DE2234462B2 - Durch Siebdruck aufbringbare Metallisierungsmasse und deren Verwendung zum Einkapseln von Halbleiterkörpern - Google Patents

Durch Siebdruck aufbringbare Metallisierungsmasse und deren Verwendung zum Einkapseln von Halbleiterkörpern

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DE2234462B2
DE2234462B2 DE2234462A DE2234462A DE2234462B2 DE 2234462 B2 DE2234462 B2 DE 2234462B2 DE 2234462 A DE2234462 A DE 2234462A DE 2234462 A DE2234462 A DE 2234462A DE 2234462 B2 DE2234462 B2 DE 2234462B2
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Description

(a) 70 bis 94,5 Gewichtsprozent Goldpulver, das im wesentlichen aus einem Gemisch von Goldflocken mit einer größten Abmessung von etwa 1 bis 10 μ und verhältnismäßig kugeligen Goldteilchen mit einem Durchmesser von etwa 0,5 bis 2 μ, wobei die Gewichtsanteile von Flocken zu Kugeln 5 bis 40% zu 60 bis 95 % betragen,
(b) ein oder mehrere Resinate aus der Gruppe der Rhodium-, Chrom-, Zinn- oder Wismutderivate von Pinenmercaptan, (RS)1M, worin R der Pinenrest, M ein Metall und jc die Wertigkeit von M ist, wobei die Resinate
in einer Menge entsprechend 0,015 bis 0,15 Gewichtsprozent Metall in der Metallisierungsmasse anwesend sind, und
(c) 5 bis 20 Gewichtsprozent an einem inerten flüssigen Träger enthält.
2. Metallisierungsmasse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie, bezogen auf ihr Gesamtgewicht, zusätzlich 0,5 bis 5 0Zo Glasfritte enthält, die die folgende Zusammensetzung in Gewichtsprozent hat:
40
45
(d) eine Abdeckung über den Dichtungsring gelegt und eingebrannt wird.
20 bis bis 38 °, ο SiO0, °o ZnO,
21 bis bis 45 °o PbO, °, ο PbFn,
1 bis bis 25 0Zo Al„O.t, °o SrO,"
2 bis 20 °/o TiO.,; 0Zo ZrO.,,
2 bis 15 0Zo BaO", 0Zo Ta.,Ö-,
0 bis 2Ϊ °o WO,,'
0 bis 15 0Zo CdO,
0 bis 5 0Zo SnO.,,
0 bis 5 0Zo Sb.,O".
0 bis 5
Obis 5
O 5
O 5
O 5
3. Verwendung einer Metallisierungsmasse nach Anspruch 1 oder 2 und der im Anspruch 2 angegebenen Glasfritte in einem Verfahren zur hermetisch dichten Einkapselung eines Halbleiterkörpers, der an ein dielektrisches Substrat mit darauf befindlichen Metallisierungen gebunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß
(a) über bestimmte Gebiete des Substrats und der Metallisierungen eine dielektrische Schicht aus der Glasfritte aufgebracht wird,
(b) auf die dielektrische Schicht eine den Halbleiterkörper als Dichtungsring umgebende Schicht aus der Metallisierungsmasse aufgebracht wird.
(c) die dielektrische Schicht aus der Glasfritte und der Dichtungsring zusammen eingebrannt werden, um sie zu sintern, und
Für das Einkapseln von Halbleiterkörpern sind verschiedene Packungsarten bekannt, beispielsweise die in US-PS 33 40 602 und US-PS 34 35 516 beschriebenen Packungen.
