Nioboberfläche für Hochfrequenzanwendungen | |
DE2609549C3 (de) | Verfahren zum anodischen Polieren von Oberflächen aus intermetallischen Niobverbindungen und Nioblegierungen | |
DE2532570A1 (de) | Verfahren zum herstellen von supraleitfaehigen nb tief 3 sn-schichten auf nioboberflaechen fuer hochfrequenzanwendungen | |
DE1521702B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Vakuumbehaeltern aus Stahl | |
DD289065A5 (de) | Verfahren zur erzeugung einer dielektrischen schicht auf leichtmetallen oder deren legierungen | |
DE2164529C2 (de) | Supraleitender Hohlraumresonator | |
EP0382194A1 (de) | Elektrophoretische Abscheidung einer supraleitfähigen Schicht unter Einfluss eines externen Magnetfeldes | |
DE2754748C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer supraleitfähigen Nb3Sn-Schicht auf einer Nioboberfläche tür Hochfrequenzanwendungen | |
DE1916293A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Niobschicht durch schmelzflusselektrolytische Abscheidung auf einem Kupfertraeger | |
DE3811695C2 (de) | ||
DE1521702C (de) | Verfahren zur Herstellung von Vakuumbehältern aus Stahl | |
DE1564822B2 (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kondensatoren mit Halbleiterschicht | |
AT263171B (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kondensatoren mit einer Oxydschicht als Dielektrikum und einem Halbleiter als Gegenelektrode | |
DE2308176A1 (de) | Supraleitfaehige einrichtung zum betrieb mit hochfrequenten elektromagnetischen feldern | |
DE3205084C1 (de) | Verfahren zur anodischen Oxidation eines supraleitenden Niobhohlkörpers | |
AT219174B (de) | Verfahren zur Herstellung trockener Elektrolytkondensatoren | |
AT233674B (de) | Verfahren zum Herstellen eines stabilisierten Metallfilm-Widerstandes | |
DE1913133C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Elektrolytkondensators mit einer Mangandioxidschicht | |
DE1174908B (de) | Verfahren zur Herstellung eines Elektrolyt-kondensators mit einer Halbleiterschicht | |
DE1933467C3 (de) | Verfahren zum Aufbringen von Schichten mittels Hochfrequenzkathodenzerstäubung | |
DE1109793B (de) | Verfahren und Herstellung trockener Elektrolytkondensatoren und durch dieses Verfahren hergestellte Kondensatoren |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |