DE2215711A1

DE2215711A1 - Hochfrequenz-spruehaetzmethode

Info

Publication number: DE2215711A1
Application number: DE2215711A
Authority: DE
Inventors: Jun John Louis Vossen
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Priority date: 1971-04-05
Filing date: 1972-03-30
Publication date: 1973-10-25
Also published as: GB1374502A; NL7204456A; AU456093B2; US3692655A; JPS511587B1; FR2136067A5; IT949868B; CA971129A; DE2215711C2; AU4043872A

Description

Dipl.-Ing. H. Sauerland ■ Dn.-Ing. R. König ■ Dipl.-Ing. K. Bergen

Patentanwälte · 4ddo Düsseldorf · Cecilienallee 76 ■ Telefon 432732

Unsere Akte: 27 354 · 29. März 1972

Be/J

RCA Corporation, 30 Rockefeller Plaza, New York, N.Y. 10020 (V.St.A.)

"Hochfrequenz-Sprühätzmethode"

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Hochfrequenz-Sprühätzmethode, insbesondere auf eine solche, mit der Muster in Materialien geätzt werden, von denen unter den Sprühätz-Bedingungen Elemente oder Komplexe abgetrennt werden, die mit organischem Photoresist reagieren.

Das Hochfrequenzsprühen ist besonders geeignet zum Ätzen von Mustern in Materialien, die chemisch nicht mit hinreichender Genauigkeit geätzt werden können. Zu den Materialien, die im allgemeinen chemisch nicht hinreichend genau geätzt werden können, gehören Mehrschicht-Filmstrukturen, deren Schichten abwechselnd aus verschiedenen Materialiän bestehen und jeweils unterschiedliche chemische Ätzmittel benötigen. Mit dem Sprühätzen, das im vorliegenden Zusammenhang Hochfrequenz-Sprühätzen bedeutet, kann eine derartige Mehrschicht-Filmstruktur relativ einfach geätzt werden, da unter bestimmten Sprühbedingungen die Ätzrate für unterschiedliche Schichten ungefähr gleich ist.

Allerdings tritt bei bestimmten Materialien eine Schwierigkeit auf, wenn sie in einem Muster geätzt werden sollen, das durch eine organische Photoresist-Maskierschicht

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definiert ist. Zu diesen Materialien gehören Verbindungen, von denen unter den Sprühätzbedingungen Elemente oder Komplexe abgetrennt werden, die mit dem organischen Photoresist reagieren. Diese reaktionsfähigen Elemente oder Komplexe von Elementen, die ionisiert sein können oder nicht, verunreinigen das Sprüh-Plasma, reagieren mit dem organischen Photoresist und verschlechtern dadurch die Photoresistmaska, da sie deren Fähigkeit, dem Ionenbombardement während des Sprühens zu widerstehen, erniedrigen. , Dieses Problem tritt beispielsweise beim Ätzen mehrschichtiger Zweifarben-Interferenzfilter auf, die zum Farbchiffrieren mit Mustern versehen werden. Zu den Materialien, die sich optisch am besten für Farbchiffrierfilter eignen, gehören Calziumfluorid (CaF₂), Zinksulfid (ZnS) und Thoriumfluorid (ThF^«4H₂0). Unter den Bedingungen des Ionenbombardements während des Sprühätzens - die Fluor-, Schwefel- und Wasserelemente dissoziieren - verunreinigen diese Materialien das Sprühplasma und reagieren mit der Photoresist-Maskierschicht auf dem Filter, die die Chiffrierstreifen definiert. Wegen der damit verbundenen Verschlechterung bzw, Schwächung der Photoresistschicht muß deren Dicke zum Ätzen einer vorgegebenen Musterdicke erheblich erhöht werden, was zu einem Verlust an Genauigkeit des Musters führt. Aufgabe' der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zu schaffen, bei dem diese Schwierigkeiten nicht auftreten.

