DE2140932B2 - Glaskeramik niedriger Wärmedehnung und hoher elektrischer Resistenz des Systems SiO2 - Al2 O 3 -ZnO mit den Kernbildnern ZrO 2 und/oder einem Edelmetall, sowie Verfahren zur Herstellung eines glaskeramischen Gegenstandes - Google Patents

Glaskeramik niedriger Wärmedehnung und hoher elektrischer Resistenz des Systems SiO2 - Al2 O 3 -ZnO mit den Kernbildnern ZrO 2 und/oder einem Edelmetall, sowie Verfahren zur Herstellung eines glaskeramischen Gegenstandes

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Description

Es sind Glaskeramiken des allgemeinen Systems SiO2-AI2Oi-ZnO bekannt, welche neben einer im Vergleich zum Ausgangsglas stark erhöhten Festigkeit gute elektrische Eigenschaften, insbesondere niedrige dielektrische Verluste aufweisen.
So beschreiben die GB-PS Il 08 474 und 11 08 475 Glaskeramiken mit niedrigen dielektrischen Verlusten, welche in Gew.-% 32-56% ZnO. 3-25% Al2O3, — 54% SiO2 und einen Kernbildner enthalten. Diese Bestandteile sollen insgesamt mindestens 80% ausmachen, und sie sollen weiterhin verträgliche andere Bestandteile, mit Ausnahme von Lithium- und Titanoxid, enthalten können. Die kristalline Phase besteht ausschließlich aus Zinkorthosilikat (Willemit), Zinkspinell (Gahnit), Quarz und Mullit. Ihre Wärmedehnung soll meist im Bereich 25-5Ox 10V0C für den Temperaturbereich von 20 SOO0C liegen, wobei die Ausführungsbeispiele aber den sehr viel höher gehenden Bereich 28—115,4 χ 10~7 und überdies für einen nach oben auf 5000C begrenzten Temperaturbereich belegen. Für die Herstellung dieser Glaskeramiken verlangt die GB-PS 11 08 475 eine Wärmebehandlung von 1000 bis 1250" C, die auch erforderlich ist, um eine durchgängige, nicht nur auf einen Oberflächenbereich beschränkte Kristallbildung herbeizuführen. Mit einer solchen Oberflächenkristallbildung befaßt sich die GB-PS Ii 08 476. Die hiernach angestellten, bei den niedrigeren Temperaturen von 700—1000°, vorzugsweise 800—900°, behandelten Glaskörper der Zusammensetzung 24—56 Gew.-% ZnO, 3—25% Al2O3, 32—54% SiO2 enthalten lediglich eine kristallisierte Oberflächenschicht einer Wärmedehnung von 30-42xl0-V°C.
Die Erfindung hat eine Glaskeramik und ein Verfahren zu ihrer Herstellung zur Aufgabe, welche die Eigenschaften hat, elektrische Resistenz mit sehr viel niedrigerer Wärmedehnung, einschließlich der Wärmedehnung 0, in einem breiten Temperaturbereich (25—6000C) in sich zu vereinigen.
Die Aufgabe wird durch die Glaskeramik der Erfindung des Systems SiO2-Al2O3-ZnO mit ZrO2 und/oder einem Edelmetall als Kernbildner und den Eigenschaften niedriger Wärmedehnung und hoher elektrischer Resistenz dadurch gelöst, daß ihr Wärmeausdehnungskoeffizient im Temperaturbereich 25-600°C zwischen -5 und 21,5 :< 10-7/°C liegt und ihr Kristallgehalt größer als 50 Gew.-% ist, mit Zink-Petalit und/oder Beta-Quarz als die wesentlichen Kristalle, wobei die Glaskeramik folgende Zusammensetzung in Gew.-% aufweist: 13-40% ZnO, 9-26% Al2O3, 40-75% SiO2, 0-3% BaO und als Kernbildner 3-10% ZrO2 und/oder 0,001-0,5% Kupfer, Gold, Platin, Palladium oder Silber.
Zur Herstellung der Glaskeramik wird nach dem Verfahren der Erfindung in der Weise vorgegangen, daß ein aus dem entsprechenden Ansatz erschmolzener und geformter Glaskörper bei Temperaturen zwischen 795 und 950°C einer kristallisierenden Wärmebehandlung unterworfen wird.
Überraschenderweise wurde gefunden, daß die stark verbesserten günstigen Eigenschaften sehr niedriger Wärmedehnung, z. B. der Wärmedehnung Null im Temperaturbereich von 25—6000C und hoher elektrischer Resistenz nur erhalten werden, wenn Zink-Petalit und/oder Beta-Quarz, nicht dagegen die in den oben erwähnten GB-PS 11 08 474 und 11 08 475 überwiegend anfallenden Kristallphasen Willemit, Gahnit und Mullit die Hauptkristallphasen bilden. Ferner wurde überraschend gefunden, daß die erstgenannten Kristallphasen entstehen, die unerwünschten Willemit-, Gahnit- und Mullitkristalle aber unterdrückt werden, wenn bestimmte Grenzen der Zusammensetzung und der Wärmebehandlung eingehalten werden. Für die Verfahrensführung ist es wesentlich und kritisch, mit der kristallisierenden Wärmebehandlung nicht über 9500C zu gehen, wenn die unerwünschten Kristallphasen ausbleiben sollen.
Für den im Gegensatz zum erörterten Stand der Technik unerwartet anfallenden zinkhaltigen Teil der Kristallphase wird der Ausdruck »Zink-Peialit« vorgeschlagen und hier verwendet, weil die Diffraktionsanalyse dieser Kristallphase eine große Ähnlichkeit mit Petalit, LiAlSi4Oi» zeigt, die man als feste Lösung von Zinkanalogen des eigentlichen Petalits betrachten kann, also ZnAbSi jQi». ZnSi2O=,, ZnAljSisOia-
Die Kristallisation ist zeit- und temperaturabhängig, wobei im oberen Temperaturbereich kürzere Zeiten ausreichen (z. B. 1 Std. oder weniger), während im oberen Temperaturbereich längere Zeiten erforderlich sind (z.B. 24-48 Std.).
Bei einer 950° wesentlich übersteigenden Erhitzung gehen die festen Lösungen von Zink-Petalit und Beta-Quarz in die Kristallphaser. Gahnit (ZnO · Al2O3), Willemit (2 ZnO - SiO2) oder Kristobalit (SiO2) über. Das sind an sich unerwünschte Phasen, weil die niedrige Wärmedehnung verloren geht Die bei niedrigen Temperaturen anfallenden Phasen dieser Art sind aber mengenmäßig so gering, daß die günstigen Eigenschaften insgesamt erhalten bleiben.
Ein besonders günstiger Bereich der Zusammensetzung ist 50-70% SiO2,15-25% Al2O3, 17-25% ZnO, 3-7% ZrO2 und wahlweise bis zu 3% 3aO. Die Wärmebehandlung wird bei dieser bevorzugten Ausgestaltung bei 800—925° C durchgeführt Die entstehenden Kristallpbasen bestehen im wesentlichen nur aus den festen Lösungen von Zink-Petalit und Beta-Quarz, sowie aus tetragonalem Zirkonoxid. Die Wärmedehnung ist Null und die elektrischen Eigenschaften sind hervorragend. Die Dauer der zweistufigen Wärmebehandlung umfaßt in diesem Fall 2—6 Std. für die Kernbildung und etwa 1—8 Std. für das Kristallwachstum. Es sind verschiedene Abwandlungen des Herstellungsverfahrens möglich. So kann z. B. der unter Kühlen unterhalb des Transformationsbereichs geformte Glasgegenstand weiter bis auf Zimmertemperatur abgekühlt jo und vor der weiteren Warmbehandlung auf etwaige Fehler untersucht werden. Ist eine schnelle und Brennstoff sparende Herstellung wesentlich, so wird die Schmelze dagegen nur bis dicht unter die Transformationstemperatur abgeschreckt und die Kristallisationsbehandlung sofort angeschlossen.
Anstelle einer zweistufigen Wärmebehandlung wird eine zufriedenstellende Kristallbildung durch Erhitzen des geformten Glaskörpers von Zimmertemperatur oder dem Transformationsberdch auf 775—950°C erzielt, und zwar so lange, bis das Produkt stark kristallin ist. Die so hergestellten Gegenstände sind aber nicht so gleichmäßig feinkörnig wie die im zweistufigen Verfahren erzeugten Glaskeramiken.
Eine Verweilzeit bei dem in Frage kommenden Temperaturen kann entbehrlich sein, wenn die Erhitzung von der Zimmer- oder der Transformationstemperatur nicht zu rasch vorgenommen und die abschließende Kristallisationstemperatur nahe am oberen Kristallisationsbereich liegt. Die Erhitzungsgeschwindigkeit darf aber die Kristallwachstumsgeschwindigkeit nicht überschreiten, da die Anzahl der Kristalle sonst zu klein und der Gegenstand nicht selbsttragend ist, in der Nähe des Erweichungspunktes also zusammenfällt. Daher wird eine Erhitzungsgeschwindigkeit von etwa 3—5°C/ π Min. bevorzugt, obwohl auch Erhitzungsgeschwindigkeiten von 10°C/Min. und mehr bereits erfolgreich erprobt wurden und möglich sind, besonders wenn der Glasgegenstand abgestützt und damit vor der Verformung geschützt wird. Bei der bevorzugten Erhitzungsgeschwindigkeit war im gesamten, beanspruchten Zusammensetzungsbereich praktisch keinerlei Verformung zu beobachten.
Die Tabelle I verzeichnet in Gew.-% und auf Oxidbasis thermisch kristallisierbare Gläser, die nach b5 dem erfindungsgemäßen Verfahren warmbehandelt wurden. Der Ansatz enthält Oxide oder andere Verbindungen, die beim Erschmelzen die angegebenen Bestandteile ergeben. Die Edelmetalle sind der geringen Menge wegen im Überschuß zum Glasansatz angegeben.
Die Ansatzkomponenten wurden in der Kugelmühle homogenisiert, und sodann im offenen Platintiegeln während 16 Std. bei etwa 1500-1600° C erschmolzen.
Glasstäbe mit einem Durchmesser von etwa 0,6 cm wurden von Hand aus jeder der Schmelzen gezogen und der Rest jeweils auf eine Stahlplatte zu runden Glasscheiben mit einem Durchmesser von 12,7 cm und einer Dicke von 1,27 cm gegossen und sofort in einen Anlaßofen bei 65O0C gesetzt Die Glasstäbe und Scheiben wurden dann in einen Elektroofen gelegt und entsprechend der Tabelle II warmbehandelt Am Abschluß der einzelnen Warmbehandlung wurde der Elektroofen abgeschaltet; die Proben wurden entweder entnommen, oder zur Abkühlung mit normaler Ofenabkühlgeschwindigkeit (durchschnittlich etwa 3—5° C/ Min.) im Ofen belassen.
Zusätzlich zu den erforderlichen Mengen ZnO, Al2O3, SiO2 und kernbildendem Mittel können als Schmelzhilfen oder zur Modifizierung der chemischen und/oder physikalischen Eigenschaften geringe Mengen verträglicher Metalloxide von insgesamt nicht mehr als 10% (Gew.-%) zugegeben werden. So sind z. B. günstig Zusätze von bis zu 6 Gew.-% BaO zur Stabilisierung des Dehnungskoeffizienten oder bis zu 3% BeO zur Senkung des Liquidus der Schmelze und zur Verbesserung der Qualität der Oberflächenbeschaffenheit der Endprodukte. Als Flußmittel sind auch B2O3, P2Os und PbO geeignet, dürfen aber zur Sicherstellung guter Wärmebeständigkeit insgesamt etwa 5 Gew.-% nicht überschreiten. Alkalimetalloxide wie Li2O, Na2O und K2O sollten wegen ihres nachteiligen Einflusses auf die dielektrischen Eigenschaften des Endproduktes am besten vermieden werden, doch sind als Schmelzhilfe bis zu ca. 2 Gew.-% vertretbar. Auch Erdalkalimetalloxide wie MgO, CaO und SrO sollten vermieden werden, weil sie in den Zink-Petalit- und Beta-Quarz-Phasen feste Lösungen oder unerwünschte andere Phasen wie Spinel (MgO · Al2O3) bilden. Möglich sind bis zu etwa 2% eines einzelnen Erdalkalimetalls, und insgesamt bis zu 3%. Die Ersetzung von ZrO2 durch TiO2 begünstigt die Bildung einer unerwünschten Gahnitphase, kleinere Mengen sind aber statthaft, und zwar nicht mehr als 2%, da Ti2O ein weit stärkerer Kernbildner ist als ZrO2. Für ein größeres Wachstum von Zink-Petalit- und Beta-Quarz-Kristallen werden wenigstens 5% ZrO2 bevorzugt.
Wenigstens 3% ZrO2 oder 0,001% eines Edelmetalls sind erforderlich, um eine ausreichende Kernbildung einzuleiten und einen gleichmäßig feinkörnigen kristallinen Gegenstand zu erzielen. Mehr als 10% ZrO2 führen zu Schmelzproblemen, sind aber auch unnötig; das Endprodukt enthält dann nur eine größere Kristallphase von tetragonalem Zirkonoxid. Mehr als 0,5% Edelmetalle sind brauchbar und für das kristalline Produkt unschädlich, aber andererseits unnötig und scheiden aus wirtschaftlichen Gründen meist aus. SnO ist in Mengen von bis zu 2% oft günstig zur Senkung der Liquidustemperatur und zur Reduzierung der Edelmetalle.
Die Schmelzflüssigkeit der Gläser der Tabelle I war auch ohne Läuterungsmittel recht gut. Zur Herstellung in größerem Umfang kann aber nach Bedarf ein bekanntes Läuterungsmittel wie AsiOj beigegeben werden. Entsprechend der üblichen Praxis sind die Edelmetalle als Element verzeichnet.
1 7 13 2 8 14 3 9 4 5 18 6
ZnO 23,25% 24,63% 23,70% 19,70% 19,14% 14,92% 19,70% 19,90% 19,70%
Al2O3 23,25 19,70 18,95 14,78 14,35 19,90 14,78 14,92 14,78
SiO2 46,50 54,19 52,13 64,04 62,20 64,68 64,04 64,68 64,04
ZrO2 6,50 - 4,72 - 3,81 - - - -
As2O3 0,50 0,50 0,50 0,50 0,50 0,50 0,50 0,50 0,50
SnO - 0,98 - 0,98 - - 0,98 - 0,98
Pd - 0,003 - - - - 0,01 - 0,001
Pt - - - - 0,01 - 0,01 -
Au - 0,01 - 0,01 - 0,003
- - - 10 11 12
ZnO 15 16 14,92% 36,36% 32,55%
Al2O, 14,92 13,63 13,95
SiO2 69,66 40,90 46,52
ZrO2 - 9,11 6,98
As2O3 0,50 - -
SnO - - -
Pd - - -
Pt 0,003 - -
Au - - -
Ag 0,002 -
17 19
27,91% 27,91%
18,59 13,95
46,52 51,16 6,98 6,98
32,56% 9,30
51,16 6,98
ZnO
Al2O3
SiO2
ZrO2
As2O3
BaO
BeO
Die Tabelle II zeigt für die Beispiele der Tabelle I die Warmbehandlung bis zur Entstehung eines weißen, feinkörnigen, opaken oder durchscheinenden kristallinen Gegenstands, die durch Diffraktionsanalyse mit Röntgenstrahlen ermittelten Kristaüphasen, verschiedene Messungen des Wärmedehnungskoeffizienten im Bereich von 25—6000C, die bei 25° C und 1 Kilohertz
17,92% 17,92 53,79 5,39 0,50 4,48
18,69%
16,36
58,37
3,74
0,50
2,34
16,01%
16,01
61,80
4,74
0,5O
0,94
20,66%
18,78
53,50
5,63
0,50
0,93
gemessene Dielektrizitätskonstante und Verlusttangente und den bei 4000C gemessenen, spezifischen elektrischen Widerstand (log R). In jedem Fall wurde die Temperatur bis zur Haltetemperatur um 5°C/Min. erhöht. Die Abkühlung der kristallisierten Gegenstände auf Zimmertemperatur erfolgte mit Ofengeschwindigkeit.
Beisp.
Nr.
Warmbehandlung Kristallphase Dehnungs-
koefT.
(x 1(T7/ C)
Dielektr.-
konstante
Verlust
tangente
log/?
1 2 Std. bei 800 C
4 Std. bei 850 C
Beta-Quartz -3,0 6,63 0,0017 10,8
2 2 Std. bei 800 C
4 Std. bei 875 C
Beta-Quarz,
Zink-Petalit
1,0
3 2 Std. bei 800 C
4 Std. bei 875 C
Zink-Petalit 6,0
4 2 Std. bei 775 C
2 Std. bei 825 C
4 Std. bei 875 C
Zink-Petalit 9,0
Fortsetzung Warmbehandlung Krislallphase Dehnungs-
koefT.
Dielektr.-
konstante
Verlust
tangente
log/J
Beisp.
Nr.
(X 10 1I C)
2 Std. bei 775 C
2 Std. bei 825 C
4 Std. bei 375 C
Zink-Petalit -5,0
5 2 Std. bei 775 C
2 Std. bei 825 C
4 Std. bei 875 C
Zink-Petalit 8,0
6 2 Std. bei 775 C
2 Std. bei 825 C
4 Std. bei 875 C
Zink-Petalit 8,0
7 2 Std. bei 775 C
2 Std. bei 825 C
4 Std. bei 875 C
Zink-Petalit 9,0
8 2 Std. bei 775 C
2 Std. bei 825 C
4 Std. bei 875 C
Zink-Petalit 5,0
9 2 Std. bei 775 C
2 Std. bei 825 C
4 Std. bei 875 C
Zink-Petalit 6,0
10 2 Std. bei 775 C
4 Std. bei 850 C
21,5
11 2 Std. bei 750 C"
4 Std. bei 950 C
13,7
12 2 Std. bei 800 C
4 Std. bei 850 C
Zink-Petalit 18
13 2 Std. bei 800 C
4 Std. bei 825 C
Zink-Petalit 6.41 0,0016 8,5
14 2 Std. bei 800 C
4 Std. bei 825 C
Beta-Quartz 7,03 0,0011 9,0
15 2 Std. bei 700 C
6 Std. bei 860 C
Beta-Quartz,
Kubik ZrO2
16 2 Std. bei 770 C
6 Std. bei 870 C ·
Beta-Quartz
Kubik ZrO2
17 2 Std. bei 800 C
2 Std. bei 820 C
4 Std. bei 850 C
Beta-Quartz
Zink-Petalit
3.0
18 2 Std. bei 800 C
4 Std. bei 850 C
Zink-Petalit
Beta-Quartz
4,5
19
Je nach der Kristallisationsfähigkeit des Ansatzes 75%. Die Kristalle sind gleichmäßig feinkörnig liegt der Kristallgehalt der erfindungsgemäßen Produk- 55 durchweg kleiner als 5 μπι und in der Mehrzahl kleinei te mindestens über 50 Gew.-% und normalerweise über als 1 μπι im Durchmesser.

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Glaskeramik niedriger Wärmedehnung und hoher elektrischer Resistenz des Systems SiO2-Al2O3-ZnO mit den Kernbildnern ZrO2 und/oder einem Edelmetall, dadurch gekennzeichnet, daß ihr Wärmeausdehnungskoeffizient im Temperaturbereich 25—6000C zwischen —5 und 21,5 χ 10 - 7° C liegt und ihr Kristallgehalt größer als ι ο 50 Gew.-% ist, mit Zink-Petalit und/oder Beta-Quarz als die wesentlichen Kristalle, wobei die Glaskeramik folgende Zusammensetzung in Gew.-% aufweist:
15
13-40 ZnO
9-26 Al2O3
40-75 SiO2
O- 3 BaO
20
und als Kernbildner
3-10 ZrO2
und/oder 0,001 —0,5 Kupfer, Gold, Platin, Palladium 2 j oder Silber.
2. Glaskeramik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie bis zu 2 Gew.-% MgO und/oder CaO und/oder SrO enthält, wobei der Gesamtgehalt an diesen Erdalkalioxiden 3 Gew.-% jo nicht übersteigt.
3. Verfahren zur Herstellung eines Gegenstandes aus der Glaskeramik nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein aus dem entsprechenden Ansatz erschmolzener und geformter r, Glaskörper bei Temperaturen zwischen 795 und 950°C einer kristallisierenden Wärmebehandlung unterworfen wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Wärmebehandlung zweistufig durchgeführt wird, und zwar:
während 2—6 Stunden bei 725—8000C und
während 1 -8 Stunden bei 800-925°C.
DE2140932A 1970-08-19 1971-08-16 Glaskeramik nierdriger Wärmedehnung und hoher elektrischer Resistenz des Systems SiO↓2↓- Al↓2↓O↓3↓- ZnO mit den Kernbildnern ZrO↓2↓ und/oder einem Edelmetall, sowie Verfahren zur Herstellung eines glaskeramischen Gegenstandes Expired DE2140932C3 (de)

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