DE2149898A1 - Verfahren zur herstellung passivierter halbleiterbauelemente - Google Patents

Verfahren zur herstellung passivierter halbleiterbauelemente

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silicon nitride
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silicon dioxide
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Helmuth Dipl-Phys Dr Murrmann
Lothar Dipl-Phys Schleicher
Dietrich Dipl-Phys Dr Widmann
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
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    • H10P50/282—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials
    • H10P50/283—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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