Solche Halbleiterpackungen werden gewöhnlich hergestellt, indem man hitzefeste Metalle, normalerweise Molybdän, Wolfram oder Molybdän/Mangan, als die Leiter auf ein flexibles nicht gebranntes keramisches Band aufbringt, eine weitere Schicht aus einem solchen Band in der gewünschten Weise über die Leiter legt und dann die Anordnung in einer reduzierenden Atmosphäre bei 1400 bis 1750" C brennt, wobei eine dichte keramische Packung mit eingebetteten Leitern erhalten wird. Die Deckschicht weist normalerweise einen Ausschnitt auf, durch den die eingebetteten Metallisierungen zugänglich sind. Schließlich werden elektrische Leitungen an der Packung befestigt, und die Packung wird dann normalerweise mit Nickel und Gold plattiert, um sie oxydationsfest zu machen und die Leitfähigkeit und das Bindevermögen für Anschlüsse und Drähte zu verbessern.
Die goldplattierten Dickfilmschaltungen können in der Mitte des Substrats preßgebundene oder drahtgebundene Halbleiterkörper aufnehmen. Die ganze Vorrichtung mit der gegebenenfalls anwesenden Vertiefung wird dann normalerweise mit einem goldplattierten Deckplatt aus einer Ni-Co-Fe-Legierung abgedeckt und über eine Gold-Zinn-Vorform an einem goldplattierten Dichtungsring aus hitzefestem Metall auf der Packung abgedichtet. Die Halbleitervorrichtung soll zweckmäßig hermetisch dicht in der Packung verschlossen sein. Die bekannten Golddichtungsmassen haben sich im allgemeinen als nicht zufriedenstellend erwiesen, d. h. haben keine hermetische Abdichtung gegeben, oder es sind Variationen in der Haftung der Goldplattierung an der Masse aus hitzefestem Metall oder eine Unverträglichkeit der Massen aus hitzefestem Metall beim anschließenden Brennen an Luft aufgetreten, und häufig kam es zu Kürzschlüssen beim Brennen.
Aus der US-PS 34 07 081 sind Gold enthaltende Metallisierungsmassen bekannt, die ein Pinenharz und eine inerte Trägerflüssigkeit aufweisen und die durch Siebdruck aufgetragen werden können. Diese Massen sind geeignet für die Bildung leitender Schichten beim Aufbau von Kondensatoren. Aufgabe der Erfindung ist es. eine durch Siebdruck aufbringbare Metallisierungsmasse zur Verfügung zu stellen, die als Dichtungsmassen beim Einkapseln von Halbleiterkörpern geeignet sind und welche eine verbesserte hermetische Abdichtung bewirken und damit auch ein Vermeiden des Auftretens von Fehlstellen und Kurzschlüssen.
Die Erfindung betrifft eine durch Siebdruck aufbringbare Metallisierungsmasse zur hermetisch dichten Verbindung einer auf einem Substrat aufgebrachten dielektrischen Schicht, die einen auf dem Substrat befestigten Halbleiterkörper ringförmig umgibt mit einer über dem Halbleiterkörper angeordneten Abdeckung.
Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß sie
/a) 70 bis 94,5 Gewichtsprozent Goldpulver, das im wesentlichen aus einem Gemisch von Goldflocken mit einer größten Abmessung von etwa 1 bis 10 μ und verhältnismäßig kugeligen Goldteilchen mit einem Durchmesser von etwa 0,5 bis 2 μ, wobei die Gewichtsanteile von Flocken zu Kugeln 5 bis 40% zu 60 bis 95% betragen,
(b) ein oder mehrere Resinate aus der Gruppe der Rhodium-, Chrom-, Zinn- oder Wismutderivate von Piciamercaptan, (RS)1M, worin R der Pinenrest, M ein Metall und χ die Wertigkeit von M ist, wobei die Rcsinate in einer Menge entsprechend 0,0i5 bis 0,15 Gewichtsprozent Metall in der Metallisierungsmasse anwesend sind, und
(c) 5 bis 20 Gewichtsprozent an einem inerten flüssigen Träger enthält.
ZO
Vorzugsweise ist das Gewichtsverhältnis von Flokken zu Kugeln 20 : 80.
Bevorzugte Massen enthalten 84 bis 90% (a) 0,015 bis 0,06% (b) und 5 bis 12% (c).