Das erfindungsgemäße Verfahren zum Sprühätzen eines durch eine organische Photoresistmaske definierten Musters auf der Oberfläche eines Materials, von dem unter den Sprühätzbedingungen Elemente oder Komplexe abgetrennt werden, die mit dem organischen Photoresist reagieren, umfaßt die Rückstreuung relativ inerten Materials auf den Photoresist, wodurch die Verschlechterung des Photoresists

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durch die reaktionsfähigen Elemente oder Komplexe reduziert wird«,

Wenn ein Material dem Ionenbombardement eines durch Hochfrequenz erzeugten Plasmas oder Sprühgases ausgesetzt wird, werden Atome oder Moleküle des Materials von der Oberfläche weg zerstäubt und gelangen in das Zerstäubungsgas. Ein Teil dieser Atome oder Moleküle wird aus dem Sprühgas auf jeder Oberfläche, die mit demselben Gas gesprüht wird, wieder niedergeschlagen. Dieser Vorgang wird in der englischen Fachsprache "back-scattering" genannt, da das wieder niedergeschlagene Material als auf die Sprühelektrode durch das Sprühgas zurückgestreut angesehen werden kann. Das zuvor erwähnte relativ inerte Material gehört zu der Gruppe der Materialien, die unter den Sprühätzbedingungen chemisch mit dem organischen Photoresist nicht so reagieren, daß man zu einem Produkt gelangt, das stärker flüchtig ist als beide; es zerfällt auch nicht in andere Elemente oder Komplexe, die derart reagieren.

Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens kann die Dicke des Photoresists, die zum Einätzen einer gegebenen Tiefe in ein Material, wie beispielsweise Zinksulfid oder Thoriumfluorid,notwendig ist, ungefähr auf ein Drittel der Dicke reduziert werden, die andernfalls benötigt würde, um dem Sprühen zu widerstehen. Die geringere Dicke wiederum ermöglicht eine genauere Begrenzung des zu ätzenden Musters.

Anhand der beigefügten Zeichnungen, in denen ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel dargestellt ist, wird die Erfindung nachfolgend näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 das Endteil einer Vidikon-Röhre, deren Frontplatte mit einem erfindungsgemäß hergestellten

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FärbChiffrierfilter versehen ist, im Querschnitt;

Fig. 2 einen Teil der in Fig. 1 dargestellten Frontplatte und des Filters in perspektivischer Darstellung ;

Fig. 3 Frontplatte und Filter gemäß Fig. 1 zu einem Zeitpunkt der erfindungsgemäßen Herstellung, in dem ein Muster durch eine Photoresistschicht auf einer zu ätzenden Filterschicht definiert ist, in vergrößertem Querschnitt; und

Fig. 4 einen Teil der in Fig. 3 dargestellten Frontplatte mit Filter, auf einer Sprühätzelektrodenanordnung befestigt.

Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung weist eine Vidikon-Fernsehkamera-Röhre 10 den in Fig. 1 dargestellten Frontplattenaufbau auf, wobei die innere Oberfläche 14 der Röhrenfrontplatte .16 in erfindungsgemäßer Weise mit einem subtraktiven Primärfarbfilter 12 versehen ist. Das Filter 12 ist mit einer leitenden Signalelektrode 18 bedeckt, die ihrerseits mit einer photoleitenden Schicht 20 überzogen ist. Gemäß Fig. 2 besteht das Filter aus einer Schar paralleler Gelbstreifen 22 oberhalb einer Schar paralleler Cyanstreifen 24, die im Winkel zu den Gelbstreifen 22 verlaufen, sowie aus einer Schar rautenförmiger Überdeckungsabschnitte 26, an denen die Gelbstreifen 22 und die Cyanstreifen 24 sich kreuzen.

Das Chiffrierfilter 12 der Röhre 10 ist direkt auf der Oberfläche 14 der Frontplatte angeordnet. Die gereinigte Frontplatte 16 wird dazu in eine Vakuumkammer gebracht und die gesamte Fläche 14 mit einer durchgehenden gelben, anorganischen, mehrschichtigen, zweifarbigen Interferenz-

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filterschicht 28 auf folgende Weise überzogen:

Eine erste Schicht Zinksulfid (ZnS) wird aus einem widerstandsbeheizten Tantalschiffchen bei einem Unterdruck

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von ungefähr 10 Torr aufgedampft, und zwar bis zu einer Dicke entsprechend 1/4 Wellenlänge von 4.000 A* Licht, das durch die Frontplatte zu einer Photomultiplikatorröhre gelangt, deren Ausgangsleistung während des Aufdampfens beobachtet wird. Wenn die Ausgangsleistung ein Minimum erreicht hat, beträgt die Schichtdicke ungefähr 1/4 der Wellenlänge. Eine zweite Schicht Thoriumfluorid (ThF^*4H₂O) wird dann auf die ZnS-Schicht gedampft, und zwar bis zu einer Dicke von 1/4 der Wellenlänge des 4.000 2. Lichts im ThJ?Y. Das Thoriumfluorid wird in derselben Weise wie die Zinksulfidschicht niedergeschlagen. Dieser Prozeß wird mit wechselnden Schichten von ZnS und ThF^*4HoO fortgesetzt, bis vier Schichten ZnS und drei Schichten ThJY ·4HpO hergestellt sind. Dann wird eine letzte Schicht aus Thoriumfluorid auf die zuvor niedergeschlagene ZnS-Schicht aufgebracht, und zwar bis zu einer Dicke, die der halben Wellenlänge entspricht.

Nunmehr wird die Frontplatte aus der Vakuumkammer entfernt und die gesamte gelbe Filterschicht mit einer Photoresistmaskierschicht 30 einer Dicke von ungefähr 5.000 & überzogen, wie das aus Fig. 3 hervorgeht. Ein kommerziell erhältliches, organisches Photoresistmaterial, wie "KMER", "KTFR" oder "KPH" der Eastman-Kodak Co. ist für das Sprühätzen geeignet. Das Resistmaterial kann alternativ auch ein mit einem Sensibilisator kombiniertes Alkydharz mit niedrigem Ölgehalt sein. Die Photoresistschicht wird dann einem Lichtgitter ausgesetzt, das die gewünschten Abmessungen der endgültigen Filterstreifen besitzt, und sodann mit Standardmethoden entwickelt, um die unbelichteten Teile der Photoresistschicht ent-

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fernen zu können, wodurch eine Maske 30 aus belichtetem Photoresist gemäß Fig. 3 entsteht, die etwas dicker als die Filterschicht ist.

Gemäß Fig. 4 wird nunmehr die Frontplatte 16, die auf der Fläche 14 die Filterschicht 12 und dfe Maske 30 trägt, auf einer Stützplatte 32 befestigt, die ein Teil einer Elektrodenanordnung 34 für das Hochfrequenzsprühätzen ist,

Die Stützplatte 32 besteht aus einer Siliziumdioxidscheibe von ungefähr 1,5 mm Dicke und mit einem Durchmesser von ungefähr 75 mm. Die Maske 3o, die freigelegten Filterschichtbereiche 38 und die freien Teile der Stützplatte 32 werden mit Ionen einer Argon-Glimmentladung beschossen, bis sämtliches freigelegtes Filterschichtmaterial entfernt ist. Während des Bombardements streut Siliziumdioxid der Stützplatte 23 zurück auf die Photoreswistmaske 30 und reduziert die durch von der Filterschicht 28 abgespaltenes Fluor, Schwefel oder Wasser hervorgerufene Verschlechterung der Maske 30. Die Ätztiefe wird durch Zeitmessung überwacht. Die Ätzrate variiert etwas in Abhängigkeit von den allgemeinen Ätzbedingungen. Jedoch kann die korrekte Ätzrate für ein bestimmtes System mit bestimmten Parametern durch eine kurze Serie von Versuchen genau festgestellt werden. Die Werte verschiedener wichtiger Parameter während des Ätzvorganges nach dem bevorzugten Ausführungsbeispiel waren: Eine Hochfrequenzspannung mit einem Spitzenwert von 2.750 Volt, eine Hochfrequenz von 7,4 Megahertz, ein magnetisches Glimmbegrenzungsfeld von 35 Gauss im Ätzbereich, eine Mantelspannung von minus 680 Volt, ein Abstand von 88 mm zwischen Sprühelektrode und einer darüber angeordneten, geerdeten Platte und ein Argondruck von ungefähr 2,7*10""^ Torr. Die Spitzenspannung und die Mantelspannung können innerhalb eines großen Bereichs variiert werden. Die Ätz-

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rate ändert sich in Abhängigkeit sowohl von der Spitzenais auch der Mantelspannung. Je nach der gewünschten Ätzrate kann die Spitzenspannung bis zu 3.800 Volt und die Mantelspannung, die von der Spitzenspannung abhängt, bis zu 950 Volt betragen. Bei höheren Spannungen wird der Strahlungsschaden an der Filterschicht bemerkbar. Die magnetische Feldstärke kann bis zu 60 Gauss betragen. Stärkere Felder führen jedoch zu ungleichen Ätzraten.

Die Ätzzeit, die zum Wegätzen der freigelegten gelben Filterschicht 28 unter den oben angegebenen Bedingungen benötigt wird, beträgt ungefähr 70 Minuten. Obwohl das freigelegte Filtermaterial völlig entfernt wird, ist die Photoresistmaske 30 auf den abgedeckten Filterbereichen hinreichend dick, daß sie nicht völlig entfernt wird. Sie schützt daher das darunter liegende Filter 28 vor Sprüheffekten.

Das nach dem Ätzvorgang verbleibende Material der Maske 30 wird durch kurzes, etwa 5-minütiges Sprühätzen in einer Sauerstoffentladung erreicht, und zwar bei einem Sauerstoffdruck .von ungefähr 3*10 Torr, einer Hochfr equenzspitzenspannung von ungefähr 2.000 Volt, einem mittleren Oberflächenpotential des Photoresists von ungefähr minus 500 Volt und einem magnetischen Feld von ungefähr 35 Gauss. Dadurch wird das Material der Maske 30 karbonisiert und in flüchtiges Material umgewandelt, das ohne Schwierigkeiten von der Oberfläche verdampft, ohne die darunter liegenden gelben Filterstreifen 22 nachteilig zu beeinflussen.

Nach Beendigung des Ätzens der gelben Streifen 22 wird die gesamte Frontplattenoberfläche 14 und die gelben Streifen 22 mit einer durchgehenden anorganischen Cyan-

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Mehrschicht-Interferenzfilterschicht überzogen. Die Cyanfilterschicht wird durch Verdampfen niedergeschlagen, und zwar entsprechend der Herstellung der gelben Filterschicht. Die erste Schicht ist ZnS. Abwechselnde Schichten von ThF^·4H₂O und ZnS werden niedergeschlagen, bis fünf ZnS-Schichten und vier ThF^«4H₂0-Schichten vorhanden sind. Die Dicke sämtlicher Schichten wird mit Licht einer Wellenlänge von 7.000 Ä überwacht. Auf diese Weise besitzt jede Schicht eine Dicke, die 1/4 der Wellenlänge des 7.000 8-Lichts in der Schicht entspricht. Sodann wird eine letzte Schicht aus ThF^*4HpO hinzugefügt. Diese letzte Schicht wird mit 5.300 Ä Licht überwacht, anstatt mit 7.000 Ä Licht, das für die übrigen Schichten benutzt wurde, und ist etwas dünner als die vorhergehenden ThF^.4H₂O-Schichten.

Mit der gleichen Technik, die zum Ätzen der gelben Filterschicht benutzt wurde, wird die Cyanfilterschicht zu einem Gitter geätzt, das unter 45° zum gelben Gitter verläuft. Die Ätzparameter sind grundsätzlich dieselben wie sie auch beim Ätzen der gelben Filter eingestellt wurden, mit der Ausnahme, daß die Ätzzeit ungefähr 7,7% langer ist, als sie für das gelbe Filter benötigt wird, da das Cyanfilter eine größere Dicke besitzt. Durch genaues Einhalten der Ätzzeit kann die Cyanfilterschicht auf eine bestimmte Dicke mit einer Genauigkeit von ungefähr 1,5% der ursprünglichen Filterschichtdicke geätzt werden. Diese Genauigkeit reicht aus, um das freigelegte Cyanfiltermaterial von den darunter liegenden gelben Filterstreifen 22 wegätzen zu können, ohne die gelben Filterstreifen 22 während dieses Vorganges zu beschädigen.

Die Stützplatte, von der Material auf die Photoresistschicht rückgestreut wird, besteht aus einem Element oder einer Verbindung das bzw. die die Photoresistbeschädigungen reduziert; sie ist weiterhin relativ inert und

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zerfällt nicht - zumindest nicht in nennenswertem Umfang - in reaktionsfähigere Substanzen. Für das Ätzen von optischen Filtern sind Oxide besonders geeignet, da sie keine oder nur geringe unerwünschte Einflüsse auf die optischen Eigenschaften des Filters haben. Da Sauerstoff unter Sprühätzbedingungen sehr stark mit Photoresistmaterial reagieren.kann müssen die ausgewählten Oxide stabil genug sein, damit keine nennenswerte Zersetzung eintritt. Eine ganze Anzahl von Oxiden sind unter Sprühätzbedingungen sehr stabil. Das Maß, in dem ein Element oder Komplex unter den Bedingungen des Ionenbombardements während des Sprühätzens aus einer Verbindung abgetrennt wird, hängt wahrscheinlich von der Stärke der chemischen Bindung zwischen den Bestandteilen der Verbindung ab, die wiederum offensichtlich von der Zerfallswärme pro dissoziertem Element.oder Komplex für das Molekül abhängt. Die Zerfallswärme pro abgetrenntem Atom ist für eine Anzahl von Oxiden gemäß der nachfolgenden Tabelle experimentexll ermittelt worden:

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Tabelle

Molekül Zerfallswärme pro

Sauerstoffatom (in Kcal pro Mol)

PbO₂ 33,06

^Bi2°3 46,0

Pb ,0 52,2

CoO 57,2

NiO 58,4

Cdo 60,86

SnO₂ 69,4

V₂O₅ 74,6

Cr₂O₃ 89,8

Nb₂O₅ 92,64

TiO₂ 109,0

ZrO₂ 129,2

BaO 133,4

SrO 141,2

MgO 143,84

CaO 151,8

La₂O₃ 152,5

SiO₂ 153,9

Al₂O₃ 195,9

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Unter den normalerweise beim Sprühätzen vorliegenden Bedingungen zerfielen diejenigen der zuvor angegebenen Verbindungen in einem beträchtlichen Maße, die eine Zerfall swärme pro Sauerstoffatom von weniger als ungefähr 135 Kcal/mol besitzen (in der Tabelle oberhalb der gestrichelten Linie aufgeführt), während die Verbindungen, deren Zerfallswärme oberhalb des genannten Wertes liegt, die also unterhalb der gestrichelten Linie aufgeführt sind, nicht zerfielen. Von den Materialien mit einem höheren Wert eignen sich besonders MgO, SiOp und Al₂O, als Stützplattenmaterial, während die anderen weniger geeignet sind, da sie andere physikalische Eigenschaften aufweisen (beispielsweise hygroskopisch sind), die ihre Anwendung im Vakuum in der Praxis ausschließen. Obwohl AIpO, eine Photoresistbeschädigung reduziert, besitzt es den Nachteil, daß es den Ätzprozeß stark verlangsamt, da es eine niedrige Niederschlagsrate besitzt. Demgegenüber erscheint SiOp als am besten verwendbare Verbindung für die Stützplatte. Es ist leicht erhältlich in dichten, geformten Scheiben, ist völlig inert, zerfällt nur in unbedeutendem Umfang und reduziert den Abbau des Photoresists. Weiterhin verschlechtert SiOp die optischen Eigenschaften von Filtern nicht, da es in dünnen Schichten hinreichend transparent ist. Zusätzlich zu den speziell erwähnten Oxiden gibt es eine Anzahl von Stützplattenmaterialien, wie beispielsweise bestimmte Gläser, die die zuvor hinsichtlich der Oxide diskutierten Erfordernisse erfüllen und deshalb ebenfalls zur praktischen Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens geeignet sind. Diese anderen verwendbaren Materialien, zu denen beispielsweise Borsilikatgläser gehören, bestehen primär, zumindest zu 50% aus einem oder mehreren der zuvor erwähnten Oxide des Aluminiums, Magnesiums oder Siliziums.

Das Maß der Rückstreuung unter gegebenen Sprühätzbedingun-

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gen von der Stützplatte auf die Photoresistschicht hängt von den Proportionen der dem Bombardement ausgesetzten Stützplatte ab. Obwohl es wünschenswert ist, dem Bombardement mindestens eine der Photoresistoberflache gleich große Stützplattenoberfläche auszusetzen, ist das genaue Verhältnis nicht kritisch.

Ein Photoresistmaterial, das aus einem Alkydharz mit niedrigem Ölgehalt und einem Sensibilisator besteht, ist für das Hochfrequenzsprühätzen besonders geeignet. Ein derartiges Photoresistmaterial besitzt nicht nur eine überraschend hohe Widerstandfähigkeit gegenüber dem Sprühätzen, sondern ist auch besonders vorteilhaft für das erfindungsgemäße Verfahren geeignet, da das Rückstreuen von Siliziumdioxid auf dieses Photoresistmaterial den Abbau in einem wesentlich größeren Maße reduziert, als dies bei anderen Photoresisten der Fall ist. Daraus folgt, daß dieses Material in dünneren Schichten verwendet werden kann. Eine dünnere Photoresistschicht führt wiederum zu einer höheren Genauigkeit des geätzfen Musters. Da das im Rahmen des bevorzugten Ausführungsbeispiels verwendete Photoresistmaterial derzeit kommerziell nicht erhältlich ist, wird nachfolgend seine Herstellung angegeben:

Ein derartiges Alkydharz wird durch Reagieren folgender Bestandteile hergestellt:

Tallöl-Fettsäure (1% Harz) 25,0 Gew.-%

Phthalsäureanhydrid 35,5 Gew.-%

Pentaerythrit 18,0 Gew.-%

Trimethylolpropan 16,9 Gew.-%

Benzoesäure 4,6 Gew.-%

Die Ingredienzen werden bei einer Temperatur von ungefähr 200⁰C solange zum Reagieren gebracht, bis das Produkt eine Säurezahl zwischen 5 und 25 aufweist.

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Das derart in einer Menge von ungefähr 225 g hergestellte Alkydharz wird "unter Rühren für eine Stunde in Stickstoffatmosphäre erwärmt und dann auf 100 C abgekühlt. Sodann werden ungefähr 900 ml Methylcyclohexan zugefügt und die Mischung zum Rühren unter Rückfluß erwärmt. Nach einer Stunde werden Erwärmen und Rühren unterbrochen und die oben stehende Flüssigkeit dekantiert. Das zurückbleibende, absorbierte Lösungsmittel wird durch Destillation entfernt, wonach das erhaltene Polymer, ungefähr 185 g, in dem gewünschten Lösungsmittel aufgelöst, dekantiert und gefiltert wird.

Die zuvor beschriebene Behandlungsmethode gilt äem Zweck, die Enden des Alkydharzes mit niedrigem Molekulargewicht zu entfernen. Vorzugsweise sollten ungefähr 15 bis 40% des ursprünglichen Materials entfernt werden.

Um das Photresistmaterial herzustellen, wird das modifizierte Alkydharz in Toluol oder einer Mischung aus Toluol und Xylol aufgelöst, um eine 20 Gew„-$>ige Lösung herzustellen. Sodann wird ein Sensibilisator in einer Menge von ungefähr 6 Gew.-% des Harzes zugegeben. Der Sensibilisator kann beispielsweise 2,6-bis(para-Azidobenzyliden)-4-Methylcyclohexanon sein. Weitere geeignete Sensibilisatoren sind: Benzo'e* , Bezophenon_s Diacetyl, 4,4,4,4'-bis-(Dimethylamine) Benzophenon, Benzo'e'-Methyläther, 2-Methylantrachinon und ^-Chloranthrachinon. Mischungen der genannten Stoffe sind ebenfalls verwendbar.

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Claims

RCA Corporation, 30 Rockefeller Plaza, New York, N.Y. 10020 (V.St.A.)

Patentansprüche:

Verfahren zum Sprühätzen eines Musters, das durch eine organische Photoresistmaske auf der Oberfläche eines Materials definiert wird, von dem unter den Sprühätzbedingungen Elemente oder Komplexe abgetrennt werden, die mit dem Photoresistmaterial reaktionsfähig sind, wobei das Sprühen mittels Hochfrequenz-Glimmentladung in einem ionisierbaren Gasplasma durchgeführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß nahe dem zu ätzenden Material ein Körper aus inertem, stabilem Material angeordnet und ein Teil des inerten, stabilen Materials während des Sprühätzens auf die Photoresistmaske rückgestreut wird, wodurch der durch die reaktionsfähigen Elemente oder Komplexe hervorgerufene Abbau der Photoresistmaske reduziert wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß das rückgestreute Material primär aus einem Oxid eines oder mehrerer der Elemente Aluminium, Magnesium und Silizium besteht.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das rückgestreute Material Siliziumdioxid ist.
4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis

3, dadurch gekennzeichnet, daß das Photoresistmaterial aus einem Alkydharz mit Sensibilisator besteht.

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5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet , daß das Alkydharz ein solches mit niedrigem Ölgehalt ist.

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