NL7904200A - Lagenveldeffecttransistor. - Google Patents
Lagenveldeffecttransistor. Download PDFInfo
- Publication number
- NL7904200A NL7904200A NL7904200A NL7904200A NL7904200A NL 7904200 A NL7904200 A NL 7904200A NL 7904200 A NL7904200 A NL 7904200A NL 7904200 A NL7904200 A NL 7904200A NL 7904200 A NL7904200 A NL 7904200A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- region
- layer
- conductivity type
- effect transistor
- zone
- Prior art date
Links
- 230000000694 effects Effects 0.000 title description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 28
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 8
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- TVZRAEYQIKYCPH-UHFFFAOYSA-N 3-(trimethylsilyl)propane-1-sulfonic acid Chemical compound C[Si](C)(C)CCCS(O)(=O)=O TVZRAEYQIKYCPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000012636 effector Substances 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
- H01L29/808—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier with a PN junction gate, e.g. PN homojunction gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/107—Substrate region of field-effect devices
- H01L29/1075—Substrate region of field-effect devices of field-effect transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
—ί - s> N.V. Philips1 Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.
PHH 9^77 1
Lagenveldeffekttransistor.
De uitvinding betreft een lagenveldeffekttransistor met een praktisch kwadratisch verband tussen de kanaal-stroom I__ en de poortspanning V_e over althans een deel van de -karakteristiek, bevattende een halfgeleider- 5 lichaam met een halfgeleidersubstraat van een eerste ge-leidingstype, dat is voorzien van een aan het oppervlak van het lichaam grenzend oppervlaktegebied van het tweede, aan het eerste tegengestelde geleidingstype dat een toevoer- en een afvoerzone en een daartussen gelegen kanaal-10 gebied van het tweede geleidingstype bevat en is voorzien van ten minste aan aan het oppervlak grenzend poortgebied dat met het kanaalgebied een gelijkrichtende overgang vormt.
Schakelingselementen met een kwadratische karakteristiek zijn in het algemeen gewenst omdat zij weinig of geen 15 niet-lineaire vervorming geven in bijvoorbeeld menginrich-tingen en hoogfrequent-versterkertrappen. Doordat bij een zuiver kwadratische karakteristiek geen intermodulatie optreedt zijn dergelijke schakelingselementen bok zeer goed toepasbaar in afstemeenheden (o.a. FM-tuners).
20 Het gebruik van veldeff ekttransis toren in dit soort schakelingen is algemeen bekend. Gebleken is echter dat deze de kwadratische karakteristiek slechts over een klein gedeelte van het po or tspannings bereik benaderen.
Doel van de uitvinding is het een lagenveldeffekt-25 transistor te verschaffen die over een betrekkelijk groot 790 4200 i <ï · I 1 PHN 9^77 2 gebied (althans groter dan dat van de bekende veldeffekt-transistoren) een vrijwel zuiver kwadratisch, verband tussen de kanaalstroom en de poortspanning toont.
Een lagenveldeffekttransistor volgens de uitvinding 5 heeft het kenmerk dat het halfgeleidersubstraat althans een aan het kanaalgebied grenzend deelgebied bevat waarvan de • doteringseoncentratie ten hoogste ongeveer gelijk is als die van het aangrenzende deel van het kanaalgebied en de toe-voerzone elektrisch is verbonden met het halfgeleidersub-10 straat.
Een dergelijke lagenveldeffekttransistor toont verrassenderwijs een vrijwel kwadratisch karakteristiek over een groot instelgebied. Het effekt dat deze verbetering veroorzaakt is niet geheel duidelijk. Een gedeeltelijke ver-15 klaring kan moge lijk hierin gevonden worden dat de aanname, waarbij het kwadratisch verband tussen de kanaalstroom en de poortspanning wordt afgeleid in de gebruikelijke lagenveldeff ekttransis tor niet opgaat.
Bij het formuleren van dit verband wordt namelijk uitgegaan van de aanwezigheid van een abrupte overgang tussen het poortgebied en het kanaalgebied. Het substraat is in bekende 'lagenveldeffekttransistoren gewoonlijk met de poort verbonden en bij een tegenspanning op de poort zal de stroom door het kanaal mede gestuurd worden door nc de depletielaag van de pn-overgang tussen het substraat en het kanaalgebied.
