DE2162219A1 - Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors

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silicon
silicon dioxide
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semiconductor substrate
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Pending
Application number
DE19712162219
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German (de)
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Inventor
Richard Charles George North Palm Beach; Penton Jack Irwin W. Palm Beach; Fla. Swann (V.StA.)
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TDK Micronas GmbH
Original Assignee
Deutsche ITT Industries GmbH
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D48/00—Individual devices not covered by groups H10D1/00 - H10D44/00
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