DE2162020A1 - Rauscharme Feldeffekt-Halbleiteranordnung - Google Patents

Rauscharme Feldeffekt-Halbleiteranordnung

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Heber Jerry San Jose Calif.; Bowman James Larry Portland Oreg.; Bresee (V.StA.). M
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
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    • H10P32/171—
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