Nach einer bevorzugten Ausführungsform können die Massen zusätzlich 0,5 bis 5%, bezogen auf das Gesamtgewicht von (a), (b) und (c), an Glasfritte der in Tabelle I zusammengestellten Zusammensetzung enthalten.
30
Tabelle I
Glasfritten
Bestandteil
Verwendbarer
Bereich
Bevorzugter
Bereich
SiO2 20 bis 38% 22 bis 32%
PbO 21 bis 45 % 22 bis 42%
AUO, 1 bis 25% 9 bis 13%
TiO2 2 bis 20% 3 bis 15%
BaO 2 bis 15% 4 bis 12%
ZnO Obis 25% Obis 20 %
PbF2 Obis 15% Obis 10%
SrO Obis 5% Obis 4%
ZrO, Obis 5% Obis 4%
Ta,Ö, Obis 5% Obis 4%
WO, Obis 5% Obis 4%
CdO Obis 5% Obis 4%
SnO., Obis 5% Obis 4%
SbnO1 Obis 5% Obis 4%
35
40
45
In den Zeichnungen ist
Fig. 1 eine Draufsicht auf eine Packung für Halbleitervorrichtungen und
F i g. 2 ein Querschnitt durch die Packung von Fig. 1 längs der Linie 2-2 von Fig. 1.
Der dielektrische Körper mit der durch Brennen der Resinat enthaltenden Metallisierungsmasse erleugten anhaftenden Schicht kann noch eine Gold-Overprint-Schicht aufweisen, die mit einem Goldpulver, das kugelige Teilchen mit einem Durchmesser in dem Bereich von 1 bis 10 μ aufweist und eine Schüttdichte in dem Bereich von 5 bis 9 g/cm3 besitzt, erzeugt ist. Die Overprint-Schicht kann getrennt von der ersten, aus der oben beschriebenen Resinat enthaltenden Masse erzeugten Schicht oder mit dieser zusammen gebrannt werden.
Ein weiteres Merkmal der Erfindung betrifft die Verwendung der vorgenannten Metallisierungsmassen in einem Verfahren zum hennetisch dichten Einkapseln eines Halbleiterkörpers, der an ein dielektrisches Substrat mit darauf befindlichen Metallisierungen gebunden ist. Dabei wird
(a) über bestimmte Gebiete des Substrats und der Metallisierungen eine dielektrische Schicht aus der Glasfritte von Tabelle I aufgebracht,
(b) auf die dielektrische Schicht der Stufe (a) eine den Halbleiterkörper als Dichtungsring umgebende Schicht aus der Metallisierungsmasse aufgebracht,
(c) die dielektrische Schicht aus der Glasfritte und der Dichtungsring zusammen eingebrannt, um sie zu sintern, und
(d) eine Abdeckung über den Dichtungsring gelegt und eingebrannt.
Zwischen den Stufen (c) und (d) können die folgenden Stufen (e) und (f) eingeschaltet werden:
(e) Der in Stufe (b) abgeschiedene und in Stufe (c) gebrannte Dichtungsring erhält eine Gold-Overprint-Schicht aus Goldpulver in einem inerten Träger, wobei das Goldpulver aus kugeligen Teilchen mit einem Durchmesser in dem Bereich von 1 bis 10 μ besteht und eine Schüttdichte in dem Bereich von 5 bis 9 g/cm3 hat.
(f) Die Gold-Overprint-Schicht wird gebrannt, um sie zu sintern.
Alternativ kann die Overprint-Schicht auf den in Stufe (b) aufgebrachten Dichtungsring gedruckt und mit diesem zusammen gebrannt werden.
In den Zeichnungen ist 1 ein rechteckiges dielektrisches Substrat, auf das in gewünschter Anordnung metallische Leiterfinger 2, von denen nur einige gezeigt sind, gedruckt sind. Die Leitungen konvergieren gegen, eine Vertiefung 3 in der Mitte des Substrates 1 (die Vertiefung muß nicht notwendig vorhanden sein). Über 1 und 2 ist eine dielektrische Schicht 4, die die gesamte Anordnung mit Ausnahme der inneren und äußeren Extremitäten jedes Fingers 2 bedeckt, gedruckt, und über 4 befindet sich der Golddichtungsring S gemäß der Erfindung. Die Kante I^ der dielektrischen Schicht 4 erstreckt sich bis über den Dichtungsring 5 hinaus, bedeckt aber nicht die äußersten Enden 12 der Finger 2.
Das in den erfindungsgemäßen Metallisierungsmassen enthaltene Goldpulver kann erhalten werden, indem es aus einer sauren Goldchloridlösung mit einem Reduktionsmittel gefällt wird. Als Reduktionsmittel wird (a) Oxalsäure und/oder Alkalisalz der Oxalsäure und (b) Hvdrochinon und/oder mit Brom oder Chlor oder Niedrigalkyl substituierte Derivate davon verwendet, und die Fällung wird in. Gegenwart eines Schutzkolloids, wie Gummiarabikum, bei einer Temperatur im Bereich von 50 bis 1000C vorgenommen.
Herkömmliche Goldpulver aus nur kugeligen Teilchen haben sich als nicht geeignet für die Herstellung von Dichtungsringmetallisierungen durch Einzeldruck erwiesen, weil keine Benetzung von GoId-Zinn-Lötvorformen erfolgt und/oder beim gemeinsamen Brennen der dielektrischen Schicht und des Dichtungsringes Kurzschlüsse auftreten, die auf Rißbildungen in der dielektrischen Schicht zurückzuführen sind. Die Rißbildung ist vermutlich auf eine zu
starke Schrumpfung von Pulvern aus solchen kugeligen Goldteilchen während des Brennens, durch die Spannungen an der Grenzfläche zwischen Dichtungsring und dielektrischer Schicht entstehen, zurückzuführen. Leitermassen, die anschließend auf das Teil aufgebracht werden, fließen in die Risse in der dielektrischen Schicht und führen zu Kurzschlüssen zwischen Leiter und Dichtungsring.
Das Resinat besteht aus Rhodium-, Chrom-, Zinn- und/oder Wismutderivaten von Pinenmercaptanen, (RS)xM, worin R der Pinenrest, M das Metall und χ die Wertigkeit von M ist. Ein Beispiel für ein solches Resinat ist Rhodiumresinat, ein Rhodiummercaptid, das durch Umsetzen von Rhodiumchlorid mit gemischten organischen Thiolen erhalten wird. Die organischen Thiole können beispielsweise hergestellt werden, indem man (1) Pinene mit Schwefel oxydiert und anschließend eine Reduktion mit Wasserstoff unter Bildung der gemischten Pinenmercaplanc durchführt oder (2) Pinene mit Schwefelwasserstoff umsetzt, so daß direkt gemischte Pinenmercaptane ίο erhalten werden. Im folgenden werden als Beispiele zwei Strukturformeln typischer Pinenmercaptane, die in dem Gemisch enthalten sein können, angeführt:
CH3
CH
CH3
C =—SH
CH
CH-SH
CH2
CH2
CH
CH
CH2
CH3
CH3
Rhodiummercaptide können beispielsweise die Formel Rh (SR) 2 haben. Wenn das Metall in dem Resinat Rhodium ist, so kann die Menge an Resinat in der Masse 0,5 bis 5,0% betragen.
