DE2133646A1 - Zenerdiode - Google Patents

Zenerdiode

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DE2133646A1 DE19712133646 DE2133646A DE2133646A1 DE 2133646 A1 DE2133646 A1 DE 2133646A1 DE 19712133646 DE19712133646 DE 19712133646 DE 2133646 A DE2133646 A DE 2133646A DE 2133646 A1 DE2133646 A1 DE 2133646A1
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zener
diode
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DE19712133646
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Henri Puyncard Valdman (Frank reich)
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Societe Europeenne de Semi Conducteurs de Microelectronique SA SESCOSEM
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Societe Europeenne de Semi Conducteurs de Microelectronique SA SESCOSEM
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4200877A (en) * 1976-12-23 1980-04-29 Hitachi, Ltd. Temperature-compensated voltage reference diode with intermediate polycrystalline layer
DE3131991A1 (de) * 1980-08-18 1982-04-29 Naamloze Vennootschap Philips' Gloeilampenfabrieken, 5621 Eindhoven "zenerdiode und verfahren zu ihrer herstellung"

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE12084C (de) * F. RASSMUS in Magdeburg, Wallstr. 2 b Eisenbahnwagenschieber
FR1492662A (fr) * 1965-10-22 1967-08-18 Motorola Inc Diode de référence à compensation de la température et procédé pour former cette diode
US3519900A (en) * 1967-11-13 1970-07-07 Motorola Inc Temperature compensated reference diodes and methods for making same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4200877A (en) * 1976-12-23 1980-04-29 Hitachi, Ltd. Temperature-compensated voltage reference diode with intermediate polycrystalline layer
DE3131991A1 (de) * 1980-08-18 1982-04-29 Naamloze Vennootschap Philips' Gloeilampenfabrieken, 5621 Eindhoven "zenerdiode und verfahren zu ihrer herstellung"

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NL7109168A (enExample) 1972-01-11
FR2096859A2 (enExample) 1972-03-03

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