De gebruikelijke inrichtingen worden vervaardigd, met een hooggedoteerd substraat en daarop een laagohraig kanaalgebied waarin vervolgens, bijvoorbeeld.door diffusie 30 de af- en toevoerzones en de poortzone worden aangebracht. Tijdens deze latere processtappen treedt diffusie op vanuit het substraat in het kanaalgebied en dientengevolge zal de pn-overgang tussen het kanaalgebied en het substraat geen abrupte overgang vormen, zodat de aanname waarop de 35 kwadratische formule berust niet langer opgaat. Dit verklaart mogelijk ten dele de afwijking van de kwadratische karakteristiek. Proefondervindelijk is echter gebleken dat 7904200 ί ·* PHIT 9k77 3 liet aanbrenger. van een aan het kanaalgebied grenzend deel-r gebied van het substraat met een lagere doteringsconcentratie dan het aangrenzende deel van het kanaalgebied om diffusie vanuit het hooggedoteerde substraatgedeelte in het 5 kanaalgebied te voorkomen, wel enige verbetering geeft, maar deze is voor veel toepassingen onvoldoende. Een aanzienlijke verbetering wordt echter verkregen als bovendien de toevoerzone elektrisch met het substraat wordt verbonden.
Door deze unieke combinatie van maatregelen blijkt een 10 veldeffekttransistor verkregen te kunnen worden met, een praktisch kwadratische kanaalstroom-poortspannings karakteristiek over een breed instelgebied van de poortspanning.
Volledigheidshalve wordt opgemerkt dat de maatregel om diffusie vanuit een hooggedoteerd substraatgedeelte in 15 het kanaalgebied tegen te gaan door middel van een hoog-ohmige zone grenzend aan het kanaalgebied op zichzelf bekend uit het .Amerikaanse octrooischrift 3-316.131. Eveneens wordt opgemerkt dat het verbinden van de toevoerzone met het substraat op zichzelf eveneens bekend is uit bijvoor-20 beeld het Amerikaanse octrooischrift 3-222.610.
De combinatie echter van de beide maatregelen waarbij het genoemde bijzondere effect wordt verkregen wordt in de genoemde octrooischriften niet beschreven.
Een belangrijke voorkeursuitvoering van een lagenveld-25 effecttransistor volgens de uitvinding wordt hierdoor gekenmerkt dat de do terings concentratie van het deelgebied van het eerste geleidingstype lager is dan die van het· aangrenzende deel van het kanaalgebied.
De uitvinding zal thans nader worden toegelicht aan 30 de hand van een uitvoeringsvoorbeeld en de tekening, waarin Figuur 1 een bovenaanzicht toont van de veldeffekttransistor volgens de uitvinding
Figuur 2 een dwarsdoorsnede toont langs de lijn ΙΙ-ΣΙ in Figuur 1 33 Figuur 3 een aantal karakteristieke grafieken van een veldeffekttransistor volgens de uitvinding, in Figuur k de voor intermodulatie belangrijke 790 42 00 phn 9477 4 t a c grootheid |3 als .functie van de poortspanning voor verschillende veldeffekttransistors wordt vergeleken, de Figuren 5 en 6 de dwarsdoorsnede van Figuur 2 tonen tijdens verschillende stadia van een vervaardigings-5 wijze van de veldeffekttransistor.
De figuren zijn schematisch en niet op schaal getekend, waarbij ter wille, van de duidelijkheid in de dwarsdoorsnede in het bijzonder de afmetingen in de dikterich-ting sterk zijn overdreven. Halfgeleiderzones van hetzelfde 10 geleidingstype zijn in het algemeen in dezelfde richting gearceerd.
Figuur 1 toont in bovenaanzicht en figuur 2 in dwarsdoorsnede langs de lijn II-II in figuur 1 een lagenveld-effekttransistor volgens de uitvinding.
15 Deze bevat een halfgeleiderlichaam 1 in dit voorbeeld van silicium met een substraat 2 in dit voorbeeld van het p-type. Het halfgeleiderlichaam 1 is voorzien van een aan het oppervlak 3 grenzend oppervlaktegebied 4 van het n-type, in dit voorbeeld een epitaxiale laag met een dikte 20 van circa 2 micrometer en een do tering van ongeveer 15 . o 5.10 atomen/cmJ, hetgeen overeenkomt met een soortelijke weerstand van ongeveer 1 ohmcentimeter. In het oppervlaktegebied 4 zijn bijvoorbeeld door diffusie van fosforatomen, de toevoerzone 5 en de afvoerzone 6, beide van het n-type, 25 aangebracht, met een diepte van circa 0,7 micrometer.
Tussen de toevoerzone en de afvoerzone bevindt zich het poortgebied, dat in dit voorbeeld wordt gevormd door een p-type oppervlaktezone 7 met een dikte van circa o,5 micrometer. Dit poortgebied vormt een gelijkrichtende overgang 30 met het oppervlaktegebied 4 dat tussen de toevoerzone 5 en de afvoerzone 6 als kanaalgebied fungeert.
Het halfgeleiderlichaam 1 is voorts aan zijn oppervlak 3 beschermd door middel van een isolerende laag 9 in dit voorbeeld van siliciumoxyde. In deze laag 9 bevinden 35 ' zich contactvensters 10, 11 en 12 via welke de zones 5» o en 7 respectievelijk zijn gecontacteerd door contactmetal- lisaties 13 (toevoer), 14 (afvoer) en 15 (poort), >904200 PHN 9477 5
Volgens de uitvinding bevat bet substraat 2 een aan bet kanaalgebied grenzend deelgebied 7 niet een dote-ringsconcentratie ten boogste gelijk aan die van bet aangrenzende deel van bet kanaalgebied. Het deelgebied 17 5 wordt in dit voorbeeld gevormd door een p-type epitaxiale laag met een dikte van circa 4 micrometer en een doterings-concentratie van circa 3.10^ atomen/cm3 betgeen overeenkomt met een soortelijke weerstand van ongeveer 4 ohmcen-time ter.
^ Volgens de uitvinding is bovendien de toevoerzone 5 electriscb kortgesloten met bet substraat 2, in dit voor- beeld via een diepe p -diffusie 8, die aan bet oppervlak 3 een pn- over gang vormt met de toevoerzone 5» welke pn- over- gang kortgesloten is door de metallisatie 13· 15
In bet onderhavige voorbeeld bevat bet substraat 2 bovendien een boogohmige contactzone 18 met een soortelijke weerstand van 10-20 milliobmcentimeter welke is voorzien van een metallisatie 16 die bet substraat en daardoor de daarmee verbonden toevoerzone 5 contacteert. Externe 20 contactaansluitingen Gf·, D en S zijn respectievelijk aan-gebracbt op de metallisaties 14, 15 en 16.
In figuur 3 worden enkele karakteristieken weergegeven van een lagenveldeffekttransistor volgen de uitvinding.
25
Curve 21 toont de kanaalstroom als functie van de poontspanning V^s. Bij een ideale kwadratische karakteristiek geldt voor deze curve IDSS (1 - Zas)2 Ïsp (Ves - Vp)* (1) 30 p p
•Sss 1 VGS = oV
: afknijpspanning
Curve 22 stelt de steilheid g voor waarvoor geldt: g = ^ DS = DSS · (Y - V ) (2)
35 3TGS ( ®' pJ
P
In bet ideale geval is de steilheid een lineaire functie van de poortspanning De mate van lineariteit en daar- Ü*b 790 4 2 0 0 PHN 94-77 6
mee het benaderen van een ideale kwadratische I^g -V^g-karakteristiek kan worden gecontroleerd aan de hand van de afleide van de steilheid: a __2IpSS
5 ^ = <*VGS <3>
In het ideale geval levert dit een constante waarde.
Invullen van (3) in (l) geeft: I^g - γ (v^g “ vp )2 (4) De grootheid kan als volgt worden gemeten.
A
Bij toevoeren van een extra wisselspanning V '•coswt aan 10 €> de poortspanning V^g geldt uit (4-) voor de kanaalstroom 'l, = + \l - ίβ(\,3 - \ * Vs c„»v,l)2» =ίβ(νοβ - * β (ves ‘ V vg ooswt + ij8vg2°osèt 15 .
= IDS + β (VGS - Vp) Vg coswt + i^Vg2cos 2wt + IfiVg
De grootheid kan eenvoudig worden bepaald door meting van de tweede harmonische stroom tengevolge van het extra ingangssignaal.
20 D
Curve 23 in figuur 3 toont p voor een lagenveld-
effekt trans is tor volgens de uitvinding. Deze curve toont een geringe variatie over een gebruiksgebied van V^g = O tot het gebied waar praktisch het afknijppunt van de transistor is bereikt ( -V_„ = 2,oV). Buiten dit gebied wordt 25 GS
in de praktijk de transistor niet bedreven omdat de kanaalstroom te laag wordt of de poort-kanaal overgang in voorwaar tsrichting wordt geschakeld.
De bereikte verbetering blijkt duidelijk uit figuur 4 waarin de grootheid yB voor verschillende types lagenveldeffekttransistoren is weergegeven als functie van de poortspanning.
Curve 24 toont de -karakteristiek voor een conventionele lagenveldeffeettransistor (kanaalgebied op een hooggedoteerde substraat, dat met de poort verbonden is). Curve 25 geeft de in de inleiding genoemde verbetering weer, wanneer in de conventionele lagenveldeffekttransistor~ een hoogohmige zone van hetzelfde geleidingstype als het 7904200 r PHN- 9477 7 r * substraat wordt aangebracht. Deze curve blijft over een iets groter spanningsgebied constant. Curve 26 toont de β- V karakteristiek voor de lagenveldeffekttransistor volgens de uitvinding. Door de unieke kombinatie van bet 5 boogohmige deelgebied in bet substraat en de verbinding van de toevoerzone met bet substraat is bet gebied waarover β praktisch constant is ongeveer verdubbeld.
De lagenveldeffekttransistor volgens figuur 2 kan op de volgende wijze worden vervaardigd (figuren 5 en6).
10 Uitgegaan wordt van een uit gangs lichaam van laagohmig silicium in de Cl 11> richting georiënteerd met een soortelijke weerstand van 10 k 20 milliohmcentimeter. Dit laag-ohmïge silicium vormt bet deel 18 van bet substraat; hierop wordt vervolgens een p-type laag 17 met hoge soortelijke
IC
weerstand epitaxiaal aangegroeid. De laag 17 beeft in dit voorbeeld een dikte van circa 4 micrometer en een soortelijke weerstand van 3>5 - 4,5 ohmcentimeter. Op de laag 17 wordt, eveneens door epitaxiale aangroeiïhg een laag 14 van bet n-type met een dikte van circa 2 micrometer en een 20 soortelijke weerstand van ongeveer 1 ohmcentimeter a an gebracht.
Vervolgens wordt bet oppervlak 3 voorzien van een oxydelaag 20 bijvoorbeeld door middel van oxydatie . In deze oxydelaag 20 worden vensters 19 geëtst ten behoeve 25 van een daarop volgende diepe p+diffusie waardoor de p+-gebieden, die de verbinding tussen de toevoerzone en bet substraat vormen, worden verkregen. Deze diffusie, die tegelijkertijd als isolatiediffusie dient, geschiedt bijvoorbeeld door depositie van boomitride en vervolgens diffun-30 deren (figuur 5)·
Eveneens door middel van een boordiffusie wordt, nadat een daartoe geschikt venster in de oxydelaag 20 is aangebracht bet poortgebied 7 verkregen. Dit strekt zich uit tot op een diepte van circa 0,5 micrometer.
