DE2752675A1 - Verfahren zum rasterfoermigen ausbilden einer pyroelektrischen vidikonauftreffplatte - Google Patents
Verfahren zum rasterfoermigen ausbilden einer pyroelektrischen vidikonauftreffplatteInfo
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/20—Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
- H01J9/233—Manufacture of photoelectric screens or charge-storage screens
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Description
Verfahren zum rasterförmigen Ausbilden einer pyroelektrisehen
Yidikonauftreffplatte
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum rasterförmigen Ausbilden einer pyroelektrisehen Vidikonauftreffplatte
unter Verwendung hochenergetischer Partikel zum selektiven Entfernen von Teilen des pyroelektrischen Werkstoffes auf
der Auftreffplatte.
Das bekannte Verfahren zum rasterförmigen Ausbilden einer pyroelektrischen Auftreffplatte besteht darin, eine ausgewählte Gebiete freilassende Maske auf eine Oberfläche der
Auftreffplatte zu legen. Die freigelassenen Gebiete wurden
mit chemischen Ätzmitteln behandelt, die einen Teil des
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pyroelektrischen Werkstoffs zwischen den bedeckten Gebieten entfernten. Anschließend wurde die Maske in bekannten naßchemischen Verfahren entfernt. Diese Arbeitsweise hat den
Nachteil von Kerbverlusten, die unzulässig sind, wenn die Rastergeoinetrie für maximale Auflösung sehr klein gemacht
wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum rasterförmigen Ausbilden einer pyroelektrischen Vidikonauftreffplatte
mit kleineren Rastergeometrien und geringeren Kerbverlusten anzugeben, als es mit den bekannten naßchemicchon
Vorfahren erreichbar ist.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs genannten Art nach der Erfindung dadurch gelöst, daß eine Schutzschicht
oder Maske auf der Schicht aus pyroelektrischera Werkstoff angebracht wird, die Gebiete abgrenzt, in denen der pyroelektrische
Werkstoff entfernt werden muß. Anschließend wird die pyroelcktrische Schicht dom Beschüß mit hochenergetischen
Partikeln ausgesetzt, die einen Teil des pyroelektrischen Werkstoffs in den beschossenen Gebieten entfernen.
Eine Schutzschicht oder Maske kann ein Fotowiderstand oder eino aufgedampfte oder aufgesplitterte Schicht sein. In
den letztgenannten Füllen ist die Schutzschicht ein Werkstoff
mit niedriger Sputtorgeschwindigkeit, d.h. ein Werkstoff, der in bezug auf den pyroelektrischen Werkstoff mit
niedriger Geschwindigkeit splittert. Das Maskenmuster in dieser Schicht kann durch das Abgrenzen mittels Fotowiderstandes
und anschließenden Gleichspannungssputterns gebildet
worden, wobei der Widerstand oder der pyroelektrische Stoff nicht geätzt wird.
Mach der Bildung der Maske werden die freigelassenen Ge-
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biete pyroelektrischen Werkstoffes, z.B. Triglyzinsulphat (TGS), einem Beschüß mit hochenergetischen Partikeln ausgesetzt.
Diese Partikeln können die Form eines breiton, ganz einheitlichen,
neutralisierten Ionenstrahls annehmen, der durch das Ionisieren von Argon bei einem Potential von
ungefähr 5000 Volt gebildet wird und die ionische Ladung nach der Beschleunigung der Partikeln neutralisiert. Diese
Technik ist als Ionenfräsen bekannt und bewirkt die Entfernung eines Teils des pyroelektrischen Werkstoffs durch
energetische Partikeln, die auf die freigelassenen Gebiete der Auftreffplatte prallen.
Eine andere Möglichkeit der Rasterbildung besteht darin,
daß der pyroelektrische Werkstoff mit einem Hochfrequenzplasma
entfernt wird, das reaktiv oder nicht reaktiv sein kann. So wird zur Bildung eines reaktiven HF-Plasmas ein
reaktives Gas in das Plasma eingebracht, wobei das Gas die Ätzgeschwindigkeit des Plasmas in bezug auf den pyroelektrischen
Werkstoff erhöht. So wird für (TGS) (ein allgemein benutzter pyroelektrischer Werkstoff) FREON-14 (ein
Fluorkohlenstoff)verwendet, das das (TGS) kräftig angreift, jedoch die Maske schont.
Nachdem die gewünschte Menge pyroelektrischen Werkstoffs durch HF-Plasmaätzen entfernt ist, wird die Maske oder
Schutzschicht abgenommen. Dieser Vorgang läßt sich vorteilhaft durch naßchemische Verfahren ergänzen, d.h. durch Auflösen
der Maske mit einem Lösungsmittel. Die Maske kann auch mit einem HF-Plasma abgenommen werden, dessen Zusammensetzung
durch die Zusetzung eines Gases geändert wird, das mit der Maske reagiert, aber nicht mit dem pyroelektrischen
Werkstoff. Ein derartiges Gas ist FREON-14, ebenfalls ein Fluorkohlenstoff,
der vorzugsweise die Maske, aber nicht den pyroelektrischen Werkstoff angreift.
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Claims (1)
- NORTH AMERICAN PHILIPS CORPORATION, New York, USA2 7 51 ß 7 ζPATENTANSPRÜCHE ι iQ/3(j1.) Verfahren zum rasterförmigen Ausbilden einer pyroelektrischen Vidikonauftreffplatte unter Verwendung hochenergetischer Partikel zum selektiven Entfernen von Teilen des pyroelektrischen Werkstoffes auf der Auftreffplatte, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst eine Gebiete abgrenzende Schutzschicht oder Maske auf der Schicht aus pyroelektrischem Werkstoff angebracht wird, in denen der pyroelektrische Werkstoff entfernt werden muß, danach die pyroelektrische Schicht dem Beschüß mit hochenergetischen Partikeln ausgesetzt wird, die einen Teil des pyroelektrischen Werkstoffes in den beschossenen Gebieten entfernen.2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht ein Fotowiderstand ist.3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht durch Aufdampfen aufgebracht ist.4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht ein Werkstoff mit niedriger Sputtergeschwindigkeit ist.5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die hochenergetischen Partikeln ein HF-Plasma sind.6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasma reaktiv ist und den pyroelektrischen Werkstoff selektiv entfernt.7* Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der pyroelektrische Werkstoff in den von Schutzmaterial freien Gebieten durch Ionenfräsen entfernt wird.PHA 20761Zr/eg - 2 "809824/0635ORIGINAL8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Schutzmaterial mit einem HF-Plasma selektiv entfernt wird.PHA 20761 - 3 -809824/063 5
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US74864076A | 1976-12-08 | 1976-12-08 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2752675A1 true DE2752675A1 (de) | 1978-06-15 |
Family
ID=25010306
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19772752675 Pending DE2752675A1 (de) | 1976-12-08 | 1977-11-25 | Verfahren zum rasterfoermigen ausbilden einer pyroelektrischen vidikonauftreffplatte |
Country Status (3)
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1977
- 1977-11-25 DE DE19772752675 patent/DE2752675A1/de active Pending
- 1977-12-06 JP JP14579477A patent/JPS5371520A/ja active Pending
- 1977-12-08 FR FR7737028A patent/FR2373868A1/fr not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
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FR2373868A1 (fr) | 1978-07-07 |
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