Das in dem Resinat anwesende Metall ist kritisch. Beispielsweise werden mit dem entsprechenden Vanadiumresinat keine zufriedenstellenden Dichtungen erzielt. Damit mit der Masse zufriedenstellende Ergebnisse erzielt werden, muß das Metall in dem Resinat eine Schrumpfung der Goldteilchen während des Sinterns verzögern, so daß die obenerwähnte Rißbildung verhindert wird. Die Anwesenheit des Metalls soll auch die Wirkung haben, daß die Gesamtkorngrößc des gesinterten Goldfilms gesenkt wird. Es wurde gefunden, daß durch die Verwendung des Metalls in der Form von Derivaten von Pincnmcrcaptan ausgezeichnete Ergebnisse erzielt werden, da das erhaltene Resinat von Metall und Pinenmcrcaptan mit organischen Siebdruckträgern verträglich ist und da Pinenmercaptan beim Brennen bei Temperaturen in dem von 700 bis 1000? C keine organischen Rückstände hinterläßt und eine gleichmäßige Verteilung des Metalls in der Masse ergibt. Der Träger kann einer von einer Anzahl für den Siebdruck verwendbaren inerten Trägern mit oder ohne Eindickungs- und/oder Stabilisierungsmittel und/oder anderen üblichen Zusätzen sein.
Beispiele für verwendbare Flüssigkeiten sind organische Flüssigkeiten, wie aliphatische Alkohole; Ester von Alkoholen, beispielsweise die Acetate und Propionate; Terpene, wie Pine-Oil und <*- und /9-Terpineol; Lösungen von Harzen, wie PoIymethacrvlsten niedricer Alkohole oder Lösungen von Äthylcellulose in Lösungsmitteln, wie Terpenen usw.
Beispiele für verwendbare flüssige Verdünnungsmittel sind Trichloräthylen, Terpentin, /<-Terpincol usw. Die verwendete Menge an solchen Verdünnungsmitteln ist nicht kritisch, sofern eine gute Druckfähigkeit erzielt wird.
Die gegebenenfalls in den Massen gemäß der Erfindung anwesenden Glas-Frittcn sind die teilweise kristallisicrbarcn Gläser, die in der US-PS 35 86 522 beschrieben sind. Die Zusammensetzung ist oben angegeben.
Die Packungen gemäß der Erfindung werden normalerweise durch Siebdrucken drr dielektrischen Schicht und anschließend der Dichtungsmasse auf ein vorgebranntes Substrat mit den vorgebrannten Metallisierungen hergestellt. Dabei werden die dielektrische Schicht und die Dichtungsmasse bei einer Temperatur über 800° C zusammen gebrannt, falls
der Halblcitcrchip. beispielsweise mit Epoxy, an das Substrat geklebt ist. Wenn eine eutektische Preßbindung statt eines Epoxyzcmcnts verwendet wird, wird normalerweise ein Goldpolstcr auf das Substrat aufgebracht und zusammen mit dem Dichtungsring und der dielektrischen Schicht gebrannt.
Danach wird der Halbleiierchip an das Substrat gebunden, und auf den Dichtungsring wird eine Lötvorform gelegt. Über die Vorform wird eine goldplattierte Ni-Co-Fe-Lcgicrung (oder eine Abdek-
kung aus einem anderen Material mit einer Ausdehnung, die der des Dielektrikums gut angepaßt ist) gelegt. Die Packung wird im Falle der Verwendung einer solchen goldplattiertcn Abdeckung bei etwa
350° C hermetisch gedichtet. Die Temperatur variiert mit der Art der Lötmasse und der Abdeckung. Eine goldplatticrte Fe-Co-Ni-Legierung ist nicht das einzige Material, das für die Abdeckung verwendet werden kann. Auch kupfer-, zinn-, silber- und nickelplattierte Fc-Co-Ni-Legierungen haben sich als verwendbar erwiesen. Auch metallisches Zinn, Silber und Nickel können verwendet werden. Alternativ kann die Abdeckung auch aus einem keramischen Material, das metallisiert ist, damit es die Lötvorform benetzt, bestehen. Eine solche Abdekkung besteht aus 96 "■■'< > Al2O8, das mit einer leitenden Molybdänmasse metallisiert und mit Gold plattiert ist, um eine Benetzung der Lötvorform zu erzielen. 1S
Ein nicht zwingendes Merkmal der Erfindung ist eine zweite Goldschicht über der oben beschriebenen Dichtungsringschiehi. d. h. ein Overprint. Für diese gegebenenfalls verwendete zweite Schicht werden bestimmte kritische Goldpulver verwendet, und dieses wird in einem Träger (keine Fritte, kein Rcsinat) aufgedruckt. Diese zweite Schicht kann getrennt von der erster, Schicht oder mit dieser zusammen gebrannt werden.