35
De oxydelaag 20, alsmede bet tijdens de diffusie-stappen aangegroeide oxyde, wordt vervolgens verwijderd en vervangen door een schone oxydelaag 9 met een dikte van 790 42 0 0
Claims (6)
1. Lagenveldeffekttransistor met een praktisch kwadra-35 tisch verband tussen de kanaals tro.am I^g en de poort spanning V^g over althans een deel van de I^g-V^g-karakteristiek, bevattende een halfgeleiderlichaam met een halfgeleider- 790 4200 * *r PHN 9^-77 9 substraat van een eerste geleidingstype, dat is voorzien van een aan bet oppervlak van bet lichaam grenzend opper-vlaktegebied van bet tweede, aan bet eerste tegengestelde geleidingstype dat een toevoer- en een afvoerzone en een 5 daartussen gelegen kanaalgebied van het tweede geleidingstype bevat en is voorzien van ten minste aan aan bet oppervlak grenzend poortgebied dat met het kanaalgebied een gelijkrichtende overgang vormt met bet kenmerk dat bet halfgeleidersubstraat althans een aan bet kanaalgebied 10 grenzend deelgebied bevat waarvan de doteringsconcentratie ten hoogste ongeveer gelijk is als die van bet aangrenzende deel van bet kanaalgebied en de toevoerzone electriscb is verbonden met bet halfgeleidersubstraat.
2. Lagenveldeffectranssistor volgens conclusie 1 met bet 15 kenmerk dat de doteringsconcentratie van bet deelgebied van bet eerste geleidingstype lager is dan die van bet aangrenzende deel van bet kanaalgebied.
3. Lagenveldeffectransistor volgens conclusie 1 of 2 met bet kenmerk dat bet deelgebied gevormd wordt door een laag 20 die epitaxiaal aangebracht is op een drager van hetzelfde geleidingstype met een hogere doteringsconcentratie, waarbij de dikte van bet deelgebied zodanig is gekozen-dat beïnvloeding van de pn-overgang tussen bet kanaal en bet substraat ten gevolge van diffusie van verontreiniging vanuit de dra-25 ger naar de pn-overgang tijdens de vervaardiging wordt voorkomen.
4. Lagenveldeffectransistor volgens conclusie 3 met het kenmerk dat bet oppervlaktegebied gevormd wordt door een epitaxiale laag van bet tweede geleidingstype die op de epitaxiale laag van het eerste geleidingstype die bet deelgebied vormt is aangegroeid.
5. Lagenveldeffecttransistor volgens één df meer der voorgaande conclusies met bet kenmerk dat bet poortgebied wordt gevomd door een in bet oppervlaktegebied aangebracbte zone van bet eerste geleidingstype.
5 Nadat vervolgens openingen 12 in het oxyde 9 zijn gevormd (figuur 6) boven het poortgebied 7 en dit oxyde boven het p+-gebied 8 is verwijderd, wordt over het gehele oppervlak een metallisatielaag van bijvoorbeeld aluminium neergeslagen. Uit deze laag worden vervolgens, door gemas-1(J keerd etsen de metallisaties 13» 14 en 15 gevormd. Nadat het substraat aan de onderzijde voorzien is van een metallisatie 16 is de lagenveldeffekttransistor volgens figuur 2 verkregen. Het spreekt vanzelf dat de uitvinding niet beperkt is tut het bovenstaande voorbeeld maar dat binnen het kader van de Uitvinding voor de vakman vele variaties mogelijk zijn. Zo kunnen de geleidingstypes van de diverse halfgeleiderzones en -gebieden (tegelijkertijd) van teken worden veranderd. Ook kunnen de oppervlakte zones 6 en 7 2<1 door middel van ionenimplantatie worden gevormd in plaats van door diffusie. Verder kan het gebied 4 gevormd worden door een n-diffusie in een hoogohmig materiaal van het p-type in plaats van door epitaxiaal aangroeien. In plaats van silicium kan een ander halfgeleidermateriaal worden OR gebruikt zoals bijvoorbeeld galliumarsenide of een andere III-V-verbinding. Het poortgebied kan ook een ondiepe oppervlaktezone bevatten, die gevormd wordt door het aanbrengen van hoog-gedoteerd polykristallijn silicium van het p-type, waaruit . door diffusie de oppervlaktezone ontstaat. Daarnaast kunnen tussen de toevoerzone en de afvoerzone meerdere poort-gebieden aanwezig zijn.
