DE2752675A1 - Verfahren zum rasterfoermigen ausbilden einer pyroelektrischen vidikonauftreffplatte - Google Patents

Verfahren zum rasterfoermigen ausbilden einer pyroelektrischen vidikonauftreffplatte

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DE2752675A1
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pyroelectric
pyroelectric material
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DE19772752675
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Edward Henry Stupp
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/20Manufacture of screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored; Applying coatings to the vessel
    • H01J9/233Manufacture of photoelectric screens or charge-storage screens

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Description

Verfahren zum rasterförmigen Ausbilden einer pyroelektrisehen Yidikonauftreffplatte
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum rasterförmigen Ausbilden einer pyroelektrisehen Vidikonauftreffplatte unter Verwendung hochenergetischer Partikel zum selektiven Entfernen von Teilen des pyroelektrischen Werkstoffes auf der Auftreffplatte.
Das bekannte Verfahren zum rasterförmigen Ausbilden einer pyroelektrischen Auftreffplatte besteht darin, eine ausgewählte Gebiete freilassende Maske auf eine Oberfläche der Auftreffplatte zu legen. Die freigelassenen Gebiete wurden mit chemischen Ätzmitteln behandelt, die einen Teil des
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pyroelektrischen Werkstoffs zwischen den bedeckten Gebieten entfernten. Anschließend wurde die Maske in bekannten naßchemischen Verfahren entfernt. Diese Arbeitsweise hat den Nachteil von Kerbverlusten, die unzulässig sind, wenn die Rastergeoinetrie für maximale Auflösung sehr klein gemacht wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum rasterförmigen Ausbilden einer pyroelektrischen Vidikonauftreffplatte mit kleineren Rastergeometrien und geringeren Kerbverlusten anzugeben, als es mit den bekannten naßchemicchon Vorfahren erreichbar ist.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs genannten Art nach der Erfindung dadurch gelöst, daß eine Schutzschicht oder Maske auf der Schicht aus pyroelektrischera Werkstoff angebracht wird, die Gebiete abgrenzt, in denen der pyroelektrische Werkstoff entfernt werden muß. Anschließend wird die pyroelcktrische Schicht dom Beschüß mit hochenergetischen Partikeln ausgesetzt, die einen Teil des pyroelektrischen Werkstoffs in den beschossenen Gebieten entfernen.
Eine Schutzschicht oder Maske kann ein Fotowiderstand oder eino aufgedampfte oder aufgesplitterte Schicht sein. In den letztgenannten Füllen ist die Schutzschicht ein Werkstoff mit niedriger Sputtorgeschwindigkeit, d.h. ein Werkstoff, der in bezug auf den pyroelektrischen Werkstoff mit niedriger Geschwindigkeit splittert. Das Maskenmuster in dieser Schicht kann durch das Abgrenzen mittels Fotowiderstandes und anschließenden Gleichspannungssputterns gebildet worden, wobei der Widerstand oder der pyroelektrische Stoff nicht geätzt wird.
Mach der Bildung der Maske werden die freigelassenen Ge-
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biete pyroelektrischen Werkstoffes, z.B. Triglyzinsulphat (TGS), einem Beschüß mit hochenergetischen Partikeln ausgesetzt. Diese Partikeln können die Form eines breiton, ganz einheitlichen, neutralisierten Ionenstrahls annehmen, der durch das Ionisieren von Argon bei einem Potential von ungefähr 5000 Volt gebildet wird und die ionische Ladung nach der Beschleunigung der Partikeln neutralisiert. Diese Technik ist als Ionenfräsen bekannt und bewirkt die Entfernung eines Teils des pyroelektrischen Werkstoffs durch energetische Partikeln, die auf die freigelassenen Gebiete der Auftreffplatte prallen.
Eine andere Möglichkeit der Rasterbildung besteht darin, daß der pyroelektrische Werkstoff mit einem Hochfrequenzplasma entfernt wird, das reaktiv oder nicht reaktiv sein kann. So wird zur Bildung eines reaktiven HF-Plasmas ein reaktives Gas in das Plasma eingebracht, wobei das Gas die Ätzgeschwindigkeit des Plasmas in bezug auf den pyroelektrischen Werkstoff erhöht. So wird für (TGS) (ein allgemein benutzter pyroelektrischer Werkstoff) FREON-14 (ein Fluorkohlenstoff)verwendet, das das (TGS) kräftig angreift, jedoch die Maske schont.
Nachdem die gewünschte Menge pyroelektrischen Werkstoffs durch HF-Plasmaätzen entfernt ist, wird die Maske oder Schutzschicht abgenommen. Dieser Vorgang läßt sich vorteilhaft durch naßchemische Verfahren ergänzen, d.h. durch Auflösen der Maske mit einem Lösungsmittel. Die Maske kann auch mit einem HF-Plasma abgenommen werden, dessen Zusammensetzung durch die Zusetzung eines Gases geändert wird, das mit der Maske reagiert, aber nicht mit dem pyroelektrischen Werkstoff. Ein derartiges Gas ist FREON-14, ebenfalls ein Fluorkohlenstoff, der vorzugsweise die Maske, aber nicht den pyroelektrischen Werkstoff angreift.
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Claims (1)

  1. NORTH AMERICAN PHILIPS CORPORATION, New York, USA
    2 7 51 ß 7 ζ
    PATENTANSPRÜCHE ι iQ/3
    (j1.) Verfahren zum rasterförmigen Ausbilden einer pyroelektrischen Vidikonauftreffplatte unter Verwendung hochenergetischer Partikel zum selektiven Entfernen von Teilen des pyroelektrischen Werkstoffes auf der Auftreffplatte, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst eine Gebiete abgrenzende Schutzschicht oder Maske auf der Schicht aus pyroelektrischem Werkstoff angebracht wird, in denen der pyroelektrische Werkstoff entfernt werden muß, danach die pyroelektrische Schicht dem Beschüß mit hochenergetischen Partikeln ausgesetzt wird, die einen Teil des pyroelektrischen Werkstoffes in den beschossenen Gebieten entfernen.
    2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht ein Fotowiderstand ist.
    3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht durch Aufdampfen aufgebracht ist.
    4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schutzschicht ein Werkstoff mit niedriger Sputtergeschwindigkeit ist.
    5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die hochenergetischen Partikeln ein HF-Plasma sind.
    6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasma reaktiv ist und den pyroelektrischen Werkstoff selektiv entfernt.
    7* Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der pyroelektrische Werkstoff in den von Schutzmaterial freien Gebieten durch Ionenfräsen entfernt wird.
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    Zr/eg - 2 "
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    ORIGINAL
    8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Schutzmaterial mit einem HF-Plasma selektiv entfernt wird.
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DE19772752675 1976-12-08 1977-11-25 Verfahren zum rasterfoermigen ausbilden einer pyroelektrischen vidikonauftreffplatte Pending DE2752675A1 (de)

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