DE2849996C2 - Photodepolymerisierbares Gemisch und ein Verfahren zur Herstellung eines Positivbildes - Google Patents
Photodepolymerisierbares Gemisch und ein Verfahren zur Herstellung eines PositivbildesInfo
- Publication number
- DE2849996C2 DE2849996C2 DE2849996A DE2849996A DE2849996C2 DE 2849996 C2 DE2849996 C2 DE 2849996C2 DE 2849996 A DE2849996 A DE 2849996A DE 2849996 A DE2849996 A DE 2849996A DE 2849996 C2 DE2849996 C2 DE 2849996C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- mixture
- photodepolymerizable
- copolymer
- positive image
- crosslinking agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D133/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D133/04—Homopolymers or copolymers of esters
- C09D133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
- C09D133/10—Homopolymers or copolymers of methacrylic acid esters
- C09D133/12—Homopolymers or copolymers of methyl methacrylate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Description
CH2CI
CH2CHO
CH2CH CH2
ist, in der
15
und
χ eine ganze Zahl mit einem Wert von 1 bis 9 ist
und
.K und ζ 0 oder eine ganze Zahl mit einem Wert von 1
bis 3 bedeuten.
2. Photodepolymerisierbares Gemisch nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Vernetzungsmittel aus zwei oder mehreren verschiedenen,
der Formel I des Anspruchs 1 genügenden Verbindungen besteht, die sich zumindest in einem
Wert des Indizes x.^und ζ unterscheiden.
3. Photodepolymerisierbares Gemisch nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Antei'an
Vernetzungsmittel und Copolymerem durch ein Verhältnis von 0.1 bis 3,0 in der Zahl der
Epoxygruppen des Vernetzungsmittels und der Zahl der Carbonsäuregnippen des Copolymeren gegeben
ist
4. Verfahren zur Herstellung eines Positivbildes, bei dem man ein photodepolymerisierbares Gemisch
mit einem Methylmethacrylat/Methacrylsäure-Copolymeren und einem Vernetzungsmittel auf einen
Schichtträger aufbringt, erhitzt, bildmäßig bestrahlt
und mit einem organischen Lösungsmittel entwikkelt, dadurch gekennzeichnet daß man ein photodepolymerisierbares Gemisch gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 3 verwendet.
45
Die Erfindung betrifft ein photodepolymerisierbares Gemisch, das als photodepolymerisierbare Komponente ein Reaktionsprodukt aus einem Copolymeren aus
Mol Methylacrylat und 1 bis 15 Mol Methacrylsäure sowie ein Vernetzungsmittel enthält und das durch
Bestrahlung, beispielsweise mit einem Elektronenstrahl, Röntgenstrahlen. y-Strahlen oder Strahlen des fernen
Ultraviolette ein Positivbild liefert, sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Positivbildes unter Verwendung
dieses photodepolymerisierbaren Gemisches.
Man kann ein Positivbild auf einem Substrat mit Hilfe eines phoiodepolymeruierbaren Gemisches erzeugen,
das in einem organischen Lösungsmittel, wie Methylisobutylkelon, nur wenig löslich ist, sich jedoch in dem
organischen Lösungsmittel leicht löst, wenn es mit einer Strahlung, wie beispielsweise einem Elektronenstrahl,
bestrahlt worden ist.
Als photodepolymerisierbares Gemisch zur Erzeugung eines Positivbildes wurde bereits in der US-PS
35 137 ein Abdecklack beschrieben, der Polymethyl
methacrylat enthält. Dieses photodepolymerisierbare
Gemisch kann ein Positivbild mit hohe»· Auflösung liefern, zeigt jedoch eine geringe Empfindlichkeit, d. h,
zur vollständigen Entfernung des photodepolymerisierbaren Gemisches in dem bestrahlten Gebiet ist eine
Strahlungsmenge von mindestens 1 χ 10-* Coulomb/cm3 erforderlich.
Aus der DE-OS 23 63 092 ist ein Photolack zur Erzeugung eines Positivbildes durch Bestrahlung
bekannt, der ein Gemisch aus zwei verschiedenen Copolymeren enthält, von denen das eine Carboxylgruppen und das andere Säurechloriogruppen aufweist
Bei der Anwendung wird dieser Photolack auf das Substrat aufgetragen und erhitzt wodurch die beiden
Copolymeren unter Abspaltung von Chlorwasserstoff und unter Bildung von Säureanhydridgruppen vernetzt
werden. Beim Bestrahlen der in dieser Weise vernetzten Copolymeren werden an den bestrahlten Stellen die die
Vernetzung bewirkenden Säureanhydridgruppen zerstört so daß an diesen Stellen die nicht mehr vernetzten
Copolymeren mit einem organischen Lösungsmittel herausgelöst werden könnea Dies ist insofern von
Nachteil, als die Vernetzung der beiden verwendeten Copolymeren unter Chlorwasserstcffabspaltung nicht
unproblematisch ist und die die vernetzenden Gruppen darstellenden Säureanhydridgruppen unter Einwirkung
von Luftfeuchtigkeit einer Hydrolyse unterliegen, so daß mit dem Photolack beschichtete Oberflächen ohne
Beeinträchtigung ihrer Eigenschaften nicht ohne weiteres gelagert werden können. Darüber hinaus ist es sehr
schwierig, mit solchen Photolacken gleichzeitig eine hohe Empfindlichkeit und eine große Auflösung zu
erreichen.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht nun
darin, ein photodepolymerisierbares Gemisch der eingangs beschriebenen Art zu schaffen, das bei
größerer Empfindlichkeit ein höherer Auflösungsvermögen besitzt als die herkömmlichen Produkte und das
ohne weiteres gelagert werden kann.
Diese Aufgabe wird nun gelöst durch die kennzeichnenden Merkmale des Hauptanspruchs.
Gegenstand der Erfindung ist daher das photodepolymerisierbare Gemisch gemäß Anspruch I. Die
Unteransprtiche betreffen besonders bevorzugte Ausführungsformen dieses Erfindungsgegenstandes. Ein
weiterer Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Positivbildes, wie es in Anspruch 4
gekennzeichnet ist.
Das durchschnittliche Molekulargewicht der aus Methylmethacrylat und Methacrylsäure bestehenden
Copolymeren, die in dem erfindungsgemäßen photodepolymerisierbaren Gemisch verwendet werden, beträgt
vorzugsweise IO 000 bis 200 000. Die photodepolymerisierbaren Gemische, die ein Copolymeres mit einem
Molekulargewicht von weniger als 10 000 enthalten,
sind in organischen Lösungsmitteln leicht löslich, wahrend Copolymere mit einem Molekulargewicht von
mehr als 200 000 enthaltende Gemische in organischen Lösungsmitteln auch nach der Bestrahlung unlöslich
sind.
Die in dem erfindungsgemäßen photodepolymerisierbaren Gemisch enthaltenen Vernetzungsmittel können
durch Umsetzen von Polyäthylenglykol oder Polypropylenglykol mit Epichlorhydrin gemäß der nachfolgenden Formel Il und durch anschließendes Entfernen von
Chlorwasserstoff mit Natriumhydroxid aus dem Reaktionsprodukt unter Bildung von Epoxygruppen hergestellt werden, wie dies durch die nachfolgenden Formeln
III und IV gezeigt wird:
OH
GH
O O
(Vernetzungsmittel hergestellt aus Polyäthylenglykol)
CH2 CHCH2O
(Vernetzungsmittel hergestellt aus Polypropylenglykol)
Wenn die Verbindung der allgemeinen Formel I, in der die Substituenten R Wasserstoffatome darstellen,
durch die allgemeine Formel E(y*^) wiedergegeben
wird und die Verbindung der allgemeinen Formel I, in
der die Substituenten R für Metrr> ,gruppen stehen,
durch die allgemeine Formel ?(yjcj) wiedergegeben
wird, können die Verbindungen der allgemeinen Formel IH und IV als E(O1X1O) beziehungsweise P(O1X1O)
wiedergegeben werden.
Bei den oben beschriebenen Umsetzungen erfolgen Nebenreaktionen, wodurch Nebenprodukte gebildet
werden, die der nachstehenden allgemeinen Formel V entsprechen, aus denen durch Entfernen von Chlorwasserstoff mit Natriumhydroxid Vernetzungsmittel der
allgemeinen Formel VI gebildet werden können:
CH2Cl CH2Cl
C1CH1-CHCH1O-CHCH1OHCH1CH1O^CH1CHO-CH1CH-Ch1C1
OH OH
(V)
CH2Cl
CH2Cl
-CH,
(VD
Das Vernetzungsmittel der allgemeinen Formel Vl kann als E(I,X1I) wiedergegeben werden.
Das unter Verwendung von Polypropylenglykol anstelle von Polyäthylenglykol hergestellte Vernetzungsmittel kann durch die Formel P(I1X1I) wiedergegeben werden.
Bei der oben angegebenen Reaktion können, wenn die Menge an Epichlorhydrin ansteigt, die Produkte mit
hohen Werten für die Indizes y und ζ erhalten werden. Die Produkte mit verschiedenen Werten für die Indizes
yund ζ können durch Gelpermeationschromatographie
isoliert werden.
Bei den Vernetzungsmitteln, die durch die Formeln E(y,x,z) und P(y,x,z) wiedergegeben werden, steht der
vorzugsweise im Bereich von 3 bis 6, während die
bis 3 stehen.
sches an dem Methylmethacrylat/Methacrylsäure-Copolymerem (MMA/MAA-Copolymerem) und den Vernetzungsmitteln E(y,x,z) und/oder P(y,x,z)s\nd folgende:
(I) In MMA/MAA-Copolymeren, bestehend aus 100
Teilen MMA und weniger als 5 Teilen MAA, beträgt das Verhältnis der Anzahl der Epoxygruppen des Vernetzungsmittels zur Anzahl der
Carbonsäuregruppen des Copolymeren
/— CH CH2/—COOH^
I O j
vorzugsweise 0,5 bis 3,0.
(2) in MMA/MAA-Copolymeren, bestehend aus iOo Teilen MMA und mehr als 5 Teilen MAA, liegt das
obenerwähnte Verhältnis
/-CH CH2/-COOH j
I O /
vorzugsweise im Bereich von 0,1 bis 2,0.
to
15
Es kann ein einziges, durch Efyjcji) oder (
wiedergegebenes Vernetzungsmittel oder es kann eine Mischung von zwei oder mehreren Vernetzungsmitteln
verwendet werden.
Die Copolymeren aus Methylmcthacrylat und Methacrylsäure,
werden wie folgt hergestellt:
(1) Man vermischt 9 ml Methylmethacrylat (MMA), 1 ml Methacrylsäure (MAA), 5 ml Benzol und
160 mg Azobisisobutyronitril (Polymerisationsinitiator), biingt die Mischung in ein Rohr ein und
führt nach dem Verschließen eine Radikalpolymerisation bei einer Temperatur von 8O0C während 4
Stunden durch, wobei man ein Copolymeres erhält (Copolymeres A). Dieses Copolymere besitzt ein
zahlenmittleres Molekulargewicht (Mn) von 31 000
und ein gewichtsmittleres Molekulargewicht (Mw)
von 88 000. Der Anteil von MAA in dem Copolymeren A beträgt 12 Molprozent Die Molekulargewichte wurden durch Gelpermeationschromatographie
bestimmt
(2) Man vermischt 9 ml MMA, 0,4 ml MAA, 10 ml Benzol und 160 mg Azobisisobutyronitril, bringt die
Mischung in ein Rohr ein und bewirkt nach dem Verschließen eine Radikalpolymerisation bei einer
Temperatur von 900C während 3 Sturden, wodurch
man ein Copolymeres erhält (Copolymeres B). Diese_Copolymere besitzt ein Mn von 13 000 und
ein M„ von 30 000. Der Anteil von MAA in dem Copolymeren B beträgt 4,5 Maiprozent
Das Vernetzungsmittel wird wie folgt hergestellt: Man gibt 96 g Epichlorhydrin unter Rühren tropfenwei- so
te zu einer Mischung von 50 g Tetraäthylenglykol und
0,25 ml Borfluorid-Ätherat (BF3) auf einem bei 400C
gehaltenen Wasserbad, wobei man die Mischung kühlt, um ihre Temperatur bei 44° bis 45°C zu halten.