6. Lagenveldeffecttransistor volgens één of meer der voorgaande conclusies met bet kenmerk dat de toevoerzone 7904200 PHN 9^77 10 grenst aan een zone van het eerste geleidingstype die zich vanaf het oppervlak, uitstrekt tot aan het substraat van het eerste geleidingstype en met de aanvoerzone een pn-overgang vormt die door middel van een boven het opper-5 vlak aangebrachte metaallaag kortgesloten is. 15 20 25 30 35 7904200
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL7904200A NL7904200A (nl) | 1979-05-29 | 1979-05-29 | Lagenveldeffecttransistor. |
| CA000352541A CA1150854A (en) | 1979-05-29 | 1980-05-22 | Junction field effect transistor |
| GB8017183A GB2052860B (en) | 1979-05-29 | 1980-05-23 | Junction field effect transistor |
| FR8011593A FR2458147B1 (fr) | 1979-05-29 | 1980-05-23 | Transistor a effet de champ a jonction |
| DE19803019927 DE3019927A1 (de) | 1979-05-29 | 1980-05-24 | Schichtenfeldeffekttransistor |
| IT22325/80A IT1130764B (it) | 1979-05-29 | 1980-05-26 | Transistore ad effetto di campo,del tipo a giunzione |
| AU58811/80A AU537860B2 (en) | 1979-05-29 | 1980-05-27 | Junction field effect transistor |
| SE8003898A SE8003898L (sv) | 1979-05-29 | 1980-05-27 | Sperrskikts-felteffekttransistor |
| JP55069715A JPS6044834B2 (ja) | 1979-05-29 | 1980-05-27 | 接合形電界効果トランジスタ |
| ES491862A ES491862A0 (es) | 1979-05-29 | 1980-05-27 | Un transistor de efecto de campo de union |
| US06/388,827 US4498094A (en) | 1979-05-29 | 1982-06-16 | Junction field effect transistor having a substantially quadratic characteristic |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL7904200 | 1979-05-29 | ||
| NL7904200A NL7904200A (nl) | 1979-05-29 | 1979-05-29 | Lagenveldeffecttransistor. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL7904200A true NL7904200A (nl) | 1980-12-02 |
Family
ID=19833263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL7904200A NL7904200A (nl) | 1979-05-29 | 1979-05-29 | Lagenveldeffecttransistor. |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4498094A (nl) |
| JP (1) | JPS6044834B2 (nl) |
| AU (1) | AU537860B2 (nl) |
| CA (1) | CA1150854A (nl) |
| DE (1) | DE3019927A1 (nl) |
| ES (1) | ES491862A0 (nl) |
| FR (1) | FR2458147B1 (nl) |
| GB (1) | GB2052860B (nl) |
| IT (1) | IT1130764B (nl) |
| NL (1) | NL7904200A (nl) |
| SE (1) | SE8003898L (nl) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5957477A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| US4622568A (en) * | 1984-05-09 | 1986-11-11 | Eaton Corporation | Planar field-shaped bidirectional power FET |
| JPH01123417A (ja) * | 1987-11-07 | 1989-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| AU643781B2 (en) * | 1989-09-26 | 1993-11-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | A semiconductor device |
| DE19644821C1 (de) * | 1996-10-29 | 1998-02-12 | Daimler Benz Ag | Steuerbare Halbleiterstruktur mit verbesserten Schalteigenschaften |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL299194A (nl) * | 1962-10-15 | |||
| US3316131A (en) * | 1963-08-15 | 1967-04-25 | Texas Instruments Inc | Method of producing a field-effect transistor |
| US3222810A (en) * | 1964-06-23 | 1965-12-14 | Daniel D Musgrave | Magazine loading clip |
| US3440500A (en) * | 1966-09-26 | 1969-04-22 | Itt | High frequency field effect transistor |
| US3656031A (en) * | 1970-12-14 | 1972-04-11 | Tektronix Inc | Low noise field effect transistor with channel having subsurface portion of high conductivity |
| US4112455A (en) * | 1977-01-27 | 1978-09-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Field-effect transistor with extended linear logarithmic transconductance |
| US4119996A (en) * | 1977-07-20 | 1978-10-10 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Complementary DMOS-VMOS integrated circuit structure |
| JPS5846863B2 (ja) * | 1977-08-25 | 1983-10-19 | 松下電器産業株式会社 | 半導体集積回路装置 |
| US4176368A (en) * | 1978-10-10 | 1979-11-27 | National Semiconductor Corporation | Junction field effect transistor for use in integrated circuits |
-
1979
- 1979-05-29 NL NL7904200A patent/NL7904200A/nl not_active Application Discontinuation
-
1980
- 1980-05-22 CA CA000352541A patent/CA1150854A/en not_active Expired
- 1980-05-23 GB GB8017183A patent/GB2052860B/en not_active Expired
- 1980-05-23 FR FR8011593A patent/FR2458147B1/fr not_active Expired
- 1980-05-24 DE DE19803019927 patent/DE3019927A1/de not_active Ceased
- 1980-05-26 IT IT22325/80A patent/IT1130764B/it active
- 1980-05-27 JP JP55069715A patent/JPS6044834B2/ja not_active Expired
- 1980-05-27 SE SE8003898A patent/SE8003898L/ not_active Application Discontinuation
- 1980-05-27 ES ES491862A patent/ES491862A0/es active Granted
- 1980-05-27 AU AU58811/80A patent/AU537860B2/en not_active Ceased
-
1982
- 1982-06-16 US US06/388,827 patent/US4498094A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2458147B1 (fr) | 1985-10-31 |
| FR2458147A1 (fr) | 1980-12-26 |
| IT8022325A0 (it) | 1980-05-26 |
| US4498094A (en) | 1985-02-05 |
| DE3019927A1 (de) | 1980-12-04 |
| GB2052860B (en) | 1983-06-29 |
| AU5881180A (en) | 1980-12-04 |
| IT1130764B (it) | 1986-06-18 |
| ES8102418A1 (es) | 1980-12-16 |
| CA1150854A (en) | 1983-07-26 |
| JPS55158676A (en) | 1980-12-10 |
| GB2052860A (en) | 1981-01-28 |
| SE8003898L (sv) | 1980-11-30 |
| ES491862A0 (es) | 1980-12-16 |
| AU537860B2 (en) | 1984-07-19 |
| JPS6044834B2 (ja) | 1985-10-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5963791A (en) | Silicon carbide MOSFET having self-aligned gate structure and method of fabrication | |
| EP0518683B1 (en) | High power, high frequency metal-semiconductor field-effect transistor formed in silicon carbide | |
| US3339128A (en) | Insulated offset gate field effect transistor | |
| US4996575A (en) | Low leakage silicon-on-insulator CMOS structure and method of making same | |
| US4101922A (en) | Field effect transistor with a short channel length | |
| US4631562A (en) | Zener diode structure | |
| NL8001409A (nl) | Halfgeleiderinrichting. | |
| NL8204855A (nl) | Veldeffekttransistor met geisoleerde stuurelektrode en werkwijze ter vervaardiging daarvan. | |
| EP0348998A1 (en) | Semiconductor integrated circuit including differential transistor circuit having a pair of FETs | |
| US7164160B2 (en) | Integrated circuit device with a vertical JFET | |
| US4745274A (en) | Semiconductor light detecting integrated circuit | |
| US3324297A (en) | Radiation-sensitive semi-conductor device having a substantially linear current-voltage characteristic | |
| US4709251A (en) | Double Schottky-gate field effect transistor | |
| NL7904200A (nl) | Lagenveldeffecttransistor. | |
| US4651178A (en) | Dual inverse zener diode with buried junctions | |
| US3621347A (en) | Semiconductor device comprising a field effect transistor having an insulated gate electrode and circuit arrangement comprising such a semiconductor device | |
| NL8203424A (nl) | Variabele mis weerstand. | |
| KR100226874B1 (ko) | 감소된 게이트 용량을 갖는 mosfet구조체 및 그 형성방법 | |
| US4170818A (en) | Barrier height voltage reference | |
| US4918498A (en) | Edgeless semiconductor device | |
| EP0076006A2 (en) | Semiconductor device comprising a field effect transistor | |
| US4078244A (en) | Semiconductor device | |
| US3855609A (en) | Space charge limited transistor having recessed dielectric isolation | |
| JPS6317340B2 (nl) | ||
| US5444292A (en) | Integrated thin film approach to achieve high ballast levels for overlay structures |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |