DE2105541A1 - Planarhalbleiterbauelement und Ver fahren zu dessen Herstellung - Google Patents
Planarhalbleiterbauelement und Ver fahren zu dessen HerstellungInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US1162670A | 1970-02-16 | 1970-02-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2105541A1 true DE2105541A1 (de) | 1971-09-02 |
Family
ID=21751276
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19712105541 Pending DE2105541A1 (de) | 1970-02-16 | 1971-02-06 | Planarhalbleiterbauelement und Ver fahren zu dessen Herstellung |
| DE19717104337U Expired DE7104337U (de) | 1970-02-16 | 1971-02-06 | Planarhalbleiterbauelement |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19717104337U Expired DE7104337U (de) | 1970-02-16 | 1971-02-06 | Planarhalbleiterbauelement |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| AU (1) | AU2457171A (enExample) |
| DE (2) | DE2105541A1 (enExample) |
| FR (1) | FR2080541A1 (enExample) |
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1971
- 1971-01-22 AU AU24571/71A patent/AU2457171A/en not_active Expired
- 1971-02-06 DE DE19712105541 patent/DE2105541A1/de active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU2457171A (en) | 1972-07-27 |
| FR2080541A1 (enExample) | 1971-11-19 |
| DE7104337U (de) | 1974-05-02 |
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