Anschließend wird tropfenweise eine konzentrierte wäßrige NaOH-Lösung zu der Mischung unter Bildung
von Epoxygruppen zugesetzt Dann entfernt man Natriumchlorid. Lösungsmittel und unverändertes
Epichlorhydrin. Aus den Reaktionsprodukten isoliert man durch Gelpermeationschromatographie die Produkte
E(0,4,0). E(IAO). E(1.4,1), E(2,4.0), E(2AI) und
E(2,4,2).
In gleicher Weise werden unter Verwendung von
Polypropylenglykol und Epichlorhydrin die Produkte P(OAO), P(1.4,0), P(IAl), P(2,4,0), P(2,4,l) und P(2,4,2)
erhalten.
Man bildet eine Schicht des photodepolymerisierbaren Gemisches auf ein:m Schichtträger, wie beispielsweise
einer Siliciumschejbe und erhält wie folgt ein Positivbiid auf dem Schichtträger
Das Copo!>ffiere urni das Vernetzungsmittel werden
in einem organischen Lösungsmittel gelöst und man filtriert Unlösliches ab. Das Filtrat wird mit Hilfe des
Spinn- oder Tauchüberzugsverfahrens auf einen Schicntiräger (z. B. eine Siliciumscheibe) aufgebracht
und unter Ausbildung eines Films auf dem Schichtträger getrocknet Der Film wird bis zu einer Temperatur von
1000C bis 1700C erhitzt, um das Vernetzen des
Copolymeren mit den; Vernetzungsmittel zu bewirken. Der Film wird mit einem Elektronenstrahl bestrahlt, um
die vernetzte Struktur in dem bestrahlten Gebiet zu zersetzen, und anschließend wird der Film mit einem
organischen Lösungsmittel (z. B. Methylisobutylketon) zur Entwicklung des in dem Film durch Bestrahlung
erzeugten latenten Bildes gelöst Auf diese Weise wird auf dem Schichtträger ein Positivfcjld erhalten.
Das photodepolymerisierbare Gemisch der vorliegenden
Erfindung kann durch Bestrahlung, wie beispielsweise mit einem EIektr<~ ".enstrahl mit einer
Nachbeschleunigungsspannung vrn 25 kV und einer Dosis von 10~6 Coulomb/cm2 oder 10~5 Coulomb/cm2
auf dem Schichtträger ein Positivbild mit hoher Auflösung liefern.
Dh. nachfolgenden Beispiele für die Herstellung eines Positivbildes auf einem Schichtträger unter Verwendung
der Copolymeren und der Vernetzungsmittel, wie sie oben hergestellt wurden, dienen der weiteren
Erläuterung der Erfindung.
Das Copolymere A und das Vernetzungsmittel E(OAO) werden zur Erzielung einer Mischung gemischt,
in welcher das Verhältnis der Anzahl der Epoxygruppen des Vernetzungsmittels zur Anzahl der Carbonsäuregruppen
des Copolymeren
/-CH CH2/-COOh)
1 ν J
den Wert I : 1 besitzt. 2 g der Mischung werden in 20 ml
Methylcellosolveacetat aufgelöst. Die so erhaltene Lösung wird durch ein Filter aus Polytetrafluoräthylen
mit Poren von 0,2 μπι zur Entfernung von unlöslichen
Bestandteilen filtriert.
Das Filtrat wird durch Zentrifugalbeschichten bei 3000 U/min während 25 Sekunden aufgebracht und
unter Bildung eines Films mit einer Dicke von 03 μπι auf
den* Schichtträger getrocknet Der Film wird 40
Minuten auf eine Temperatur von 1500C erhitzt, um das Copolymere mi» dem Vernetzungsmitte'. ?u vernetzen.
Der so behandelte Film wird mit Meihylisobutylketon gelöst, um die Löslichkeitsrate des Films zu messen. Die
Löslichkeitsrate beträgt 2 nm/Minute. (Im Gegensatz hierzu beträgt a.e Löslichkeitsrate des nicht heiß-behandelten
Füms 400 nm/Minute.) Der oben behandelte Film wird mit einem Elektronenstrahl mit Abstanden von
1 μπι und einer Linienbreite von 0,25 μπι bestrahlt. Bei
dieser Bestrahlung betragen die Nachbeschleunigungsspannung 25 kV und die Dosis 1 χ ΙΟ-5 Coulomb/cm2.
Nachduii der Film bestrahlt worden ist, wird das in dem
Film erzeugte latente Bild mit Methylisobutylketon bei 25°C zur Auflösung des Films in dem bestrahltem
Gebiet entwickelt und es wird der Film in dem bestrahlten Gebiet im Verlaufe von 5 Minuten
vollkommen entfernt Auf diese Weise kann das in dem Film durch Bestrahlung erzeugte latente Bild unter
Bildung eines Positivbildes auf dem Schichtträger entwickelt werden.
Bespiele 2 bis 10
Durch Wiederholen des in Beispiel I beschriebenen Verfahrens mit den in der nachfolgenden Tabelle 1
angegebenen Einzelheiten werden auf Siliciumscheibcn Filme und Positivbilder hergestellt.
Verh.·)
Wärmebehandlung | Dosis |
( C, min) | (Coulomb/cm2) |
150°, 40 | 4 x 10" |
150°, 40 | 4 x 10 A |
150°, 40 | 1 X 10"s |
150°, 40 | 1 x 10 5 |
150°, 40 | I X 10 ; |
150°, 80 | 8 x 10" |
'50°, 40 | 5 X 10"5 |
150°, 40 | 2 X 10"5 |
150°, 40 | 1 X 10"5 |
A A A A
B A A A
E(0,4,0) 0,1 :
E(2,4,2) 1 :
P(0,4,0)
Mischung (1:1) von
E(0,4,0) und P(0,4,0)
Mischung (1:1) von E(0,4,0)undE(I,4,l)
E(0,4,0) E(0,2,0) P(0,7,0) E(0,4,0) 1 :
·) Das »Verhältnis« steht für das Verhältnis der Anzahl der Epoxygruppen des V&--<;tzungsmittels zur Anzahl der Carbonsäuregruppen des Copolymeren.
Die gemäß den obigen Beispielen 2 bis 10 erhaltenen Auflösungen sind:
Tabelle II | Auflösung | Verringerung der Dicke des |
Beispiel Nr. | (μπι) | nicht abgetasteten Films |
<0,5 | 20% | |
2 | 0,3 | |
3 | 0,5 | |
4 | 0,5 | |
5 | 0,5 | |
6 | 0,5 | |
7 | 0,3 | |
8 | 0,8 | 30% |
9 | 0,1 | |
10 | ||
Wie aus den oben gezeigten Ergebnissen entnommen werden kann, besitzen die photodepolymerisierbaren
Gemische der vorliegenden Erfindung eine hohe Empfindlichkeit und können ein Positivbild mit hoher
Auflösung liefern.
Der mit dem photodepolymerisierbaren Gemisch erzeugte Film mit einem erzeugten Bild zeigt einen
klaren viereckigen Querschnitt, weil der Film in dem bestrahlten Gebiet eine sehr hohe Löslichkeit in einem
organischen Lösungsmittel im Vergleich zu dem Film in dem nicht bestrahlten Gebiet aufweist.
Die photodepolymerisierbaren Gemische der vorliegenden Erfindung sind insbesondere zur Herstellung
eines Positivbildes auf einem Schichtträger bei der Herstellung von integrierten Schaltungen, Halbleiterelementen
und dergleichen, brauchbar.
Claims (1)
1. Photodepolymerisierbares Gemisch, das als
photodepolymerisierbare Komponente ein Reak-
/ CH2Cl
tionsprodukt aus einem Copolymeren aus 100 Mol Methylmethacrylat und 1 bis 15 Mol Methacrylsäure
sowie ein Vernetzungsmittel enthält, dadurch
gekennzeichnet, daß das Vernetzungsmittel eine Verbindung der allgemeinen Formel I
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13857477A JPS5471579A (en) | 1977-11-17 | 1977-11-17 | Electron beam resist |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2849996A1 DE2849996A1 (de) | 1979-05-23 |
DE2849996C2 true DE2849996C2 (de) | 1983-01-05 |
Family
ID=15225304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2849996A Expired DE2849996C2 (de) | 1977-11-17 | 1978-11-17 | Photodepolymerisierbares Gemisch und ein Verfahren zur Herstellung eines Positivbildes |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4346163A (de) |
JP (1) | JPS5471579A (de) |
DE (1) | DE2849996C2 (de) |
FR (1) | FR2409534A1 (de) |
GB (1) | GB2011635B (de) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3114931A1 (de) * | 1981-04-13 | 1982-10-28 | Hoechst Ag, 6000 Frankfurt | Durch strahlung polymerisierbares gemisch und daraus hergestelltes photopolymerisierbares kopiermaterial |
JPS5854635A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-03-31 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
US4458063A (en) * | 1982-04-22 | 1984-07-03 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | 2-Methyl-1,3-propylene glycol mono- or di-alkylene oxide ether |
JPS59191034A (ja) * | 1983-04-14 | 1984-10-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | ハロゲン化銀写真感光材料 |
US5114830A (en) * | 1988-10-28 | 1992-05-19 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Solder mask resins having improved stability containing a multifunctional epoxide and a partial ester or styrene-maleic anhydride copolymer |
US20050255410A1 (en) | 2004-04-29 | 2005-11-17 | Guerrero Douglas J | Anti-reflective coatings using vinyl ether crosslinkers |
US20070207406A1 (en) * | 2004-04-29 | 2007-09-06 | Guerrero Douglas J | Anti-reflective coatings using vinyl ether crosslinkers |
US7914974B2 (en) | 2006-08-18 | 2011-03-29 | Brewer Science Inc. | Anti-reflective imaging layer for multiple patterning process |
KR101647158B1 (ko) * | 2008-01-29 | 2016-08-09 | 브레우어 사이언스 인코포레이션 | 다중 다크 필드 노출에 의한, 하드마스크 패턴화를 위한 온-트랙 공정 |
US9640396B2 (en) * | 2009-01-07 | 2017-05-02 | Brewer Science Inc. | Spin-on spacer materials for double- and triple-patterning lithography |
MX2015005866A (es) * | 2012-11-08 | 2016-02-05 | Basf Se | Eteres de diglicidilo de derivados de 2-fenil-1, 3-propandiol y oligomeros de estos como resinas epoxi curables. |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE560181A (de) * | 1956-08-20 | |||
US3914462A (en) * | 1971-06-04 | 1975-10-21 | Hitachi Ltd | Method for forming a resist mask using a positive electron resist |
GB1445345A (en) * | 1972-12-21 | 1976-08-11 | Mullard Ltd | Positive-working electron resists |
US3943187A (en) * | 1973-12-12 | 1976-03-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Ductile coating composition of an acrylic polymer having reactive sites and an epoxy resin |
FR2290458A1 (fr) * | 1974-11-08 | 1976-06-04 | Thomson Csf | Resine sensible aux electrons et son application a la realisation de masques de haute resolution pour la fabrication de composants electroniques |
US3984582A (en) * | 1975-06-30 | 1976-10-05 | Ibm | Method for preparing positive resist image |
US4087569A (en) * | 1976-12-20 | 1978-05-02 | International Business Machines Corporation | Prebaking treatment for resist mask composition and mask making process using same |
-
1977
- 1977-11-17 JP JP13857477A patent/JPS5471579A/ja active Pending
-
1978
- 1978-11-16 GB GB7844869A patent/GB2011635B/en not_active Expired
- 1978-11-17 FR FR7832520A patent/FR2409534A1/fr active Granted
- 1978-11-17 DE DE2849996A patent/DE2849996C2/de not_active Expired
-
1980
- 1980-09-22 US US06/188,773 patent/US4346163A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2849996A1 (de) | 1979-05-23 |
JPS5471579A (en) | 1979-06-08 |
US4346163A (en) | 1982-08-24 |
FR2409534B1 (de) | 1981-01-16 |
FR2409534A1 (fr) | 1979-06-15 |
GB2011635A (en) | 1979-07-11 |
GB2011635B (en) | 1982-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0031592B1 (de) | Photopolymerisierbares Gemisch und damit hergestelltes photopolymerisierbares Kopiermaterial | |
DE69919161T2 (de) | Wasserlösliche, negativ arbeitende photoresistzusammensetzung | |
DE3817424A1 (de) | Alkenylphosphon- und -phosphinsaeureester, verfahren zu ihrer herstellung und durch strahlung polymerisierbares gemisch, das diese verbindungen enthaelt | |
EP0003040A2 (de) | Strahlungsempfindliche Überzugsmasse und Verfahren zur Herstellung eines negativen Photoresistbildes | |
DE2849996C2 (de) | Photodepolymerisierbares Gemisch und ein Verfahren zur Herstellung eines Positivbildes | |
DE3817011A1 (de) | Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern | |
DE2927838C2 (de) | Strahlungsvernetzbare Beschichtungsmasse zur Herstellung negativer Resistmuster | |
DE3854364T2 (de) | Positiv arbeitende lichtempfindliche Harzzusammensetzung. | |
DE19907700B4 (de) | Polymermaterial für ein Photoresist, dieses enthaltende Photoresistzusammensetzung und Herstellungsverfahren hierfür | |
DE3322886A1 (de) | Bilderzeugende harzmasse | |
DE2847764C2 (de) | Lichtempfindliches Material und Verfahren zur Bildung von ultrafeinen Mustern | |
DE2743763A1 (de) | Positivlackmaterial und verfahren zur herstellung einer lackmaske | |
DE68922922T2 (de) | Strahlungsempfindliche Materialien und damit hergestellte Artikel. | |
EP0177905B1 (de) | Verfahren zum Entwickeln und zum Entschichten von Photoresistschichten mit quaternären Ammomiumverbindungen | |
DE69203824T2 (de) | Entwicklerlösungen für lithographische Druckelemente. | |
DD295421A5 (de) | Positiv arbeitender photokopierlack mit chemischer verstaerkung | |
DE2911286C2 (de) | Photodepolymerisierbares Gemisch | |
DE69904223T2 (de) | Wasserlösliche positiv arbeitende photoresistzusammensetzung | |
DE69430960T2 (de) | Entwickler für positiv arbeitenden Elektronenstrahlresist | |
DE1104339B (de) | Kopierschicht aus Epoxydharzen fuer Flachdruckplatten | |
DE1447024C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines lichtempfindlichen Aufzeichnungsmaterials und dessen Verwendung | |
DE2806928B2 (de) | Strahlungsempfindliches Material und seine Verwendung als Resistmaterial | |
EP0226741A2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines positiv arbeitenden Photoresists | |
DE10137100A1 (de) | Transparenzverbesserung von Resist-Copolymeren für die 157 nm-Fotolithografie durch Einsatz von fluorierten Zimtsäurederivaten | |
DE2450381B2 (de) | Strahlungsempfindliches Material und dessen Verwendung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OAP | Request for examination filed | ||
OD | Request for examination | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: SCHWABE, H., DIPL.-ING. SANDMAIR, K., DIPL.-CHEM. DR.JUR. DR.RER.NAT., PAT.-ANW., 8000 MUENCHEN |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |