DE2215711C2

DE2215711C2 - Verfahren zum Sprühätzen eines Musters

Info

Publication number: DE2215711C2
Application number: DE2215711A
Authority: DE
Inventors: John Louis Somerville N.J. Vossen jun.
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Priority date: 1971-04-05
Filing date: 1972-03-30
Publication date: 1982-06-03
Also published as: DE2215711A1; AU456093B2; JPS511587B1; FR2136067A5; GB1374502A; CA971129A; AU4043872A; IT949868B; US3692655A; NL7204456A

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Sprühätzen eines Musters, das durch eine organische Photoresist-Maske auf der Oberfläche eines Materials definiert wird, von dem unter den Sprühätzbedingungen Elemente oder Komplexe abgetrennt werden, die mit dem Photoresistmaterial reaktionsfähig sind, wobei das Sprühen mittels Hochfrequenz-Glimmentladung in einem ionisierbaren Gasplasma durchgeführt wird.

Das sogenannte Hochfrequenz-Sprühen ist besonders geeignet zum Ätzen von Mustern in chemisch nicht mit hinreichender Genauigkeit zu ätzenden Materialien, zu denen Mehrschicht-Filmstrukturen gehören, deren Einzelschichten abwechselnd aus verschiedenen Materialien bestehen und durch jeweils unterschiedliche chemische Substanzen zu ätzen sind. Mit dem Sprühätzen, insbesondere im vorliegenden Zusammenhang mittels Hochfrequenz, läßt sich eine derartige Mehrschicht-Filmstruktur relativ einfach ätzen, da bei entsprechend eingestellten Sprühbedingungen die Ätzgeschwindigkeit unterschiedlicher Schichten ungefähr gleich ist.

Schwierigkeiten treten beim Sprühätzen einiger Materialien jedoch auf, wenn das zu atzende Muster auf bo dem jeweiligen Material durch eine organische Photoresist-Maskierschicht definiert ist Zu den problematischen Materialien gehören Verbindungen, von denen unter Sprühätzbedingungen bestimmte mit dem organischen Photoresist reagierende Elemente oder Komple- _b5 xe abgetrennt werden. Diese reaktionsfähigen Elemente oder Komplexe von Elementen, die ionisiert sein können oder nicht,'verunreinigen das Sprüh-Plasma, reagieren mit dem organischen Photoresist und verschlechtern dadurch die Photoresistmaske, indem sie deren Fähigkeit, dem Ionenbombardement während des •Sprühens zu widersprechen, verschlechtern.

Probleme vorstehender Art treten beispielsweise beim Ätzen mehrschichtiger Zweifarben-Interferenzfilter auf, die zum Farbchiffrieren mit Mustern versehen werden. Zu den sicli optisch am besten für Farbchiffrierfilter eignenden Materialien gehören Calziumfluorid (CaF₂), Zinksulfid (ZnS) und Thoriumfluorid (ThF4 ■ 4 H2O). Unter den Bedingungen des Ionenbombardements während des Sprühätzens — die Fluor-Schwefel- und Wasserteilchen dissoziieren — verunreinigen diese Materialien das Sprühplasma und reagieren mit der die Chiffrierstreifen definierenden Photoresist-Maskierschicht auf dem Filter. Wegen der damit verbundenen Verschlechterung bzw. Schwächung der Photoresistschicht muß deren Anfangsdicke für das Ätzen einer vorgegebenen Musterdicke erheblich vergrößert werden, wodurch die Genauigkeit des Musters herabgesetzt wird.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zu schaffen, bei dessen Anwendung die vorgenannten Schwierigkeiten nicht auftreten und das daher von einer erheblich dünneren Photoresist-Maske als bisher beim Sprühätzen auszugehen erlaubt. Die erfindungsgemäße Lösung dieser Aufgabe besteht darin, daß nahe dem zu ätzenden Material ein Körper aus inertem, stabilem Material angeordnet und ein Teil des inerten, stabilen Materials während des Sprühätzens auf die Photoresistmaske so rückgestreut wird, daß der durch die reaktionsfähigen Elemente oder Komplexe hervorgerufenen Abbau der Photoresistmaske reduziert wird.

Das erfindungsgemäße Verfahren zum Sprühätzen eines durch eine organische Photoresist-Maske definierten Musters auf der Oberfläche eines Materials, von dem unter den Sprühätzbedingungen Elemente oder Komplexe abgetrennt werden, die mit dem organischen Photoresist reagieren, umfaßt demgemäß die Rückstreuung relativ inerten Materials auf den Photoresist, wodurch die durch die reaktionsfähigen Elemente oder Komplexe bewirkte Verschlechterung des Photoresists reduziert wird. Verbesserungen und weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Wenn ein Material dem Ionenbombardement eines durch Hochfrequenz erzeugten Plasmas oder Sprühgases ausgesetzt wird, werden Atome oder Moleküle des Materials von der Oberfläche weg zerstäubt und gelangen in das Zerstäubungsgas. Ein Teil dieser Atome oder Moleküle wird aus dem Sprühgas auf jeder Oberfläche, die mit demselben Gas gesprüht wird, wieder niedergeschlagen. Dieser Vorgang wird in der englischen Fachsprache »back-scattering« genannt, da das wieder niedergeschlagene Material als auf die Sprühelektrode durch das Sprühgas zurückgestreut angesehen werden kann. Das zuvor erwähnte relativ inerte Material gehört zu der Gruppe der Materialien, die unter den Sprühätzbedingungen chemisch mit dem organischen Photoresist nicht so reagieren, daß man zu einem Produkt gelangt, das stärker flüchtig ist als beide; es zerfällt auch nicht in andere Elemente oder Komplexe, die derart reagieren.

Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Verfahrens kann die Dicke des Photoresists, die zum Einätzen einer gegebenen Tiefe in ein Material, wie beispielsweise Zinksulfid oder Thoriumfluorid, notwendig ist, ungefähr

auf ein Drittel der Dicke reduziert werden, die andernfalls benötigt würde, um dem Sprühen zu widerstehen. Die geringere Dicke wiederum ermöglicht eine genauere Begrenzung des zu ätzenden Musters.

Anhand der Zeichnungen, in denen ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel dargestellt ist, wird die Erfindung nachfolgend näher erläutert Es zeigt

F i g. 1 das Endteil einer Vidikon-Röhre, deren Frontplatte mit einem erfindungsgemäß hergestellten Farbchiffrierfilter versehen ist, im Querschnitt;

F i g. 2 einen Teil der in F i g. 1 dargestellten Frontplatte und des Filters in perspektivischer Darstellung;

F i g. 3 Frontplatte und Filter gemäß F i g. 1 zu einem Zeitpunkt der erfindungsgemäßen Herstellung, in dem ein Muster durch eine Photoresistschicht auf einer zu ätzenden Filterschicht definiert ist, in vergrößertem Querschnitt; und

Fig.4 einen Teil der in Fig.3 dargestellten Frontplatte mit Filter, auf einer Sprühätzelektrodenanordnung befestigt

Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der Erfindung weist eine Vidikon-Fernsehkamera-Röhre 10 den in F i g. 1 dargestellten Fronplattenaufbau auf, wobei die innere Oberfläche 14 der Röhrenfrontplatte 16 in erfindungsgemäßer Weise mit einem subtraktiven Primärfarbfilter 12 versehen ist Das Filter 12 ist mit einer leitenden Signalelektrode 18 bedeckt, die ihrerseits mit einer photoleitenden Schicht 20 überzogen ist. Gemäß Fig.2 besteht das Filter aus einer Schar paralleler Gelbstreifen 22 oberhalb einer Schar paralleler Cyanstreifen 24, die im Winke! zu den Gelbstreifen 22 verlaufen, sowie aus einer Schar rautenförmige Überdeckungsabsohnitte 26, an denen die Gelbstreifen 22 und die Cayanstreifen 24 sich kreuzen.

Das Chiffrierfilter 12 der Röhre 10 ist direkt auf der Oberfläche 14 der Frontplatte angeordnet. Die gereinigte Frontplatte 16 wird dazu in eine Vakuumkammer gebracht und die gesamte Fläche 14 mit einer durchgehenden gelben, anorganischen, mehrschichten, zweifarbigen Interferenzfilterschicht 28 (Fig.3) auf folgende Weise überzogen:

Eine erste Schicht Zinksulfid (ZnS) wird aus einem widerstandsbeheizten Tantalschiffchen bei einem Unterdruck von ungefähr 1,3 10~^ä Pa aufgedampft, und zwar bis zu einer Dicke entsprechend V₄ Wellenlänge von 400 nm Licht, das durch die Frontplatte 16 zu einer Photomultiplikatorröhre gelangt, deren Ausgangsleistung während des Aufdampfens beobachtet wird. Wenn die Ausgangsleistung ein Minimum erreicht hat, beträgt die Schichtdicke ungefähr V₄ der Wellenlänge. Eine zweite Schicht Thoriumfluorid (ThF₄ ■ 4 H₂O) wird dann auf die ZnS-Schicht gedampft, und zwar bis zu einer Dicke von Ua der Wellenlänge des 400 nm Lichts im ThF₄. Das Thoriumfluorid wird in derselben Weise wie die Zinksulfidschicht niedergeschlagen. Dieser Prozeß wird mit wechselnden Schichten von ZnS und ThF₄ · 4 H₂O fortgesetzt, bis vier Schichten ZnS und drei Schichten ThF₄ · 4 H₂O hergestellt sind. Dann wird eine letzte Schicht aus Thoriumfluorid auf die zuvor niedergeschlagene ZnS-Schicht aufgebracht, und zwar bis zu einer Dicke, die der halben Wellenlänge entspricht

Nunmehr wird die Frontplatte 16 aus der Vakuumkammer entfernt und die gesamte gelbe Filterschicht mit einer Photoresistmaskierschicht 30 einer Dicke von ungefähr 500 nm überzogen, wie das aus F i g. 3 hervorgeht Ein kommerziell erhältliches, organisches Photoresistmaterial auf der Basis ungesättigter Zimtsäure ist für das Sprühätzen geeignet Das Resistmaterial kann alternativ auch ein mit einem Sensibilisator kombiniertes Alkydharz mit niedrigem ölgehalt sein. Die Photoresistschicht wird dann einem Lichtgitter ausgesetzt, das die gewünschten Abmessungen der endgültigen Filterstreifen besitzt und sodann mit Standardmethoden entwickelt, um die unbelichteten Teile der Photoresistschicht entfernen zu können, wodurch eine Maske 30 aus belichtetem Photoresist gemäß Fig.3 entsteht, die etwas dicker als die Filterschicht 28 ist

Gemäß F i g. 4 wird nunmehr die Frontplatte 16, die auf der Fläche 14 die Filterschicht 12 und die Maske 30 trägt, auf einer Stützplatte 32 befestigt, die ein Teil einer Elektrodenanordnung 34 für das Hochfrequenzsprühätzen ist
Die Stützplatte 32 besteht aus einer Siliziumdioxidscheibe von ungefähr 1,5 mm Dicke und mit einem Durchmesser von ungefähr 75 mm. Die Maske 30, die freigelegten Filterschichtbereiche 38 und die freien Teile der Stützplatte 32 werden mit Ionen einer Argon-Glimmentladung beschossen, bis sämtliches freigelegtes Filterschichtmaterial entfernt ist Während des Bombardements streut Siliziumdioxid der Stützplatte 32 zurück auf die Photoresistmaske 30 und reduziert die durch von der Filterschicht 28 abgespaltenes Fluor, Schwefel oder Wasser hervorgerufene Verschlechterung der Maske 30. Die Ätztiefe wird durch Zeitmessung überwacht Die Ätzrate variiert etwas in Abhängigkeit von den allgemeinen Ätzbedingungen. Jedoch kann die korrekte Ätzrate für ein bestimmtes System mit bestimmten Parametern durch eine kurze Serie von Versuchen genau festgestellt werden. Die Werte verschiedener wichtiger Parameter während des Ätzvorganges nach dem bevorzugten Ausführungsbeispiel waren: Eine Hochfrequenzspannung mit einem Spitzenwert von 2750 Volt, eine Hochfrequenz von 7,4 Megahertz, ein magnetisches Glimmbegrenzungsfeld von 35 χ 10-⁴Vs/m² im Ätzbereich, eine Mantelspannung von minus 680 Volt ein Abstand von 88 mm zwischen Sprühelektrode und einer darüber angeordneten, geerdeten Platte und ein Argondruck von ungefähr 0,36 Pa. Die Spitzenspannung und die Mantelspannung können innerhalb eines großen Bereichs variiert werden. Die Ätzrate ändert sich in Abhängigkeit sowohl von der Spitzen- als auch der Mantelspannung. Je nach der gewünschten Ätzrate kann die Spitzenspannung bis zu 3800 Volt und die Manteispannung, die von der Spitzenspannung abhängt, bis zu 950 Volt betragen. Bei höheren Spannungen wird der Strahlungsschaden an der Filterschicht bemerkbar. Die magnetische Feldstärke kann bis zu 60 χ 10~⁴ Vs/m² betragen. Stärkere Felder führen jedoch zu ungleichen Ätzraten.

Die Ätzzeit, die zum Wegätzen der freigelegten gelben Filterschicht 28 unter den oben angegebenen Bedingungen benötigt wird, beträgt ungefähr 70 Minuten. Obwohl das freigelegte Filtermaterial völlig entfernt wird, ist die Photoresistmaske 30 auf den abgedeckten Filterbereichen hinreichend dick, daß sie nicht völlig entfernt wird. Sie schützt daher das darunter liegende Filter 28 vor Sprüheffekten.

Das nach dem Ätzvorgang verbleibende Material der

fe5 Maske 30 wird durch kurzes, etwa 5minütiges Sprühätzen in einer Sauerstoffentladung erreicht, und zwar bei einem Sauerstoffdruck von ungefähr 4 Pa, einer Hochfrequenzspitzenspannung von ungefähr 2000

PbO₂

Bi₂O₃

PbO

CoO

NiO

CdO

SnO₂

V₂O₅

Cr₂O₃

Nb₂O₅

TiO₂

ZrO₂

BaO

SrO

MgO

CaO

La₂O₃

SiO₂

Al₂O₃

Volt, einem mittleren Oberflächenpotential des Photo- Tabelle

resists von ungefähr minus 500 Volt und einem

magnetischen FeJd von ungefähr 35 χ 10-⁴Vs/m². Molekül Dadurch wird das Material der Maske 30 karbonisiert und in flüchtiges Material umgewandelt, das ohne

Schwierigkeiten von der Oberfläche verdampft, ohne

die darunter liegenden gelben Filzstreifen 22 nachteilig zu beeinflussen.

Nach Beendigung des Ätzens der gelben Streifen 22 wird die gesamte Frontplattenoberfläche 14 und die gelben Streifen 22 mit einer durchgehenden anorganischen Cyan-Mehrschicht-Interferenzfilterschicht überzogen. Die Cyanfilterschicht wird durch Verdampfen niedergeschlagen, und zwar entsprechend der Herstellung der gelben Filterschicht Die erste Schicht ist ZnS. Abwechselnde Schichten von ThF4 · 4 H₂O und ZnS werden niedergeschlagen, bis fünf ZnS-Schichten und vier ThF₄ - 4 HjO-Schichten vorhanden sind. Die Dicke sämtlicher Schichten wird mit Licht einer Wellenlänge von 700 nm überwacht Auf diese Weise besitzt jede Schicht eine Dicke, die V₄ der Wellenlänge des 700 nm-Lichts in der Schicht entspricht. Sodann wird eine letzte Schicht aus ThF₄ · 4 H₂O hinzugefügt Diese letzte Schicht wird mit 530 nm Licht überwacht, anstatt mit 700 nm Licht, das für die übrigen Schichten benutzt wurde, und ist etwas dünner als die vorhergehenden ThF₄ · 4 H₂O-Schichten.

Mit der gleichen Technik, die zum Ätzen der gelben Filterschicht benutzt wurde, wird die Cyanfilterschicht zu einem Gitter geätzt, das unter 45° zum gelben Gitter verläuft. Die Ätzparamter sind grundsätzlich dieselben wie sie auch beim Ätzen der gelben Filter eingestellt wurden, mit der Ausnahme, daß die Ätzzeit ungefähr 7,7% länger ist, als sie für das gelbe Filter benötigt wird, da das Cyanfilter eine größere Dicke besitzt. Durch genaues Einhalten der Ätzzeit kann die Cyanfilterschicht auf eine bestimmte Dicke mit einer Genauigkeit von ungefähr 1,5% der ursprünglichen Filterschichtdikke geätzt werden. Diese Genauigkeit reicht aus, um das freigelegte Cyanfiltermaterial von den darunterliegenden gelben Filterstreifen 22 wegätzen zu können, ohne die gelben Filterstreifen 22 während dieses Vorganges zu beschädigen.

Die Stützplatte 32, von der Material auf die Photoresistschicht rückgestreut wird, besteht aus einem 1; Element oder einer Verbindung das bzw. die die Photoresistbeschädigungen reduziert; sie ist weiterhin relativ inert und zerfällt nicht — zumindest nicht in nennenswertem Umfang — in reaktionsfähigere Substanzen. Für das Ätzen von optischen Filtern sind Oxide vi besonders geeignet, da sie keine oder nur geringe unerwünschte Einflüsse auf die optischen Eigenschaften des Filters haben. Da Sauerstoff unter Sprühätzbedingungen sehr stark mit Photoresistmaterial reagieren kann, müssen die ausgewählten Oxide stabil genug sein, ■·» damit keine nennenswerte Zersetzung eintritt. Eine ganze Anzahl von Oxiden sind unter Sprühätzbedingungen sehr stabil. Das Maß, in dem ein Element oder Komplex unter den Bedingungen des loncnbombardcments während des Sprühätzens aus einer Verbindung 1,0 abgetrennt wird, hängt wahrscheinlich von der Stärke der chemischen Bindung zwischen den Bestandteilen der Verbindung ab, die wiederum offensichtlich von der Zerfallswärme pro dissoziiertem Element oder Komplex für das Molekül abhängt. Die Zerfallswärme pro h-> abgetrenntem Atom ist für eine Anzahl von Oxiden gemäß der nachfolgenden Tabelle experimentell ermittelt worden:

Zerfallswarme pro Sauerstoffatom (in kJ pro Mol)

138,85

193,2

219,2

240,2

245,3

255,6

291,5

313,3

377,2

389, i

457,8

542,6

560,3

593,0 604,1 637,6 640,5 646,4 822,8

Unter den normalerweise beim Sprühätzen vorliegenden Bedingungen zerfielen diejenigen der zuvor angegebenen Verbindungen in einem beträchtlichen Maße, die eine Zerfallswärme pro Sauerstoffatom von weniger als ungefähr 567 kj/mol besitzen (in der Tabelle oberhalb der gestrichelten Linie aufgeführt), während die Verbindungen deren Zerfallswärme oberhalb des genannten Wertes liegt, die also unterhalb der gestrichelten Linie aufgeführt sind, nicht zerfielen. Von den Materialien mit einem höheren Wert eignen sich besonders MgO, SiO₂ und A1₂Ü3 als Stützplattenmaterial, während die anderen weniger geeignet sind, da sie andere physikalische Eigenschaften aufweisen (beispielsweise hygroskopisch sind), die ihre Anwendung im Vakuum in der Praxis ausschließen. Obwohl A1₂O3 eine Photoresistbeschädigung reduziert, besitzt es den Nachteil, daß es den Ätzprozeß stark verlangsamt, da es eine niedrige Niederschlagsrate besitzt. Demgegenüber erscheint SiO₂ als am besten verwendbare Verbindung für die Stützplatte. Es ist leicht erhältlich in dichten, geformten Scheiben, ist völlig inert, zerfällt nur in unbedeutendem Umfang und reduziert den Abbau des Photoresists. Weiterhin verschlechtert SiO₂ die optischen Eigenschaften von Filtern nicht, da es in dünnen Schichten hinreichend transparent ist. Zusätzlich zu den speziell erwähnten Oxiden gibt es eine Anzahl von Stützplattenmaterialien, wie beispielsweise bestimmte Gläser, die die zuvor hinsichtlich der Oxide diskutierten Erfordernisse erfüllen und deshalb ebenfalls zur praktischen Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens geeignet sind. Diese anderen verwendbaren Materialien, zu denen beispielsweise Borsilikatgläser gehören, bestehen primär, zumindest zu 50% aus einem oder mehreren der zuvor erwähnten Oxide des Aluminiums, Magnesiums oder Siliziums.

Das Maß der Rückstreuung unter gegebenen Sprühälzbedingungen von der Stützplatte auf die Photoresistschicht hängt von den Proportionen der dem Bombardement ausgesetzten Stützplalte ab. Obwohl es wünschenswert ist, dem Bombardement mindestens eine der Photoresistoberfläche gleich große Stützplaltenoberfläche auszusetzen, ist das genaue Verhältnis nicht kritisch.,

Ein Photoresistmaterial, das aus einem Alkydharz mit niedrigem ölgehalt und einem Sensibilisator besteht, ist für das Hochfrequenzsprühätzen besonders geeignet. Ein derartiges Photoresistmaterial besitzt nicht nur eine überraschend hohe Widerstandsfähigkeil gegenüber dem Sprühätzen, sondern ist auch besonders vorteilhaft für das erfindungsgemäße Verfahren geeignet, da das Rückstreuen von Siiiziumdioxid auf dieses Photoresistmaterial den Abbau in einem wesentlich größeren Maße reduziert, als dies bei anderen Photoresisten der Fall ist. Daraus folgt, daß dieses Material in dünneren Schichten verwendet werden kann. Eine dünnere Photoresistschicht führt wiederum zu einer höheren Genauigkeit des geätzten Musters. Da das im Rahmen des bevorzugten Ausführungsbeispiels verwendete Photoresistmaterial derzeit kommerziell nicht erhältlich ist, wird nachfolgend seine Herstellung angegeben:

Ein derartiges Alkydharz wird durch Reagieren folgender Bestandteile hergestellt:

Tallöl-Fettsäure(1% Harz)

Phthalsäureanhydrid

Pentaerythrit

Trimethylolpropan

Benzoesäure

25,0 Gew.-%
35,5 Gew.-%
18,0Gew.-%
16,9Gew.-%
4,6 Gew.-%

Die Ingredienzen werden bei einer Temperatur von

ungefähr 200°C so lange zum Reagieren gebracht, bis das Produkt eine Säurezahl zwischen 5 und 25 aufweist.

Das derart in einer Menge von ungefähr 225 g

^r, hergestellte Alkydharz wird unter Rühren für eine Stunde in Stickstoffatmosphäre erwärmt und dann auf 100°C abgekühlt. Sodann werden ungefähr 900 ml Methylcyclohexan zugefügt und die Mischung zum Rühren unter Rückfluß erwärmt. Nach einer Stunde

in werden Erwärmen und Rühren unterbrochen und die oben stehende Flüssigkeit dekantiert. Das zurückbleibende, absorbierte Lösungsmittel wird durch Destillation entfernt, wonach das erhaltene Polymer, ungefähr 185 g, in dem gewünschten Lösungsmittel aufgelöst,

Ii dekantiert und gefiltert wird.

Die zuvor beschriebene Behandlungsmethode gilt dem Zweck, die Enden des Alkydharzes mit niedrigem Molekulargewicht zu entfernen. Vorzugsweise sollten ungefähr 15 bis 40% des ursprünglichen Materials entfernt werden.

Um das Photoresistmaterial herzustellen, wird das modifizierte Alkydharz in Toluol oder einer Mischung aus Toluol und Xylol aufgelöst, um eine 20gew.-%ige Lösung herzustellen. Sodann wird ein Sensibilisator in

r> einer Menge von ungefähr 6 Gew.-% des Harzes zugegeben. Der Sensibilisator kann beispielsweise 2,6-bis(para-Azidobenzyliden)-4-Methylcyclohexanon

sein. Weitere geeignete Sensibilisatoren sind: Benzoe, Benzophenon, Diacetyl, 4,4,4,4'-bis-(Dimethylamino)-

JO Benzophenon, Benzoe-Methyläther, 2-Methylanthrachinon und 2-Chloranthrachinon. Mischungen der genannten Stoffe sind ebenfalls verwendbar.

Claims

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Sprühätzen eines Musters, das durch eine organische Photoresist-Maske auf der Oberfläche eines Mr ierials definiert wird, von dem unter den Sprühätzbedingungen Elemente oder Komplexe abgetrennt werden, die mit dem Photoresistmaterial reaktionsfähig sind, wobei das Sprühen mittels Hochfrequenz-Glimmentladung in einem ionisierbaren Glasplasma durchgeführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß nahe dem zu ätzenden Material (28) ein Körper (32) aus inertem, stabilem Material angeordnet und ein Teil des inerten, stabilen Materials während des Sprühätzens auf die Photoresistmaske (30) so rückgestreut wird, daß der durch die reaktionsfähigen Elemente oder Komplexe hervorgerufene Abbau der Photoresistmaske (30) reduziert wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Oxid eines oder mehrerer der Elemente Aluminium, Magnesium und Silizium rückgestreut bzw. als rückgestreutes Material verwendet wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß Siliziumdioxid als rückgestreutes Material verwendet wird.

4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein aus einem Alkydharz mit Sensibilisator bestehendes Photoresist-Material verwendet wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Alkydharz mit niedrigem Olgehalt eingesetzt wird.

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