DE2227344C3 - - Google Patents

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Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3890176A (en) * 1972-08-18 1975-06-17 Gen Electric Method for removing photoresist from substrate
US3871930A (en) * 1973-12-19 1975-03-18 Texas Instruments Inc Method of etching films made of polyimide based polymers
NL7607298A (nl) * 1976-07-02 1978-01-04 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting en inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
US4092442A (en) * 1976-12-30 1978-05-30 International Business Machines Corporation Method of depositing thin films utilizing a polyimide mask
US4292384A (en) * 1977-09-30 1981-09-29 Horizons Research Incorporated Gaseous plasma developing and etching process employing low voltage DC generation
US4208242A (en) * 1978-10-16 1980-06-17 Gte Laboratories Incorporated Method for color television picture tube aperture mask production employing PVA and removing the PVA by partial carmelizing and washing
US4209356A (en) * 1978-10-18 1980-06-24 General Electric Company Selective etching of polymeric materials embodying silicones via reactor plasmas
DE3027941A1 (de) * 1980-07-23 1982-02-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen von reliefstrukturen aus doppellackschichten fuer integrierte halbleiterschaltungen, wobei zur strukturierung hochenergetische strahlung verwendet wird
DE3175488D1 (en) * 1981-02-07 1986-11-20 Ibm Deutschland Process for the formation and the filling of holes in a layer applied to a substrate
US4411735A (en) * 1982-05-06 1983-10-25 National Semiconductor Corporation Polymeric insulation layer etching process and composition
JPH03156233A (ja) * 1989-11-14 1991-07-04 Matsushita Seiko Co Ltd レンジフード
US6858526B2 (en) * 1998-07-14 2005-02-22 Micron Technology, Inc. Methods of forming materials between conductive electrical components, and insulating materials
US6333556B1 (en) * 1997-10-09 2001-12-25 Micron Technology, Inc. Insulating materials
TW473759B (en) * 2000-02-18 2002-01-21 Acer Display Tech Inc Fabrication method for ribs of plasma display panel
JP2002118049A (ja) * 2000-10-06 2002-04-19 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
US20050279453A1 (en) 2004-06-17 2005-12-22 Uvtech Systems, Inc. System and methods for surface cleaning

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2443373A (en) * 1943-08-20 1948-06-15 Victor N Borsoff Method of removing carbon and carbonaceous matter
US3705055A (en) * 1970-09-18 1972-12-05 Western Electric Co Method of descumming photoresist patterns

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