Das für diese zweite Schicht verwendete GoIdpulvcr besteht aus kugeligen Teilchen mit einem Tcilchcndurchmesscr im Bereich von 1 bis 10 u und hat. eine Schüttdichte in dem Bereich von 5 bis 9 g/cm3. Solche Pulver werden hergestellt, indem man das Gold durch rasche Zugabe eines Reduktionsmittels (Kalium- und/oder Natriumsulfat) im Überschuß zu einer wäßrigen Goldchioridlüsung unter Rühren der Lösung bei 0 bis 30° C fällt. Das für die zweite Schicht verwendete Pulver hat normalerweise eine Oberfläche in dem Bereich von 0.10 bis 0,15 m2/g. Der zum Aufdrucken der zweiten Goldschicht oder des Gold-Ovcrprint verwendete Träger ist der gleiche wie der oben beschriebene, für das Aufdrucken der Rcsinat enthaltenden Geldmasse gemäß der Erfindung.
In den Beispielen und Vcrgleiehsvcrsuchcn sind Teile. Prozent und Mengenverhältnisse auf das Gewicht bezogen, sofern nichi anders angegeben.
Beispiele 1 bis 7 Vcrglcichsvcrsuch A und B
In Tabelle 11 sind die Mengenverhältnisse und die Arten von Rcsinat, Goldpulver und Träger sowie gegebenenfalls Fritte für verschiedene Beispiele der Erfindung sowie für zwei Vergleichsvcrsuche, bei denen andere Goldpulver verwendet wurden, zusammengestellt. In jedem Fall wurde das Dichtungsringsystem durch Einzeldruck aufgebracht. Das in den Beispielen der Erfindung verwendete Goldpulver war ein Gemisch von Flocken und Kügelchcn (Gcwichtsvcrhältnis etwa 20'80. 10u Durchmesser der Flocken und 1 π — Kügelchcn). Das in den Vcrgleichsbcispielcn verwendete Goldpulvcr, das nur Kügelchcn enthielt, hatte eine Teilchengröße von etwa 1 μ. _
Die in den Goldmac:-en verwendete !-ritte halte die folgende Zusammensetzung: S0Ai BaO. 11 ° » ALO.,. "30"-H SiO.,, »)» „ TiO.. 10" » ZnO und 32»-(, PbO. Der verwemu-u· Träger enthielt etwa K)11Ai Ätln!cellulose, etwa 10" « Kolophonium. 3S"'» /i-Teipineol. l()"n Kerosin, ll>"« aliphatischen Kohlenwasserstoff und 5°/o Wachs. Das Verdünnungsmitte! enthielt etwa 2 Teile eines Gemisches von \- und ,,'-Terpincol. 1 Teil Kerosin und 1 Teil des aliphatischen Kohlenwasserstoffs.
Einige metallisierte Substrate für Packungen wurden hergestellt, indem Pd-Ag- oder Au-Mctallisierungen auf ein 1.52 mm dickes vorgebranntes AIuminiumoxydsubstrat von 6.22 x 1,32 cm mit einer 0.3S mm tiefen Vertiefung von 0,51 cm im Quadrat in seiner Mitte aufgedruckt und dann gebrannt wurden. Danach wurde eine dielektrische Schicht von etwa 0.10 mm Dicke über bestimmte Teile des metallisierten Substrats, nicht aber über die Vertiefung aufgedruckt. Die dielektrische Masse wurde in der Form einer Paste aus 73 Teilen Glasfritte je Teil inertem flüssigem Träger aufgedruckt. Die Fritte hatte die gleiche Zusammensetzung wie die in der oben beschriebenen Metallisierungsmasse verwendete. Die Dichtungsringmasse wurde in jedem Fall in einer Hoover-Mühle aus den in Tabelle II angegebenen Materialien hergestellt und durch Siebdruck (Einzeldruck, lichte Maschenweite 0.074 mm) auf die dielektrische Schicht nahe ihres Umfangs an der Vertiefung des Substrat? rmiWnfachi. Die gesamte Anordnung wurde dann bei der in Tabelle II angegebenen Temperatur gebrannt. Die gebrannten Dichtungsringc hatten tvpiseherweise eine Dicke von 0,013 mm. Bei den Packungen der Verglcichsbeispicle A und B wurde die Au-Sn-Vorform nicht bc-
3" netzt. Bei den Packungen der Beispiele 1 bis 7 traten keine Risse auf. Die Au-Sn-Vorformcn wurden benetzt. Dann wurden Halb'pitprvorrichlungcn in der Vertiefung entweder durch Epoxyzemcnt oder durch eutektische Preßbindung an ein Goldpolstcr am Boden der Vertiefung gebunden. Eine Vorform aus Gold Zinn. 80/20, von etwa 0,037 mm Dicke wurde dann auf den Dichtungsring gelegt, und auf die Vorform wurde eine Abdeckung aus einer goldplattienen Fc-Ni-Co-l.cgierung gelegt.. Die Bindung erfolgte bei
to 350- C. 2 Minuten (Gesamtbrennzyklus 30 Minuten). In reproduzierbarer Weise wurden hermetisch dichte Packungen ohne Risse erhalten. Ob eine hermetische Dichtung erzielt wurde, wurde nach einem Groblecktest und einem Fcinlecktcst festgestellt. Bei dem Groblecktest wird das Teil in einen heißen Fluorkohlcnstolf (125 ± 5° C) getaucht, und für eine Zeit von 2 Minuten wurde unter dem Mikroskop das etwaige Erscheinen von Blasen ermittelt. Wenn bei 7 X keine Blasen ermittelt werden, hat das Teil den Groblecktcst bestanden. Der Feinleektesl wird durchgeführt, indem man das Teil 4 Stunden in Helium mit einem Druck, von 3,5 kr cm- hält. Die Messung erfolgt mit einem »CEC Consolidated Electrodynamics Helium Detector« Typ 24-1 2OB (Hcliunicmpfindhchkeit 3 ■ 10~10 ecm Hc/sec). Wenn die Hcliumdurchtrittsgeschwindigkeit von dem Teil weniger als 5 ■ 10 s ecm He sec beträgt, hat das Teil den Fcinlecklesi bestanden. Die Beständigkeit gegen thermischen Schock wurde wie folgt bestimmt: Das Teil
ftu wird 15mal ic 5 Minuten bei : 150 C in flüssigen" Glycerin gehalten und dann in eine Umgebung voi - (S5 C (Trockencis/Acclon) getaucht. Jeder Tem· peraliirwechscl erfolg! innerhalb H) Sekunden. Da nach wurden Grob- und Feinleeklesi wiederholt Wenn das Teil jeden dieser Vests besteht, wird e: als ■■ hermetisch dicht' bezeichnet. In InM jedem FaI bestanden die Packungen gemäß der Fil'mdung jedci Test (5 von 5 oder 10 von 1" Ansätzen).
SO^ 52-173

Claims (1)

Patentansprüche:
1. Durch Siebdruck aufbringbare Metallisierungsmasse zur hermetisch dichten Verbindung einer auf einem Substrat aufgebrachten dielektrifchen Schicht, die einen auf dem Substrat befestigten Halbleiterkörper ringförmig umgibt mit einer über dem Halbleiterkörper angeordneten Abdeckung, dadurch gekennzeichnet, daß sie -γ
DE2234462A 1971-11-16 1972-07-13 Durch Siebdruck aufbringbare Metallisierungsmasse und deren Verwendung zum Einkapseln von Halbleiterkörpern Pending DE2234462B2 (de)

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